DE2002624B2

DE2002624B2 - Electrophotographic recording material

Info

Publication number: DE2002624B2
Application number: DE19702002624
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Yokohama Kanagawa Hanada; Nobuo Akishima Tokio Kitajima; Tatsuo Tokio Masaki
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1969-01-22
Filing date: 1970-01-21
Publication date: 1973-12-06
Also published as: DE2002624A1; DE2002624C3; GB1302416A

Description

weniger als 10 Gewichtsprozent beschränkt Dadurch Aufzeichnungsmaterial, bezogen auf den oder die bleiben Probleme, die einer praktischen Anwendung Photoleiter, höchstens 10 Gewichtsprozent Sensibilidieser Art lichtempfindlicher Elemente entgegenste- sator enthält. Diese Menge kann jedoch in Abhängighen, ungelöst. Außer Selen und Tellur sind durch keil von den erforderlichen Empfindlichkeitseigen-Aktivieren von Cadmiumsulfid (CdS) mit Aktivato- 5 schäften des lichtempfindlichen Materials erhöht werren, wie Kupfer, Silber und Halogenide, Binden des den, ohne daß dadurch Schwierigkeiten auftreten,
aktivierten Cadmiumsulfid^ mit Harzbindemitteln zu Die die Zusammensetzung der Photowidersiandseiner lichtempfindlichen Schicht undAufbringeLi einer schicht eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungs-Isolierschicht auf die lichtempfindliche Schicht her- materials kennzeichnende Komponentenkombination, gestellte lichtempfindliche Elemente bekannt. Diese io d. h. die Kombination von Chalkogenen mit Eiern
lichtempfindlichen Elemente werden bei elektro- ten der Gruppe IVb, ergibt sich auf Grund zwei.,, photographischen Verfahren angewendet, bei denen technischer Überlegungen. Sie beruht einmal auf der von der Gleichrichterwirkung der Photowiderstands- neuen Erkenntnis, daß die Elemente der Gruppe IVb schicht Gebrauch gemacht wird, und auch in der die Kristallisation von amorphen Chalkogenen wirk-Praxis eingesetzt, da man mit ihnen eine etwa zehn- 15 sam verhindern. Dies ermöglicht es, ein lichtempfindmal höhere Lichtempfindlichkeit erzielen kann, als liches Material zur Verfügung zu stellen, das eine diejenige der vorstehend erwähnten lichtempfind- hervorragende Dauerhaftigkeit besitzt und selbst liehen Platten mit Selenphotow'derstandsschicht. nach langdauernder Verwendung nicht durch Kri-Less than 10 percent by weight limited. As a result, recording material, based on the problem or problems, contains photoconductors at most 10 percent by weight of sensitizers of this type of light-sensitive elements. However, this amount may depend on, unresolved. In addition to selenium and tellurium, the necessary sensitivity intrinsic activation of cadmium sulfide (CdS) with activators of the photosensitive material, such as copper, silver and halides, is increased without causing difficulties,
activated cadmium sulfide ^ with resin binders to the composition of the photoresistive elements of a photosensitive layer and application of a layer of a recording insulating layer according to the invention to the photosensitive layer. This io ie the combination of chalcogens with eggs
Photosensitive elements are used for Group IVb electrodes, because of two photographic processes that involve technical considerations. It is based, on the one hand, on the new knowledge of the rectification effect of the photoresist, that use is made of the elements of group IVb, and also in which the crystallization of amorphous chalcogens is used in practice, since they prevent an approximately ten-sam . This makes it possible to achieve a photosensitivity that is higher than that of a material which has a durability that is excellent in the above-mentioned photosensitivity and even borrowed plates with a selenium photoresist layer. after prolonged use not caused by

Diese lichtempfindlichen Elemente sind jedoch stallisation unbrauchbar wird. Zum zweiten wurde insofern nachteilig, als sie ein schlechtes Auflösungs- 20 gefunden, daß die Elemente der Gruppe IV b nicht vermögen besitzen und hinsichtlich der panchromati- nur kristallisationshemmend bzw. -verhindernd auf sehen Empfindlichkeit nicht befriedigen, da CdS für amorphe Chalkogene wirken, sondern daß ein Zukurzwelliges sichtbares Licht, d. h. Licht mit einer satz solcher Elemente außerdem die Lichtempfind-Wellenlänge zwischen 400 und 500 nm, fast unemp- lichkeit amorpher Chalkogene verbessert, ohne findlich ist. Aus den vorstehenden Ausführungen 25 jedoch deren günstige Eigenschaften, wie Auflösungsergibt sich somit, daß die typischen herkömmlichen vermögen, elektrischer Dunkelwiderstand u. dgl., zu lichtempfindlichen Elemente ihre speziellen Vor- aber beeinträchtigen. Durch Zusetzen von Elementen der auch Nachteile aufweisen und daher die Entwicklung Gruppe IVb zu einem Selen-Tellur-Chalkogensystem, eines lichtempfindlichen Materials, das sämtliche das bislang trotz seiner hervorragenden panchromagünstigen Eigenschaften, wit· hohe Lichtempfindlich- 30 tischen Eigenschaften wegen seiner starken Kristallikeit, hohes Auflösungsvermögen, panchromatische sationsneigung nicht praktisch eingesetzt werden Empfindlichkeit und Dauerhaftigkeit besitzt, in Ver- konnte, kann man ein unerwartet hochempfindliches, bindung mit der Entwicklung der Farbelektrophoto- panchromatisches und dauerhaftes lichtempfindliches graphie dringend erforderlich ist. Material erhalten. Nachstehend werden an HandHowever, these photosensitive elements are unusable. The second was disadvantageous in that they found a poor resolution 20 that the elements of group IV b do not possess assets and with regard to panchromati- only inhibit or prevent crystallization see sensitivity not satisfactory, since CdS work for amorphous chalcogens, but that a short-wave visible light, d. H. Light with a set of such elements also has the light-sensitive wavelength between 400 and 500 nm, almost impossibility of amorphous chalcogens improved without is sensitive. From what has been said above, however, their favorable properties, as shown by resolution thus that the typical conventional properties, dark electrical resistance and the like light-sensitive elements affect their special advantages. By adding elements of the also have disadvantages and therefore the development of Group IVb to a selenium-tellurium-chalcogen system, of a light-sensitive material that has so far been all of the above despite its excellent panchrome-favorable Properties, with high light-sensitive properties due to its strong crystallinity, high resolution, panchromatic tendency to sation cannot be used in practice Has sensitivity and durability, but one can have an unexpectedly highly sensitive, bond with the development of color electrophoto- panchromatic and permanent photosensitive graphics is urgently needed. Material received. Below are on hand

Die Aufgabe der Erfindung liegt darin, ein elektro- 35 einer Zeichnung Ausführungsformen der ErfindungThe object of the invention is to provide an electrical 35 a drawing embodiments of the invention

photographisches Aufzeichnungsmaterial zur Ver- beschrieben, in denenPhotographic recording material for ver described, in which

fiigung zu stellen, das eine Photowiderstandsschicht Fig. 1 ein Diagramm ist, das die Beziehung zwi- bzw. photoleitfähige Schicht aufweist, die nach einem sehen dem Tellurgehalt eines herkömmlichen lichteinfachen Verfahren hergestellt werden kann und die empfindlichen Materials mit einer aufgedampften in Hinsicht auf die Farbelektrophotographie eine 40 Photowiderstandsschicht aus einer Selen-Tellur-Lehohe Empfindlichkeit, eine gute Dauerhaftigkeit so- gierung und der Lichtempfindlichkeit erläutert;
wie gute panchromatische Eigenschaften aufweist. Fig. 2 ein Diagramm ist, das für das gleiche licht-Fig. 1 is a diagram showing the relationship between the photoconductive layer which can be made by a conventional light-simple process and the sensitive material with a vapor deposition with respect to color electrophotography a photo-resistive layer made of a selenium-tellurium-alloy high sensitivity, good durability and photosensitivity explained;
how has good panchromatic properties. Fig. 2 is a diagram which for the same light-

