RU2230392C2 - Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора - Google Patents
Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2230392C2 RU2230392C2 RU2001126630/28A RU2001126630A RU2230392C2 RU 2230392 C2 RU2230392 C2 RU 2230392C2 RU 2001126630/28 A RU2001126630/28 A RU 2001126630/28A RU 2001126630 A RU2001126630 A RU 2001126630A RU 2230392 C2 RU2230392 C2 RU 2230392C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- layer
- dielectric
- silicon
- windows
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 100
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 claims abstract description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 abstract 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получаемого локальным окислением, и глубиной травления, обеспечивающей планарность диэлектрика в окнах с поверхностью кремния, и расстоянием между окнами для области стока и области истока, превышающим ширину затвора полевого транзистора, производят травление горизонтальных и наклонных, над областями “клюва”, участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, а после вытравливания первого слоя поликристаллического кремния производят осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легируют его для создания слабо легированных областей стока и истока полевого транзистора, травят горизонтальные и наклонные, над областями “клюва”, участки второго слоя поликристаллического кремния до кремния и первого диэлектрика, окисляют поверхность кремния и второго поликристаллического кремния на толщину не менее толщины требуемого подзатворного диэлектрика, осаждают третий слой поликристаллического кремния, формируют затвор, формируют сильно легированные области стока и истока диффузией из первого поликристаллического кремния и слаболегированные области стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является полное самосовмещение одновременно всех основных элементов полевого транзистора друг относительно друга с обеспечением возможности самомасштабирования длины затвора до значений, существенно меньших величины минимального размера на литографии. 1 с. и 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
Description
Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления наиболее массовых полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник (МОП транзисторов).
Технология изготовления полевого транзистора непрерывно усовершенствуется, в первую очередь, за счет успехов современной литографии, обеспечивающей возможность последовательного уменьшения величины минимального размера важнейшего элемента транзистора - длины затвора (в серийных изделиях до 0,25 мкм и ниже).
Все чаще в технологии изготовления полевого транзистора используются методы самосовмещения элементов транзистора, например, традиционно поликристаллического кремниевого затвора с изолирующим диэлектриком, самосовмещенных металлических контактов к областям стоков и истоков транзистора [1], поликристаллических кремниевых электродов со стоковой и истоковой областями полевого транзистора [2, 3].
Однако в известных способах отсутствуют методы полного (или как принят альтернативный термин в технической литературе для биполярной технологии - “суперсамосовмещения”) одновременно всех основных элементов полевого транзистора - “окна под транзистор в диэлектрике”. “поликристаллических кремниевых электродов к областям стока и истока”, “бокового диэлектрика у затвора - спейсера”, “металлических покрытий на поликристаллических кремниевых электродах и затворе”, позволяющих получить максимальный выигрыш по снижению площади транзистора, минимизировать отдельные элементы структуры полевого транзистора, а значит повысить качество и процент выхода годных транзисторов и в целом микросхем на полевых транзисторах.
Наиболее близким к изобретению является способ изготовления суперсамосовмещенного биполярного транзистора [4], включающий формирование на поверхности кремниевой пластины первого слоя диэлектрика, вытравливание в нем окон с вертикальными стенками под базу транзистора, осаждение первого слоя поликристаллического кремния и легирования его примесью требуемого типа проводимости, осаждение второго слоя диэлектрика с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирование маски фоторезиста эмиттерного окна таким образом, что границы эмиттерного окна в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика, образованными на ступенях окон в первом слое диэлектрика, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков второго диэлектрика, травление горизонтальных участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, травление первого слоя поликристаллического кремния, легирование кремния для создания активной области базы, формирование в окнах пристеночного диэлектрика (спейсера), осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легирования его примесями эмиттера, формирование отжигом базовых и эмиттерных областей диффузией примеси из поликристаллического кремния, создание контактов к ним и металлизации.
На фиг.1.1-1.4 представлены основные этапы изготовления суперсамосовмещенного биполярного транзистора в соответствии с прототипом [4].
