DE2001720B2

DE2001720B2 - Electrophotographic recording material

Info

Publication number: DE2001720B2
Application number: DE19702001720
Authority: DE
Inventors: Takashi Saito; Hiroshi Tanaka
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1969-01-17
Filing date: 1970-01-15
Publication date: 1974-03-07
Also published as: DE2001720A1; GB1288331A; JPS511977B1

Description

lichen slektrophotographischen Verfahren nicht günstig ist. Somit stehen für solche Verfahren zahlreiche photoleitende Stoffe zur Auswahl, die nicht durch verschiedene geforderte elektrische Eigenschaften beschränkt sind.unlikely electrophotographic process is. Thus, there are numerous photoconductive substances to choose from for such processes, but they do not various required electrical properties are limited.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein neues elektro photographisches Aufzeichnungsmaterial mit hoher Empfindlichkeit zu schaffen, das lange Zeit funktionsfähig bleibt, dessen Empfindlichkeit und Empfindlichkeitsspektralbereich verhältnismäßig leicht im Einklang mit den erforderlichen photoleitenden Eigenschaften eingestellt werden können und das ein hohes Auflösungsvermögen sowie eine feste Oberfläche besitzt.The object of the invention is to provide a new electro-photographic recording material with high To create sensitivity that remains functional for a long time, its sensitivity and sensitivity spectral range relatively easily in line with the required photoconductive Properties can be adjusted and that has a high resolution and a solid surface owns.

Bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art ist diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die photoleitfähige Schicht Sb sowie mindestens eines der Elemente Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Ga. In, Tl, Ge. Si, Sn, Pb, Bi, S, Te und/oder mindestens ein Oxyd dieser Elemente enthält.In the case of an electrophotographic recording material of the type mentioned, this object is achieved according to the invention in that the photoconductive layer Sb and at least one of the elements Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Ga. In, Tl, Ge. Si, Sn, Pb, Bi, S, Te and / or at least one oxide of these elements.

Mit Hilfe mindestens eines dieser zusätzlichen Elemente und/oder ihrer Oxyde als die elektrischen Eigenschaften des Aufzeichnungsmaterials regelnder Stoff kann das amorphe Selen-Antimon-System, das damit über lange Zeit stabile photoleitende Eigenschaften aufweist, sensibilisiert und dessen Sensibilisicmngsspektralbereich erweitert werden, wobei es mit diesem Stoff oder Stoffen eine glasige Legierung bildet.Using at least one of these additional elements and / or their oxides as the electrical ones Properties of the recording material regulating substance can be the amorphous selenium-antimony system, the thus has stable photoconductive properties for a long time, sensitizes and its Sensibilisicmngsspektralbereich be expanded, forming a glassy alloy with this substance or substances.

