JP2004530892A - 深紫外波長での複屈折測定 - Google Patents
深紫外波長での複屈折測定 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004530892A JP2004530892A JP2003505578A JP2003505578A JP2004530892A JP 2004530892 A JP2004530892 A JP 2004530892A JP 2003505578 A JP2003505578 A JP 2003505578A JP 2003505578 A JP2003505578 A JP 2003505578A JP 2004530892 A JP2004530892 A JP 2004530892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- wavelength
- birefringence
- actual
- pem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 13
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 5
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000002047 photoemission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J4/00—Measuring polarisation of light
- G01J4/04—Polarimeters using electric detection means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/19—Dichroism
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
- G03F7/70966—Birefringence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/23—Bi-refringence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
【解決手段】装置は、試料(136)の両側に配置された2つの光弾性変調器(PEM)(126、128)を含む。各PEMは、試料を通過する光ビームの極性を変調するように作動可能である。装置は、また、一方のPEMに関係づけられた偏光子(124)と、他方のPEMに関係づけられた分析器(130)と、2つのPEM、偏光子および分析器を通過した後の光の強度を測定するための検知器(132)とを含む。広範囲にわたって複屈折特性を測定するための技術が得られる。例えば、二重波長光源の実施例は、比較的高いレベルの複屈折を測定するために提供される。また、試料として与えられた光学素子のために検知される複屈折の評価値または推定値に基づいて複屈折特性を決定するための多くの手法から、最も正確かつ効果的な手法を選択するための技術が提供される。
【選択図】図3
Description
【0001】
本願は、米国仮特許出願第60/299,316号、米国仮特許出願第60/336,219号および米国仮特許出願第60/340,760号の出願日についての効果を主張する。これにより、これらの出願は本願に参考文献として組み入れられる。
【0002】
技術分野
本出願は、光学素子の複屈折特性の正確な測定に関する。前記光学素子として、深紫外(DUV)波長を用いる装置の構成部分である光学素子が含まれる。
【背景技術】
【0003】
背景
多くの重要な光学材料は複屈折を示す。複屈折は、異なる直線偏光は前記光学材料を通って異なる速度で進むことを意味する。非常に多くの場合、これらの異なる直線偏光は偏光の2つの成分であって互いに直交する2つの成分であるとみなされる。
【0004】
複屈折は多くの光学材料の内在的または固有の特性であり、また、外力によって誘発されることもある。リターデーション(retardation)またはリターダンス(retardance)は、試料を通過する光ビームの経路に沿って作用する複屈折の統合的結果を表す。入射光ビームが直線偏光されている場合、偏光の2つの直交成分はリターダンスと呼ばれる位相差を有して前記試料から出よう。リターダンスの基本単位はナノメートル(nm)のような長さの単位である。しかし、リターダンスを、光の波長(nm)で除したリターダンス(nm)に比例する位相角の単位(波、ラジアンまたは度)で表すことがしばしば好都合である。測定されたリターデーションの大きさを試料の厚さで除することによって試料の「平均」複屈折を計算することがある。
【0005】
用語「複屈折」は、しばしば、用語「リターダンス」と互換的に用いられており、また、しばしば、用語「リターダンス」と同じ意味を有する。したがって、別の意味で述べていない限り、前記用語についてもまた、以下のように互換的に用いる。
【0006】
前記2つの直交する偏光成分は2つの直交軸線に平行であり、該2つの直交軸線は試料によって決定され、また、一方の直交軸線は「速い軸線」および他方の直交軸線は「遅い軸線」と呼ばれる。前記速い軸線は試料を通る偏光の速い運動成分と整列された前記材料の軸線である。したがって、与えられた光路に沿った試料のリターダンスについての完全な記述のためには、リターダンスの大きさと試料の速い(または遅い)軸線のリターダンスの相対的な角度方向とを特定することが必要である。
【0007】
複屈折特性の正確な測定の必要性は多くの技術的な応用においてますます重要となっている。たとえば、半導体または他の産業で利用される高精度な測定器に用いられる光学素子の線形複屈折(それゆえ付随的にもたらされたリターダンス)を特定することは重要である。
【0008】
さらに、フォトリソグラフィー業界は、現在、集積回路における線重量(導体、その他)をさらに減少させることにより前記回路の性能を高めるために非常に短い露光波長の使用へと移行しつつある。この点について、次世代のフォトリソグラフィー器具では、約157ナノメートルの波長を有するレーザ光が用いられよう。約157ナノメートルの波長は、深紫外またはDUVの波長としてしばしば用いられる。
【0009】
DUVを用いるリソグラフィー器具のような装置に用いられる光学素子または構成部分のリターダンス特性を正確に決定することは重要である。このような構成部分として、例えば、走査装置またはステッパー用のフッ化カルシウム(CaF2)レンズとすることができる。そのような構成部分のリターダンスは構成部分の材料の特性および該材料を通過する光の波長の特性であるので、リターダンス特性を測定するための装置は、関係する光信号を検知および処理するためにDUV光源及び関連する構成部分で作動しなければならない。
【0010】
光学素子の測定されたリターダンスの大きさは前記光学素子の厚さの関数であり、前記厚さは光が試料を通って伝播する方向で測定される。例えば、CaF2光学素子はセンチメートル(cm)毎の厚さについて約12nmの内在的または固有の複屈折を有しよう。したがって、例えば、10cmの厚さのCaF2光学素子は相対的に高いレベルの約120nmの複屈折を有し、この複屈折は157nmのDUV波長の約4分の3である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
発明の概要
本発明は、光学素子、特にDUVの応用において用いられる光学素子の複屈折特性を正確に測定するための装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
好ましい一実施例において、本発明に係る装置は、試料の両側に配置された2つの光弾性変調器(PEM)を含む。各PEMは、前記試料を通過する光のビームの極性を変調するために作動可能である。前記装置は、また、1つのPEMに関係づけられた偏光子と、他のPEMに関係づけられた分析器と、前記光が前記2つのPEMと前記偏光子と前記分析器とを通過した後に前記光の強度を測定するための検知器とを含む。
【0013】
本発明の一面として、複屈折特性を測定するための実施例および方法について広範囲にわたって説明する。例えば、二重波長光源を含む実施例は、相対的に高いレベルの複屈折を測定するために提供される。
【0014】
また、DUV光学素子の複屈折特性を測定するための多くの手法の中で最も正確かつ効率的な手法を選択するための技術が提供される。前記手法の選択は、与えられた光学試料について検知される推定レベルの複屈折に基づく。
【0015】
複屈折特性(リターダンスの大きさおよび/または角度方向)は正確に計算される。前記装置により、試料の領域にわたるリターダンスの変化を検知および図絵的に表示するために試料の領域にわたって複数の測定をすることが可能になる。
【0016】
本発明に係る他の利点および特徴は、明細書および図面の以下の部分の検討によって明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
発明を実施するための最良の形態
複屈折を測定するための一つの装置は、国際特許出願公開第WO99/42796号および米国特許出願第09/308,747号で説明されており、これにより、これらの出願は本願に参考文献として組み入れられる。この装置は、試料を通って指向される偏光を変調するために光弾性変調器(PEM)を用いる。試料から伝播するビームは2つの部分に分離される。これらの分離ビーム部分は、異なる偏光方向で分析され、検知され、別個の経路として処理される。各経路に関係づけられた検知機構は、前記ビームの2つの部分のそれぞれに対応する光強度を検知する。この情報は、試料によって誘発されたリターダンスと試料の速い軸線に対する複屈折の角度方向とについての正確かつ明瞭な測定値を計算するためのアルゴリズムに用いられる。深紫外波長(DUV)でのリターダンス測定のために必要な光源の性質のような考慮すべき事項により、DUV環境における複屈折測定についてやや異なった手法の必要性が生じる。
