JP2010060930A - 光学干渉フィルタ、表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】陰極側から光を出射する構成において、色純度、色再現性を高め、さらに、光の取り出し効率を優れたものとすることができる光学干渉フィルタを提供すること、また、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】光学干渉フィルタ１０２は、互いに間隔を隔てて設けられ、光の一部を透過し残部を反射する機能を有する複数の半透過層１３を有し、互いに隣り合う２つの半透過層１３間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、当該２つの半透過層１３間の距離Ｌに応じた波長の光を外部に出射し得るように構成され、各半透過層１３は、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、光学干渉フィルタ、表示装置および電子機器に関するものである。

有機エレクトロルミネセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される（例えば、特許文献１および非特許文献１参照）。
いわゆるトップエミッション型の発光素子では、一般に、特許文献１に開示されているように、陰極を半透過性を有するものとし、陰極側から光を出射させる。

特許文献１にかかる発光素子は、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝９：１）の薄膜で陰極を構成することにより、陰極を電子注入性および半透過性を有するものとしている。そして、かかる発光素子は、陽極を反射性を有するものとし、発光層で発生した光を陰極と陽極との間で共振させるようになっている。これにより、発光素子から出射する光の輝度（ひいては電流効率）を高めることができる。

しかしながら、特許文献１にかかる発光素子では、陰極が前述したようなＭｇＡｇで構成されているため、発光層で発生した光に対する陰極の反射率は低いものとなってしまう。そのため、発光素子から出射する光の輝度を十分に高めることができなかった。
反射率の高い金属としては、一般にＡｇが知られているが、Ａｇを用いて半透過性となるような薄膜を形成すると、表面拡散や表面マイグレーションによってＡｇ原子が凝集した核による微細な凹凸を有する薄膜が形成されてしまう。このような薄膜は、プラズモン吸収により、バルクのＡｇとは異なる光学特性を示し、高い反射率を得ることができないという問題がある。

特開２００３−７７６８１号公報 Hitoshi Kuma. et. al,. SID DIGEST, P1504 (2007)

本発明の目的は、光の色純度、色再現性を高め、さらに、光の取り出し効率を優れたものとすることができる光学干渉フィルタを提供すること、また、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光学干渉フィルタは、光透過性を有する複数の半透過層と、
前記各半透過層とは異なる屈折率を有し、かつ、光透過性を有する複数の光透過層とを有し、
前記半透過層と前記光透過層とが交互に複数積層され、
前記半透過層と前記光透過層との界面同士の間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、当該界面同士の間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るように構成され、
前記各半透過層は、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されていることを特徴とする。

これにより、薄膜状の半透過層を形成するに際し、表面拡散や表面マイグレーションによってＡｇ原子が凝集した核による微細な凹凸の発生を防止し、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の半透過層を形成することができる。そのため、半透過層を半透過性を有するものとしつつ優れた反射性を有するものとすることができる。その結果、発光素子の陰極側から出射する色純度、色再現性を高め、さらに、光の取り出し効率を高め、優れた発光素子を提供することができる。

本発明の光学干渉フィルタでは、Ａｇの原子半径と前記添加金属の原子半径との差は、Ａｇの原子半径の１０％以上であることが好ましい。
これにより、薄膜状の半透過層を形成するに際し、表面拡散や表面マイグレーションによってＡｇ原子が凝集した核による微細な凹凸の発生をより確実に防止することができる。

本発明の光学干渉フィルタでは、前記添加金属は、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌのうちのいずれか１種、または、これらのうちの２種以上の組み合わせであることが好ましい。
これにより、半透過層の反射率および安定性を優れたものとすることができる。また、このようなＡｇ合金層は各種気相成膜法により容易に形成することができる。
本発明の光学干渉フィルタでは、前記金属材料は、Ａｇの含有量が８０〜９９．９原子％であり、前記添加金属の含有量が０．１〜２０原子％であることが好ましい。
これにより、半透過層の反射率を優れたものとすることができる。

本発明の光学干渉フィルタでは、前記半透過層は、気相成膜法を用いて形成されたものであることが好ましい。
これにより、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の半透過層を比較的簡単に形成することができる。
本発明の光学干渉フィルタでは、前記半透過層は、Ａｇと前記添加金属とを共蒸着することにより形成されたものであることが好ましい。
これにより、用いる添加金属の選択の幅を大きなものとしつつ、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の半透過層を比較的簡単に形成することができる。

本発明の光学干渉フィルタでは、前記半透過層の厚さは、１〜５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、半透過層を半透過性（発光素子（発光層）からの光の一部を透過し残部を反射する機能）を有するものとすることができる。
本発明の光学干渉フィルタでは、前記半透過層の前記光に対する反射率は、２０〜８０％であることが好ましい。
これにより、光学干渉フィルタから出射する光の輝度を効果的に高めることができる。

本発明の光学干渉フィルタでは、前記光透過層は、前記半透過層とは屈折率が異なるように、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の光透過層を形成することができる。その結果、半透過層と光透過層との各界面も優れた表面性を有し、光の損失を低減することができる。

本発明の光学干渉フィルタでは、前記光透過層は、ＳｉＯ_２またはＳｉＯＮを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、半透過層と光透過層との屈折率差を大きくし、半透過層と光透過層との各界面での反射特性を向上させることができる。
本発明の光学干渉フィルタでは、前記光透過層の厚さは、５０〜３００ｎｍであることが好ましい。
このような膜厚で光透過層を形成することで、可視光での干渉を効果的に生じさせることができる。