In der Praxis können auch zwei und mehr dieser Stoffe in Kombination verwendet werden. Die Änderung der elektrischen Eigenschaften des Selen-Antimon-Systems durch die Zugabe eines solchen, die elektrischen Eigenschaften regelnden Stoffes, gleicht der durch die Zugabe eines metallischen Sensibilalors zu einem anorganischen photoleitenden Material. Das heißt, durch Zugeben des die elektrischen Eigenschaften regelnden Stoffes können die Empfindlichkeit und der Spektralbereich der Empfindlichkeit des Selen-Antimon-Systems vergrößert werden, jedoch wird dadurch häufig der Dunkelwiderstand verringert, wodurch die Fähigkeit, bei einem elektrophotographischen Verfahren das latente elektrostatische BiM zu erhalten, verschlechtert wird. Daher ist bei der Anwendung von den erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien kennzeichnenden photoleitfähigen Schichten bei einem herkömmlichen Aufzeichnungsmaterial, das eine photoleitfähige Schicht auf einem Träger besitzt, der Aufbau der photoleitfähigen Schicht auf Grund der Verschlechterung der Ladungszustandserhaltungsfähigkeit durch die Zugabe des die elektrischen Eigenschaften regelnden Stoffes häufig weitgehend beschränkt. Das heißt, daß bei einem Aufzeichnungsmaterial aus einer auf einem Träger aufgebrachten photoleitfähigen Schicht diese Schicht im Dunkeln einen Widerstand besitzen soll, der ausreicht, um einen Ladungszustand aufrechtzuerhalten, d. h. einen Widerstand, der höher als etwa ΙΟ¹⁴ Ω · cm ist. Da durch die Zugabe eines die elektrischen Eigenschaften regelnden Stoffes die elektrischen Eigenschaften, wie der Widerstand, vielfach herabgesetzt werden, kommt die Zugabe eines solchen Stoffes zur photoleitfähigen Schicht aus praktischen Gesichtspunkten nicht oder nur in sehr begrenztem Umfang in Betracht.In practice, two or more of these substances can also be used in combination. The change in the electrical properties of the selenium-antimony system through the addition of such a substance regulating the electrical properties is similar to that through the addition of a metallic sensitiser to an inorganic photoconductive material. That is, by adding the electrical property controlling agent, the sensitivity and the spectral range of the sensitivity of the selenium-antimony system can be increased, but it tends to lower the dark resistance, thereby increasing the ability to obtain the electrostatic latent BiM in an electrophotographic process , is worsened. Therefore, when the photoconductive layers characterizing the recording materials according to the invention are used in a conventional recording material which has a photoconductive layer on a support, the structure of the photoconductive layer is often largely limited due to the deterioration in the ability to maintain the state of charge due to the addition of the substance regulating the electrical properties. This means that in the case of a recording material comprising a photoconductive layer applied to a support, this layer should have a resistance in the dark which is sufficient to maintain a state of charge, ie a resistance which is higher than approximately ¹⁴ Ω · cm. Since the addition of a substance regulating the electrical properties often reduces the electrical properties, such as the resistance, the addition of such a substance to the photoconductive layer is not possible, or only to a very limited extent, from a practical point of view.

Da bei den erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien die Funktion, einen Ladungszustand zu erhalten, der Isolierschicht zugeordnet ist und die photoleitfähige Schicht nur eine hervorragende Photoleitfähigkeit aufweisen muß, bestehen Beschränkungen der vorstehend erwähnten Art bei solchen Aufzeichnungsmaterialien nicht, so daß der die elektrischen Eigenschaften regelnde Stoff frei entsprechend der erforderlichen Photoleitfähigkeit gewählt werden kann.Since the recording materials according to the invention have the function of adding a state of charge obtained, is associated with the insulating layer and the photoconductive layer is only excellent in photoconductivity must have, there are no restrictions of the type mentioned above in such recording materials, so that the electrical Properties regulating substance freely selected according to the required photoconductivity can be.

Die Menge, in der ein die elektrischen Eigenschaften regelnder Stoff der Selen-Antimon-Legierung zugesetzt wird, ist im wesentlichen durch zwei Faktoren begrenzt, nämlich einmal dadurch, daß der Widerstand der Photowiderstandsschicht im Dunkeln mindestens 1 · 10ⁿ Ω · cm betragen muß und zum zweiten dadurch, daß die photoleitfähige Schicht glasig sein muß. Im Hinblick auf diese beiden Bedingungen darf die zugesetzte Menge an die elektrischen Eigenschaften bestimmenden Stoffe nur verhältnismäßig gering sein, jedoch können auch durch eine solche kleine Menge die elektrischen Eigenschaften, hauptsächlich die Empfindlichkeit, wirksam verbessert werden. Die Stärke der photoleitfähigen Schicht liegt vorzugsweise zwischen 20 und 30 Lim.The amount in which a substance regulating the electrical properties of the selenium-antimony alloy is added is essentially limited by two factors, namely that the resistance of the photoresist layer in the dark must be at least 1 · 10 ⁿ Ω · cm and secondly, in that the photoconductive layer must be glassy. In view of these two conditions, the added amount of the substances determining the electrical properties can only be relatively small, but even such a small amount can effectively improve the electrical properties, mainly the sensitivity. The thickness of the photoconductive layer is preferably between 20 and 30 Lim.