На фиг.1.1 приведен разрез структуры после формирования на поверхности пластины (1) первого слоя диэлектрика (2), вытравливания в нем окон под базу (3), осаждения первого слоя поликристаллического кремния (4). легирования его примесью, осаждения второго слоя диэлектрика (5) с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирования маски фоторезиста (6) таким образом, что границы эмиттерных окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика.
На фиг.1.2 показаны операции: вертикального плазмохимического травления горизонтальных участках второго диэлектрика (7) до первого слоя поликристаллического кремния, травления первого слоя поликристаллического кремния до кремния (8), легирования кремния (9).
На фиг.1.3 показаны операции: формирования пристеночного диэлектрика (спейсера) (11) плазмохимическим травлением горизонтальных участков (10) осажденного диэлектрика для формирования спейсера.
На фиг.1.4. показаны операции: осаждения и легирования второго слоя поликристаллического кремния (12), формирование отжигом эмиттерных (14) и базовых (15, 16) областей диффузией примесей из поликристаллического кремния, создание контактов к ним и металлизации (13).
Как следует из рассмотрения технического решения прототипа - в способе изготовления биполярного транзистора применен метод суперсовмещения всех основных элементов биполярного транзистора между собой, начиная с “окна под базу в диэлектрике”, формирования “базовых поликристаллических кремниевых электродов”, масштабированного “окна под эмиттер”, формирования “пристеночного диэлектрика - спейсера”, формирования “поликристаллического кремниевого электрода эмиттера”, формирования “диффузионных областей базы и эмиттера”.
При этом важнейшим преимуществом технического решения способа, указанного в прототипе, является масштабирование (уменьшение) размера эмиттера до значений меньших величины минимального размера на литографии, что создает возможность существенного улучшения качества и снижения размера транзистора и в целом повышения интеграции и процента выхода годных микросхем, использующих данный тип транзистора.
Задачей, на решение которой направлено изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в использовании методов полного самосовмещения (суперсамосовмещения) основных элементов полевого транзистора и самомасштабирования затвора в процессе изготовления полевого транзистора до значений, меньших величины минимального размера на литографии.
Для достижения названного технического результата в способе изготовления транзистора, включающем формирование на поверхности кремниевой пластины первого слоя диэлектрика, вытравливание в нем окон с вертикальными стенками под области транзистора, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование его примесью требуемого типа проводимости с необходимой концентрацией, осаждение второго слоя диэлектрика с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирование маски фоторезиста таким образом, что границы окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика, образованными на ступенях окон в первом слое диэлектрика, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков второго диэлектрика, травление горизонтальных участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, травление первого слоя поликристаллического кремния, формирование на боковых стенках первого слоя поликристаллического кремния пристеночного диэлектрика, осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легирование его примесью требуемого типа проводимости с необходимой концентрацией, термический отжиг для формирования областей транзистора диффузией из поликристаллического кремния, формирование контактов к электродам из поликристаллического кремния и металлизации, первый слой диэлектрика создают методом локального окисления кремния через маску нитрида кремния вокруг области полевого транзистора, производят вытравливание окон в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получаемого локальным окислением, и глубиной травления окон в диэлектрике, обеспечивающей планарность диэлектрика в окнах с поверхностью кремния, и расстоянием между окнами для области стока и области истока, превышающим ширину затвора полевого транзистора, производят травление горизонтальных и наклонных, над областями “клюва”, участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, а после вытравливания первого слоя поликристаллического кремния производят осаждение второю слоя поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концом грацией, необходимыми для создания слабо легированных областей стока и истока полевого транзистора, травят горизонтальные и наклонные, над областями “клюва”, участки второго слоя поликристаллического кремния до кремния и первого диэлектрика, формируют на поверхности кремния и боковых стенках второго поликристаллического кремния слой диэлектрика не менее толщины требуемого подзатворного диэлектрика, осаждают третий слой поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрацией, необходимыми для формирования затвора из поликристаллического кремния данного типа полевого транзистора, термическим отжигом формируют сильно легированные области стока и истока диффузией из первого поликристаллического кремния и слабо легированные области стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния.