本発明の表示装置は、本発明の光学干渉フィルタと、
陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に設けられた少なくとも１層の発光層とを有する発光素子とを有し、
前記発光素子からの光を前記光学干渉フィルタを介して出射するように構成されていることを特徴とする。
これにより、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置を提供することができる。

本発明の表示装置では、前記発光素子は、前記少なくとも１層の発光層での発光を前記陰極側から出射するトップエミッション構造を有することが好ましい。
このようなトップエミッション型の発光素子を用いることで、比較的簡単な構成で高輝度かつ優れた色純度、色再現性、取り出し効率を有する表示装置を提供することができる。
本発明の表示装置では、前記少なくとも１層の発光層は、互いに発光スペクトルの異なる複数層の発光層で構成され、当該複数層の発光層全体として白色発光するように構成されていることが好ましい。
これにより、１つの発光素子から様々な色を分離して用いることができる。

本発明の表示装置では、前記少なくとも１層の発光層は、赤色に発光する赤色発光層と、緑色に発光する緑色発光層と、青色に発光する青色発光層とを含んで構成されていることが好ましい。
これにより、比較的簡単かつ確実に、複数の発光層全体で白色発光させることができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、高品位な画像を長期にわたり表示することができる電子機器を提供することができる。

以下、本発明の発光装置の製造方法、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明の表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図、図２は、図１に示す発光装置に備えられた発光素子およびの縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中および図２中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

（表示装置）
図１に示すディスプレイ装置１００は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを備える発光装置１０１と、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂに対応して設けられた光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂを備える光学干渉フィルタ１０２とを有している。
このようなディスプレイ装置１００は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂおよび複数の光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂがサブ画素１００_Ｒ、１００_Ｇ、１００_Ｂに対応して設けられ、トップエミッション構造のディスプレイパネルを構成している。
なお、本実施形態ではディスプレイ装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。

発光装置１０１は、基板２１と、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂと、複数のスイッチング素子２４とを有している。
基板２１は、複数の発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂおよび複数のスイッチング素子２４を支持するものである。本実施形態の各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、基板２１とは反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）である。したがって、基板２１には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。なお、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが基板２１側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）である場合には、基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。

基板２１の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
このような基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。

このような基板２１上には、複数のスイッチング素子２４がマトリクス状に配列されている。
各スイッチング素子２４は、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂに対応して設けられ、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを駆動するための駆動用トランジスタである。
このような各スイッチング素子２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。

このような複数のスイッチング素子２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
平坦化層２２上には、各スイッチング素子２４に対応して発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが設けられている。
発光素子１_Ｒは、平坦化層２２上に、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１５、陰極１２、陰極カバー３４がこの順に積層されて構成されている。本実施形態では、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各スイッチング素子２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陰極１２は、共通電極とされている。
なお、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂについては、後に詳述する。

隣接する発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂ同士の間には、隔壁３１が設けられている。
このように構成された発光装置１０１には、エポキシ樹脂等の接着性および透明性を有する熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３５を介して、光学干渉フィルタ１０２が接合されている。
光学干渉フィルタ１０２は、基板２０と、複数の光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂと、遮光層３６とを有している。

基板（封止基板）２０は、各光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂおよび遮光層３６を支持するものである。基板２０には、透明基板が用いられる。
このような基板２０の構成材料としては、基板２０が光透過性を有するものであれば、特に限定されず、前述した基板２１の構成材料と同様のものを用いることができる。
光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂは、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂに対応して設けられている。

光学干渉半透過部１９_Ｒは、発光素子１_Ｒからの光Ｗ_Ｒを赤色に変換するものである。また、光学干渉半透過部１９_Ｇは、発光素子１_ＧからのＷ_Ｇを緑色に変換するものである。また、光学干渉半透過部１９_Ｂは、発光素子１_Ｂからの光Ｗ_Ｂを青色に変換するものである。このような光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂを発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。なお、光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂについては、後に詳述する。
隣接する光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。
この遮光層３６は、意図しないサブ画素１００_Ｒ、１００_Ｇ、１００_Ｂが発光するのを防止する機能を有する。

（発光素子）
ここで、図２に基づき、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂを詳細に説明する。
図２に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、それぞれ、２つの電極間（陽極３と陰極１２との間）に、互いに発光スペクトルの異なるＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３層の発光層を含む積層体１５が介挿されている。この積層体１５は、図２に示すように、陽極３側から陰極１２側へ、正孔注入層４と正孔輸送層５と第１の発光層（赤色発光層）６と中間層７と第２の発光層（青色発光層）８と第３の発光層（緑色発光層）９と電子輸送層１０と電子注入層１１とがこの順に積層されている。

言い換えすれば、各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂは、陽極３と正孔注入層４と正孔輸送層５と第１の発光層６と中間層７と第２の発光層８と第３の発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層されてなるものである。
また、本実施形態では、陽極３と平坦化層２２との間に、反射膜３２および腐食防止膜３３が設けられ、また、陰極１２の積層体１５と反対側には、陰極カバー（封止層）３４が設けられている。

このような各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂにあっては、第１の発光層６、第２の発光層８、および第３の発光層９の各発光層に対し、陰極１２側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