Die Lösung der Aufgabe geht von einem elektro- empfindliche Material den Zusammenhang zwischenThe solution to the problem is based on an electro-sensitive material and the relationship between

photographischen Aufzeichnungsmaterial mit einer dem Tellurgehalt und der Lebensdauer zeigt;shows photographic material having a tellurium content and lifetime;

photoleitfähigen Schicht mit amorphem Se oder 45 Fig. 3 die Kurven der Differentialthermoanalysephotoconductive layer with amorphous Se or 45 Fig. 3 the curves of the differential thermal analysis

einem amorphen Gemisch aus Se und Te oder Se für Se-Te-Legierungen und erfindungsgemäße Se-Te-an amorphous mixture of Se and Te or Se for Se-Te alloys and Se-Te according to the invention

und S als Photoleiter und einem oder mehreren Ge-Legierungen zeigt; undand shows S as a photoconductor and one or more Ge alloys; and

Sensibilisatoren aus und ist dadurch gekennzeichnet, Fig. 4 ein Diagramm ist, das den ZusammenhangSensitizers and is characterized in Fig. 4 is a diagram showing the relationship

daß es als Sensibilisator C, Se, Ge, Sn und/oder Pb zwischen dem Germaniumgehalt der Photowider-that there is a sensitizer C, Se, Ge, Sn and / or Pb between the germanium content of the photoresist

enthält. 50 Standsschicht eines erfindungsgemäßen lichtempfind-contains. 50 stand layer of a photosensitive according to the invention

Das erfindungsgemäße Aufzeicrnungsmaterial be- liehen Elements mit einer aufgedampften Se-Testeht hauptsächlich aus Chalkogenen, die mit einer (10°/o)-Ge-Legierung und der Lebensdauer des lichtverhältnismäßig kleinen Menge eines oder mehrerer empfindlichen Materials wiedergibt.
Elemente der Gruppe IVb versetzt sind. Die dem Vorab werden die Beziehungen zwischen dem Chalkogen zuzusetzende Menge an Elementen der 55 Tellurgehalt der Photowiderstandsschicht des licht-GruppelVb wird in der Hauptsache dadurch be- empfindlichen Elements mit einer aufgedampften stimmt, daß ein amorphes lichtempfindliches Material Photowiderstandsschicht aus Se-Te-Legierung und erhalten werden soll, das im Dunkeln einen elektri- der Empfindlichkeit und Lebensdauer des lichtempschen Widerstand von ΙΟ¹² Ω · cm oder mehr besitzt ländlichen Elements im einzelnen beschrieben,
und bezüglich der Empfindlichkeit an seinen pan- 60 Fig. 1 ist ein Diagramm, aus dem zu ersehen ist, chromatischen Eigenschaften den Anforderungen der daß die auf der Ordinate aufgetragene Empfindlich-Elektrophotographie genügt. keit des lichtempfindlichen Elements mit steigendemThe recording material according to the invention lent element with a vapor-deposited Se test consists mainly of chalcogens, which reproduces with a (10%) -Ge alloy and the life of the light-relatively small amount of one or more sensitive material.
Group IVb elements are offset. The relationship between the chalcogen to be added in advance, the amount of elements of the tellurium content of the photoresist layer of the light group is mainly correct by the fact that an amorphous photosensitive material made of Se-Te alloy and an amorphous photosensitive material is obtained is to be described, which in the dark has an electrical sensitivity and lifespan of the lichtempschen resistance of ΙΟ ¹² Ω · cm or more rural element,
and as regards the sensitivity of its pan- 60 Fig. 1 is a diagram from which it can be seen that chromatic properties meet the requirements that the sensitive electrophotography plotted on the ordinate satisfies. speed of the photosensitive element with increasing

Mit Rücksicht auf eine verbesserte Empfindlich- Tellurgehalt (Abszisse) der Photowiderstandsschicht keit des Aufzeichnungsmaterials ist es von Vorteil, aus aufgedampfter Se-Te-Legierung wächst. Im vorwenn es als weiteren Sensibilisator P, As, Be und/ 65 Hegenden Fall wird als Parameter der Empfindlichoder ein Halogen enthält. keit die beim bildmäßigen Belichten zur ErzielungWith regard to an improved sensitive tellurium content (abscissa) of the photoresist layer It is advantageous for the recording material to grow from a vapor-deposited Se-Te alloy. Im vorwenn it as a further sensitizer P, As, Be and / 65 Hegenden Fall is used as a parameter of the sensitivor contains a halogen. speed to achieve the image-wise exposure

In Hinsicht auf die panchromatischen Eigenschaf- eines elektrostatischen Kontrasts von 300 V zwischenWith regard to the panchromatic properties of an electrostatic contrast of 300 V between

ten und die Empfindlichkeit ist es günstig, wenn das dem hellen und dem dunklen Teil der Oberflächeten and the sensitivity, it is favorable if that is the light and the dark part of the surface

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des lichtempfindlichen Elements erforderlichen erwähnt, möglich wäre* die Kristallisation von Se-Lichtmenge in Lux · Sekunde angegeben. Bei der Te-Legierangen zu unterdrücken, so könnte das Proin diesem Diagramm gewählten Darstellung ist also blem der mangelnden Beständigkeit dieses Typs von die Empfindlichkeit um so höher, je kleiner der Be- lichtempfindlichen Elementen gelöst werden, und lichtungswert bzw. die zum Belichten erforderlichen 5 man könnte hervorragende lichtempfindliche EIe-Lichtmenge (Lux · Sekunde) ist. Nachstehend wird mente erhalten. Wie bereits erwähnt, wurde nun im in groben Umrissen die bei den Versuchen ange- Zuge zahlreicher Versuche gefunden, daß eine Kriwandte Arbeitsweise geschildert, deren Auswertung stallisation selbst bei Se-Te-Legierungen mit hohem dieses Diagramm wiedergibt. Tellurgehalt kaum auftritt, wenn der Se-Te-Legierungof the photosensitive element required, it would be possible * the crystallization of Se light given in lux · second. In the case of Te alloy rods, the proin could be suppressed This diagram chosen is therefore blem of the lack of persistence of this type of the smaller the light-sensitive elements are dissolved, the higher the sensitivity, and exposure value or the 5 required for exposure could be an excellent amount of light-sensitive EIe light (Lux · second) is. Mente is obtained below. As already mentioned, the in rough outlines the results of numerous experiments found that a conflict Working method described, their evaluation stallisation even with Se-Te alloys with high this diagram reproduces. Tellurium content hardly occurs when using the Se-Te alloy

Zunächst wurden zahlreiche in ihrem Tellurgehalt ao nur kleine Mengen von Elementen der Gruppe IVb verschiedene Se-Te-Legierungen hergestellt. Dann des Periodensystems zugesetzt werden. Weiterhin wurde jede dieser Se-Te-Legierungen auf eine etwa wurde gefunden, daß der kristallisationshemmende 60 μτη starke Aluminiumfolie aufgedampft. Auf die Effekt dieser Elemente bei lichtempfindlichen Mate-Oberfläche der Se-Te-Legierungsschicht wurde dann rialien aus Se-Te-Legierungen etwas davon abhängt, unter Verwendung eines Epoxyharzes als Binde- 15 welches Element der Gruppe IVb zugesetzt wird und mittel jeweils eine 25 μπι starke Folie aus Poly- daß ein Zusatz von Germanium und/oder Silicium ethylenterephthalat als Isolierschicht aufgeklebt am wirksamsten ist. Das der Erfindung zugrunde Hierauf wurden die so erhaltenen lichtempfindlichen liegende Problem, die vorstehend erwähnte Abnahme Platten mit einer Primärladung versehen, indem man der Dauerhaftigkeit von lichtempfindlichen Eiemendas lichtempfindliche Element einer Koronaentladung ao ten auf Grand der Kristallisation von Se-Te-Legieaussetzte, bis ihr Potential minus 2000 V betrug, rangen, insbesondere mit hohem Tellurgehalt, und worauf das lichtempfindliche Element unter gleich- tier sich daraus ergebenden Beschränkung des Tellurzeitiger Einwirkung einer Wechselstrom-Korona-Ent- gehalts, kann somit in besonders günstiger Weise ladung mit einer Spannung von 6 kV bildmäßig be- gelöst werden, indem man die Photowiderstandslichtet und schließlich die ganze Oberfläche des as schicht des lichtempfindlichen Elements durch Auflichtempfindlichen Elements gleichmäßig exponiert dampfen einer lichtempfindlichen Schicht aus einer wurde, um ein latentes elektrostatisches Bild zu er- glasigen (amorphen) Legierung erzeugt, die hauptzeugen. Die zur Erzielung eines elektrostatischen sächlich aus Selen und Tellur besteht und zusätzlich Kontrasts von 300 V zwischen den hellen und den Germanium, Silicium oder Germanium und Silicium dunklen Stellen des auf diese Weise erzeugten elek- 30 enthält, d. h. eine Se-Te-Ge-, Se-Te-Si- oder Se-Tetrostatischen latenten Bildes erforderliche Belichtung Ge-Si-Legierung ist, wobei man lichtempfindliche (Lichtmenge) wurde jeweils in Lux · Sekunden an- Elemente erhält, die lichtempfindlicher und besser gegeben. panchromatisch sind und ein größeres Auflösungs-Initially, numerous elements of group IVb were only small in their tellurium content various Se-Te alloys produced. Then the periodic table can be added. Farther Each of these Se-Te alloys was found to be approximately the crystallization inhibitor 60 μτη thick aluminum foil evaporated. On the effect of these elements on photosensitive mate surface The Se-Te alloy layer was then rials made of Se-Te alloys somewhat depends on using an epoxy resin as a binder, which element of Group IVb is added and medium each a 25 μm thick film made of poly that an addition of germanium and / or silicon ethylene terephthalate is most effective as an insulating layer. That the invention is based Thereupon, the photosensitive problems thus obtained, the above-mentioned decrease, became the underlying problem Providing plates with a primary charge by assessing the durability of photosensitive belts photosensitive element of a corona discharge exposed to the crystallization of Se-Te-Alloy, until their potential was minus 2000 V, wrestled, especially those with a high tellurium content, and whereupon the light-sensitive element can, with the same resultant restriction of the tellurium-time effect of an alternating current corona content, thus in a particularly favorable manner A charge with a voltage of 6 kV can be resolved imagewise by exposing the photoresist and finally the entire surface of the layer of the photosensitive element exposed uniformly by the reflected light-sensitive element vapor a photosensitive layer of a was created in order to create a latent electrostatic image vitreous (amorphous) alloy, the main testimony. Which to achieve an electrostatic neuter consists of selenium and tellurium and in addition Contrast of 300 V between the bright and the germanium, silicon or germanium and silicon contains dark areas of the electrical 30 generated in this way, d. H. a Se-Te-Ge, Se-Te-Si-, or Se-tetrostatic latent image required exposure is Ge-Si alloy, being photosensitive (Amount of light) was obtained in each case in lux · seconds on elements that were more light-sensitive and better given. are panchromatic and have a greater

Fig. 2 ist ein Diagramm, aus dem zu ersehen ist, vermögen besitzen, als bekannte lichtempfindlicheFig. 2 is a diagram from which it can be seen that properties are known as known photosensitive devices

daß die Lebensdauer mit steigendem Tellurgehalt 35 Elemente mit Selen-Tellur-Photowiderstandsschicht,that the service life with increasing tellurium content 35 elements with selenium tellurium photoresistive layer,

abnimmt und folglich die Dauerhaftigkeit des licht- Zum Nachweis, daß ein Zusatz von Germaniumdecreases and consequently the durability of the light- To prove that an addition of germanium

empfindlichen Elements durch zunehmenden Tellur- oder Si oder beidem die Kristallisation von Se-Te-sensitive element by increasing tellurium or Si or both the crystallization of Se-Te-

gehalt verschlechtert wird. Die Lebensdauer wird in Legierungen entweder unterdrückt oder gänzlich ver-salary is worsened. The service life is either suppressed or completely reduced in alloys

diesem Fall durch diejenige Zeit wiedergegeben, die hindert, sind in F i g. 3 die bei der Differentialthermo-this case, represented by the time that hinders, are shown in FIG. 3 the differential thermal

verstreicht, bis das lichtempfindliche Element sich 4° analyse von Legierungen aus 90 ⁵Zo Se und iO^s/o Teelapses until the photosensitive element is 4 ° analysis of alloys of 90 ⁵ Zo Se and iO ^s / o Te

auf Grand der Alterang so stark verschlechtert, daß bzw. 80,5 «/0 Se, 13 %> Te und 0,5 °/o Ge bzw.on Grand the Alterang worsened so much that or 80.5% Se, 13%> Te and 0.5% Ge or

seine Eignung zur Erzeugung latenter Bilder merk- 86 °/o Se, 13 °/o Te und 1 °/o Ge erhaltenen Ergebnisseits ability to produce latent images was markedly 86% Se, 13% Te, and 1% Ge

lieh abnimmt und es nicht mehr verwendbar ist. durch die Kurven α bzw. b bzw. c graphisch darge-borrowed and it is no longer usable. graphically represented by the curves α, b and c

Praktisch wurden die zur Bestimmung dieser Eigen- stellt. Die Differentialthermoanalyse ist ein Mittel,In practice, those used to determine this were self-made. Differential thermal analysis is a means

schaft erforderlichen Versuche so durchgeführt, daß 45 um Informationen über eine Zustandsänderung einesThe necessary tests are carried out in such a way that 45 to information about a change in the state of a

jedes der im Zusammenhang mit Fig. I beschriebe- Stoffes zu erhalten, indem man die mit den beimto obtain each of the substances described in connection with FIG

nen lichtempfindlichen Elemente einer beschleunig- Erhitzen oder Abkühlen des Stoffes auftretendenlight-sensitive elements accelerate heating or cooling of the substance

ten Alterang unterworfen wurde, indem man es auf Zustands- bzw. Strukturänderungen einhergehendeth alterang by looking at changes in condition or structure accompanying it

verschiedene, über Raumtemperatur liegende Tempe- Abgabe bzw. Aufnahme von Wärme bestimmt, d. h.Determines various temperatures above room temperature release or absorption of heat, d. H.

raturen erhitzte, wobei dann diejenige Zeit gemessen 50 ermittelt, um exotherme oder endotherme Zustands-heated temperatures, the time then measured 50 being determined to be exothermic or endothermic state-

wurde, die verstrich, bis das jeweilige lichtempfind- änderungen erfolgen. In Fig. 3 zeigt ein Peak überthat elapsed until the respective light-sensitivity changes take place. In Fig. 3, a peak shows over

liehe Element seme Fähigkeit, latente Bilder zu er- der Bezugslinie der jeweiligen Kurve eine auf dieThis element has its ability to generate latent images on the reference line of the respective curve

zeugen, plötzlich verlor. An Hand der dabei gemes- Kristallisation zurückführende exotherme Zustands-witness suddenly lost. On the basis of the exothermic state-

senen Zeit und der Temperatur, bei der der Versuch änderung und ein Peak bzw. ein Tal oder Minimumsenen time and the temperature at which the experiment change and a peak or a valley or minimum

durchgeführt wurde, wurde dann jeweils die Lebens- 55 unterhalb der Bezugskurve jeweils die beim Erwei-was carried out, then in each case the life 55 below the reference curve was in each case the

dauer des betreffenden lichtempfindlichen Elements chen und Schmelzen auftretende endotherme Zu-duration of the light-sensitive element in question and melting endothermic additions that occur

bei Raumtemperatur geschätzt. Der Grand dafür, Standsänderung an. Aus diesen Ergebnissen ist zuestimated at room temperature. The grand for it, change of status. From these results is too

daß die Lebensdauer der lichtempfindlichen Elemente ersehen, daß die germaniumfreie Se-Te-Legierungthat the life of the photosensitive elements can be seen that the germanium-free Se-Te alloy

durch zunehmend höheren Tellurzusatz zum licht- einen großen Kristallisationspeak in der Kurve a by increasing the amount of tellurium added to the light, a large crystallization peak in curve a

empfindlichen Material verkürzt bzw. die Beständig- 60 aufweist, während die Se-Te-Ge-Legierung mitsensitive material shortened or the resistant 60 has, while the Se-Te-Ge alloy with

keit verringert wurde, ist darin zu sehen, daß die einem Germanrumgehalt von 0,5 °/o nur einen kleinenThe fact that the Germanrum content of 0.5% is only a small one can be seen in the fact that