Таким образом, отличительными признаками предлагаемого изобретения является то, что первый слой диэлектрика создают методом локального окисления кремния через маску нитрида кремния вокруг области полевого транзистора, производят вытравливание окон в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получаемого локальным окислением, и глубиной травления окон в диэлектрике, обеспечивающей планарность диэлектрика в окнах с поверхностью кремния, и расстоянием между окнами для области стока и области истока, превышающим ширину затвора полевого транзистора, производят травление горизонтальных и наклонных, над областями “клюва”, участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, а после вытравливания первого слоя поликристаллического кремния производят осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрацией, необходимыми для создания слабо легированных областей стока и истока полевого транзистора, травят горизонтальные и наклонные, над областями “клюва”, участки второго слоя поликристаллического кремния до кремния и первого диэлектрика, формируют на поверхности кремния и боковых стенках второго поликристаллического кремния слой диэлектрика не менее толщины требуемого подзатворного диэлектрика, осаждают третий слой поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрацией, необходимыми для формирования затвора из поликристаллического кремния данного типа полевого транзистора, термическим отжигом формируют сильно легированные области стока и истока диффузией из первого поликристаллического кремния и слабо легированные области стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния.
Данная совокупность отличительных признаков позволяет решить поставленную задачу - полного самосовмещения (или суперсамосовмещения) одновременно всех основных элементов полевого транзистора друг относительно друга. При этом важнейшим преимуществом способа является возможность самомасштабирования длины затвора до значений, существенно меньших величины минимального размера на литографии.
На фиг.2.1-2.4 представлены основные этапы изготовления самомасштабируемого полевого транзистора.
На фиг.2.1 приведен разрез структуры транзистора после формирования на поверхности пластины (1) локальным окислением первого слоя диэлектрика (17), вытравливания в нем окон с вертикальными стенками (18) под области стока и истока полевого транзистора (пунктиром показаны участки стравливаемого диэлектрика в области клювов), осаждения первого слоя поликристаллического кремния (4), легирования его примесью, осаждения второго слоя диэлектрика (5) с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирования маски фоторезиста (6) таким образом, что границы окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика.
На фиг.2.2 показаны операции: травления горизонтальных (и наклонных - на чертеже не показаны) участков второго диэлектрика (7) до первого слоя поликристаллического кремния, травления первого слоя поликристаллического кремния до кремния (8) и до первого диэлектрика в области клюва (на рисунке не показано).
На фиг.2.3 показаны операции: осаждения второго слоя поликристаллического кремния на горизонтальных (19 - показаны на чертеже пунктиром) и вертикальных (20) поверхностях, легирования его типом примеси с концентрацией, необходимой для последующего формирования из него диффузией слаболегированных областей стока и истока, травления горизонтальных (и наклонных - на чертеже не показано) участков второго слоя поликристаллического кремния до кремния (21) и до первого диэлектрика в области клюва (на чертеже не показано), окисления поверхности кремния и второго поликристаллического кремния на толщину подзатворного диэлектрика (на рисунке показано жирной линией)
На фиг.2.4 показаны операции: осаждения третьего слоя поликристаллического кремния (22), легирования его типом примеси с концентрацией, необходимой для формирования затвора из поликристаллического кремния, термического отжига для формирования слабо и сильно легированных областей стоков и истоков (22 и 23) транзисторов, диффузией из первого и второго слоев поликристаллического кремния, контактов к электродам из поликристаллического кремния и металлизации (13).
Как следует из рассмотрения предлагаемого технического решения - в способе изготовления самомосштабируемого полевого транзистора применены методы полного самосовмещения (или суперсамосовмещения) одновременно всех основных элементов полевого транзистора - “окна в диэлектрике под область полевого транзистора”, “поликристаллических кремниевых электродов к областям стока и истока”, “бокового диэлектрика (спейсера)” и “поликристаллического кремниевого затвора”, “металлических покрытий на поликристаллических кремниевых электродах и затворе” - друг с другом, позволяющих получить максимальный выигрыш по снижению площади транзистора, а значит и по его параметрам и проценту выхода годных транзисторов, а значит и микросхем на их основе.