このような各発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂでは、第１の発光層６、第２の発光層８、および第３の発光層９が互いに発光スペクトルの異なる複数層の発光層で構成され、当該複数層の発光層全体として白色発光するように構成されている。そのため、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂが互いに同じ構成の発光層を有しながらも、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂでそれぞれ所望の色を分離して用いることができる。すなわち、１つの発光素子から様々な色を分離して用いることができる。
特に、Ｒ、Ｇ、Ｂを組み合わせて当該複数層の発光層全体で白色発光させるため、比較的簡単かつ確実に、当該複数層の発光層全体で白色発光することができる。

以下、発光素子１_Ｒを構成する各部を順次説明する。なお、以下では、発光素子１_Ｒについて代表的に説明する。発光素子１_Ｇ、１_Ｂについては、発光素子１_Ｒと相違する事項を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
（陽極）
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、陽極３は、後述する半透過層１３と反射膜３２との間の距離が発光素子１_Ｒから出射する光の波長（赤色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましい。

なお、発光素子１_Ｇの陽極３ついては、半透過層１３と反射膜３２との間の距離が発光素子１_Ｇから出射する光の波長（緑色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましく、また、発光素子１_Ｂの陽極３ついては、半透過層１３と反射膜３２との間の距離が発光素子１_Ｂから出射する光の波長（青色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されているのが好ましい。これにより、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの各出射光の所望の色度の輝度を高めることができる。この場合、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陽極３の厚さが出射光の波長に応じて互いに異なるものとなる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
本実施形態では、陽極３は、光透過性を有する。これにより、各発光層からの光を反射膜３２が反射することができる。

（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能（すなわち正孔注入性）を有するものである。
この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、正孔注入層４が前述したような正孔注入性を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、テトラアミン化合物およびそれらの誘導体、銅フタロシアニンや、下記化１で表わされるＮ，Ｎ’−ビス−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ビフェニル−４，４’−ジアミン、下記化２で表わされる４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、下記化３で表わされるＮ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を第１の発光層６まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体（アミン系化合物）などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

（第１の発光層）
この第１の発光層６は、第１の色に発光する第１の発光材料と、この第１の発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料とを含んで構成されている。このような第１の発光層６は、例えば、ゲスト材料である第１の発光材料をドーパントとして第１のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第１のホスト材料は省略することができる。

第１の発光材料は、赤色に発光する赤色発光材料である。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、赤色蛍光材料を好適に用いることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）等を挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

上述した中でも、赤色発光材料は、ペリレン誘導体を含むことが好ましい。ペリレン誘導体は、特に発光効率の高い発光材料である。また、ペリレン誘導体は、電子を捕獲する機能が特に優れたものである。このため、陰極１２側から注入された電子を第１の発光層６で確実に捕獲し、正孔輸送層５に電子が注入されるのを防止することができる。その結果、正孔注入層４や正孔輸送層５の構成材料が電子により還元されて劣化するのを防止することができる。
特に、赤色発光材料に用いるペリレン誘導体としては、例えば下記化４で表わされる化合物等のテトラフェニルジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。

このような赤色発光材料をゲスト材料とする第１のホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。
このような第１のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記化５で表わされる化合物等のテトラセン誘導体（ナフタセン誘導体）、下記化６で表わされる化合物等のペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

中でも、第１の発光材料は、前述したようなテトラセン誘導体またはペリレン誘導体を含むものであるのが好ましい。これにより、第１の発光層６から中間層７を介して第２の発光層８への正孔をより円滑に受け渡すことができる。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第１のホスト材料としては、例えば、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニルカルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）および第１のホスト材料を用いる場合、第１の発光層６中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する第２の発光層８や第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第１の発光層６を発光させることができる。

また、前述したような赤色の発光材料はバンドギャップが比較的小さいため、発光しやすい。したがって、最も陽極３側に赤色発光層を設けることで、バンドギャップが比較的大きく発光し難い青色発光層や緑色発光層を陰極１２側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
また、第１の発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。

（中間層）
この中間層７は、前述した第１の発光層６と後述する第２の発光層８との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層７は、第１の発光層６と第２の発光層８との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、第１の発光層６および第２の発光層８をそれぞれ効率よく発光させることができる。

このような中間層７の構成材料としては、中間層７が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、アミン系材料等を用いることができ、特に、アミン系材料とアセン系材料との混合材料を好適に用いることができる。
このような中間層７に用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、中間層７が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。

特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層７に用いられるアミン系材料としては、２つ以上のナフチル基を導入したものが好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）や、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフチル−ベンジジン（ＴＮＢ）などが挙げられる。

（第２の発光層）
この第２の発光層８は、第２の色に発光する第２の発光材料と、この第２の発光材料をゲスト材料とする第２のホスト材料とを含んで構成されている。このような第２の発光層８は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第２の発光材料をドーパントとして第２のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第２のホスト材料は省略することができる。

第２の発光材料は、青色に発光する青色発光材料である。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、青色蛍光材料を好適に用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化７で表わされる化合物等のジスチリルジアミン誘導体、ジスチリル誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

特に、前述したような化７で表わされる化合物のようなジスチリルジアミン誘導体は、正孔を捕獲する機能に優れるものであるため、第２の発光層８がジスチリルジアミン誘導体を含むことにより、第２の発光層８を効率よく発光させることができる。
青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