Vorstehend wurde der Aufbau der photoleitfähigen Schicht der erfindungsgemäßea Aufzeichnungsmateri-ilien beschrieben. Der Grund dafür, daß ein als wesentliche Bestandteile Selen, Antimon und einen die elektrischen Eigenschaften bestimmenden Stoff enthaltendes Material eine hohe Empfindlichkeit aufweist und in einem weiten Spektralbereich sensibilisiert ist, ist noch nicht völlig klar. Das in der Elektrophotographie verwendete photoleitende Material ist amorph, kann jedoch ähnlich einem Photohalbleiter behandelt werden. Es wird daher angenommen. daß der die elektrischen Eigenschaften bestimmende Stoff sich in bezug auf die Selen-Antimon-Legierung wie eine Verunreinigung bei einem Halbleiter verhält und ein Niveau, das einem sogenannten »Verunreinigungsenergieniveau« entspricht, 4= schaift, das durch relativ energiearme bzw. langwellige Strahlung angeregt werden kann, z. B. durch Licht mit einer Wellenlänge von 700 nm, so daß leicht Ladungsträger gebildet werden und man somit durch diesen Zusatz ein phototeitendes Material mit hoher Empfindlichkeit und einem breiten Sensibilisierungsbereieb erhält. Nachstehend wird ein erfindungsgemäßes Aufzeichnungsmaterial mit anderem Aufbau beschrieben. Die isolierende Schicht der Aufzeichnungsmaterialien weist vorzugsweise einen hohen Widerstand auf. so daß in ihr elektrische Ladungen erhalten bleiben, und besitzt außerdem eine hohe Abriebfestigkeit. Beispiele geeigneter isolierender Schichten sind hochpolymere Schichten, wie aus Fluor enthaltendem Harz, Polycarbonatharz. PoIyäthylenharz, Celluloseacetatharz. Polyesterharz u. dgl. oder anorganischen Stoffen, wie Glas bzw. Keramik aus SiO.,, Al„0₃ u. dgl. Wenn durch die isolierende Schicht hindurch belichtet wird, so muß die isolierende Schicht für eine Strahlung, für die die photoleitfähige Schicht empfindlich ist, durchlässig bzw. transparent sein. Dies ist jedoch nicht erforderlich, wenn die Belichtung von der in bezug auf die photoleitfähige Schicht gegenüberliegenden Seite her erfolgt. Im letztgenannten Fall muß jedoch die Trägerschicht für die betreffende Strahlung durchlässig sein. Die Stärke der isolierenden Schicht liegt vorzugsweise zwischen 6 und 50 um.The structure of the photoconductive layer of the recording materials according to the invention has been described above. The reason why a material containing selenium, antimony and an electrical property determining substance as essential components has high sensitivity and is sensitized in a wide spectral range is not yet entirely clear. The photoconductive material used in electrophotography is amorphous, but can be treated similarly to a photosemiconductor. It is therefore accepted. that the substance determining the electrical properties behaves like an impurity in a semiconductor with regard to the selenium-antimony alloy and creates a level that corresponds to a so-called "impurity energy level" 4 = which is excited by relatively low-energy or long-wave radiation can e.g. B. by light with a wavelength of 700 nm, so that charge carriers are easily formed and a photoconductive material with high sensitivity and a broad sensitization is thus obtained by this addition. A recording material according to the present invention having a different structure is described below. The insulating layer of the recording materials preferably has a high resistance. so that electrical charges are retained in it, and also has high abrasion resistance. Examples of suitable insulating layers are high polymer layers such as fluorine-containing resin, polycarbonate resin. Polyethylene resin, cellulose acetate resin. Polyester resin and the like or inorganic substances such as glass or ceramic made of SiO 2, Al _{, O 3} and the like is sensitive, permeable or transparent. However, this is not necessary if the exposure is carried out from the opposite side with respect to the photoconductive layer. In the latter case, however, the carrier layer must be transparent to the radiation in question. The thickness of the insulating layer is preferably between 6 and 50 µm.