【0018】
本発明の好ましい一実施例においては、光学素子の低レベルの線形複屈折を測定するために二重PEM装置が用いられる。この実施例により、CaF2および融解石英を半導体産業に供給する業者にとって最も重要な特性である複屈折特性(大きさおよび角度方向)が決定される。この実施例では、特定設計された信号処理、データ収集体系、および超高感度での低レベル線形複屈折の測定のためのアルゴズムが含まれる。
【0019】
図1に示すように、この実施例における二重PEM装置20は3つのモジュールを含む。上部モジュールは、光源22と、45度に指向された偏光子24と、0度に指向されたPEM26とを含む。
【0020】
基部モジュールは、第1のPEM20の変調周波数とは異なる変調周波数に設定された第2のPEM28を含む。第2のPEM28は45度に指向されている。基部モジュールは、また、0度に指向された分析器と、検知器32とを含む。
【0021】
中央モジュールは、光学素子または試料36の走査を可能にするコンピュータ制御のX−Yステージに取り付けることができる試料ホルダー34である。
【0022】
この実施例(図1および図2)では、光源22として、632.8nmの偏光He−Neレーザーが用いられている。この光源の波長がDUV波長でないとき、以下のことは、DUV光源を用いる他の二重PEMの実施例(DUV光源に関して以下に説明する。)に基づく一般的な作動および分析を説明するために有用である。
【0023】
引き続き、図1を参照するに、偏光子24および分析器30はそれぞれグラン・トムソン型偏光子である。シリコンフォトダイード検知器32がこの実施例では用いられている。両PEM26および28は、2つの変換器を有する棒状の融解石英型である。変換器は、融解石英光学素子に柔軟接着材料で貼り付けられている。光学素子に誘発された複屈折を最小にするために、変換器のみがPEMハウジングに取り付けられている。2つのPEM26および28は、それぞれ、50および55KHzの公称共振周波数を有する。
【0024】
図2を参照するに、検知器32で発生した「AC」および「DC」の信号を含む電子信号が別々に処理される。AC信号は、2つのロックイン増幅器40、42に供給される。各ロックイン増幅器は、PEMの基本変調周波数(1F)で参照される増幅器であり、検知器32によって供給された1F信号を復調する。好ましい実施例において、ロックイン増幅器は、イー・ジー・アンド・ジー・インク(EG&G)製モデル・ナンバー7265である。
【0025】
検知器32の信号がアナログデジタル変換器44および電子的な低帯域通過フィルター46を通過した後にDC信号が記録される。DC信号は、検知器32に到達する光の平均強度を表す。次に説明するように、DCおよびACの信号は、異なるPEMリターデーションの設定値で記録される必要がある。
【0026】
この実施例における試料36の複屈折特性の測定に基づく理論的分析はミュラー行列分析に基づいており、図1および図2に示すこの二重PEMおよび単一検知器の実施例について以下に説明する。
【0027】
明瞭化のために、図1に示す3つの光学コンポーネントについてのミュラー行列を以下に示す。試料36は、光学的配置において、大きさδと速い軸線の角度ρとを有し、以下の式で表される。
【0028】
【数1】
【0029】
2つのPEMはそれぞれρ=0°およびρ=45°に指向されたリターデーション軸線を有し、この2つのPEMのミュラー行列はそれぞれ以下のとおりである。
【0030】
【数2】
【0031】
ここで、δ1およびδ2はそれぞれPEM26およびPEM28の時変位相リターデーションである(δ1=δ10sinω1tおよびδ2=δ20sinω2tである。ここで、ω1およびω2はそれぞれ2つのPEMの変調周波数であり、δ10およびδ20はそれぞれ2つのリターデーション振幅である。
【0032】
図1に示す装置の光学コンポーネントのミュラー行列を用いれば、検知器32に到達する光の強度を表す式は、以下のように得られる。
【0033】
【数3】
【0034】
ここで、I0は偏光子24を通過した後の光強度であり、Kは偏光子を通過した後の光学系の伝送効率を表す定数である。
【0035】
式1におけるsinδ1およびcosδ1の各関数は、以下のように、第1種のベッセル関数で展開することができる。
【0036】
【数4】
【0037】
ここで、kは「0」および正の整数のいずれかであり、J2k+1は、第(2k+1)次のベッセル関数である。
【0038】
【数5】
【0039】
ここで、J0は0次のベッセル関数であり、J2kは、第(2k)次のベッセル関数である。
【0040】
sinδ2およびcosδ2についても同様の展開をすることができる。
【0041】
sinδ1、cosδ1、sinδ2およびcosδ2の展開を式(1)に置き換え、第2次のベッセル関数のみを扱うことによって、以下のような項を得ることができる。
【0042】
【数6】
【0043】
【数7】
【0044】
【数8】
【0045】
【数9】
【0046】
項(3)および(4)の第1の部分は、低レベルでの線形リターダンスを決定するために用いることができる(π/2または4分の1波長より下)。項(2)は、より高レベルでの線形リターダンスを決定するために有用である(πまたは半波長まで)。項(1)は、平均光強度に対するDC項を含む。
【0047】
2つのPEMの第1高調波(1F)の周波数で参照されるロックイン増幅器40、42を用いて、検知器32に係る1FのAC信号を決定することができる。ロックイン増幅器は、他のすべての高調波から関与を効果的に排除する。2つのPEM26、28のためにロックイン増幅器40、42によって測定された1F信号は、以下のように表される。
【0048】
【数10】
【0049】
ここで、√2は、ロックイン増幅器の出力により信号振幅ではなく二乗平均の平方根が測定されるということに起因する。J0(δ10)2J1(δ20)およびJ0(δ20)2J1(δ10)の最大値がロックイン増幅器の出力のための最適な結果を導くことは、式(4)から理解される。AC信号が収集されたとき、AC信号を最適化するために両PEMのリターデーション振幅は1.43になるように設定される。
【0050】
DC信号は、以下のように、項(1)から得られる。
【0051】
【数11】
【0052】
ここで、PEMの変調周波数の関数として変化するすべての項は、該項がDC信号に関与しないことから、省略される。電子的な低帯域通過フィルター46は、そのような振動を除去するために用いられる。
【0053】
小さな角度近似(sinX=Xおよびsin2X=0、ここで、Xは小さい。)の範囲内で、VDCは、試料のリターデーションには依存せず、したがって、検知器に到達する光の平均強度を表す。しかし、約30nmのリターデーションを有する試料を測定したとき、式(5)に示すVDCは、一般に、リターダンスの大きさと角度とに影響される。したがって、測定されたDC信号は、平均光強度を正確に表していない。この場合に、最も簡単な方法は、J0(δ10)およびJ0(δ20)の両方を「0」に設定することである。DC信号は、次のようになる。
【0054】
【数12】
【0055】
この実施例では、DC信号の記録のために、PEMのリターデーション振幅をは、δ10=δ20=2.405ラジアン(0.3828波)として選択されている。そのようなPEMの設定において、J0(δ10)=J0(δ20)=0である。したがって、DC信号は、ρまたはδに依存せず、検知器に到達する光の平均強度を正確に示す。
【0056】
これから理解されるように、この方法は、異なるPEM設定でACおよびDC信号を記録することが必要であるので、測定の速さ(1測定点あたり約2秒)が遅い。この方法は、線形リターダンスが約30nmの高精度な測定をもたらす。速さが重要であるとき、これに代わる方法を用いることができる。AC信号が記録されるδ10=δ20=1.43ラジアンでDC信号が収集されたとき、DCに対するACの比を用いて測定された試料のリターダンスは試料の角度方向に依存する。しかし、DC項は、式(5)で定義される。したがって、リターデーションの大きさおよび角度の両方のための計算を繰り返すことによって、リターダンスの角度依存性を減じることが可能である。
【0057】
光源の変動と試料および他の光学コンポーネントからの吸収、反射および散乱とによる光強度の変動の影響を除くために、DC信号に対する1FのAC信号の比が用いられる。両PEMのためのDC信号に対するAC信号の比は、式(7)で表される。
【0058】
【数13】
【0059】
両PEMのための補正された比R1およびR2の定義により、以下の式が得られる。
【0060】
【数14】
【0061】
最終的に、複屈折の大きさおよび角度方向は、次のように表される。
【0062】
【数15】
【0063】
ここで、δは、ラジアンで表されたスカラーである。特定の波長(例えば、632.8nm)で測定がされたとき、ナノメートル単位で表されたリターデーションに変換することができる。ここで、dnm=drad(632.8/(2π))である。
【0064】
強調すべきことは、線形複屈折を決定することにおいてアークサイン関数を用いることによって小さな線形複屈折のために明確に展開されていることである。したがって、ここに記載されたこの方法は、光源として632.8nmのレーザを用いたとき、π/2または158.2nmの理論的上限を有する
【0065】
試料の速い軸線の方向づけに基づく両PEMの変調周波数での信号(式(6)を参照せよ。)および最終的なリターデーションの大きさは速い軸線角度に依存しない(式(9)を参照せよ。)。リターデーションの大きさについてのこの角度独立性を達成するために、装置におけるすべての光学コンポーネント(および、以下に説明する実施例の光学コンポーネント)を正確に指向させることが重要である。
【0066】