Kristallisation von amorphen Se-Te-Schichten bei Kristallisationspeak (vgl. Kurve b) aufweist, der zeigt,Crystallization of amorphous Se-Te layers at crystallization peak (cf. curve b) , which shows

Se-Te-Legierungen mit einem höheren Prozentsatz an daß kaum Kristallisation erfolgt Im Fall der Se-Te-Se-Te alloys with a higher percentage that hardly any crystallization occurs. In the case of Se-Te-

Tellur schneller erfolgt und daß diese Kristallisation Ge-Legierang mit einem Germaniumgehalt von 1 %Tellurium takes place faster and that this crystallization Ge alloy with a germanium content of 1%

zu einer starken Abnahme des Widerstandes der 65 ist kein Kristallisationspeak zu sehen (vgl. Kurve c),no crystallization peak can be seen for a sharp decrease in the resistance of 65 (cf. curve c),

Legierung führt und somit die Fähigkeit des licht- was zeigt, daß keine Kristallisation erfolgt. Die Kri-Alloy leads and thus the ability of light - which shows that no crystallization occurs. The crime

empfmdlichen Elements, die Oberflächenladung zu stallisation hängt jedoch von der Temperaturerhö-sensitive element, the surface charge to installation depends on the temperature increase.

iialten, verringert. Wenn es daher, wie vorstehend hungsgeschwindigkeit ab und tritt bei tieferen Tem-aged, reduced. If, therefore, as above, the speed of movement decreases and occurs at lower temperatures

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peraturen auf, wenn die Temperaturerhöhung ver- liegenden Temperaturen angeregt, und eine Kristallilangsam wird. Die in F i g. 3 dargestellten Versuchs- sationsneigung ist unabhängig von den Umgebungsergebnisse wurden bei Messungen erhalten, die bei bedingungen, wie Lichteinstrahlung, nicht zu beobeiner Erhitzungsgeschwindigkeit von etwa 10° C/min achten.Temperatures rise when the temperature increase stimulates lying temperatures, and a crystalline slow will. The in F i g. The test inclination shown in 3 is independent of the ambient results were obtained in measurements that cannot be observed under conditions such as light irradiation Pay attention to the heating rate of about 10 ° C / min.

durchgeführt wurden. Es sei angemerkt, daß die zur 5 Zur Herstellung erfindungsgemäßer lichtempfind-Verhinderung der Ausbildung eines Kristallisations- licher Elemente ist im Gegensatz zur Herstellung peaks erforderliche Germaniummenge sich, weiter bekannter lichtempfindlicher Elemente eine komplierhöht, wenn die Erhitzungsgescbwindigkeit verrin- zierte Bedampfungsvorrichtung, die mit einer Kühlgert wird. In jedem Fa?' wird die Se-Te-Legierung einrichtung ausgerüstet ist, um Kristallisation zu verjedoch durch die Zugabe einer kleinen Menge Ger- io hindern, nicht erforderlich, und ein späteres Unmanium glasig und kristallisiert kaum. Es wurde brauchbarwerden des lichtempfindlichen Elements weiterhin festgestellt, daß man das gleiche Ergebnis braucht keinesfalls befürchtet zu werden. So wird, durch Zusatz von Silicium oder von Germanium und wie aus dem weiter unten geschilderten Ausführungs-Silicium erhält. beispiel zu ersehen ist, während der Herstellung des Ferner wurde festgestellt, daß die Empfindlichkeit 15 lichtempfindlichen Elements selbst dann keine Krides lichtempfindlichen Elements allmählich abnimmt stallisation angeregt, wenn die Kühlung der zu be- und die Temperatur der Dampfquelle beim Bedamp- dampfenden Trägerschicht weggelassen wird, und fen erhöht werden oder eine kombinierte Verdamp- außerdem ist selbst nach anhaltender Bestrahlung fungsmethode angewendet werden muß, wenn die mit Licht weder eine Kristallisationsneigung noch zuzusetzende Menge an Germanium und/oder SiIi- 20 eine Verringerung des Dunkelwiderstands zu beobcium gegen 10 Gewichtsprozent geht. achten. Der Grund dafür, daß das für die Photo-Dies führt unvermeidlich zu Schwierigkeiten bei Widerstandsschichten erfindungsgemäßer lichtempder Herstellung lichtempfindlicher Elemente. Die findlicher Elemente verwendete Material einen hohen Zusatzstoffmenge beträgt daher, wenn als Chalkogen Dunkelwiderstand aufweist und beständige amorphe eine Se-Te-Legierung verwendet wird, zweckmäßig as Schichten bilden kann, ist noch nicht ganz geklärt, 10 Gewichtsprozent oder weniger. Fig. 4 zeigt die jedoch wird angenommen, daß die Elemente der Beziehung zwischen dem Germaniumgehalt der Gruppe IVb im Vergleich zu den Chalkogenen ver-Photowiderstandsschicht eines erfindungsgemäßen hältnismäßig heterogen sind und ihr Zusatz zu Challichtempfindlichen Elements mit einer aufgedampften kogenen deren Kristallisation verhindern kann und PhotowiiWstandsschicht aus Se-Te(IO°'o)-Ge-Legie- 30 gleichzeitig den Dunkelwiderstand und die Photorung und der Lebensdauer des lichtempfindlichen Widerstandseigenschaften der Photowiderstands-Elements. Es ist klar zu erkennen, daß die Lebens- schicht günstig beeinflußt.were carried out. It should be noted that the 5 To manufacture photosensitivity prevention according to the invention the formation of a crystallizable element is in contrast to the production peaks required amount of germanium increases, further known photosensitive elements a complier increases, if the heating speed is reduced, steaming device with a cooling device will. In every fa? ' However, the Se-Te alloy facility is equipped to prevent crystallization prevent by adding a small amount of ger- io, not necessary, and a later unmanium glassy and hardly crystallizes. The photosensitive member has become useful furthermore stated that the same result need by no means be feared. So will by adding silicon or germanium and as in the embodiment silicon described below receives. For example, it can be seen during the manufacture of the Furthermore, it was found that the sensitivity 15 photosensitive element even then no Krides light-sensitive element gradually decreases stallization stimulated when the cooling of the and the temperature of the steam source is omitted from the vapor-evaporating carrier layer, and fen can be increased or a combined evaporation is also available even after prolonged exposure fung method must be used if the light neither has a tendency to crystallize nor to be added amount of germanium and / or SiIi- 20 a reduction in the dark resistance can be observed goes against 10 percent by weight. respect, think highly of. The reason that this is for the photo dies inevitably leads to difficulties in resistive layers of light sensors according to the invention Manufacture of photosensitive elements. The more sensitive elements used a high material The amount of additive is therefore if the chalcogen has dark resistance and is persistent amorphous a Se-Te alloy is used, which can expediently form layers, has not yet been fully clarified 10 percent by weight or less. Fig. 4 shows the but it is assumed that the elements of Relationship between the germanium content of group IVb compared to the chalcogens ver photoresist one of the invention are relatively heterogeneous and their addition to challight-sensitive Elements with a vapor-deposited kogene can prevent their crystallization and PhotowiiWstandsschicht made of Se-Te (IO ° 'o) -Ge alloy 30 at the same time the dark resistance and the photorung and the life of the photosensitive resistance properties of the photoresist element. It can be clearly seen that the life stratum has a beneficial effect.

dauer bzw. Haltbarkeit des lichtempfindlichen EIe- Die bislang geschilderten wichtigsten erfindungs-duration or shelf life of the light-sensitive egg- The most important invention described so far

ments mit steigendem Germaniumgehalt, zunimmt. gemäß erzielten Effekte und Vorteile lassen sich wiements with increasing germanium content. according to achieved effects and advantages can be like

Die Werte zur Erstellung dieses Diagramms wurden 35 folgt zusammenfassen:The values used to create this diagram have been summarized as follows:

analog dem in Fig. 2 dargestellten erhalten. 1. Die lichtempfindlichen Elemente der Erfindung Als nächstes wird nachstehend der Aufbau de^r weisen eine hohe Empfindlichkeit, ein hohes Auferfindunesgemäßen lichtempfindlichen Elemente be- lösungsvermögen, panchromatische Eigenschaften schrieben. und eine gute Beständigkeit bzw. Haltbarkeit auf. Das lichtempfindliche Element kann beispielsweise 4= Dies trägt in erheblichem Umfang zur Entwicklung aus einer Photowiderstandsschicht auf einem Träger der Elektrophotographie, insbesondere der Farbbestehen·, es kann aus drei Schichten, nämlich einer elektrophotographietechnik, bei.
Isolierschicht, einer Photowiderstandsschicht und 2. Das erfindungsgemäß zur Herstellung der lichteiner leitenden oder isolierenden Trägerschicht beste- empfindlichen Elemente verwendete amorphe lichthen. und es kann vier Schichten aufweisen, nämlich « empfindliche Material ermöglicht es. bisher gegebene eine Isolierschicht, eine Photowiderstandss.chicht, Beschränkungen der Arbeitsweise bei der Herstellung eine weitere Isolierschicht und eine leitende Schicht, zu überwinden, indem es das Kühlen und die Temwobei bei den beiden letztgenannten Arten von licht- peraturregelung überflüssig macht, es ermöglicht, das empfindlichen Elementen mindestens eine der der lichtempfindliche Element leicht und mit sehr einlichtempfindlichen Schicht benachbarten Schichten 50 fachen Vorrichtungen herzustellen, die Herstellungsfür eine Strahlung, für die die Photowiderstands- kosten zu senken, die Lebensdauer des lichtempfindschjcht empfindlich ist, transparent ist. liehen Elements zu erhöhen und die Lichtempfind-Erfindungsgemäße lichtempfindliche Elemente lichkeit während der gesamten Lebensdauer konstant können natürlich bei allgemeinen elektrophotogra- zu halten. Kurz gesagt, entwickelt dieses amorphe phischen Verfahren, die folgende Vorgänge umfas- 55 lichtempfindliche Material hervorragende Eigenschafsen, verwendet werden: Aufladen, bildmäßige Beiich- ten bei der Verwendung in der Elektrophotographie, tang mit dem Originalbild, Entwicklung (Übertra- insbesondere bei dem vorstehend erwähnten Verfahren, gung) und Fixieren. Außerdem können diese licht- 3. Da die erfindungsgemäß verwendeten Se-Teempfindlichen Elemente bei elektrophotographischen Legierungen hervorragende Eigenschaften als licht-Verfahren, die folgende Vorgänge umfassen, verwen- 60 empfindliches Material aufweisen und kaum kristallidet werden: Aufbringen einer Primärladung, sekun- sieren, kann man nach dem Aufdampfen der Photodäre Aufladung oder Wechselstrom-Entladung mit Widerstandsschicht eine Wärmebehandlung anwengleichzeitigem Belichten und ganzflächige Oberflä- den, die bisher nicht durchgeführt werden konnte, chenbestrahlung bzw. Belichtung. und außerdem können die Eigenschaften des licht-Die amorphen Photowiderstandsschichten bzw. das 65 empfindlichen Elements sehr genau gesteuert werden, lichtempfindliche Material, aus dem diese bestehen, indem man in der Photowiderstandsschicht gemäß sind bed lichtempfindlichen Elementen der Erfindung der vorstehend beschriebenen Behandlung MHcronicht zum Kristallisieren bei über Normaltemperatur kristalle erzengt.obtained analogously to that shown in FIG. 1. The light-sensitive elements of the invention Next, the structure below de ^r have a high sensitivity, a high Auferfindunesgemäßen photosensitive elements loading solvent power written panchromatic properties. and good durability. The photosensitive element can, for example, consist of three layers, namely an electrophotography technique, to a considerable extent in the development of a photoresistive layer on a support for electrophotography, in particular for color.
Insulating layer, a photoresist layer and 2. The amorphous light-sensitive elements used according to the invention for producing the light-conducting or insulating carrier layer. and it can have four layers, namely «sensitive material enables it. To overcome an insulating layer, a photoresistive layer, the limitations of the working method in the manufacture of a further insulating layer and a conductive layer, by making the cooling and the temperature superfluous in the case of the two last-mentioned types of light-temperature control sensitive elements to produce at least one of the light-sensitive element easily and with a very single light-sensitive layer adjacent layers 50-fold devices, the production of which is transparent to radiation for which the photoresist cost is reduced, the life of the light-sensitive is sensitive. To increase borrowed elements and to keep the photosensitive elements according to the invention speed constant over the entire service life, of course, with general electrophotography. In short, this amorphous phic process, which includes the following processes, develops excellent properties: charging, image-wise addition when used in electrophotography, tangent to the original image, development (transfer especially in the case of the above-mentioned Procedure, gung) and fixation. In addition, these photosensitive material can 3. Since the Se-Te-sensitive elements used in the present invention in electrophotographic alloys have excellent properties as a light-sensitive material, which include the following processes, they can hardly be crystallized: after the vapor deposition of the photodaric charge or alternating current discharge with a resistive layer, a heat treatment with simultaneous exposure and whole-area surfaces, which previously could not be carried out, surface irradiation or exposure. and in addition, the properties of the light-sensitive material of which they are made can be controlled very precisely by making the light-sensitive elements of the invention according to the above-described treatment MHcro not crystallize Crystals generated above normal temperature.

1010

4. Die Se-Te-Legierung weist überdies p-Lcitfähig- Kontrast von 300 Volt zu erzielen. Sowohl das Auf4. The Se-Te alloy also has p-conductivity capable of achieving a contrast of 300 volts. Both the on

keit auf. Diese p-Leitungseigenschaften werden durch lösungsvermögen als auch die panchromatischeron. These p-line properties are made more solvable as well as panchromatic

den Zusatz von Ge und Si weiter erhöht, und die Eigenschaften sind gut. Weiterhin ist das so hergethe addition of Ge and Si is further increased, and the properties are good. It continues to be the case

lichtempfindlichen Elemente besitzen daher bei der stellte lichtempfindliche Element stabil und haltbaTherefore, the photosensitive element has stable and durable properties when the photosensitive element is made

Verwendung in speziellen elektrophotographischen 5 und zeigt bei Raumtemperatur im Laufe der Zeit nuUse in special electrophotographic 5 and shows nu at room temperature over time

Verfahren ausgeprägtere rektifizierende Eigenschaften eine geringfügige Verschlechterung seiner EigenProcedure more pronounced rectifying properties a slight deterioration of its own

und können demzufolge sehr kontrastreich arbeiten. schäften.and can therefore work with very high contrasts. stocks.

Die Beispiele erläutern die Erfindung, sollen sie .The examples illustrate the invention, they should.

jedoch in keiner Weise beschränken. Beispiel Jbut in no way limiting. Example J

ίο Selen-, Tellur-, Germanium- und Schwefel-ίο selenium, tellurium, germanium and sulfur

ο . . . - pulver werden in einem Atomzahlverhältnis vonο. . . - Powders are made in an atomic number ratio of

^öeisP^iel ' 60:20:10:10 gründlich vermischt und in eine ^öeis P ^iel '60: 20: 10: 10 thoroughly mixed and put into one

Selen-, Tellur- und Germaniumpulver mit einer Quarzampulle gegeben. Die Ampulle wird auf etwa Reinheit von jeweils mehr als 99,99% werden im 10 " Torr evakuiert, abgeschmolzen und etwa 5 Stun-J Gewichtsverhältnis von 89,9 :10: 0,1 gemischt. Die- 15 den auf 700 C erhitzt. Der auf diese Weise erhaltend ses Gemisch wird in eine auf etwa 10~³ Torr evaku- amorphe Block wird in ein Tantalschiffchen gegeben ierte Quarzampulle eingeschmolzen. Dann wird die und als Dampfquelle beim Aufdampfen einer etwa Ampulle 5 Stunden auf etwa 550 ^Ί C erhitzt, um den 40 um starken Photowiderstandsschicht auf eine Alu-Inhalt zu schmelzen. Es empfiehlt sich, die Schmelze miniumträgerplatte verwendet, wobei unter einem vollständig durchzumischen, indem man die Ampulle ao Druck von etwa 10 ^β Torr gearbeitet wird. Die Bewährend des F.rhitzens schüttelt oder wälzt. Dann dampfung wird mit Erfolg ohne Kühlen der Alumiwird die Ampulle in Wasser geworfen, um eine niumträgerplatte und ohne Temperaturregelung währasche Abkühlung zu erzielen und auf diese Weise rend der Verdampfung durchgeführt. Das auf diese eine glasige Se-Te-Ge-Legierung zu erhalten. Aus Weise erhaltene lichtempfindliche Element weist an der so erhaltenen Legierung wird durch Vakuum- 25 einem dunklen Ort einen Volumenwiderstand von bedampfung auf eine Aluminiumträgerplatte eine 10¹³ bis 10^1β Ω · cm auf, der um eine Größenordnung etwa 60μχη starke Photowiderstandsschicht aufge- höher ist als der 10¹² bis 10¹⁵Q-cm betragende dampft. Bei der Vakuumbedampfung wird mit einem Dunkel widerstand herkömmlicher lichtempfindlicher Druck von 10~⁴ bis 10 ⁵ Torr einer Temperatur der Elemente, wobei die Empfindlichkeit des so herge-Trägerplatte zwischen 60 und 78° C, die sich jedoch 30 stellten lichtempfindlichen Elements gleich oder während der Bedampfung mehr oder weniger stark höher ist, als diejenige herkömmlicher lichtempfindändcrt, und einer Temperatur der Dampfquelle von licher Elemente, etwa 250 C gearbeitet. Die Kristallisationseigenschaften der PhotowiderSelenium, tellurium and germanium powder are given with a quartz ampoule. The ampoule is evacuated to a purity of more than 99.99% each in 10 " Torr, melted and mixed for about 5 Stun-J weight ratio of 89.9: 10: 0.1. These are heated to 700.degree. the sustaining ses mixture thus is in a evacua- amorphous to about 10 ^-3 Torr block is melted in a tantalum boat given ierte quartz ampoule. Then, and as vial heated to about 550 ^Ί C as a vapor source during vapor deposition of a 5 hours to The 40 µm thick photoresistive layer is to be melted onto an aluminum content. It is advisable to use the melt minium carrier plate, mixing the ampoule completely under a pressure of about 10 ^β Torr. Shake or shake the vial while heating Then steaming is successful without cooling the aluminum, the ampoule is thrown into water to achieve a nium-carrying plate and without temperature control, and in this way the evaporation is thrown led. That on top of this get a glassy Se-Te-Ge alloy. The light-sensitive element obtained from manner has a volume resistivity of vapor deposition on an aluminum support plate in a dark place on the alloy obtained in this way. A 10 ¹³ to 10 ^1β Ω · cm, which is an order of magnitude about 60μχη thick photoresistive layer higher than the 10 ¹² to 10 ¹⁵ Q-cm amounting to steam. In the case of vacuum vapor deposition, a conventional photosensitive pressure of 10 ~ ⁴ to 10 ⁵ Torr of a temperature of the elements is applied with a dark resistance, the sensitivity of the carrier plate thus produced being between 60 and 78 ° C, but the photosensitive element being placed equal to or during the 30th Vapor deposition is more or less higher than that of conventional light-sensitive elements, and a temperature of the steam source of Licher elements, about 250 C worked. The crystallization properties of the photoresist

Nach dem Bedampfen wird die Trägerplatte rasch Standsschicht des so hergestellten lichtempfindlichenAfter the vapor deposition, the carrier plate quickly becomes the base layer of the photosensitive material produced in this way

auf Raumtemperatur abgekühlt und dann in einem 35 Elements werden mit denjenigen eines herkömm-cooled to room temperature and then placed in a 35 element with those of a conventional

thermostatisch geregelten Trockenschrank etwa liehen lichtempfindlichen Elements mit einer aufge -thermostatically controlled drying cabinet, for example, a light-sensitive element with a

5 Stunden bei 45° C getempert. Dabei scheiden sich dampften Photowiderstandsschicht aus einer 5 GeAnnealed at 45 ° C for 5 hours. In the process, vaporized photoresist layers separate from a 5 Ge

in der Photowiderstandsschicht feine Legierungskri- wichtsprozent Tellur enthaltenden Se-Te-Legieruni;Se-Te alloy containing fine alloy weight percent tellurium in the photoresist layer;

stalle aus und die Empfindlichkeit des lichtempfind- verglichen. Bei diesen Tests wird bei Temperature ηstall out and the sensitivity of the light-sensitive compared. In these tests, the temperature η

liehen Elements nimmt beträchtlich zu. 40 von 28 bis 32° C und unter ständiger Lichleinstral·borrowed item increases considerably. 40 from 28 to 32 ° C and under constant Lichleinstral

Dann wird unter Verwendung einer kleinen Menge lung mit einer Leistung von 30 Lux gearbeitet, wobeiThen work is carried out using a small amount of treatment with an output of 30 lux, whereby

Epoxyharz eine 25 μΐη starke Folie aus Polyäthylen- für jedes lichtempfindliche Element die DifferenzEpoxy resin a 25 μm thick film made of polyethylene - the difference for each light-sensitive element

terephthalat auf die Photowiderstandsschicht aufge- zwischen dem Dunkelwiderstand unmittelbar nachterephthalate on the photoresist layer placed between the dark resistor immediately after

klebt, wodurch man ein lichtempfindliches Element der Belichtung und nach etwa einem Jahr bestimmtsticks, whereby one determines a photosensitive element of the exposure and after about a year

mit drei Schichten erhält. 45 wird. Bei dem herkömmlichen lichtempfindlichenwith three layers. 45 will. With the conventional photosensitive

Bei der Verwendung dieses lichtempfindlichen Element mit Se-Te-Photowiderstandsschicht betragen Elements entwickelt es eine hohe Empfindlichkeit, die Dunkelwidcrstandswerte 5-10¹²Q-Cm bzw. so daß bei einer Belichtung mit 5 Lux · Sekunden ein 2 · 10" Ω · cm und lassen somit eine starke Abnahme elektrostatischer Kontrast von 300 Volt erzielt wird. des Dunkelwiderstands im Laufe eines Jahres erken-Das lichtempfindliche Element weist eine hervor- 50 nen, während bei dem erfindungsgemäßen lichtempragende Auflösung und Haltbarkeit sowie hervor- findlichen Element die Dunkelwiderstandswerte unragende panchromatische Eigenschaften auf. mittelbar nach der Belichtung und nach einem Jahr R ρ i« η i ο 1 ? ^{jeweüs 3} ' ! °^1S δ · cm betragen und somit keine Abis eispiei ζ nähme des Dunkelwiderstands erkennen lassen. When this photosensitive member having Se-Te photoresist layer is used, the element develops high sensitivity, dark resistance values of 5-10 ¹² Ω · cm and so that when exposed for 5 lux · seconds, 2 · 10 Ω · cm and allow a strong decrease in electrostatic contrast of 300 volts to be achieved. The dark resistance can be recognized over the course of a year Immediately after exposure and after one year R ρ i «η i ο 1? ^{each 3} '! ^1S δ · cm and thus no decrease in the dark resistance would be evident.

Pulverförmiges Se, Te, Ge und Si werden in einem 55 _ . . ,Powdered Se, Te, Ge and Si are in a 55 _. . ,

Gewichtsverhältnis von 80:19:0,5:0,5 gemischt, B e 1 s ρ 1 e 1 4Weight ratio of 80: 19: 0.5: 0.5 mixed, B e 1 s ρ 1 e 1 4

worauf aus dem Gemisch analog dem in Beispiel 1 Ein Gemisch aus pulverförmigem Selen, Arsen,whereupon from the mixture analogous to that in example 1 a mixture of powdered selenium, arsenic,

beschriebenen Verfahren eine glasige Legierung her- Germanium und Silicium in einem Atomzahlverhält-The method described here produces a glassy alloy - germanium and silicon in an atomic number ratio -

gestellt wird, die man ebenfalls analog Beispiel 1 zur nis von 50:30:10:10 wird analog Beispiel 3 zu Herstellung eines dreischichtigen lichtempfindlichen 60 einem lichtempfindlichen Element verarbeitet, dasis made, which is also analogous to Example 1 to the nis of 50: 30: 10:10 is analogous to Example 3 to Making a three-layer photosensitive 60 process a photosensitive element that

Elements verwendet. Abweichend davon wird ledig- ähnlich gute Eigenschaften aufweist, wie das nach lieh nach dem Aufdampfen der Photowiderstands- Beispiel 3 erhaltene, schicht 40 Stunden bei 50° C getempert. Setzt manElements used. Deviating from this, it will only have similarly good properties as the one after borrowed after the vapor deposition of the photoresist example 3, layer tempered for 40 hours at 50 ° C. If you set

das so hergestellte lichtempfindliche Element analog 0 e 1 s ρ ι e I 5 Beispiel 1 in einem elektrophotographischen Ver- 65 Analog Beispiel 3 wird unter Verwendung eines fahren ein, so weist es eine hervorragende Empfind- Gemisches aus Schwefel, Selen, Tellur, Wisnrrt, lichkeit auf, die ausreicht, um bei einer Belichtung Zinn und Bor in einem Atomzahlverhältnis vonthe light-sensitive element produced in this way is analogous to 0 e 1 s ρ ι e I 5 Example 1 in an electrophotographic process 65 Analogous to Example 3 using a drive in, so it has an excellent sensation mixture of sulfur, selenium, tellurium, wisnrrt, opportunity that is sufficient for an exposure to tin and boron in an atomic number ratio of

mit etwa 1 Lux · Sekunde einen elektrostatischen 20:20:20:10:10 ein lichtempfindliches Elementan electrostatic 20: 20: 20: 10: 10 a photosensitive element at about 1 lux · second

/14/ 14

11 1211 12

hergestellt, das die gleichen guten Eigenschaften wie laden (Primärladung), worauf das Originalbild mitdas gemäß Beispiel 3 erhaltene aufweist. Die gemäß tels einer Wolframlampe mit einer Lichtintensität von Beispiel 4 und 5 erhaltenen lichtempfindlichen EIe- etwa 10 Lux etwa 0,1 bis 0,3 Sekunden auf die Obermente weisen, wie das gemäß Beispiel 3 hergestellte, fläche der lichtdurchlässigen Isolierschicht projiziert eine gleich hohe oder höhere Empfindlichkeit und 5 wird. Gleichzeitig läßt man eine positive Korona-Auflösung wie herkömmliche lichtempfindliche EIe- entladung von +6 kV einwirken (Sekundärladung), mente auf. Sie lassen sich leicht und einfach herstel- worauf die Oberfläche der lichtdurchlässigen Isolierlen, und es besteht keine Gefahr einer Kristallisation. schicht etwa 1 bis 2 Sekunden gleichmäßig mit Licht . . aus einer 10-Watt-Wolframlampe belichtet wird, um Beispiele io ein elektrostatisches Bild zu erzeugen, das dem Hell-Unter Verwendung eines Gemisches aus Selen, und Dunkelmuster des Originalbildes entspricht. Der Tellur, Germanium und Silicium in einem Atomzahl- elektrostatische Kontrast erreicht bei diesem Versuch verhältnis von 60 : 20 :10 :10 wird analog Beispiel 3 den hohen Wert von etwa 1500 V. Beim folgenden ein lichtempfindliches Element hergestellt, das die Entwickeln dieses elektrostatischen Bildes nach der gleiche Eignung bzw. die gleichen günstigen Eigen- 15 Magnetbürstenmethode erhält man ein schleierfreies schäften aufweist, wie das gemäß Beispiel 3 er- Bild mit hoher Dichte und guter Qualität. Wenn man haltene. die vorstehend beschriebene Arbeitsweise dahinge-B e i s D i e 1 7 ^nenc* ^m°difiziert, daß man an Stelle der + 6 kV P Koronaentladung (Sekundärladung) gleichzeitig mit Unter Verwendung eines Gemisches aus 85 Ge- 20 dem Projizieren des Originalbildes eine 6 kV Wechwichtsteilen Selen, 15 Gewichtsteilen Tellur, 0,3 Ge- selstrom-Koronaentladung (Sekundäi ladung) anwenwichtsteilen Silicium und 0,03 Gewichtsteilen Jod det, so erhält man ein sichtbares Bild von guter wird analog Beispiel 3 ein lichtempfindliches Element Qualität, das einen elektrostatischen Kontrast von hergestellt, das die gleichen Eigenschaften aufweist, etwa 1000 V besitzt und die Halb- bzw. Zwischenwie das gemäß Beispiel 3 hergestellte lichtempfind- 25 töne hervorragend wiedergibt. Die in diesem Beispiel liehe Element. verwendeten lichtempfindlichen Elemente sind eine B i s D i e 1 8 Ausführungsform einer Reihe erfindungsgemäßer P lichtempfindlicher Elemente, die zumindest eine licht-which has the same good properties as charging (primary charging), whereupon the original image with that obtained in Example 3 has. The light-sensitive EIe obtained according to means of a tungsten lamp with a light intensity of Example 4 and 5, about 10 Lux about 0.1 to 0.3 seconds on the upper elements, like that produced according to Example 3, the area of the transparent insulating layer projects an equally high or higher sensitivity and 5 will. At the same time, a positive corona dissolution is allowed to act like a conventional light-sensitive EIe discharge of +6 kV (secondary charge). They can be produced easily and simply, whereupon the surface of the translucent insulating beads, and there is no risk of crystallization. coat evenly with light for about 1 to 2 seconds. . from a 10 watt tungsten lamp to produce an electrostatic image that corresponds to the light using a mixture of selenium, and dark pattern of the original image. The tellurium, germanium and silicon in an atomic number electrostatic contrast achieved in this test ratio of 60: 20: 10: 10 is analogous to Example 3, the high value of about 1500 V. In the following, a photosensitive element is produced that develops this electrostatic image according to the same suitability or the same favorable own 15 magnetic brush method, a haze-free shaft is obtained, like the picture according to example 3 with high density and good quality. If you hold. The procedure described above dahinge-B ice T he 1 7 ^nenc * ^m ° difiziert that one instead of + 6 kV P corona discharge (secondary charge) simultaneously with using a mixture of 85 overall 20 projecting the original image, a 6 kV Wech wight parts Selenium, 15 parts by weight tellurium, 0.3 gel current corona discharge (secondary charge) and 0.03 parts by weight iodine, the result is a visible image of good quality produced, which has the same properties, has about 1000 V and reproduces the half-tone or intermediate tones like the light-sensitive tones produced according to Example 3 excellently. The element in this example. The light-sensitive elements used are a bis The 18 embodiment of a series of light-sensitive elements according to the invention which have at least one light-

Die Oberfläche der Photowiderstandsschicht der durchlässige Isolier- und eine Photowiderstands-The surface of the photoresist layer of the permeable insulating and a photoresist

lichtempfindlichen Elemente nach den Beispielen 3 30 schicht aufweisen. An Stelle der Aluminiumträger-light-sensitive elements according to Examples 3 30 layer. Instead of the aluminum

bis 7 wird mit einer Koronaentladung von etwa 7 kV platte können dabei andere Arten leitender oderto 7 will plate with a corona discharge of about 7 kV can be other types of conductive or

gleichmäßig mit einer positiven (-I-) Ladung aufge- isolierender Trägerplatten verwendet werden. Ancan be used evenly with a positive (-I-) charge insulating carrier plates. At

laden, worauf sie unter Verwendung einer Wolfram- Stelle von Polyethylenterephthalat können für dieload what they can use a tungsten body of polyethylene terephthalate for

lampe mit einer Intensität von etwa 10 Lux etwa Isolierschicht andere Arten organischer oder an-lamp with an intensity of about 10 lux for example an insulating layer other types of organic or other