При этом важнейшим преимуществом технического решения предлагаемого способа является масштабирование (уменьшение) длины затвора до значений, меньших величины минимального топологического размера (или минимального размера на литографии), что создает возможность создать способ самомастабируемого полевого транзистора с существенным улучшением главных параметров транзистора, определяемых длиной затвора, определяющих быстродействие транзистора и повышения степени интеграции при производстве микросхем на данном типе транзисторов.
В предлагаемом способе принципиально изменен порядок изготовления областей полевого транзистора.
Вместо традиционной последовательности в известных способах:
- формирование затвора транзистора с длиной, определяемой минимальным размером на литографии,
- создание бокового диэлектрика при затворе - спейсера,
- формирование областей стока и истока, электродов к ним и металлизации, когда самосовмещенными элементами транзистора были “затвор транзистора” и “спейсер при затворе”, а размеры областей стоков и истоков и контактов к ним определялись величиной погрешностей совмещения и минимальным размером на литографии - в предлагаемом способе следующая последовательность:
- формирование областей стока и исток и электродов к ним,
- формирование бокового диэлектрика (спейсера) при электродах к стоку и истоку,
- формирование окна под затвор с длиной, существенно меньшей величины минимального размера на литографии.
Способ принципиально позволяет опережать возможности литографии по получению минимальных размеров в области субмикрона.
Кроме того, для снижения емкости “затвор-исток” и “затвор-сток” полевого транзистора в предлагаемом способе предлагается увеличивать толщину диэлектрика между затвором (из третьего слоя поликристаллического кремния) и электродами к стоку и истоку (формируемыми из первого слоя поликристаллического кремния). С этой целью окисление кремния и второго слоя поликристаллического кремния проводится после формирования боковых участков второго слоя поликристаллического кремния и термического отжига, формирующего слаболегированные области стока и истока диффузией из торцев второго слоя поликристаллического кремния, лежащих на кремнии, а окисление проводится до полного прокисления боковых участков второго слоя поликристаллического кремния.
Затем вертикальным плазмохимическим травлением удаляют окисел только с кремния (при этом прокисленные боковые участки второго слоя поликристаллического кремния не травятся) и формируют на поверхности кремния необходимый по толщине и качеству подзатворный диэлектрик.
Возможным способом снижения сопротивления электродов к областям стока и истока и поликристаллического кремниевого затвора может являться способ нанесения на первый и третий слои поликристаллического кремния слоя полицида металла с последующей совместной обработкой слоев.
Проведенные патентные исследования показали, что совокупность признаков предлагаемого изобретения является новой, что доказывает новизну заявляемого способа.
Кроме того, патентные исследования показали, что в литературе отсутствуют данные, показывающие влияние отличительных признаков заявляемого изобретения на достижение технического результата, что подтверждает изобретательский уровень предлагаемого способа.
Пример. На поверхности монокристаллической пластине КЭФ 4, 9 (100) формируют стандартную нитридную маску с подслоем двуокиси кремния для создания области полевого транзистора, формируют методом локального окисления первый диэлектрик толщиной 0,6 мкм, через маску фоторезиста формируют в первом диэлектрике окна под область стока и область истока, осаждают первый слой поликристаллического кремния толщиной 0,25 мкм пиролизом моносилана при температуре 640°С, имплантируют в слой поликристаллического кремния бор с дозой 600 мккул/см2 и энергией 30 КЭВ, осаждают слой второго диэлектрика пиролизом ТЭОСа при 715°С толщиной 0,4 мкм, через маску фоторезиста проводят травление второго слоя диэлектрика до поликристаллического кремния, травят первый слой поликристаллического кремния, осаждают второй слой поликристаллического кремния толщиной 0,15 мкм при температуре 640°C разложением моносилана, имплантируют его бором с дозой 5 мкмул/см2, вертикальным плазмохимическим травлением травят горизонтальные и наклонные участки поликристаллического кремния, формируют окислением подзатворный диэлектрик на кремнии и боковой поверхности второго слоя поликристаллического кремния, осаждают третий слой поликристаллического кремния 0,2 мкм, имплантируют его мышьяком с дозой 1000 мккул/см2, после чего отжигают структуру при температуре 850°С, плазмохимическим травлением через маску фоторезиста формируют затвор из поликристаллического кремния, с помощью маски фоторезиста вскрывают во втором диэлектрике контактные окна к поликристаллическим кремниевым электродам к стоку и истоку и формируют металлическую разводку из алюминия.