Als für die Zwecke der Erfindung geeignete Trä-As suitable for the purposes of the invention carriers

gerschichten seien beispielsweise eine leitende Trä- lyesterschicht mit einem Epoxyharz auf diese photogerschicht, eine isolieret Trägerschicht und eine leitfähige Schicht aufgeklebt, wodurch ein elektro-Trägerschicht genannt, die aus einer mit einer iso- photographisches Aufzeichnungsmaterial hoher E„,_plierenden Schicht beschichteten leitenden Schicht be- findlichkeit erhalten wird, steht. Wenn eine isolierende Trägerschicht verwendet 5
wird, so können auf beiden Seiten des Aufzeichnungsmaterials elektrostatische Bilder erzeugt werden, und Beispiel 2 es wird vorzugsweise ein Doppelkoronaeatladungs-For example, a conductive backing layer with an epoxy resin, an insulated carrier layer and a conductive layer are glued onto this photographic layer, whereby an electro-carrier layer is called, which consists of a conductive layer coated with an isophotographic recording material of high E ", _p lating layer state is maintained. If an insulating backing is used 5
electrostatic images can be generated on both sides of the recording material, and Example 2 preferably a double corona charge

system verwendet, mit dem das Aufzeichnungsmate- . . .system used with which the recording mate-. . .

rial veil beiden Seiten aufgeladen werden kann. Wenn io Beispiel 1 wird wiederholt wobei jedoch ein Geals Trägerschicht eine mit einer leitenden Schicht misch aus 85 Gewichtsteilen Se,10 Gewichtsteikn Sb beschichtete isolierende Schicht verwendet wird, so und 5 Gewichtsteilen Ge zur Herstellung einer glabesteht das Aufzeichnungsmaterial im wesentlichen sigen, 30 μΐη starken photoleitfahigen Schicht auf aus vier Schichten, nämlich einer isolierenden Schicht, einer auf eine Aluminiumplatte autgebrachten 4 um einer photoleitfahigen Schicht, einer weiteren isolie- 15 starken Schicht aus einem Polyesterharz verwendet renden Schicht und einer leitenden Schicht. Als lei- wird. Weiterhin wird abweichend vom Beispiel 1 tende Trägerschicht kann für die Zwecke der Erün- eine etwa 10 μΐη starke isolierende Deckschicht unter dung ein Träger aus beliebigem Material mit ent- Verwendung eines mit Äthylenglykolmonoäthylathersprechender Leitfähigkeit verwendet werden, z. B. azetat verdünnten Butyralharzes aufgebracht, kann man für diese Zwecke metallische leitende ao Die wie vorstehend beschrieben hergestellten elek-Materialien, wie Zinr, Kupfer, Aluminium u.dgl., trophotographischen Aufzeichnungsmaterialien werverwenden sowie auch hygroskopische Papier und den zur Herstellung von elektrostatischen Bildern in aluminiumbeschichtetes Papier. der folgenden Weise verwendet:rial can be charged on both sides. If io example 1 is repeated, but using a geal Carrier layer one with a conductive layer mixed from 85 parts by weight Se, 10 parts by weight Sb coated insulating layer is used, so and 5 parts by weight of Ge to produce a glass the recording material essentially has a 30 μm thick photoconductive layer of four layers, namely an insulating layer, a 4 µm applied to an aluminum plate a photoconductive layer, another insulating layer made of a polyester resin is used generating layer and a conductive layer. As lei- is. Furthermore, in deviation from example 1 Tending carrier layer can for the purpose of regeneration an approximately 10 μm thick insulating cover layer underneath dung a carrier made of any material with ent- use of an ethylene glycol monoethyl ether speaker Conductivity can be used, e.g. B. acetate-diluted butyral resin applied, can be used for this purpose metallic conductive ao The elek materials produced as described above, such as tin, copper, aluminum and the like, trophotographic recording materials as well as hygroscopic paper and those used to produce electrostatic images in aluminum coated paper. used in the following ways:

Als isolierende Trägerschicht kann ein beliebiges Die Polarität der aufzubringenden Ladung wird derThe polarity of the charge to be applied is the

anorganisches oder organisches Trägermaterial ver- as Art der Photoleitfähigkeit des Aufzeichnungsmatewendet werden, sofern es Isolatoreigenschaften auf- rials entsprechend gewählt, wobei man beispielsweise, weist. Die isolierende Trägerschicht braucht den wenn die photoleitfähige Schicht vorwiegend ein vorstehend erwähnten, für die isolierende Schicht ge- η-Leiter ist, eine positive Primärladung aufbringt, forderten Bedingungen nicht zu genügen. Selbstver- während bei p-Leitern als photoleitfähige Schicht die ständlich kann die isolierende Trägerschicht aus dem 30 Primärladung vorzugsweise negativ ist. Nachfolgend gleichen Material wie die isolierende Schicht be- wird das Verfahren zur Erzeugung des elektrostastehen. tischen Bildes erläutert. Wenn beispielsweise eininorganic or organic carrier material versus the type of photoconductivity of the recording material are selected, provided that there are insulator properties on rials, for example, shows. The insulating support layer mainly needs when the photoconductive layer previously mentioned, for the insulating layer is η-conductor, applies a positive primary charge, not to meet the required conditions. Even with p-conductors as a photoconductive layer, the Obviously, the insulating carrier layer from the primary charge is preferably negative. Below The same material as the insulating layer is used to create the electrostatic charge. table picture explained. For example, if a

Die isolierende Trägerschicht eines Aufzeichnungs- Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfahigen materials, das in einem Verfahren verwendet wird, Schicht aus einer ternären Se-Sb-Te-Legierung verbei dem die Belichtung von der Trägerschichtseite her 35 wendet wird, so wird die Oberfläche der Isolierschicht erfolgt, muß für eine Strahlung, für die die photo- mit etwa -2000V mittels einer Korcna-Entladung leitfähige Schicht empfindlich ist, transparent bzw. von — 6 kV aufgeladen und mit etwa 1 lux ■ sec unter durchlässig sein. Die vorstehend erwähnten Materi- gleichzeitiger Aufladung mit einer sekundären Koalien können weiterhin auch für ein aus einer mit rona-Entladung von + 6 kV belichtet, worauf die geeiner leitenden Schicht beschichteten isolierenden 40 samte Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials gleich-Schicht bestehende Trägerschicht verwendet werden. mäßig mit einer Lichtquelle von etwa 10 lux bestrahlt Wenn die Trägerschicht transparent sein soll, so wird, um ein latentes Bild mit einem elektrostatischen kann für diesen Zweck ein transparentes leitendes Kontrast von etwa 1000 V zu erzeugen. Material, wie eine mit einer elektrisch leitenden Zinn- Eine Abwandlung dieses Verfahrens besteht bei-The insulating support layer of a recording material with a photoconductive materials used in a process bond a layer of a ternary Se-Sb-Te alloy the exposure is turned from the carrier layer side 35, so the surface of the insulating layer takes place, must for a radiation for which the photo with about -2000V by means of a Korcna discharge conductive layer is sensitive, transparent or charged from - 6 kV and with about 1 lux ■ sec below be permeable. The above-mentioned matter- simultaneous charging with a secondary koalien can continue to be exposed for one out of one with a rona discharge of + 6 kV, whereupon the geeiner conductive layer coated insulating 40 entire surface of the recording material same-layer existing carrier layer can be used. moderately irradiated with a light source of about 10 lux If the support layer is to be transparent, it is necessary to create a latent image with an electrostatic one can produce a transparent conductive contrast of around 1000 V for this purpose. Material, such as one with an electrically conductive tin-

oxydschicht versehene Glasplatte, Polyvinylcarbazol 45 spielsweise darin, daß an Stelle der vorstehend eru. dgl., verwendet werden. wähnten sekundären Korona-Entladung eine Wech-oxide layer provided glass plate, polyvinyl carbazole 45, for example, in that instead of the above eru. Like., can be used. secondary corona discharge imagined an alternation

Die nachstehenden Beispiele erläutern die Erfin- selstrom-Korona-Entladung angewandt wird. Bei Andung und sollen sie nicht beschränken. In den Bei- wendung einer primären Korona-Entladung von spielen wird die Herstellung erfindungsgemäßer Auf- — 7 kV und einer sekundären Wechselstrom-Koronazeichnungsmaterialien beschrieben. 50 Entladung von 5,8 kV erhält man einen elektrostatischen Kontrast von etwa 600 V.The following examples illustrate the use of the sparkling current corona discharge. At Andung and are not intended to limit them. In the use of a primary corona discharge of We will play the production of recording materials according to the invention - 7 kV and a secondary alternating current corona recording materials described. 50 discharge of 5.8 kV you get an electrostatic contrast of about 600 V.