この実施例において、第1のPEMの光軸は、基準角度(「0°」)として用いられる。装置の他のすべての光学コンポーネントは、この基準角度に基づいて直接または間接的に正確に配列の調整がされる。第1のPEM26を固定することによって、以下の手順により、装置の他のすべての光学コンポーネントの正確な配列調整が確実になる。
【0067】
1. 不作動の状態にされた第2のPEM28(50KHz)と4分の1波長ピークリターデーションで作動する第1のPEM26(55KHz)とにより、偏光子24および分析器30をそれぞれほぼ+45度およびほぼ−45度に指向させる。
【0068】
2. ロックイン増幅器40からの2F(110KHz)信号を監視する間、わずかな増分において偏光子24を回転させる。2F信号がその最小値に達したとき(通常、1mVのロックイン感度で0.05mV未満である。)、偏光子24の回転ステージについての角度を正確に読み取る。
【0069】
3. 偏光子24を、該偏光子のための補正位置に相当する角度45°だけ正確に回転させる。
【0070】
4. 偏光子24の方向づけが正しく行われたとき、ロックイン増幅器40からの2F(110KHz)信号がその最小値に達するまで検知器32の前の分析器30を回転させる。
【0071】
5. 不作動の状態にされた第1のPEM26(55KHz)と4分の1波長ピークリターデーションで作動する第2のPEM28(50KHz)とにより、第2のロックイン増幅器42の2F(100KHz)信号がその最小値に達するまで第2のPEMを回転させる。
【0072】
光学コンポーネントが非整列の状態にあるとき、リターデーションの大きさは特定のパターンの角度依存性を示す。
【0073】
本実施例に係る複屈折測定法は、特に、低レベルの複屈折を正確に測定するように構成されている。そのような低レベルの複屈折を正確に測定するために、機器自体に存在する残留線形複屈折(機器オフセット)について補正することが、高品質の光学コンポーネントを用いたときでさえも重要である。
【0074】
機器オフセットは、主として、PEMの小さな残留線形複屈折(0.1nmのような程度)に依存する。機器オフセットを補正するために、まず、いかなる試料をも用いずに測定して得られたいくつかの測定値の平均を得る。試料の測定が行われたとき、機器オフセットはソフトウェアで補正される。注目すべきは、そのような補正は式(8)を用いて比が計算されたときになされるのみであって、式(9)のδおよびρの最終的な結果ではない。光学コンポーネントの配列調整または温度のような測定室条件に変化がない限り、機器オフセットは(機器ノイズレベルの範囲内で)一定である。定期的に機器オフセットを検査することは賢明である。
【0075】
このオフセット補正は、リターダンスのミュラー行列が交替されたとき、小さなリターダンスの限界内で有効である。実際において、これは、オフセット補正が必要であるときのみの場合である。PEMの残留リターデーションが非常に小さい(0.1nmのような程度)ので、オフセット補正は、50nmより高いリターデーションを測定するときには必要でない。
【0076】
前記した実施例は、特に、低レベルのリターダンスを測定するように構成されている(光源波長の4分の1までの範囲であり、例えば、633nmのHe−Neレーザについては158nm、157nmの光については39nmである。)。
【0077】
次に説明する実施例は、図3および図4に示され、比較的高いレベルのリターダンスの正確な測定のために適している。DUV環境で一般にまたは共通に用いられる光学コンポーネントが、一つの結晶軸に沿っての約12nm/cmの固有複屈折を有するCaF2であることから、この実施例は重要である。したがって、数cm級の厚さを有する試料のすべては今述べた39nmの限界より高いリターデーションを生じさせて比較的高い値のリターデーションを測定することができる、次に説明するような装置が必要である。
【0078】
前記したように、前述の実施例では、4分の1波長(例えば、39nm)リターデーションを決定するために一方のPEM26(M11F)からの1F信号と他方のPEM28(M21F)からの1F信号とが用いられる。(M11F+M21F)の周波数の検知器の電子的信号を処理することにより、リターデーション範囲を光源の波長の半波長に拡張することができる。
【0079】
この拡張は前記実施例ですでに与えられており、項(1)から(4)の展開が示されている。
【0080】
(M11F+M21F)の周波数の検知器信号に対する線形リターデーションに関係する重要な式は、以下のように列挙される。
【0081】
【数16】
【0082】
式(10)に示されたリターデーションは0から半波長の範囲にある。速い軸線の角度は1Fデータで決定される。1FデータとM11F+M21Fデータとを選択的に組み合わせることにより、0から半波長までの範囲のリターデーションの決定が最適化される。例えば、M11F+M21Fデータは、1Fデータが正確でないとき、4分の1波長付近のリターデーションを決定するために1Fデータと共に用いられる。また、1Fデータは、M11F+M21Fデータが正確でないとき、0付近のリターデーションまたは半波長のリターデーションを計算するためにM11F+M21Fデータと共に用いられる。
【0083】
図3を参照するに、この実施例についての光学装置120は、図1に示す実施例に関連して説明した装置と多くの点で同じであり、45°に指向された偏光子24と0°のPEMとを含む。前記装置は、また、別の変調周波数(第1のPEMとは異なる。)に設定された第2のPEMであって45度に指向された第2のPEM128と、0°に指向された分析器130と、検知器132とを含む。試料ホルダー134は、試料36の走査を可能にするためにコンピュータ制御のX−Yステージに取り付けられている。これらの実施例の構造および作動に関し、前述の実施例の構造および作動と比較したときのいくつかの相違について以下により十分に説明する。
【0084】
図4に、本実施例の電子的信号処理ブロック図を示す。
【0085】
先述の実施例とは異なり、図3に示す実施例では、DUV領域の種々の波長のビームを発生することが可能の光源122が組み入れられている。これらのビームは、コリメート(123)され、試料136を通して別々に指向され、以下のように処理される。
【0086】
光源122を準備するために好適かつ選択的な機構を説明する前に、二重または複数の波長の光源の必要性に基づく理論的根拠について説明する。
【0087】
図5を参照するに、図1に示す装置のように単一の波長のみで作動する構造を有する装置は、正確かつ明瞭な低レベルのリターデーション測定値、すなわち、4分の1波長未満のリターデーション測定値を与える(時には、波長の記号ラムダ(λ)を用語「波長」の代わりに用いる。)。しかし、リターダンス値(大きさ)がゼロから4分の1波長までの範囲内にあることを予め知ることなく実際のリターダンス値が計算されたときに曖昧さが出現することが理解される。
【0088】
特に、測定されたリターダンス値を、図5に示すグラフの縦軸に示す(先述の分析から決定される)。横軸に実際のリターダンス値を示す。単一の波長装置を考えるに、強度に関係づけられた信号であってコンピュータ48(図2)に供給された単一波長光源に基づく信号は、図5に示すグラフの単一の波長軌跡に対応する(ここでは、後述の第2の波長軌跡52(破線)を無視する。)。
【0089】
図5に示すこの「M」状の単一の波長線50を考えるに、与えられた測定された(装置によって測定された)リターダンス値δについて4つの可能の実際のリターダンス値δが波長に関係づけられていることが理解される。この曖昧さは、0から1までの範囲内(この例においては633nm)で、δ、(λ/2−δ)、(λ/2+δ)および(λ−δ)で横座標に出現する。例えば、測定された試料について機器が40nmの読み取りを与えたとき、試料の実際のリターデーションは、40nm、277nm、357nmおよび593nmである。試料の実際のリターデーションは、また、前記値に、単一波長機器で解決されないすべての複数倍の全波長が加算される。
【0090】
図3に示す実施例によれば、2つの波長(11および12)がリターデーション測定のために用いられ、これらの波長に基づく可能の測定値は、実線50および破線52のように図5に示すグラフに表される。
【0091】
好ましい実施例(図3および図4)において、光源122は、単色光器と組み合わされた重水素ランプを含む。重水素ランプは、広範囲の波長の光を照射する。単色光器は、特定の複屈折測定の応用のために設計された波長(157nm+/−10nmのような波長)を選択する。考慮すべきは、水銀ランプおよびキセノンランプのような他のランプを種々のスペクトル領域での複屈折測定のために用いることができることである。
【0092】
図5に示すように、この(図3)実施例の光源122によって供給される2つの異なる波長(λ1については実線、λ2については破線)で測定されたとき、同じ試料は2つの別個のリターデーション曲線50、52を有する。波長λ1のみで測定されたとき、それぞれ1、2、3および4とラベル付けされたδ、(λ1/2−δ)、(λ1/2+δ)および(λ1−δ)で曖昧さを反映する4つの点は、λ2で測定されたとき別々のリターデーション値(それぞれ1′、2′、3′および4′とラベル付けされている。)を有する。
【0093】
この状態の試料の正しい実際のリターダンスを決定するために、本発明に係るコンピュータ148は以下のアルゴリズムを実行するためにプログラムされる。
【0094】
1. (δM,ρM)を与えるλ1で試料を測定する。
【0095】
2. (δ′M,ρ′M)を与えるλ2で試料を測定する。
【0096】
3. 2つの波長からの測定結果を用いて、試料の実際のリターデーションを決定することができる。
【0097】
3.1. δM=δ′Mのとき、試料の実際のリターデーションはδ=δM=δ′Mおよびρ=ρM=ρ′Mである。
【0098】
3.2. δ′M=δM+Δ/2(Δ=λ2−λ1およびλ2>λ1)のとき、試料の実際のリターデーションはδ=λ1/2−δMおよびρ=ρMである。
【0099】
3.3. δ′M=δM−Δ/2のとき、試料の実際のリターデーションはδ=λ1/2+δMおよびρ=ρM+90度である。