第２のホスト材料としては、前述した第１の発光層６の第１のホスト材料と同様のものを用いることができる。
前述したような青色発光材料（ゲスト材料）および第２のホスト材料を用いる場合、第２の発光層８中における青色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、５〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や後述する第３の発光層９の発光量とのバランスをとりつつ第２の発光層８を発光させることができる。
また、第２の発光層８の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。

（第３の発光層）
この第３の発光層９は、第３の色に発光する第３の発光材料と、この第３の発光材料をゲスト材料とする第３のホスト材料とを含んで構成されている。このような第３の発光層９は、前述した第１の発光層６と同様、例えば、ゲスト材料である第３の発光材料をドーパントとして第３のホスト材料にドープすることにより形成することができる。なお、第３のホスト材料は省略することができる。

第３の発光材料は、緑色に発光する緑色発光材料である。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることが、緑色蛍光材料を好適に用いることができる。
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化８で表わされる化合物等のキナクリドン誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられ、これらのうち１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることもできる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウムが挙げられる。

第３のホスト材料としては、前述した第１の発光層６の第１のホスト材料と同様のものを用いることができる。
前述したような緑色発光材料（ゲスト材料）および第３のホスト材料を用いる場合、第３の発光層９中における緑色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、１〜２０ｗｔ％であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、前述した第１の発光層６や第２の発光層８の発光量とのバランスをとりつつ第３の発光層９を発光させることができる。
また、第３の発光層９の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜６０ｎｍであるのがより好ましく、１０〜４０ｎｍであるのがさらに好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層１０は、陰極１２から電子注入層１１を介して注入された電子を第３の発光層９に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１０の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、電子輸送層１０は、省略することができる。

（電子注入層）
電子注入層１１は、陰極１２からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１１を構成することにより、発光素子１_Ｒは、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。

アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、電子注入層１１は、省略することができる。

（陰極）
陰極１２は、前述した電子注入層１１を介して電子輸送層１０に電子を注入する電極である。
このような陰極１２の構成材料としては、仕事関数の小さい材料が用いられ、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。

特に、陰極１２の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１２の構成材料として用いることにより、陰極の電子注入効率および安定性を優れたものとすることができる。
このような陰極１２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陰極１２は、後述する半透過層１３と反射膜３２との間の距離Ｌが発光素子１_Ｒから出射する光の波長（赤色の波長）に応じたものとなるように厚さが調整されていてもよい。すなわち、発光素子１_Ｒ、１_Ｇ、１_Ｂの陰極１２の厚さが出射光の波長に応じて互いに異なるものとなっていてもよい。

（反射膜）
反射膜（反射層）３２は、前述した第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９に対して陰極１２と反対側に設けられている。すなわち、反射膜３２と陰極１２との間に、第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９が設けられている。言い換えると、反射膜３２は、半透過層１３に対しその厚さ方向に離間して設けられている。これにより、半透過層１３と反射膜３２との間の光学的作用により、発光素子１_Ｒの陰極１２側から出射する光の輝度を高めることができる。

このような反射膜３２は、第１の発光層６、第２の発光層８および第３の発光層９のうちの少なくとも１つの発光層からの光を反射する機能を有する。これにより、少なくとも１層の発光層からの光および陰極１２からの反射光を反射膜３２で反射して、発光素子１_Ｒの輝度を高めることができる。その結果、発光素子１_Ｒの発光効率を向上させることができる。

また、反射膜３２は、前述した半透過層１３との間で少なくとも１層の発光層からの光を共振させるように構成されているのが好ましい。これにより、発光素子１_Ｒから出射される光の強度および色純度を高めることができる。この場合、反射膜３２は、半透過層１３との距離Ｌを所望値に設定することにより、半透過層１３との間で光を共振させることができる。より具体的には、輝度を高めたい色度の波長をλとしたとき、反射膜３２や半透過層１３での光反射時の位相のシフト量等を考慮しつつ、距離Ｌをｎλ／２程度とする（ここで、ｎは自然数である）。

このような反射膜３２の構成材料としては、反射膜３２が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されず、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金等を用いることができる。
また、反射膜３２は、前述した半透過層１３と同様のＡｇ合金で構成してもよい。
また、反射膜３２は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる誘電体多層膜（光学多層薄膜）で構成することもできる。

高屈折率層を構成する材料としては、例えば、Ｔｉ_２Ｏ、Ｔａ_２Ｏ_５、酸化ニオブ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、ＴｈＯ_２などが挙げられるが、特に、Ｔｉ_２Ｏ、Ｔａ_２Ｏ_５、酸化ニオブなどが好適に用いられる。
低屈折率層を構成する材料としては、例えば、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２などが挙げられるが、特に、ＳｉＯ_２が好適に用いられる。

反射膜３２を構成する高屈折率層および低屈折率層の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、誘電体多層膜により反射膜を構成する場合、その光学特性を得るために必要な層数は１２層以上である。
なお、本実施形態では、発光素子１_Ｒがトップエミッション型であるため、反射膜３２に光透過性は要求されない。

また、反射膜３２の厚さは、前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましい。
なお、この反射膜３２は、省略することができる。この場合、前述した陽極３が反射性を有するように構成することで、反射膜３２と同様の効果を発揮させることができる。これにより、発光素子１_Ｒの層構成を簡単なものとしつつ、発光層からの光および陰極１２からの反射光を陽極３で反射して、発光素子１_Ｒの輝度を高めることができる。

（腐食防止膜）
腐食防止膜３３は、反射膜３２の腐食を防止する機能を有するものである。
このような腐食防止膜３３の構成材料としては、腐食防止膜３３が前述した機能を発揮するとともに前述した反射膜３２の機能を阻害しないものであれば、特に限定されず、各種有機材料、各種無機材料を用いることができる。
なお、この腐食防止膜３３は、省略してもよい。

（陰極カバー）
陰極カバー３４は、陽極３、積層体１５および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。陰極カバー３４を設けることにより、発光素子１_Ｒの信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。
陰極カバー３４の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、陰極カバー３４の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、陰極カバー３４と陽極３、積層体１５、および陰極１２との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
なお、本実施形態では、図１に示す樹脂層３５（封止層）および光学フィルタ１０２も、陽極３、積層体１５および陰極１２を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。

（光学フィルタ）
前述したように、光学干渉フィルタ１０２は、複数の光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂを有している。
そして、光学干渉半透過部１９_Ｒは、発光素子１_Ｒからの光Ｗ_Ｒを赤色に変換するものである。また、光学干渉半透過部１９_Ｇは、発光素子１_ＧからのＷ_Ｇを緑色に変換するものである。また、光学干渉半透過部１９_Ｂは、発光素子１_Ｂからの光Ｗ_Ｂを青色に変換するものである。これにより、光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂは、それぞれ、出射する光の所望の色の色純度を高めることができる。

これらの光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂは、互いの厚さが異なる以外は、同様の構成である。以下、光学干渉半透過部１９_Ｒを代表的に説明し、光学干渉半透過部１９_Ｇ、１９_Ｂについてはその説明を省略する。
光学干渉半透過部１９_Ｒは、図２に示すように、互いに屈折率の異なる半透過層１３と透過層１４とが交互に複数積層されて構成されている。

本実施形態では、光学干渉半透過部１９_Ｒは、３つの半透過層１３を有し、その半透過層１３同士の各層間に透過層１４が介挿されている。
このような光学干渉透過部１９_Ｒ（光学干渉フィルタ１０２）は、半透過層１３と光透過層１４との界面同士の間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、当該界面同士の間の距離Ｌに応じた波長の光を外部に出射し得る。

各半透過層１３は、前述した発光素子１_Ｒからの光の一部を透過し残部を反射する機能を有する。
各半透過層１３は、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されている。
このような金属材料は、薄膜を形成するに際し、添加金属が表面拡散や表面マイグレーションによるＡｇ原子の凝集を防止することができる。そのため、得られる薄膜は、Ａｇ原子が凝集した核による微細な凹凸の発生が防止され、優れた表面性（平坦性）を有する。そのため、このような金属材料を主材料とする各半透過層１３は、半透過性を有しつつ優れた反射性を有するものとすることができる。その結果、発光素子１_Ｒから出射する光の色純度および色再現性を高め、発光素子１_Ｒの光の取り出し効率を優れたものとすることができる。

添加金属としては、Ａｇの原子半径（金属結合半径）と異なる原子半径の金属であり、Ａｇ合金を形成しうるものであれば、特に限定されず、各種金属を用いることができるが、Ａｇの原子半径と添加金属の原子半径との差がＡｇの原子半径の１０％以上となる金属を用いるのが好ましい。これにより、薄膜状の各半透過層１３を形成するに際し、表面拡散や表面マイグレーションによってＡｇ原子が凝集した核による微細な凹凸の発生をより確実に防止することができる。

このような原子半径を有する添加金属の中でも、添加金属としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。具体的には、添加金属は、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌのうちのいずれか１種、または、これらのうちの２種以上の組み合わせであるのが好ましく、特に、Ｍｇ、Ｃｕが好適に用いることができる。
これにより、各半透過層１３の反射率および安定性を優れたものとすることができる。また、このような各半透過層１３は各種気相成膜法により容易に形成することができる。

また、金属材料は、Ａｇの含有量が８０〜９９．９原子％であり、添加金属の含有量が０．１〜２０原子％であるのが好ましく、Ａｇの含有量が９０〜９９．９原子％であり、添加金属の含有量が０．１〜１０原子％であるのがより好ましい。これにより、各半透過層１３の反射率を優れたものとすることができる。これに対し、Ａｇの含有量が前記上限値を超えたり添加金属の含有量が前記下限値未満であったりすると、各半透過層１３の厚さや添加金属の種類等によっては、各半透過層１３に微小な凹凸が生じる場合がある。一方、Ａｇの含有量が前記下限値未満であったり添加金属の含有量が前記上限値を超えたりすると、半透過層１３の厚さや添加金属の種類等によっては、各半透過層１３の反射率が低下する傾向を示す。

また、各半透過層１３は、気相成膜法を用いて形成されたものであるのが好ましい。これにより、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の半透過層１３を比較的簡単に形成することができる。
特に、各半透過層１３は、Ａｇと添加金属とを共蒸着することにより形成されたものであるのが好ましい。これにより、用いる添加金属の選択の幅を大きなものとしつつ、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の各半透過層１３を比較的簡単に形成することができる。