Beim erstgenannten Verfahren erhält man einenThe former process gives one

Beispiel 1 besonders hohen Kontrast, während bei der letztgeExample 1 particularly high contrast, while the last

nannten Arbeitsweise die Halbtonwidergabe beson-55 ders hervorragend ist.called the way in which the halftone reproduction is particularly excellent.

Ein Gemisch aus 72 Gewichtsteilen hochreinem Die erfindiingsgemäßen AufzeichnungsmaterialienA mixture of 72 parts by weight of high-purity recording materials according to the invention

Selen (99,99 %>), 20 Gewichtsteilen Antimon und sind, wie aus der nachstehenden Tabelle zu ersehen Teilen Tellur wird in einem auf Vakuum evakuier- ist, auch bei anderen Arbeitsweisen anwendbar. Das ten Quarzrohr eingeschmolzen und durch etwa sechs- Verfahren A bezieht sich beispielsweise auf ein elekstündiges Erhitzen auf 500° C zu einer gleichmäßigen 60 trophotographisches Verfahren mit folgenden Stufen: Mischung verschmolzen. Diese Schmelze wird in Positive Primäraufladung, negative Sekundäraufladestilliertes Wasser eingegossen, wobei sich ein Pulver dung, Belichten, Entwickeln und Bestrahlen (Wiederbildet, das anschließend getrocknet wird. Durch ein herstellung des Abfalles des Aufzeichnungsmaterials Aufdampfen im Vakuum wird die so erhaltene Legie- durch Bestrahlen mit Infrarotlicht usw.). Verfahren G rung in Form einer glasigen dünnen Schicht auf eine 65 betrifft ein elektrophotographisches Verfahren mit bis 80° C heiße Aluminiumplatte aufgebracht, wo- folgenden Schritten: Positive PrimäraKfladung, Wechdurch eine etwa 60 μΐη starke photoleitfähige Schicht selstrom-Entladung mit gleichzeitigem Belichten, erhalten wird. Dann wird eine etwa 25 μΐη starke Po- ganzflächiges Belichten, Entwickeln und Bestrahlen.Selenium (99.99%>), 20 parts by weight of antimony and are, as can be seen from the table below Share tellurium is evacuated in a vacuum, can also be used in other ways of working. That th quartz tube melted down and through about six- method A refers to an elekhour for example Heat to 500 ° C for a uniform 60 trophotographic process with the following stages: Mixture fused. This melt is distilled into positive primary charging, negative secondary charging Poured in water, forming a powder, exposing, developing and irradiating (re-forms, which is then dried. By producing the waste of the recording material The alloy thus obtained is vapor-deposited in a vacuum by irradiation with infrared light, etc.). Procedure G tion in the form of a vitreous thin layer on a 65 relates to an electrophotographic process Up to 80 ° C hot aluminum plate applied, including the following steps: Positive primary charge, alternation an approximately 60 μm thick photoconductive layer self-current discharge with simultaneous exposure, is obtained. Then an approximately 25 μm thick Po is exposed over the whole area, developing and irradiating.

Verfahrenprocedure Primär
aufladungPrimary
charging Sekundär
aufladungSecondary
charging Wechsel
strom
entladungChange
current
discharge Gleich-
zeiliges
BelichtenSame-
line
Expose BelichtenExpose Ganzflächiges
BestrahlenWhole area
Irradiate Entwicklungdevelopment BestraPunish AA. ₊₊ 00 00 00 BB. —- 00 00 00 CC. 4-4- —- 00 00 00 00 DD. —- ++ 00 00 00 00 EE. -r-r 00 00 00 00 FF. —- 00 00 00 00 GG -j--j- 00 oO 00 00 00 HH —- 00 00 00 00 00