2 Sekunden zur Ausbildung eines elektrostatischen 35 organischer isolierender Materialien verwendet wer-2 seconds to form an electrostatic 35 organic insulating materials can be used

latenten Bildes mit dem abzulichtenden Originalbild den. Außerdem kann man als Klebmittel anderelatent image with the original image to be scanned. You can also use other adhesives

belichtet wird. Hierauf wird das elektrostatische Bild Stoffe als Epoxyharze verwenden. Bei lichtempfind-is exposed. Then the electrostatic image will use substances other than epoxy resins. For photosensitive

nach der Magnetbürstenmethode entwickelt, wobei liehen Elementen mit einer Photowiderstandsschicht,developed according to the magnetic brush method, with borrowed elements with a photoresist layer,

man jeweils ein sichtbares Bild mit guter Qualität die zwischen zwei Isolierschichten angeordnet ist,one visible image with good quality that is placed between two insulating layers,

und hoher Originaltreue erhält. 4° wird zur Aufladung zweckmäßig ein Doppelkorona-and high fidelity to the original. 4 °, it is advisable to use a double corona

Beisoiel 9 entladungssystem angewandt.Example 9 discharge system applied.

^v Wenn in diesem Beispiel das lichtempfindliche ^v In this example, if the photosensitive

Auf die Photowiderstandsschicht von nach Bei- Material der Photowiderstandsschicht des erfindungsspiel 3 bis 7 hergestellten lichtempfindlichen Elemen- gemäßen lichtempfindlichen Elements ein p-leitender ten wird jeweils unter Verwendung einer kleinen 45 Halbleiter ist, so wird die Primärladung negativ (—) Menge Epoxyharz als Klebemittel eine 12 μΐη starke und die Sekundärladung positiv ( + ) gewählt. Ist das Folie aus Polyäthylenterephthalat als lichtdurchläs- lichtempfindliche Material der Photowiderstandssige Isolierschicht aufgeklebt, wodurch man licht- schicht hingegen ein r.-leitender Halbleiter, so wird empfindliche Elemente mit drei Schichten erhält. die Primärladung positiv (f) und die Sekundär-Diese lichtempfindlichen Elemente bzw. deren Iso- 50 ladung negativ ( —) gewählt. Das gleiche gilt, wenn lierschichten werden dann jeweils mit einer -6 kV die Sekundärladung mittels einer Wechselstrom-Koronaentladung gleichmäßig und negativ aufge- Koronaentladung erfolgt.On the photoresist layer of after Bei- Material of the photoresist layer of the invention game 3 to 7 photosensitive elements prepared according to photosensitive element is a p-type th is each using a small 45 semiconductor, so the primary charge becomes negative (-) Amount of epoxy resin as adhesive a 12 μΐη strong and the secondary charge positive (+) selected. Is this Foil made of polyethylene terephthalate as a light-permeable, light-sensitive material for the photoresist An insulating layer is glued on, which turns the light layer into a right-conducting semiconductor Preserves sensitive elements with three layers. the primary charge positive (f) and the secondary these light-sensitive elements or their iso charge negative (-) selected. The same is true if layers are then each with a -6 kV the secondary charge by means of an alternating current corona discharge Corona discharge takes place evenly and negatively.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

of the dark resistance of selenium, where- claims: becomes unusable by the light-sensitive material and, depending on the extent of crystallization,

1. Electrophotographic recording material has a short life of the photosensitive material with a photoconductive layer with 5 material result. For example, in amorphous Se or an amorphous mixture, the volume resistivity of amorphous selenium composed of Se and Te or Se and S as photoconductors and in a dark place ΙΟ ¹² Ω cm or more, of one or more sensitizers, but only that of crystalline selenium approximately characterized that it is a sensi- 10 ^e Q · cm. In this state, selenium cannot contain C, Si, Ge, Sn and / or Pb as a generator. io photosensitive material can be used.

2. Recording material according to claim 1, when using amorphous photosensitive thereby characterized that there are other Sen- borrowed substances, such as selenium, especially in the case of the Hersibilizer P, As, Bi and / or a halogen distortion of a photosensitive plate under the ratio using such materials, the temperature must therefore

3. Recording material according to claim 1, 15 temperature of the support to be vaporized constant, characterized in that it, based on the hold by placing it with a heat or the photoconductor, contains a maximum of 10 percent by weight storage bath whose temperature is kept constant. is kept in touch and taken up by him

Dissipates heat in this heat storage bath, as with As the temperature rises, the crystallization continues rapidly.

strides.

At the same time, the evaporation temperature must also be regulated. The steaming device

The invention relates to an electrophotometer thus, in particular when a rotating, graphic recording material with a photo-drum-shaped carrier is to be vapor-coated, very conductive layer with amorphous Se or a precise and complex construction. This has so far amorphous mixture of Se and Te or Se and S as not only producing the photosensitive Photoconductor and one or more Sensibilisato- plates make it difficult, but also lower the ren. Production costs prevented.

As a photoresist material or photoconductive 30, crystallization is also a problem that Electrophotographic recording layer cannot be released simply by In the past, numerous substances were involved in the crystallization during the production of the light-considering material drawn, however, a photosensitive sensitive material must be prevented, but also, Element that in a process in which one as mentioned above, under the influence Charging is used, is used, 35 the environmental conditions to a considerable extent the electric charge on its surface briefly- deterioration of the photosensitive member can keep in time. The photosensitive layer leads.

(Photoresistive layer) should therefore be expedient if after a further development of the technology

have a volume resistivity of a few 10 ¹² ^{to a crystalline substance 10 1S} Ω · cm as a light-sensitive material, which is used when irradiating with light 40, then the dark resistance should initially decrease accordingly. stand increased by putting the crystal powder in one

Dispersed as a resin with good insulating properties for use in electrophotography. Included suitable amorphous photosensitive materials, which can, however, be reduced in the light emitter type Have photoresistive properties, do not avoid sensitivity, and also prepares chalcogens, such as selenium, and chalcogen mixtures, 45 dispersing the crystal powder are difficult. z. B. Tellurium containing selenium, as well as mixtures on the other hand, light-sensitive elements,

known, which by adding chalcogens or which consist mainly of selenium, as a rule the aforementioned chalcogen mixture with poor light from the red light spectral elements of group IVb of the periodic table, range and lack in particular panchroma like Arsenic and antimony, are manufactured, with the 50 table properties that when reproducing farbi-additive are required to improve the photosensitivity of some images. On the other hand, they serve light. The term »chalcogens« is a collection-sensitive element made of selenium-tellurium alloys, concept that the elements sulfur, selenium and tellurium produced by adding tellurium to selenium designated. are, for light from the red wavelength range

Of the 55 made up of these chalcogens, sensitive. In this case the red empamorphs light-sensitive materials find the sensitivity of the light-sensitive material increased, especially the one consisting mainly of selenium and the light-sensitive material with increasing practicality Use. the Tellurzus> atz panchromatic properties,

This amor- consisting mainly of selenium, at the same time the light-sensitivity of the light-phen photosensitive materials, however, have 60 sensitive material compared to that of the the disadvantage that they tend to increase at higher levels than using selenium alone, Normal temperature (room temperature), however, increases with increasing tellurium addition equal temperatures to begin to become crystalline, and at the same time the tendency to crystallize to and from that this crystallization, depending on which, also results in the reduction in service life and Environmental conditions such as temperature changes and 65 the deterioration of the durability of the light-temp-light incidence, accelerated or newly evoked sensitive material. The tellurium addition is therefore in will. This crystallization is an extraordinary practice with regard to durability and disadvantageous? Appearance as it causes a decrease in durability of the photosensitive material