JP2531833B2 - Level conversion circuit - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレベル変換回路に関し、特にBICMOS型論理回
路において、ECL論理レベルからCMOS論理レベルにレベ
ル変換する、レベル変換回路に関する。The present invention relates to a level conversion circuit, and more particularly to a level conversion circuit for converting a level of an ECL logic level to a CMOS logic level in a BICMOS type logic circuit.
従来、この種のレベル変換器としては、第3図に示さ
れる回路が一般に良く用いられている。第3図に示され
るように、従来のレベル変換回路は、PチャネルMOSト
ランジスタ13,15と、NチャネルMOSトランジスタ14,16
とを備えて構成されており、入力端子59および60に、そ
れぞれ論理レベルAおよびとしてECL論理レベルが入
力されると、出力端子61からは、論理レベルとして、
所定のCMOS論理レベルが出力される。Conventionally, as a level converter of this type, the circuit shown in FIG. 3 is generally well used. As shown in FIG. 3, the conventional level conversion circuit has P-channel MOS transistors 13 and 15 and N-channel MOS transistors 14 and 16.
When the ECL logic level is inputted to the input terminals 59 and 60 as the logic levels A and, respectively, the logic level from the output terminal 61 becomes
A predetermined CMOS logic level is output.
上述した従来のレベル変換回路においては、第3図に
おいて、入力端子59および60にECL論理レベルが入力さ
れると、出力端子61からはCMOS論理レベルが出力され
る。今、入力端子59および60より入力されるECL論理レ
ベルAおよびにおいて、Aがハイでがロウの状態に
ある時には、PチャネルMOSトランジスタ13はOFFの状態
にある。従って、NチャネルMOSトランジスタ14,16もOF
Fの状態となり、PチャネルMOSトランジスタ15のみがON
の状態となる。すなわち、出力端子61から出力される論
理レベルとしては、端子62から供給される電い源い電
圧VCCすなわちCMOS論理レベルのハイが出力される。In the conventional level conversion circuit described above, in FIG. 3, when the ECL logic level is input to the input terminals 59 and 60, the CMOS logic level is output from the output terminal 61. Now, at the ECL logic levels A and A inputted from the input terminals 59 and 60, when A is high and low, the P-channel MOS transistor 13 is off. Therefore, the N-channel MOS transistors 14 and 16 are also OF
The state becomes F, and only the P-channel MOS transistor 15 turns on.
It becomes the state of. That is, as the logic level output from the output terminal 61, the power source voltage V CC supplied from the terminal 62, that is, the CMOS logic level high is output.
次に、入力のECL論理レベルAがロウでがハイの場
合には、PチャネルMOSトランジスタ15のみがOFFの状態
となり、他のトランジスタ13,14および16はONの状態と
なる。従って、この場合には、出力端子61から出力され
る論理レベルとしては、CMOS論理レベルのロウが出力
される。この状態においては、PチャネルMOSトランジ
スタ13とNチャネルMOSトランジスタ14とが共にONの状
態となるため、定常的に貫通電流が流れる。この動作状
態は第4図に示されるとおりで、論理レベルA,および
に対応して、ミラー電流(1)が定常的に流れること
が分る。すなわち、貫通電流が、徒らに消費電流とし
て、定常的に消費されるという欠点がある。Next, when the input ECL logic level A is low and high, only the P-channel MOS transistor 15 is turned off and the other transistors 13, 14 and 16 are turned on. Therefore, in this case, as the logic level output from the output terminal 61, the CMOS logic level low is output. In this state, both the P-channel MOS transistor 13 and the N-channel MOS transistor 14 are in the ON state, so that the through current constantly flows. This operation state is as shown in FIG. 4, and it can be seen that the mirror current (1) constantly flows corresponding to the logic levels A and. That is, there is a drawback in that the shoot-through current is constantly consumed as consumption current.
本発明のレベル変換回路は、カレントミラー回路と、
ミラー電流を出力するMOSトランジスタとを含んで形成
されるレベル変換回路において、一定のミラー電流を供
給する第1のMOSトランジスタと、前記レベル変換回路
の出力論理レベルにより、ミラー電流を制御されて供給
する第2のMOSトランジスタと、をカレントミラー回路
として備えて構成される。The level conversion circuit of the present invention includes a current mirror circuit,
In a level conversion circuit formed by including a MOS transistor that outputs a mirror current, the mirror current is controlled and supplied by a first MOS transistor that supplies a constant mirror current and an output logic level of the level conversion circuit. And a second MOS transistor that functions as a current mirror circuit.
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1
図は、本発明の第1の実施例の回路図である。第1図に
示されるように、本実施例は、PチャネルMOSトランジ
スタ1,3,4および5と、NチャネルMOSトランジスタ2お
よび6と、インバータ7と、を備えて構成される。Next, the present invention will be described with reference to the drawings. First
The drawing is a circuit diagram of the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment includes P-channel MOS transistors 1, 3, 4 and 5, N-channel MOS transistors 2 and 6, and an inverter 7.
第1図において、PチャネルMOSトランジスタ1およ
び3は、NチャネルMOSトランジスタ6のカレントミラ
ー回路を構成しており、NチャネルMOSトランジスタ2
のミラー電流を設定する。PチャネルMOSトランジスタ
5は、NチャネルMOSトランジスタ6とともに、レベル
変換回路の出力回路を形成しており、その出力は、イン
バータ7を介して出力端子53から出力されるとともに、
PチャネルMOSトランジスタ4のゲートに入力されて、
PチャネルMOSトランジスタ3のミラー電流を制御す
る。In FIG. 1, P-channel MOS transistors 1 and 3 form a current mirror circuit of N-channel MOS transistor 6, and N-channel MOS transistor 2
Set the mirror current of. The P-channel MOS transistor 5 forms an output circuit of the level conversion circuit together with the N-channel MOS transistor 6, and its output is output from the output terminal 53 via the inverter 7, and
When input to the gate of the P-channel MOS transistor 4,
It controls the mirror current of the P-channel MOS transistor 3.