また、発光素子１_Ｒからの光（サブ画素１００_Ｒから出射する目的とする波長）に対する各半透過層１３の反射率は、２０〜８０％であるのが好ましく、３０〜７０％であるのがより好ましい。これにより、発光素子１_Ｒから出射する光の輝度を効果的に高めることができる。
また、各半透過層１３の厚さは、前述したような機能を発揮することができるものであれば特に限定されないが、１〜５０ｎｍであるのが好ましく、１〜３０ｎｍであるのがより好ましい。これにより、各半透過層１３を半透過性（発光素子１_Ｒからの光の一部を透過し残部を反射する機能）を有するものとすることができる。これに対し、かかる厚さが前記下限値未満であると、各半透過層１３の構成材料等によっては、均質な半透過層１３を形成するのが難しくなる。一方、かかる厚さが前記上限値を超えると、各半透過層１３の構成材料等によっては、半透過層１３を半透過性とするのが困難となる。

光透過層１４は、各半透過層１３とは異なる屈折率を有し、かつ、発光素子１_Ｒからの光に対し光透過性を有する。
また、光透過層１４は、１対の半透過層１３、１３間の距離Ｌを規定する機能を有する。
このような光透過層１４の厚さは、互いに隣り合う２つの半透過層１３間で所定波長（赤色の波長）の光を干渉させるように設定されている。これにより、光学干渉半透過部１９_Ｒから出射される光の強度および色純度を高めることができる。この場合、光透過層１４の厚さを調整することで互いに隣り合う２つの半透過層１３間の距離Ｌを所望値に設定することにより、当該２つの半透過層１３、１３間で光を干渉させることができる。より具体的には、輝度を高めたい色度の波長をλとしたとき、各半透過層１３での光反射時の位相のシフト量等を考慮しつつ、光透過層１４の厚さ（すなわち距離Ｌ）をｎλ／２程度とする（ここで、ｎは自然数である）。

具体的には、各光透過層１４の厚さは、前述したように用いる光の波長等に応じて決定され、特に限定されないが、５０〜３００ｎｍであるのが好ましい。このような膜厚で光透過層１４を形成することで、可視光での干渉を効果的に生じさせることができる。
光透過層１４の構成材料としては、所望の波長の光を透過することができるものであれば、特に限定されず、各種無機材料や各種有機材料を用いることができる。
また、光透過層１４は、半透過層１３とは屈折率が異なるように、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されているのが好ましい。これにより、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の光透過層１４を形成することができる。その結果、半透過層１３と光透過層１４との各界面も優れた表面性を有し、光の損失を低減することができる。
また、光透過層１４は、ＳｉＯ_２またはＳｉＯＮを主材料として構成されているのが好ましい。これにより、半透過層１３と光透過層１４との屈折率差を大きくし、半透過層１３と光透過層１４との各界面での反射特性を向上させることができる。

以上説明したように構成された光学干渉半透過部１９_Ｒによれば、各半透過層１３がＡｇ合金を主材料としているため、薄膜状の各半透過層１３を形成するに際し、表面拡散や表面マイグレーションによってＡｇ原子が凝集した核による微細な凹凸の発生を防止し、優れた表面性（平坦性）を有する薄膜状の半透過層１３を形成することができる。そのため、各半透過層１３を半透過性を有するものとしつつ優れた反射性を有するものとすることができる。その結果、光学干渉半透過部１９_Ｒから出射する光の色純度および色再現性を高め、発光素子の光の取り出し効率を優れたものとすることができる。
このような光学干渉フィルタ１０２（光学干渉半透過部１９_Ｒ）は、トップエミッション型の発光素子１_Ｒと組み合わせることで、比較的簡単な構成で高輝度かつ優れた色純度、色再現性、取り出し効率を有する表示装置１００を提供することができる。

（光学干渉フィルタの製造方法）
以上のように構成された光学干渉フィルタ１０２は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］ まず、基板２０を用意し、この基板２０上に遮光部３６を形成する。
遮光部３６は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。

［２］ 次に、遮光部３６の開口部に光学干渉半透過部１９_Ｒ、１９_Ｇ、１９_Ｂを形成する。
より具体的に説明すると、半透過層１３と光透過層１４とを交互に積層する。
半透過層１３および光透過層１４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
その際、各光透過層１４は、その厚さが前述したように各画素の波長に応じたものとなるように設定する。

以上のような工程を経て、光学干渉フィルタ１０２が得られる。
このようにして得られた光学干渉フィルタ１０２は、エポキシ樹脂等の接着性および透明性を有する熱硬化性樹脂で構成された樹脂層３５を介して、発光装置１０１に接合される。これにより、表示装置１００が得られる。
以上説明したような表示装置１００（本発明の表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。

図３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図４の携帯電話機、図５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、各発光素子が３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が１層、２層または４層以上であってもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。発光層が２層または４層以上である場合でも、各発光層の発光スペクトルを適宜設定することで、白色発光させることができる。例えば、発光層が２層である場合、青色の発光層と黄色の発光層とを組み合わせることで、白色発光させることができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．膜の表面粗さの測定
Ａｇで構成された膜（サンプル１）と、Ａｇ合金で構成された膜（サンプル２〜５）とを真空蒸着法によりガラス基板上に成膜した。ここで、各膜の構成材料として、サンプル１ではＡｇ、サンプル２ではＡｇＭｇ（Ａｇ：Ｍｇ＝１０：１）、サンプル３ではＡｇＣｕ（Ａｇ：Ｃｕ＝１０：１）、サンプル４ではＡｇＺｎ（Ａｇ：Ｚｎ＝１０：１）、サンプル５ではＡｇＮｄ（Ａｇ：Ｎｄ＝１０：１）を用い、また、各サンプル１〜５の膜厚を１０ｎｍとした。
そして、各サンプル１〜５について、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて、表面粗さ（自乗平均面粗さ［ｎｍ］）を測定した。その結果を表１に示す。

表１から明らかなように、Ａｇ合金を用いたサンプル２〜５の膜は、いずれも、Ａｇを用いたサンプル１の膜よりも極めて優れた平坦性を有していること（すなわち光の反射性が優れていること）がわかる。特に、ＡｇＭｇを用いたサンプル２の膜の平坦性が優れていた。

２．発光素子の製造
（実施例）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、画素用のＡｇ反射膜およびＩＴＯ電極（陽極）をこの順に画素毎に形成した。ここで、Ｒ画素用のＩＴＯ電極の平均厚さを１１０ｎｍとし、Ｇ画素用のＩＴＯ電極の平均厚さを７０ｎｍとし、Ｂ画素用のＩＴＯ電極の平均厚さを３０ｎｍとした。また、Ａｇ反射膜の平均厚さを１００ｎｍとした。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、上記化１で表わされるテトラアミン化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ４０ｎｍの正孔注入層を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層上に、上記化３で表わされるＮＰＤを真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
＜４＞ 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの赤色発光層（第１の発光層）を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料（ゲスト材料）として上記化４で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化５で表わされる化合物を用いた。また、赤色発光層中の発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１．０ｗｔ％とした。

＜５＞ 次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ７ｎｍの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、アミン系材料として上記化３で表されるＮＰＤを用いた。
＜６＞ 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ１０ｎｍの青色発光層（第２の発光層）を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として上記化７で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化６で表わされる化合物を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、６．０ｗｔ％とした。

＜７＞ 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ３０ｎｍの緑色発光層（第３の発光層）を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料（ゲスト材料）として上記化８で表わされる化合物を用い、ホスト材料として上記化６で表わされる化合物を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、１．０ｗｔ％とした。
＜８＞ 次に、緑色発光層上に、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１０ｎｍの電子輸送層を形成した。

＜９＞ 次に、電子輸送層上に、ＬｉＦを真空蒸着法により成膜し、平均厚さ１ｎｍの陰極を形成した。
＜１０＞ 次に、電子注入層上に、ＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ５ｎｍの陰極を形成した。これにより、各画素の発光素子を備える発光装置を得た。
＜１１＞ 一方、ガラス基板上に、ＡｇＭｇ（Ａｇ：Ｍｇ＝１０：１）とＳｉＯＮとを真空蒸着法（共蒸着法）により交互に成膜し、図２に示すような３層の半透過層と２層の光透過層を形成し、各画素の光学干渉半透過部を得た。

ここで、光透過層については、Ｒ画素用では６１０ｎｍ、Ｇ画素用では５３０ｎｍ、Ｂ画素用では４６０ｎｍの光が半透過層と光透過層との界面同士の間で干渉（共振）するように厚さを設定した。具体的には、Ｒ画素用の各光透過層の平均厚さを１６０ｎｍとし、Ｇ画素用の各光透過層の平均厚さを１３３ｎｍとし、Ｂ画素用の各光透過層の平均厚さを１０７ｎｍとした。
また、半透過層（ＡｇＭｇ）の屈折率ｎは、波長４６０ｎｍの光に対して０．２６、波長５３０ｎｍの光に対して０．２０、波長６１０ｎｍの光に対して０．２１であった。また、光透過層（ＳｉＯＮ）の屈折率ｎは、波長４６０ｎｍの光に対して０１．７８、波長５３０ｎｍの光に対して１．７６、波長６１０ｎｍの光に対して１．７５であった。

＜１２＞ そして、光学干渉半透過部のガラス基板とは反対側と、上記の工程＜１０＞で得られた発光装置の陰極側とをエポキシ樹脂により接合した。ここで、エポキシ樹脂による接合層の平均厚さは、１００μｍであった。
以上のようにしてＲ、Ｇ、Ｂのサブ画素を有する表示装置を得た。

（比較例１）
前述した工程＜１１＞＜１２＞を省略した以外は、前述した実施例１と同様にしてＲ、Ｇ、Ｂの各画素毎の発光素子を製造した。
（比較例２）
ＡｇＭｇに代えてＡｇを用いて半透過層を形成し、これに伴い光透過層の厚さを表１に示すように変更した以外は、前述した実施例１と同様にして表示装置を製造した。

ここで、光透過層について、Ｒ画素用では６１０ｎｍ、Ｇ画素用では５３０ｎｍ、Ｂ画素用では４６０ｎｍの光が半透過層と光透過層との界面同士の間で干渉（共振）するように厚さを設定した。具体的には、Ｒ画素用の光透過層の平均厚さを１６０ｎｍとし、Ｇ画素用の光透過層の平均厚さを１３０ｎｍとし、Ｂ画素用の光透過層の平均厚さを１００ｎｍとした。
また、半透過層（Ａｇ）の屈折率ｎは、波長４６０ｎｍの光に対して１．４２、波長５３０ｎｍの光に対して２．５３、波長６１０ｎｍの光に対して３．０３であった。