【0100】
3.4. δ′M=δM+Δのとき、試料の実際のリターデーションはδ=λ1−δMおよびρ=ρM+90度である。
【0101】
図5に示すように、2つの曲線50、52のピーク、谷および交点付近で、条件が異なる。波長λ1およびλ2が十分に異なるように選択されるとき、例えば、λ2が他の約20%であり、波長λ1が低いとき、両波長での測定結果は、実際のリターデーションが長波長のリターデーションのまる1波長の範囲内のどれであるかを明確に決定するために用いることができる。
【0102】
そのような一つの場合は、実際のリターデーションがλ1/4または3λ1/4に近いときである。この場合について、リターデーションを計算することにおいてアークサイン関数を用いるため、λ1で測定されたリターデーションは正確ではない。しかし、λ2での測定結果は、波長が十分に離れて設定されているので正確である。λ2の結果は、実際のリターデーションを決定するために用いることができる。λ1/4および3λ1/4の近傍でのλ2の結果の著しい相違は、、どれが実際のリターデーションであるかを区別するために用いることができる。この場合に用いる好ましい手順は以下のとおりである。
【0103】
1. δMがλ1/4に近い(約5%以内)(δM,ρM)を与えるλ1で試料を測定する。
【0104】
2. (δ′M,ρ′M)を与えるλ2で試料を測定する。
【0105】
3. δ′Mがλ1/4に近い(約5%以内)とき、試料の実際のリターデーションをλ1/4とする(δ=δ′M、ρ=ρ′M)。
【0106】
4. δ′Mがλ1/4−Δ/2に近い(約5%以内)とき、試料の実際のリターデーションを3λ1/4とする。この場合において、試料の実際のリターデーションは(δ=δ′M+Δ/2+λ1/2、ρ=ρ′M+90)である。
【0107】
同様に、実際のリターデーションがλ2/4、3λ2/4、λ1/2、λ2/2、λ1、λ2または2つの曲線50、52の交点に近いとき、λ1およびλ2からの測定結果の組み合わせを用いて試料の実際のリターデーションを決定することができる。
【0108】
一実施例において、そのような考慮中の試料はCaF2からなり、λ1は157nmであるように選択され、λ2は、例えば、165nmとしてよい。
【0109】
ここで注目すべきは、この実施例においては他の光源が考慮される。例えば、光源として、異なる波長の2以上の別々のレーザとすることができる。跳ね返りミラーのようなスイッチング装置により、一度に一回だけ個々のビームが試料を通過することが可能になる。これに代えて、光源として、複数の波長を提供する調整可能のレーザとすることができる。その後、コンピュータ制御の装置によって波長選択を決定することができる。
【0110】
光源についての他の選択として、複数の波長を同時に放射するレーザがある。複屈折測定用の波長を選択するために、適切な波長を選択的に通過させるために光学フィルターホイールを用いることができる。フィルターホイールは、ホイールに取り付けられた複数の光学フィルターを含む。ホイールの回転により、特定の光学フィルターが光ビームの経路に挿入されることが可能になる。
【0111】
望ましい波長を選択するために一つのフィルターホイールまたは複数のフィルターホイールと組み合わされた広帯域の光源を用いることも可能である。高域通過フィルター、低域通過フィルターおよび帯域通過フィルターを含む種々のタイプの光学フィルターを、フィルターホイールに用いることができる。必要なときにフィルターホイールの組み合わせを応用することができる。
【0112】
コンピュータ148は、光源からの波長を選択することを制御および調整するために用いられる。コンピュータ148は、また、複屈折を測定し、最適化された順序でデータを収集し、および最終的な結果を計算するためにPEMを最適レベルで作動させるために用いられる。
【0113】
強調するに、図4では2つのロックイン増幅器140を示しているが、該増幅器の数はこの数と異なっていてもよい。例えば、異なった周波数の信号を連続的に検知するために一つのロックイン増幅器を用いることも考慮される。M11F、M21FおよびM11F+M21Fの信号を同時に検知するための3つのロックイン増幅器もまた考慮される。連続的測定と同時測定との組み合わせを用いることもできる。
【0114】
ロックイン増幅器を装置(図4)に用いるとき、前記した方法では、両PEMからの1Fデータを用いることのみが必要である。2つのPEMの1Fデータのほかに(M11F+M21F)データが収集されたとき、測定可能の複屈折の範囲は、用いられる各波長で半波長に拡張される。この場合において、各半波長のリターデーション曲線は、図5に示すような対応する波長の4分の1波長で最大となる各波長のための2つの三角形と比べて、対応する波長の半波長で最大となる一つの三角形になる。特別なデータを収集することは分析を単純化する。
【0115】
選択された波長での複屈折のばらつきを無視することができないとき、この影響を参酌しなければならない。特定の試料のために、2つの選択された波長での複屈折は、材料のばらつきによって決定される定数によって関係づけられる。ばらつきが未知であるとき、校正または調整された複屈折測定装置で測定することができる。複屈折のばらつき補正は157nm付近の測定のために必要である。
【0116】
試料136がまる1波長(λ1)より高いリターデーションを有する場合、前記した関係は、実際のリターデーションを決定するために修正される。この場合において、試料が2つの波長で測定されたとき、測定されたリターデーションが同じレベル、例えば、mλ1+Δ1およびmλ2+δ2であるように、λ1とλ2とが近いことが好ましい。単色光器と組み合わされた白色光源を用いたとき波長を選択することは容易である。
【0117】
(m+1)λ1=mλ2を満たすリターデーションのような非常に大きなリターデーション値が含まれるいくつかの別々のデータ点のために依然として曖昧さがあることがありうる。そのような場合に、それらを分離させるために第3の波長を用いることができる。
【0118】
特に、2つの波長のみを用いたとき、2つの波長を表す2つの曲線は、2つの位置で相交わる(図5)。これらの2つの位置での実際のリターデーションを決定することにおいて曖昧さがある。図6において、これらの2つの交点は、IおよびIIとラベル付けがされている。これらの2つの位置のための実際のリターデーションはそれぞれδbおよびδdである。2つの位置のための測定されたリターデーションは、δIおよびδIIである。δaとδbとの間の曖昧さおよびδcとδdとの間の曖昧さがある。曖昧さを解決するための1つの解決方法は、図6に示すリターデーション曲線54に示すように第3の波長を用いることである。曲線54は第3の波長に関係づけられている。第3の波長を用いることは、位置IおよびIIのためにそれぞれ、非常に異なる結果δI′およびδII′を与える。
【0119】
そのようなすべての曖昧さを有する非常に限られた数のデータ点のみがあることを強調することは重要である。例えば、2つの波長は、いかなる曖昧さもなく、λ/2より下のすべてのリターデーションを測定するために十分である。第3の波長は、測定されたリターデーションが、実際のリターデーションを決定するためにδIおよびδII(実際の測定の誤差の範囲内)に位置するときに必要とされるのみである。
【0120】
図6をさらに検討することによって、実際のリターデーションが増加したときに3つのすべての曲線が同じ位置で相交わることが可能であることが理解される。この場合において、λ1、λ2およびλ3のすべてが同じ測定結果を与える。曖昧さを解決し、実際のリターデーションを決定するために第4の波長を用いることができる。同様に、まれな場合において、非常に高いレベルのリターデーションのための曖昧さを解決するために4つ以上の波長を必要としてもよい。
【0121】
前記した分析は複屈折を測定するための種々の処理を提供する。いくつかの処理またはモードは、他よりもさらに効率的であり、一般に、測定されるリターデーションの大きさに依存する。与えられた範囲の評価された複屈折のために適切な処理を選択するための有用な方法を以下に説明する。
【0122】
1. 小さな線形複屈折(632.8He−Neレーザを用いて0.35ラジアン未満または35nm未満)を測定するための好ましい処理
【0123】
検討された試料が小さな線形複屈折有するとき、項(1)からDC信号を得ることができる。
【0124】
【数17】
【0125】
ここで、PEMの変調周波数の関数として変化するすべての項はDC信号にまだ関与しないので省略される。電子的低帯域通過フィルターはそのような振動を除去するために用いられる。小さな角度方向(sinX=Xおよびsin2X=0、ここで、Xは小さい。)の範囲内で、VDCは、試料のリターデーションおよびPEMピークリターデーション設定に依存せず、したがって、検知器に到達する光の平均強度を表す。
【0126】
【数18】
【0127】
したがって、PEMピークリターデーション設定は、J0(δ10)2J1(δ20)およびJ0(δ20)2J1(δ10)の値を最大にするために、したがって、ロックイン増幅器を用いて1FのAC信号回復を最適化するために1.43ラジアンで設定することができる。1.43ラジアンのPEMピークリターデーション設定でのVDCについての最悪の場合(sin(4ρ)=1)のリターダンスの大きさの影響は、35nmおよび50nmより小さいリターデーションについてDC信号のための最大誤差がそれぞれ1%および2%を越えないことである。
【0128】
試料の線形リターダンスが小さいとき、1.43のPEMピークリターデーション設定でDC信号と1FのAC信号とを検知することに基づく機器は、高感度で高速な測定を提供する。光源として632.8nmのHe−Neレーザを用いたとき、感度は0.005nmよりも良好である。データ収集の速さはロックイン増幅器の時定数設定によって効果的に決定される。
【0129】
2. 比較的高い線形リターデーション(0.35ラジアンからπ/2まで)を測定するために好ましい処理