Пример, описанный выше, получения самомастабируемого “n” канального полевого транзистора с длиной затвора 0,35 мкм при минимальном размере на литографии 0,8 мкм является частным случаем, в котором используется предлагаемый способ. Предлагаемый способ может использоваться для создания также самомастабируемого “р” канального полевого транзистора, комплементарной пары полевых транзисторов (КМОП), полевых транзисторов с другими размерами затвора, не выходя за пределы патентных притязаний.
Литература
1. Технология СБИС. Под редакцией С. ЗИ. Книга 2. Стр. 222 (Рис.11. 19а).
2. Патент РФ N2106719 с приоритетом от 10.03.98 г.
3. Патент РФ N2141148 с приоритетом от 10.11.99 г.
4. Патент РФ N2110868 с приоритетом от 09.11.95 г.
Claims (3)
1. Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины первого слоя диэлектрика, вытравливание в нем окон с вертикальными стенками под области транзистора, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование его примесью требуемого типа проводимости с необходимой концентрацией, осаждение второго слоя диэлектрика с толщиной не менее двух погрешностей совмещения на литографии, формирование маски фоторезиста таким образом, что границы окон в фоторезисте проходят над вертикальными участками второго слоя диэлектрика, образованными на ступенях окон в первом слое диэлектрика, и располагаются не ближе одной погрешности совмещения на литографии от каждой боковой стенки вертикальных участков второго диэлектрика, травление горизонтальных участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, травление первого слоя поликристаллического кремния, формирование на боковых стенках первого слоя поликристаллического кремния пристеночного диэлектрика, осаждения второго слоя поликристаллического кремния, легирования его примесью требуемого типа проводимости с необходимой концентрацией, термического отжига для формирования областей транзистора диффузией из поликристаллического кремния, формирования контактов к электродам из поликристаллического кремния и металлизации, отличающийся тем, что первый слой диэлектрика создают методом локального окисления кремния через маску нитрида кремния вокруг области полевого транзистора, производят вытравливание окон в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получаемого локальным окислением, и глубиной травления окон в диэлектрике, обеспечивающей планарность диэлектрика в окнах с поверхностью кремния, и расстоянием между окнами для области стока и области истока, превышающим ширину затвора полевого транзистора, производят травление горизонтальных и наклонных, над областями “клюва”, участков второго диэлектрика до первого слоя поликристаллического кремния, а после вытравливания первого слоя поликристаллического кремния производят осаждение второго слоя поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрациями, необходимыми для создания слабо легированных областей стока и истока полевого транзистора, травят горизонтальные и наклонные над областями “клюва” участки второго слоя поликристаллического кремния до кремния и первого диэлектрика, формируют на поверхности кремния и боковых стенках второго поликристаллического кремния слой диэлектрика не менее толщины требуемого подзатворного диэлектрика, осаждают третий слой поликристаллического кремния, легируют его типом примеси с концентрациями, необходимыми для формирования затвора из поликристаллического кремния данного типа полевого транзистора, термическим отжигом формируют сильно легированные области стока и истока диффузией из первого поликристаллического кремния и слаболегированные области стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния.
2. Способ по п.1, в котором окислению поверхности кремния и второго поликристаллического кремния предшествует термический отжиг для формирования слаболегированных областей стока и истока диффузией из второго поликристаллического кремния, а окисление поверхности кремния и второго поликристаллического кремния производится до полного окисления второго слоя поликристаллического кремния, после чего производят удаление окисла, выросшего на кремнии, с помощью вертикального плазмохимического травления, а затем формируют подзатворный диэлектрик.
3. Способ по п.1, в котором непосредственно после легирования примесями первого и третьего слоев поликристаллического кремния на слои поликристаллического кремния наносятся и вместе с ними травятся слои полицидов металлов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001126630/28A RU2230392C2 (ru) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001126630/28A RU2230392C2 (ru) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001126630A RU2001126630A (ru) | 2003-08-27 |
| RU2230392C2 true RU2230392C2 (ru) | 2004-06-10 |
Family
ID=32845359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001126630/28A RU2230392C2 (ru) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2230392C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2351036C1 (ru) * | 2007-09-14 | 2009-03-27 | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Способ изготовления биполярного транзистора |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2463682C1 (ru) * | 2011-01-24 | 2012-10-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") | Способ изготовления полевого транзистора |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4157269A (en) * | 1978-06-06 | 1979-06-05 | International Business Machines Corporation | Utilizing polysilicon diffusion sources and special masking techniques |
| US5196357A (en) * | 1991-11-18 | 1993-03-23 | Vlsi Technology, Inc. | Method of making extended polysilicon self-aligned gate overlapped lightly doped drain structure for submicron transistor |
| RU2110868C1 (ru) * | 1995-11-09 | 1998-05-10 | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" | Способ изготовления биполярного транзистора |
| RU2141148C1 (ru) * | 1998-07-09 | 1999-11-10 | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" | Способ изготовления бикмоп прибора |
-
2001
- 2001-10-01 RU RU2001126630/28A patent/RU2230392C2/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4157269A (en) * | 1978-06-06 | 1979-06-05 | International Business Machines Corporation | Utilizing polysilicon diffusion sources and special masking techniques |
| US5196357A (en) * | 1991-11-18 | 1993-03-23 | Vlsi Technology, Inc. | Method of making extended polysilicon self-aligned gate overlapped lightly doped drain structure for submicron transistor |
| RU2110868C1 (ru) * | 1995-11-09 | 1998-05-10 | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" | Способ изготовления биполярного транзистора |
| RU2141148C1 (ru) * | 1998-07-09 | 1999-11-10 | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" | Способ изготовления бикмоп прибора |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2351036C1 (ru) * | 2007-09-14 | 2009-03-27 | Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) | Способ изготовления биполярного транзистора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5290720A (en) | Transistor with inverse silicide T-gate structure | |
| KR930001559B1 (ko) | 전계효과 트랜지스터 제조방법 | |
| JP3521246B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| US5753557A (en) | Bridge-free self aligned silicide process | |
| EP0083785A2 (en) | Method of forming self-aligned field effect transistors in integrated circuit structures | |
| EP0083784B1 (en) | Procedure for manufacturing integrated circuit devices having sub-micrometer dimension elements, and resulting structure | |
| JPH04225529A (ja) | 微量の不純物を添加したドレイン（ｌｄｄ）を有する集積回路構造体を製作する改良された方法 | |
| JPH03173480A (ja) | 基板の上に横たわる多層導電ラインを有する半導体装置を製作するための方法 | |
| JPS624867B2 (ru) | ||
| JPH0260217B2 (ru) | ||
| KR910006700B1 (ko) | Mos형 반도체장치의 제조방법 | |
| KR100202048B1 (ko) | 전력-mos 반도체 장치의 제조공정 및 그에 따른 장치 | |
| KR950001950B1 (ko) | 집적회로내의 mos전계효과 트랜지스터 제조방법 | |
| US5115296A (en) | Preferential oxidization self-aligned contact technology | |
| RU2230392C2 (ru) | Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора | |
| US5783486A (en) | Bridge-free self aligned silicide process | |
| US4216573A (en) | Three mask process for making field effect transistors | |
| JP2000294782A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| RU2141148C1 (ru) | Способ изготовления бикмоп прибора | |
| JPH0640549B2 (ja) | Ｍｏｓ半導体装置の製造方法 | |
| JPH02196434A (ja) | Ｍｏｓトランジスタの製造方法 | |
| JPS6246570A (ja) | 縦形半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08321607A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| RU2234165C1 (ru) | Способ изготовления автомасштабируемой бикмоп структуры | |
| JPS6211516B2 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20130801 |