（比較例３）
ＡｇＭｇに代えてＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を用いて半透過層を形成し、これに伴い光透過層の厚さを表１に示すように変更した以外は、前述した実施例１と同様にして表示装置を製造した。
ここで、Ｒ画素用では６１０ｎｍ、Ｇ画素用では５３０ｎｍ、Ｂ画素用では４６０ｎｍの光が半透過層と光透過層との界面同士の間で共振するように光透過層の厚さを設定した。具体的には、Ｒ画素用の光透過層の平均厚さを１７０ｎｍとし、Ｇ画素用の光透過層の平均厚さを１４４ｎｍとし、Ｂ画素用のフィルムの平均厚さを１２１ｎｍとした。
また、半透過層（ＭｇＡｇ）の屈折率ｎは、波長４６０ｎｍの光に対して０．５２、波長５３０ｎｍの光に対して０．５７、波長６１０ｎｍの光に対して０．６７であった。

２．評価
実施例および各比較例の各画素の発光素子について、直流電源を用いて各発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、輝度計を用いて各発光素子の輝度を測定し、その結果から取り出し効率を求め、その結果を表２に示す。ここで、取り出し効率は、比較例１の発光素子の各画素の色での輝度を基準（１００％）とし、この基準に対する実施例および各比較例の輝度の割合として求めた。

また、実施例および各比較例の各画素の発光素子について、直流電源を用いて各発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２の定電流を流し、その際の発光スペクトルを測定し、そのピーク（Ｒ画素用では６１０ｎｍ、Ｇ画素用では５３０ｎｍ、Ｂ画素用では４６０ｎｍ）における半値幅を表２に示す。
表２から明らかなように、実施例の各画素は、各比較例の各画素に比し、輝度が高いことがわかる。また、実施例の各画素は、発光スペクトルのピークにおける半値幅が狭く、色度を高めることができた。なお、比較例２では、半透過層のプラズモン吸収により共振効果が得られなかった。

本発明の発光装置の製造方法により得られる発光装置を含む表示装置の一例（ディスプレイ装置）を示す模式的断面図である。 図１に示す発光装置に備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１_Ｂ、１_Ｇ、１_Ｒ……発光素子 ３……陽極 ４……正孔注入層 ５……正孔輸送層 ６……第１の発光層 ７……中間層 ８……第２の発光層 ９……第３の発光層 １０……電子輸送層 １１……電子注入層 １２……陰極 １３……半透過層 １４……透過層 １５……積層体 １９_Ｂ、１９_Ｇ、１９_Ｒ……光学干渉半透過部 １００……ディスプレイ装置 １００_Ｂ、１００_Ｇ、１００_Ｒ……サブ画素 １０１……発光装置 １０２……光学干渉フィルタ ２０……基板 ２１……基板 ２２……平坦化層 ２４……スイッチング素子 ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２７……導電部 ３１……隔壁 ３２……反射膜 ３３……腐食防止膜 ３４……陰極カバー ３５……樹脂層 ３６……遮光層 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ

Claims (16)

1. 光透過性を有する複数の半透過層と、
   前記各半透過層とは異なる屈折率を有し、かつ、光透過性を有する複数の光透過層とを有し、
   前記半透過層と前記光透過層とが交互に複数積層され、
   前記半透過層と前記光透過層との界面同士の間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、当該界面同士の間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るように構成され、
   前記各半透過層は、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されていることを特徴とする光学干渉フィルタ。
2. Ａｇの原子半径と前記添加金属の原子半径との差は、Ａｇの原子半径の１０％以上である請求項１に記載の光学干渉フィルタ。
3. 前記添加金属は、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌのうちのいずれか１種、または、これらのうちの２種以上の組み合わせである請求項２に記載の光学干渉フィルタ。
4. 前記金属材料は、Ａｇの含有量が８０〜９９．９原子％であり、前記添加金属の含有量が０．１〜２０原子％である請求項１ないし３のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
5. 前記半透過層は、気相成膜法を用いて形成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
6. 前記半透過層は、Ａｇと前記添加金属とを共蒸着することにより形成されたものである請求項５に記載の光学干渉フィルタ。
7. 前記半透過層の厚さは、１〜５０ｎｍである請求項１ないし６のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
8. 前記半透過層の前記光に対する反射率は、２０〜８０％である請求項１ないし７のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
9. 前記光透過層は、前記半透過層とは屈折率が異なるように、Ａｇに、Ａｇとは原子半径の異なる添加金属を添加してなる金属材料を主材料として構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
10. 前記光透過層は、ＳｉＯ_２またはＳｉＯＮを主材料として構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
11. 前記光透過層の厚さは、５０〜３００ｎｍである請求項１ないし１０のいずれかに記載の光学干渉フィルタ。
12. 請求項１ないし１１のいずれかに記載の光学干渉フィルタと、
    陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に設けられた少なくとも１層の発光層とを有する発光素子とを有し、
    前記発光素子からの光を前記光学干渉フィルタを介して出射するように構成されていることを特徴とする表示装置。
13. 前記発光素子は、前記少なくとも１層の発光層での発光を前記陰極側から出射するトップエミッション構造を有する請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記少なくとも１層の発光層は、互いに発光スペクトルの異なる複数層の発光層で構成され、当該複数層の発光層全体として白色発光するように構成されている請求項１２または１３に記載の表示装置。
15. 前記少なくとも１層の発光層は、赤色に発光する赤色発光層と、緑色に発光する緑色発光層と、青色に発光する青色発光層とを含んで構成されている請求項１４に記載の表示装置。
16. 請求項１２ないし１５のいずれかに記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。

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