【0130】
光源として632.8nmのHe−Neレーザを用いたとき、前記35nmのリターデーションを有する試料からのDC信号に与える影響は無視されるべきではない。この場合において、最も簡単な方法はJ0(δ10)およびJ0(δ20)の両方を「0」に設定することである。δ10=δ20=2.405ラジアン(0.3828波長)のPEMリターデーションの大きさで、DC信号は、ρおよびδに依存せず、検知器に到達する光の平均強度を正確に示す。
【0131】
しかし、次のことが、以下の式(4)から明らかである。
【0132】
【数19】
【0133】
両PEMからの1FのAC信号は、DC信号が減少されるJ0(δ10)=J0(δ20)=0のPEM設定で収集することができる。高レベルの線形リターダンス(35nmまたは0.35ラジアンから158nmまたはπ/2まで)を測定するために、ここで説明する方法では、異なるPEM設定でACおよびDCの信号を記録する必要があり、したがって、この方法は測定の速さについて遅い(1データ点につき約2秒)。
【0134】
速さが重要であるとき、代替の方法を用いることができる。AC信号が記録されるδ10=δ20=1.43ラジアンでDC信号を収集したとき、DCに対するACの比を用いて測定された試料のリターダンスは試料の角度方向に依存する。しかし、DC項は式(4)で十分に定義され、したがって、リターダンスの大きさおよび角度の両方のための計算の繰り返しによってリターダンスの角度依存性を減少させることが可能である。
【0135】
3. 632.8のHe−Neレーザを用いてπまたは316.4nmまでの線形リターデーションを測定するために好ましい処理
【0136】
光源として632.8nmのHe−Neレーザを用いたとき、前記した処理と項(2)との組合せを半波長(316.4nm)またはπまでの線形リターダンスを決定するために用いることができる。この処理は以下のことを含む。
【0137】
1. 処理1を用いて0.35ラジアンまでのリターデーション(大きさおよび速い軸線の角度の両方)を測定する。
【0138】
2. 処理2を用いて0.35ラジアンからπ/4までのリターデーション(大きさおよび速い軸線の角度の両方)を測定する。
【0139】
3. π/4から3π/4までのリターデーションのために、項(2)を用いてリターデーションの大きさを測定し、処理2を用いてリターデーションの角度を測定する。
【0140】
4. 修正されたアルゴリズム(δ実際=π−δ1F)を有する処理2を用いて3π/4からπまでのリターデーションを測定する。
【0141】
種々の処理の組合せにより、0からπまでの線形複屈折測定のために最も正確な測定結果が得られよう。
【0142】
任意の好ましい形態において、光源は前記したような種々の選択が可能である。
【0143】
測定されたリターダンス値を多くの方法で扱うことができる。好ましい実施例において、試料の複数の走査から収集されたデータは、データファイルに記憶され、コンピュータ表示装置にプロットとして表示される。そのような一つのプロット100を図7に示す。プロットの格子状のセルの各セル102は試料についての個々の位置を示す。リターダンスの大きさは色符号化によって示される。ここで、セルの種々の濃淡は種々の色を示す。図7では、明確化のために、わずかな種類の色およびセルのみを表示する。しかし、多くのセルを表示することが可能であることは理解されよう。表示画面上の凡例104は、セル102に関係づけられた特定の測定が生じる選択範囲のリターダンス値に色(色の濃淡は凡例から省略されている。)を関係づける。各セル102に配置された線106は、各セルの中央を越えて伸び、各試料位置で試料の速い軸線の方向の最大物理的範囲(−90度から+90度まで)の明瞭な視覚的表示を表す。したがって、速い軸線の方向およびリターダンスの大きさの測定は各位置のために同時的かつ図絵的に表示される。完全で図絵的な表示を用いて、操作の無経験な使用者は表示されたデータを分析する際に誤差を生じる可能性が少ない。
【0144】
好ましい実施例において、セルの情報が計算されるとすぐに、今述べたリターダンス測定値が各セルのために表示される。この即座の表示手法の結果として、操作者は、試料のすべてのセルのリターダンス値が計算されるまで待つ必要なく、各セルのリターダンス値を観察することができる。これは、例えば、試料の任意の部分の複屈折値が設定閾値を超えたときに操作者が試料を拒絶する義務を負う場合、情報を最大にするための利点になる。
【0145】
また、リターデーションの大きさについての一般的なまたは共通した測定範囲に従う輪郭線の例として描かれた輪郭線を図7に示す。単純化のため、図7の低解像度プロット用にいくつかの輪郭線のうちのただ一つの輪郭線を示す。
【0146】
測定データを表示するための多くの任意の変更が十分にあることが理解されよう。また、試料がどのように走査されるかについてのパラメータ(走査境界、試料の厚さの空間を設ける格子、その他。)を設定するための手段と結果として生じるデータとが好都合にかつ対話処理様式で表示されることは、図7から理解されよう。
【0147】
本装置によって提供されるリターダンスの大きさおよび方向情報を図絵的に表示する他の方法は、試料の複数の位置のためのリターダンスの大きさを3次元等高線図上の対応する領域に表示することである。関係づけられた方向は対応するセルの線または色として3次元地図の平面投影で同時に示される。
【0148】
好ましい実施例によって本発明を説明したが、これまで説明した技術およびその技術的思想から逸脱することなく種々の変更が可能であることは当業者であれば理解できよう。例えば、他の光源波長を前記実施例において用いてよいことも予期される。そのような波長として典型的な波長は193nmおよび248nmである。
【図面の簡単な説明】
【0149】
【図1】本発明の好ましい一実施例を示し、複屈折測定装置の光学コンポーネントの好ましい配置を示す図。
【図2】図1に示す装置の処理コンポーネントのブロック図。
【図3】本発明の好ましい他の実施例を示し、複屈折測定装置の光学コンポーネントの好ましい配置を示す図。
【図4】図3に示す装置の処理コンポーネントのブロック図。
【図5】本発明の一面に従って2つの異なる波長で測定された試料についてのリターデーション曲線を示す図。
【図6】本発明の他の面に従って3つの異なる波長で測定された試料ついてのリターデーション曲線を示すグラフ。
【図7】本発明の装置によって提供される図絵的な表示画面を示す図。
Claims (32)
- 試料の複屈折特性を決定する方法であって、
第1の波長を有する偏光変調された光の第1のビームおよび第2の波長を有する偏光変調された光の第2のビームであって前記第1の波長と前記第2の波長とが異なる第1のビーム及び第2のビームを前記試料に通して別々に指向させるステップと、
前記第1および第2のビームが前記試料を通過した後に前記第1および第2のビームの偏光を変調するステップと、
前記第1および第2のビームを分析するステップと、
前記第1および第2のビームの強度を検知するステップと、
前記検知された強度に基づいて前記試料の実際の複屈折特性を計算するステップとを含む、試料の複屈折特性を決定する方法。 - 前記計算するステップは、
2以上の測定された複屈折特性を特定するステップと、
前記実際の複屈折特性を前記測定された複屈折特性のいずれかに決定するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記決定するステップは、前記第1の波長と第2の波長との相違と比較された前記測定された複屈折特性間の相違に基づいて前記実際の複屈折特性を前記特定された前記測定された複屈折特性から選択することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記決定するステップは、前記測定された1つの複屈折特性が前記測定された他の複屈折特性に等しいとき、前記実際の複屈折特性が前記測定された複屈折特性の一つであるように前記実際の複屈折特性を選択することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記実際の複屈折特性をこれが大きさを含むように決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記実際の複屈折特性をこれが角度方向を含むように決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記実際の複屈折特性をこれが大きさおよび角度方向の両方を含むように決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1および第2の波長をこれらが約157ナノメートルであるように準備するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料としてフッ化カルシウム光学素子を準備するステップを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記実際の複屈折特性が前記第1の波長および第2の波長の一方の4分の1より大きい大きさを含むような厚さを有する試料であるように選択された試料を準備するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料は、前記実際の複屈折特性が前記第1の波長および第2の波長の一方と同じ大きさを含むような厚さを有する試料であるように選択される、請求項10に記載の方法。
- 前記決定するステップは、前記特定された複屈折特性の一つの大きさが前記第1の波長の4分の1の増分にどの程度近いかに基づいて前記実際の複屈折特性を前記特定された複屈折特性から選択することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の波長をこれが前記第1の波長の約20%であるように選択するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1および第2のビームが前記試料の複数の位置を通って指向されるように前記試料を周期的に運動させるステップと、