Claims

recording material obtained in this way then for carrying out electrophotographic processes

Patent claim: steps used, such as charging, exposure, Ent

winding and transferring, these procedural

Electrophotographic recording material 5 steps can be carried out on the surface of the photoconductive material with a layer support, optionally a layer. Due to this Ar-insulating layer, an Se-containing, photoconductive beitsweise, the surface of the photoconductive capable layer and an insulating layer, layer is destroyed by various external influences, with at least one of the photoconductive z. B. exposure to temperature, oxidation with air layers adjacent layers for radiation abrasion, exposure to pressure and the like. as mentioned above, indicates that the photoconductive layer disturbs part of the selenium layer as a seed crystal and be-Sb and at least one of the elements Cu, Ag, Au accelerates the crystallization of the amorphous selenium. Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Ge, Si, Sn, Pb, Bi, S, 15 so that the service life is further shortened.
Te and / or at least one oxide of these elements have been used, for example, electrophotographic

contains. Proposed method in which recording

materialieii are used, which one close to one photoconductive layer adjacent insulating layer have and in which three process stages be carried out, namely application of a primary charge, imagewise exposure with simultaneous Applying a secondary charge that is one of the

Primary charge has opposite polarity or

as alternating current discharge as well as all-over exposure, so that a very high-contrast electronic image is obtained on the insulating layer. The at Recording materials used in this process consist essentially of three layers. 30 namely an insulating layer, a photoconductive one

The invention relates to an electrophoresis layer and a conductive or insulating layer graphic recording material, with a layer support or four layers, namely one Layer support, optionally an insulating insulating layer, a photoconductive layer, a Layer, an Se-containing, photoconductive layer, further insulating layer and a conductive layer, and an insulating layer, at least 35 being in both cases at least one of the phoeine the layers adjacent to the conductive layer adjacent to the photoconductive layer with respect to Layer for a radiation against which the photoconductive radiation for which the photoconductive layer conductive layer is sensitive, is permeable. sensitive, must be transparent. Different to

As a photoconductive substance for electrophotographic in the conventional so-called »Carlson process Recording materials that are used with conventional «are used in the application of such recorders Electrophotographic processes do not use electrostatic images amorphous selenium is known to be generated directly on the photoconductive layer, so

However, this photoconductive substance has various processes, e.g. B. Developing and have some disadvantages. For example, there is amorphous image transfer, cleaning and the like Selenium was made in an electrophotographic 45 of the surface of the insulating layer for a long time used, it changes the. This turns the photoconductive layer into a more stable metallic modification, with these recording materials during the face change its physical properties and hardly damage liauchs, making them amorphous especially the dark resistance and the nhysi selenium neither crystallizes nor such a crystalline Decrease in strength. As a result of this version, it is accelerated. This recording matc changes If the selenium can no longer be supplied, it will hardly be used due to its use, so that the lifespan of such a jigt and therefore have a long lifespan. Recording material essentially of the order In such a recording material, the one Conversion of the amorphous selenium modification in a metal insulating layer on a photoconductive layer Depends on selenium. Apart from the disadvantage that it has, the latter is not both the function, one like recording materials obtained by crystallization charge state / u as well as photoconductors of the amorphous selenium become unusable, they show 711 act, assigned, but these two funks Another disadvantage is that amorphous selenium is distributed over the insulating layer and the ions Irradiation in the long-wave spectral range is hardly a photoconductive layer, so that its exposure is sensitive and thereby the selection of the light 60 wrestlers. In other words, possesses a high sensitivity source for imagewise exposure is limited. Lich material usually has a low electrical amorphous value In addition, selenium is neither used for Reptoduk- see resistance nor its ability to form before education colored originals still suitable for color reproduction with moderate exposure to a state of charge. ten. is low, but what about a process that

A recording material with amorphous selenium 65 with recording materials of the above beals The photoconductive layer usually works as described, does not interfere with it, as it does so without further ado placed by applying amorphous selenium to an elec- a highly sensitive material with a low level of Witrisch applies conductive carrier layer and which can be used on the stand that with conventional