今、入力のECL論理レベルAがロウに変化すると、P
チャネルMOSトランジスタ1,3はONの状態となり、Nチャ
ネルMOSトランジスタ2にはミラー電流が供給される
が、出力端子53における論理レベルOがハイに変化する
と、ミラー電流制御用のPチャネルMOSトランジスタ4
がOFFの状態となり、PチャネルMOSトランジスタ3にミ
ラー電流が供給されなくなる。Now, when the input ECL logic level A changes to low, P
The channel MOS transistors 1 and 3 are turned on, and the mirror current is supplied to the N-channel MOS transistor 2, but when the logic level O at the output terminal 53 changes to high, the P-channel MOS transistor 4 for controlling the mirror current is supplied.
Is turned off, and the mirror current is not supplied to the P-channel MOS transistor 3.
第4図に示されるのは、以上の動作に対応する入出力
論理レベルとミラー電流(2)とを、時間の関係におい
て表わしたものである。なお、第4図において、破線に
て示されているミラー電流(1)は、前述したとおり、
従来のレベル変換回路におけるミラー電流を示す。FIG. 4 shows the input / output logic level and the mirror current (2) corresponding to the above operation in a time relationship. In FIG. 4, the mirror current (1) indicated by the broken line is as described above.
The mirror current in the conventional level conversion circuit is shown.
次に、本発明の第2の実施例について説明する。第2
図は第2の実施例の回路図である。第2図に示されるよ
うに、本実施例は、PチャネルMOSトランジスタ7,9,11
と、NチャネルMOSトランジスタ8,10,12と、を備えて構
成される。Next, a second embodiment of the present invention will be described. Second
The figure is a circuit diagram of the second embodiment. As shown in FIG. 2, in this embodiment, P-channel MOS transistors 7, 9, 11 are used.
And N-channel MOS transistors 8, 10, and 12.
本実施例の前記第1の実施例との相違点は、Pチャネ
ルMOSトランジスタ9のミラー電流の制御が、Nチャネ
ルMOSトランジスタ10により行われており、しかも、N
チャネルMOSトランジスタ10のベースに対する制御用と
して、出力端子57から出力される論理レベルが直接入力
されていることである。その他の動作については第1の
実施例の場合と同様である。The difference between this embodiment and the first embodiment is that the mirror current of the P-channel MOS transistor 9 is controlled by the N-channel MOS transistor 10, and
The logic level output from the output terminal 57 is directly input for controlling the base of the channel MOS transistor 10. Other operations are similar to those in the first embodiment.
以上、詳細に説明したように、本発明は、常時一定の
ミラー電流を供給するMOSトランジスタと、出力論理レ
ベルにより制御されるミラー電流を供給されるMOSトラ
ンジスタと、をカレントミラー回路として備えることに
より、定常動作状態におけるカレントミラー回路の貫通
電流の低減を図ることが可能となり、消費電力の少ない
レベル変換回いを提供することができるという効果があ
る。As described above in detail, the present invention includes a MOS transistor that constantly supplies a constant mirror current and a MOS transistor that supplies a mirror current controlled by an output logic level as a current mirror circuit. The through current of the current mirror circuit in the steady operation state can be reduced, and the level conversion circuit with low power consumption can be provided.
第1図および第2図は、それぞれ本発明の第1および第
2の実施例の回路図、第3図は従来例の回路図、第4図
は、回路の動作状態を示す図である。 図において、1,3,4,5,13,15……PチャネルMOSトランジ
スタ、2,6,14,16……NチャネルMOSトランジスタ、7…
…インバータ。1 and 2 are circuit diagrams of the first and second embodiments of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional example, and FIG. 4 is a diagram showing an operating state of the circuit. In the figure, 1,3,4,5,13,15 ... P-channel MOS transistors, 2,6,14,16 ... N-channel MOS transistors, 7 ...
… Inverter.
Claims (1)
するMOSトランジスタとを含んで形成されるレベル変換
回路において、 一定のミラー電流を供給する第1のMOSトランジスタ
と、 前記レベル変換回路の出力論理レベルにより、ミラー電
流を制御されて供給する第2のMOSトランジスタと、 をカレントミラー回路として備えることを特徴とするレ
ベル変換回路。1. A level conversion circuit including a current mirror circuit and a MOS transistor for outputting a mirror current, comprising: a first MOS transistor for supplying a constant mirror current; and an output logic of the level conversion circuit. A level conversion circuit comprising: a second MOS transistor controlled to supply a mirror current according to the level; and a current mirror circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140809A JP2531833B2 (en) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Level conversion circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140809A JP2531833B2 (en) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Level conversion circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435412A JPH0435412A (en) | 1992-02-06 |
| JP2531833B2 true JP2531833B2 (en) | 1996-09-04 |
Family
ID=15277246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140809A Expired - Lifetime JP2531833B2 (en) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | Level conversion circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531833B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5202594A (en) * | 1992-02-04 | 1993-04-13 | Motorola, Inc. | Low power level converter |
| WO2014034084A1 (en) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Ps4 Luxco S.A.R.L. | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140809A patent/JP2531833B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435412A (en) | 1992-02-06 |
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