前記試料の各位置での実際のリターダンス特性を計算するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 実質的にすべての前記位置のリターダンスの大きさおよび角度方向を同時に図絵的に表示するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 試料の複屈折特性を測定する方法であって、
第1の波長を有する偏光変調された光の第1のビーム、第2の波長を有する偏光変調された光の第2のビームおよび第3の波長を有する偏光変調された光の第3のビームであって前記第1、第2および第3の波長が互いに異なる第1のビーム、第2のビームおよび第3のビームを含む少なくとも3つの光ビームを前記試料に通して別々に指向させるステップと、
前記第1、第2および第3のビームが前記試料を通過した後に前記第1、第2および第3のビームの偏光を変調するステップと、
前記第1、第2および第3のビームを分析するステップと、
前記第1、第2および第3のビームの強度を検知するステップと、
前記検知された強度に基づいて前記試料の実際の複屈折特性を計算するステップとを含む、試料の複屈折特性を決定する方法。 - 前記計算するステップは、
3以上の測定された複屈折特性を特定するステップと、
前記実際の複屈折特性を前記測定された複屈折特性のいずれかに決定するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記決定するステップは、前記測定された1つの複屈折特性が前記測定された他の複屈折特性に等しいとき、前記実際の複屈折特性が前記測定された複屈折特性の一つであるように前記実際の複屈折特性を選択することを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記第1および第2のビームを発生させるための調整可能なレーザを準備するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 試料の複屈折特性を測定するための装置であって、
互いに異なる波長を有する光の1以上のビームの源と、
前記光のビームの偏光を変調するための手段と、
前記ビームを前記試料に通して別々に指向させるための手段と、
前記ビームが前記試料を通過した後に前記ビームを分析するための手段と、
前記ビームの強度を検知し、これにより、前記検知された強度に基づいて前記試料の実際の複屈折特性を計算するのに適した情報を準備するための検知手段とを含む、試料の複屈折特性を決定するための装置。 - 前記別々に指向させるための手段は重水素ランプと単色光器とを含む、請求項20に記載の装置。
- 前記試料は約270ミリメートルまでの厚さを有するフッ化カルシウムを含む、請求項20に記載の装置。
- 前記源の光の波長は約157ナノメートルである、請求項20に記載の装置。
- 前記ビームの偏光を変調するための手段は一対の光弾性変調器を含む、請求項20に記載の装置。
- 前記源は調整可能なレーザを含む、請求項20に記載の装置。
- 与えられた波長の光の少なくとも1つのビームを前記試料に通して指向させることを含む複数の処理から、試料の複屈折特性を測定するための処理を選択する方法であって、
前記試料の複屈折特性の範囲を推定するステップと、
前記推定された範囲に基づいて前記複屈折特性を測定するための処理を選択するステップとを含む、試料の複屈折特性を測定するための処理を選択する方法。 - 前記推定された範囲が前記与えられた波長の約6%より小さいとき、前記複数の処理から第1の処理を選択するステップと、
前記推定された範囲が前記与えられた波長の約6%より大きいとき、前記複数の処理から前記第1の処理とは別の処理を選択するステップとを含む、請求項26に記載の方法。 - 前記推定された範囲が前記与えられた波長の約6%より大きいとき、前記複数の処理から第2の処理を選択するステップと、
前記推定された範囲が前記与えられた波長の約4分の1より小さいとき、前記複数の処理から第3の処理を選択するステップとを含む、請求項27に記載の方法。 - 前記推定された範囲が前記与えられた波長の約4分の1より大きく、また、前記与えられた波長の約半分より小さいとき、前記複数の処理から、前記第1および第2の処理を含む第4の処理を選択するステップを含む、請求項28に記載の方法。
- 試料の複屈折特性を測定するための装置であって該装置が、第1および第2の光弾性変調器(PEM)であって各PEMが光軸を有しかつ前記試料を通過する光ビームの極性を変調するために作動可能の第1および第2の光弾性変調器を含み、また、前記装置が、第1の前記PEMに関係づけられた偏光子と、第2の前記PEMに関係づけられた分析器と、前記光ビームが前記第1および第2のPEMと前記偏光子と前記分析器とを通過した後に前記光ビームの強度を測定するための検知器とを含む、試料の複屈折特性を測定するための装置の光学素子の配列を調整する方法であって、
前記第1のPEMの光軸を固定するステップと、
前記第2のPEMがオフである間、前記第1のPEMを作動させるステップと、
前記測定された光ビームの強度を監視する間、前記偏光子を回転させるステップと、
前記光ビームの第1の高調波振動数に対応する前記測定された強度が最小値にあるとき前記偏光子の回転位置を記録するステップと、
前記偏光子を前記記録された回転位置より45度だけ回転させるステップと、
前記変調された光の第2の高調波振動数が最小値になるまで前記偏光子を回転させるステップと、
前記変調された光ビームの第2の高調波振動数が最小値になるまで前記第2のPEMを回転させるステップとを含む、試料の複屈折特性を測定するための装置の光学素子の配列を調整する方法。 - 前記作動させるステップは、4分の1波のピークリターデーションで前記第1のPEMを作動させることを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記偏光子および分析がほぼ初めはそれぞれ+45度および−45度に指向されていることを確実にするステップを含む、請求項30に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US29931601P | 2001-06-18 | 2001-06-18 | |
| US33621901P | 2001-10-31 | 2001-10-31 | |
| US34076001P | 2001-12-11 | 2001-12-11 | |
| PCT/US2002/019343 WO2002103310A1 (en) | 2001-06-18 | 2002-06-17 | Birefringence measurement at deep-ultraviolet wavelengths |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004530892A true JP2004530892A (ja) | 2004-10-07 |
| JP4249608B2 JP4249608B2 (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=27404646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003505578A Expired - Fee Related JP4249608B2 (ja) | 2001-06-18 | 2002-06-17 | 深紫外波長での複屈折測定 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6985227B2 (ja) |
| EP (1) | EP1397651B1 (ja) |
| JP (1) | JP4249608B2 (ja) |
| DE (1) | DE60220521T2 (ja) |
| WO (1) | WO2002103310A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006103953A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 光学特性計測装置及び光学特性計測方法 |
| JP2009047685A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-03-05 | Keio Gijuku | 光弾性測定方法およびその装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2320431A3 (en) * | 2000-12-08 | 2012-09-05 | Loma Linda University Medical Center | Proton beam therapy control system |
| US6822244B2 (en) * | 2003-01-02 | 2004-11-23 | Loma Linda University Medical Center | Configuration management and retrieval system for proton beam therapy system |
| GB0302378D0 (en) * | 2003-02-01 | 2003-03-05 | Council Cent Lab Res Councils | Detection system |
| JP3971363B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2007-09-05 | 株式会社東芝 | 露光装置及び露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法 |
| JP3746287B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2006-02-15 | 学校法人東京電機大学 | 応力測定方法とその装置 |
| US7274440B1 (en) * | 2004-09-08 | 2007-09-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measuring stress in a specimen |
| CN101076714B (zh) | 2004-10-25 | 2012-01-11 | 海因兹仪器公司 | 聚合物薄膜等的双折射测量 |
| US7298492B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-11-20 | Honeywell International Inc. | Method and system for on-line measurement of thickness and birefringence of thin plastic films |
| KR20110059701A (ko) * | 2008-07-08 | 2011-06-03 | 하인즈 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 높은 처리능력의 브리프링겐스 측정 |
| US8773662B2 (en) * | 2010-07-22 | 2014-07-08 | Vuv Analytics, Inc. | Methods and apparatus for vacuum ultraviolet (VUV) or shorter wavelength circular dichroism spectroscopy |
| US9097647B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-08-04 | Ut-Battelle, Llc | Method for using polarization gating to measure a scattering sample |
| US9228936B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-01-05 | Hinds Instruments, Inc. | Birefringence measurement of polycrystalline silicon samples or the like |
| JP2016053478A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-14 | 株式会社東芝 | 相分離観測方法、相分離観測装置、及びアニール装置 |
| US9841372B2 (en) * | 2014-09-25 | 2017-12-12 | Hinds Instruments, Inc. | Unambiguous retardance measurement |
| CN105136681B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-07-25 | 中北大学 | 一种弹光调制和电光调制级联测微小线性双折射的装置 |
| TW202138788A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-10-16 | 美商康寧公司 | 具有波長不同的多個光源的棱鏡耦合系統及方法 |
| WO2022212627A1 (en) | 2021-04-01 | 2022-10-06 | Corning Incorporated | Light source intensity control systems and methods for improved light scattering polarimetry measurements |
| CN115683563A (zh) * | 2022-09-27 | 2023-02-03 | 中北大学 | 一种双pem偏振态分析精确修正装置及方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3902805A (en) | 1973-09-17 | 1975-09-02 | Vishay Intertechnology Inc | Automatic birefringence measuring apparatus |
| US4400062A (en) | 1979-09-11 | 1983-08-23 | Sony Corporation | Wave plate retarder |
| US4480916A (en) | 1982-07-06 | 1984-11-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Phase-modulated polarizing interferometer |
| US4668086A (en) | 1985-05-20 | 1987-05-26 | Salomon Redner | Stress and strain measuring apparatus and method |
| US4681450A (en) | 1985-06-21 | 1987-07-21 | Research Corporation | Photodetector arrangement for measuring the state of polarization of light |
| JPS6382345A (ja) | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Orc Mfg Co Ltd | 複屈折測定表示方法 |
| US4801798A (en) | 1987-12-14 | 1989-01-31 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for measuring optical retardation in transparent materials |
| US4904931A (en) | 1988-09-28 | 1990-02-27 | Westinghouse Electric Corp. | Electro-optical voltage measuring system incorporating a method and apparatus to derive the measured voltage waveform from two phase shifted electrical signals |
| US4973163A (en) | 1988-10-08 | 1990-11-27 | Kanzaki Paper Manufacturing Co., Ltd. | Method for measuring birefringence |
| US5072111A (en) | 1990-09-04 | 1991-12-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Optical time domain reflectometer calibration system |
| JPH0518858A (ja) | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜の光学特性測定方法 |
| US5268741A (en) | 1992-01-31 | 1993-12-07 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for calibrating a polarization independent optical coherence domain reflectometer |
| JP2792315B2 (ja) * | 1992-03-10 | 1998-09-03 | 松下電器産業株式会社 | 複屈折測定装置 |
| US5532823A (en) | 1993-03-08 | 1996-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of measuring optical characteristics of liquid crystal cells, measurement equipment therefor and method for manufacturing liquid crystal devices |
| FR2714970B1 (fr) | 1994-01-12 | 1996-03-29 | Centre Nat Rech Scient | Ellipsomètre spectroscopique modulé. |
| US5457536A (en) | 1994-04-04 | 1995-10-10 | California Institute Of Technology | Polarization modulation laser scanning microscopy |
| US5521705A (en) * | 1994-05-12 | 1996-05-28 | Oldenbourg; Rudolf | Polarized light microscopy |
| US5652673A (en) | 1994-06-24 | 1997-07-29 | Hinds Instruments, Inc. | Elimination of modulated interference effects in photoelastic modulators |
| GB9518100D0 (en) | 1995-09-05 | 1995-11-08 | Infrared Eng | Calibration standard for infrared absorption gauge |
| US5744721A (en) | 1995-10-25 | 1998-04-28 | Hinds Instruments, Inc. | Electronic control system for an optical assembly |
| US5825492A (en) | 1996-04-26 | 1998-10-20 | Jaton Systems Incorporated | Method and apparatus for measuring retardation and birefringence |
| SE506286C2 (sv) | 1996-05-09 | 1997-12-01 | Ifunga Test Equipment Bv | Anordning för mätning av dubbelbrytning i en optisk databärare |
| US5956146A (en) | 1997-01-29 | 1999-09-21 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Birefringence measuring apparatus for optical disc substrate |
| US6055053A (en) | 1997-06-02 | 2000-04-25 | Stress Photonics, Inc. | Full field photoelastic stress analysis |
| US5956147A (en) * | 1997-06-13 | 1999-09-21 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Two modulator generalized ellipsometer for complete mueller matrix measurement |
| US6473181B1 (en) | 1997-07-28 | 2002-10-29 | Hinds Instruments, Inc. | Measurement of waveplate retardation using a photoelastic modulator |
| JP4629869B2 (ja) | 1998-02-20 | 2011-02-09 | ハインズ インスツルメンツ インコーポレイテッド | 複屈折特性測定方法および装置 |
| US5864403A (en) | 1998-02-23 | 1999-01-26 | National Research Council Of Canada | Method and apparatus for measurement of absolute biaxial birefringence in monolayer and multilayer films, sheets and shapes |
| US6697157B2 (en) | 1999-05-24 | 2004-02-24 | Hinds Instruments | Birefringence measurement |
| US6268914B1 (en) | 2000-01-14 | 2001-07-31 | Hinds Instruments, Inc. | Calibration Process For Birefringence Measurement System |
| JP2001272273A (ja) | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Komatsu Ltd | 真空紫外光の測定方法、真空紫外光の測定装置、デバイス製造方法及び光露光装置 |
| JP2002372777A (ja) | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Canon Inc | ガス置換方法および露光装置 |
-
2002
- 2002-06-17 JP JP2003505578A patent/JP4249608B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-17 WO PCT/US2002/019343 patent/WO2002103310A1/en not_active Ceased
- 2002-06-17 EP EP02744424A patent/EP1397651B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-17 DE DE60220521T patent/DE60220521T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-08 US US10/730,583 patent/US6985227B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006103953A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology | 光学特性計測装置及び光学特性計測方法 |
| JP4779124B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-09-28 | 国立大学法人東京農工大学 | 光学特性計測装置及び光学特性計測方法 |
| US8107075B2 (en) | 2005-03-28 | 2012-01-31 | Utsunomiya University | Optical characteristic measuring apparatus and optical characteristics measuring method |
| JP2009047685A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-03-05 | Keio Gijuku | 光弾性測定方法およびその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002103310A1 (en) | 2002-12-27 |
| DE60220521T2 (de) | 2007-09-27 |
| EP1397651B1 (en) | 2007-06-06 |
| EP1397651A4 (en) | 2005-06-22 |
| EP1397651A1 (en) | 2004-03-17 |
| US20040114142A1 (en) | 2004-06-17 |
| DE60220521D1 (de) | 2007-07-19 |
| JP4249608B2 (ja) | 2009-04-02 |
| US6985227B2 (en) | 2006-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4249608B2 (ja) | 深紫外波長での複屈折測定 | |
| JP5368507B2 (ja) | 自己較正機能を備える表面特性解析用システム | |
| US6473179B1 (en) | Birefringence measurement system | |
| JP4556463B2 (ja) | 複屈折率測定装置 | |
| US6734968B1 (en) | System for analyzing surface characteristics with self-calibrating capability | |
| US6804003B1 (en) | System for analyzing surface characteristics with self-calibrating capability | |
| US6473181B1 (en) | Measurement of waveplate retardation using a photoelastic modulator | |
| CN100541149C (zh) | 双折射测量系统的精度校准 | |
| US6697157B2 (en) | Birefringence measurement | |
| JPH08509295A (ja) | 円偏光ダイクロイズム、旋光および吸収スペクトルの測定方法および測定用ダイクログラフ | |
| JP2007514164A (ja) | 光学材料における複屈折を測定するシステム及び方法 | |
| JP5469590B2 (ja) | 磁気光学スペクトル分光装置、磁気光学スペクトル測定方法およびプログラム | |
| US7002685B2 (en) | System for measuring of both circular and linear birefringence | |
| JPH10153500A (ja) | 光弾性定数の測定方法および測定装置 | |
| JP2713190B2 (ja) | 光学特性測定装置 | |
| JP2006071458A (ja) | 複屈折位相差測定装置及び複屈折位相差測定方法 | |
| WO1999042796A1 (en) | Birefringence measurement system | |
| JP2003529067A (ja) | 円偏光および直線偏光の両複屈折の測定のためのシステム | |
| JP2010175266A (ja) | 位相差測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071024 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071031 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081119 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130123 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |