JP2541003B2 - Sample-hold circuit - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アナログ信号の瞬時値を標本化し保持する
サンプルホールド回路に関し、特に、高速のアナログ信
号を取り扱い、集積回路化に適したサンプルホールド回
路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sample and hold circuit that samples and holds an instantaneous value of an analog signal, and more particularly to a sample and hold circuit that handles a high speed analog signal and is suitable for integration into an integrated circuit. .
従来の技術 従来、この種のサンプルホールド回路として、第3図
に示すような回路が知られているが、その動作を以下に
述べる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a sample hold circuit of this type, a circuit as shown in FIG. 3 is known, and its operation will be described below.
いま、第3図において、サンプルホールド制御入力端
子33及び34(通常、入力端子34は入力端子33に対して位
相が180°異なる矩形波の反転入力が入力される)の制
御入力信号がそれぞれハイレベル状態“H"、ロウレベル
状態“L"(以下、常に“H"および“L"と示す)にある場
合には差動トランジスタ対Q34、Q35および差動トランジ
スタ対Q36、Q37のうちトランジスタQ34、Q37が共に導通
状態、トランジスタQ35、Q36は共に遮断状態となり本回
路の状態はサンプルモードとなる。すなわち、入力端子
31から入力されるヌナログ信号VinはトランジスタQ31の
ベースに印加され、トランジスタQ31はエミッタフォロ
ワ動作をする。トランジスタQ31のエミッタに接続され
たダイオードD31ないしD33はレベルシフト回路として動
作し、その電流は定電流源I34により供給される。トラ
ンジスタQ31のベースエミッタ間電圧をVBE31、ダイオー
ドD31ないしD33の順方向電圧を全て等しいと仮定しVDと
おくと、トランジスタQ32のベースに印加される電圧はV
in−VBE31+3VDとなる。定電流源I34の電流とトランジ
スタQ31の動作電流とを加え合わせた電流はトランジス
タQ34を介して定電流源I31の電流となる。エミッタにホ
ールド容量CHが接続されたエミッタフォロワ動作をする
トランジスタQ32は上記Vin−VBE31+3VDの電圧をベー
スに受けホールド容量CHを充電する。この時のトランジ
スタQ32のベースエミッタ間電圧をVBE32とおくとホール
ド容量CHの電位はVin−(VBE31+VBE32)+3VDとな
り、アナログ入力信号Vinに対して電位が3VD−(VBE31
+VBE32)レベルシフトされて追従する。さらに、第3
図に示すようにトランジスタQ32のエミッタにベースが
接続されたトランジスタQ38及び定電流源I33からなるエ
ミッタフォロワ回路を接続し、トランジスタQ38のエミ
ッタ即ち出力端子32より出力信号VOを取り出すようにし
た場合には、トランジスタQ38のベースエミッタ間電圧
がVBE38の時、VO=Vin−(VBE31+VBE32+VBE38)+3V
Dとなる。ここで、トランジスタQ31、Q32、Q38、ダイオ
ードD31ないしD33の各素子の電流密度が等しくなるよう
に設定するとVBE31+VBE32+VBE38≒3VDとおくことが
でき、その結果Vin≒VDとすることが可能となる。即ち
サンプルモードにおいては出力信号VOは入力信号Vinに
等しく追従することになる。Now, in FIG. 3, the control input signals of the sample hold control input terminals 33 and 34 (normally, the input terminal 34 receives an inverted input of a rectangular wave whose phase is 180 ° different from the input terminal 33), respectively. In the case of the level state “H” and the low level state “L” (hereinafter always referred to as “H” and “L”), the transistor Q34 of the differential transistor pair Q34, Q35 and the differential transistor pair Q36, Q37, Both Q37 are conductive, both transistors Q35 and Q36 are cut off, and the state of this circuit is the sample mode. That is, the input terminal
The nunalog signal Vin input from 31 is applied to the base of the transistor Q31, and the transistor Q31 operates as an emitter follower. The diodes D31 to D33 connected to the emitter of the transistor Q31 operate as a level shift circuit, the current of which is supplied by the constant current source I34. Assuming that the base-emitter voltage of the transistor Q31 is V BE31 and the forward voltages of the diodes D31 to D33 are all equal, and V D is set, the voltage applied to the base of the transistor Q32 is V BE31 .
It becomes in-V BE31 + 3V D. The current obtained by adding the current of the constant current source I34 and the operating current of the transistor Q31 becomes the current of the constant current source I31 via the transistor Q34. The transistor Q32, which operates as an emitter follower and has the hold capacitor C H connected to the emitter, receives the voltage of Vin-V BE31 + 3V D as a base and charges the hold capacitor C H. If the base-emitter voltage of the transistor Q32 at this time is V BE32 , the potential of the hold capacitor C H becomes Vin− (V BE31 + V BE32 ) + 3V D , and the potential is 3 V D− (V BE31 for the analog input signal Vin.
+ V BE32 ) Level shift and follow. Furthermore, the third
As shown in the figure, when an emitter follower circuit consisting of a transistor Q38 whose base is connected to the emitter of the transistor Q32 and a constant current source I33 is connected and the output signal V O is taken out from the emitter of the transistor Q38, that is, the output terminal 32. When the base-emitter voltage of the transistor Q38 is V BE38 , V O = Vin- (V BE31 + V BE32 + V BE38 ) + 3V
It becomes D. Here, if the current densities of the transistors Q31, Q32, Q38 and the diodes D31 to D33 are set to be equal, V BE31 + V BE32 + V BE38 ≈3 V D can be set, and as a result Vin ≈V D It becomes possible. That is, in the sample mode, the output signal V O follows the input signal Vin equally.
次に、端子33、34の信号SH、SHがそれぞれ“L"、“H"
の場合には、トランジスタQ34、Q37が共に遮断状態、ト
ランジスタQ35、Q36が共に導通状態となり、本回路はホ
ールドモードとなる。即ちトランジスタQ37、Q32が遮断
状態となるためにホールド容量GHの充電動作は停止さ
れ、ベースがホールジ容量GHの接地側でない一端に接続
されたトランジスタQ33が動作を開始して、ホールド容
量GHの電位Vin+VDの値は保持される。この時、定電流
源I31、I32の電流はダイオードD34およびトランジスタQ
35、Q36を介して定電流源I34からと、トランジスタQ33
およびトランジスタQ35、Q36を介して電源線35より供給
される。Next, the signals SH and SH of the terminals 33 and 34 are "L" and "H", respectively.
In the case of, the transistors Q34 and Q37 are both cut off, the transistors Q35 and Q36 are both conductive, and the circuit is in the hold mode. That is, since the transistors Q37 and Q32 are turned off, the charging operation of the hold capacitance G H is stopped, and the transistor Q33 whose base is connected to one end of the hold capacitance G H that is not on the ground side starts the operation to hold the hold capacitance G H. The value of the potential Vin + V D of H is held. At this time, the currents of the constant current sources I31 and I32 are the diode D34 and the transistor Q.
35, Q36 from constant current source I34 and transistor Q33
Also, it is supplied from the power supply line 35 through the transistors Q35 and Q36.
以上に述べたように、サンプルモードに於いては入力
信号Vinに出力信号VOが追従(VO=Vin)し、ホールドモ
ードに状態が切り換わると入力信号Vinの瞬時値を保持
するというサンプルホールド回路の機能が実行される。As described above, in the sample mode, the output signal V O follows the input signal Vin (V O = Vin), and the sample holds the instantaneous value of the input signal Vin when the state switches to the hold mode. The function of the hold circuit is executed.
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述した従来のサンプルホールド回路
においては、ホールドモードの際に、ホールド容量GHに
接続されたトランジスタのバイアス電流(ベース電流)
IBが原因で、出力信号VOがIB/CHなる率で漸時減少傾向
を呈する、いわゆるドループ特性を示す。However, in the above-described conventional sample hold circuit, in the hold mode, the bias current (base current) of the transistor connected to the hold capacitance G H.
Due to I B , the output signal V O exhibits a so-called droop characteristic in which it gradually exhibits a decreasing tendency at a rate of I B / C H.
これに対して、高速の入力信号を扱う場合には、一般
に素子の動作電流を大きく設定する必要があり、バイア
ス電流も大きくなるために第3図に示すような従来例に
おいてはドループが大きくなり過ぎ、サンプルホールド
回路本来の保持機能を失う。On the other hand, in the case of handling a high-speed input signal, it is generally necessary to set the operating current of the element to a large value, and the bias current also increases, so that the droop becomes large in the conventional example as shown in FIG. After that, the original holding function of the sample hold circuit is lost.
また、ドループほ小さくするために、バイアス電流IB
を小さくする意図でホールド容量CHに接続されるトラン
ジスタに接合形電界効果トランジスタあるいは電流増幅
率の大きなトランジスタが用いられることがしばしばあ
るが、集積回路化を考慮すると、標準的な集積回路製造
プロセスに加え上記の特殊なトランジスタを同時に作り
込むためのプロセスを要し、このドループの問題に対処
するためだけの理由でプロセスが複雑即ち高価なものに
なるという不都合が生ずる。In addition, the bias current I B
A junction field effect transistor or a transistor with a large current amplification factor is often used as the transistor connected to the hold capacitor C H with the intention of reducing the In addition, a process for simultaneously manufacturing the above-mentioned special transistor is required, and the process becomes complicated or expensive only for the purpose of dealing with the droop problem.
さらに、ホールド容量CHに接続されるトランジスタを
ダーリントン接続形式とすること、あるいはバイアス電
流補償回路を新たに設けること等の回路技術を用いる場
合あるいはホールド容量GHの値を大きくした場合のよう
に、複雑かつ高価な集積回路製造プロセスを必要としな
い場合を考慮しても、これらは本質的に高速化には適当
ではなく、サンプルモードにおける速い変化の入力信号
に回路の応答が追従できなくなるという問題を生ずる。Furthermore, as in the case of using a circuit technology such as making the transistor connected to the hold capacitance C H a Darlington connection type or newly providing a bias current compensation circuit, or when increasing the value of the hold capacitance G H. However, even if they do not require complicated and expensive integrated circuit manufacturing processes, they are not suitable for speedup in nature, and the circuit response cannot follow the rapidly changing input signal in the sample mode. Cause problems.
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであ
り、従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記
諸課題を解決することを可能とした新規なサンプルホー
ルド回路を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and therefore an object of the present invention is to provide a novel sample hold circuit capable of solving the above-mentioned problems inherent in the conventional technology. is there.
課題を解決するための手段 上記目的を達成する為に、本発明に係るサンプルホー
ルド回路は、定電流源と、コレクタが前記定電流源に接
続された一方のトランジスタと他方のトランジスタのベ
ースが一定電圧にバイアスされコレクタが電源に接続さ
れた該他方のトランジスタからなる第1の差動回路と、
ベースが前記定電流源に接続されコレクタが前記電源に
接続されエミッタにホールド容量が接続された第1のト
ランジスタと、アノード側が前記定電流源に接続された
単一もしくは複数のダイオードと、一方のトランジスタ
のコレクタが前記第1の差動回路の共通エミッタに接続
され他方のトランジスタのコレクタが前記定電流源に接
続された第2の差動回路と、一方のトランジスタのコレ
クタが電源に接続され他方のトランジスタのコレクタが
前記第1のトランジスタのエミッタに接続された第3の
差動回路と、ベースにホールド容量の電圧を受けて動作
するエミッタフォロワと、前記エミッタフォロワの出力
が前記第1の差動回路のコレクタが前記定電流源に接続
されたトランジスタのベースに帰還する手段とを具備し
て構成される。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, in a sample hold circuit according to the present invention, a constant current source and one transistor whose collector is connected to the constant current source and a base of the other transistor are constant. A first differential circuit including the other transistor biased to a voltage and having a collector connected to a power supply;
A first transistor having a base connected to the constant current source, a collector connected to the power source, and an emitter connected to a hold capacitor; and a single or a plurality of diodes having an anode side connected to the constant current source, one of A second differential circuit in which the collector of the transistor is connected to the common emitter of the first differential circuit and the collector of the other transistor is connected to the constant current source, and the collector of one transistor is connected to the power supply and the other A third differential circuit in which the collector of the transistor is connected to the emitter of the first transistor, an emitter follower that operates by receiving the voltage of the hold capacitor at the base, and the output of the emitter follower has the first difference. Means for returning the collector of the driving circuit to the base of the transistor connected to the constant current source.
実施例 次に、本発明をその好ましい各実施例について図面を
参照して具体的に説明する。EXAMPLES Next, the present invention will be specifically described with reference to the drawings for each of its preferable examples.
第1図は本発明による第1の実施例を示す回路構成図
である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
第1図を参照するに、いま、サンプルホールド制御入
力端子13およびその反転入力端子14の入力信号SH、▲
▼がそれぞれ“H"、“L"の状態、即ち本回路の状態が
サンプルモードの場合には、差動トランジスタ対Q14、Q
15および差動トランジスタ対Q16、Q17のうちトランジス
タQ14、Q17が共に導通状態、トランジスタQ15、Q16が共
に遮断状態となる。この場合本回路は、差動トランジス
タ対Q11、Q12と、トランジスタQ13、Q18、Q14、Q17と、
定電流源I11、I12、I13、I14と、抵抗Rf、Rsとにより反
転増幅器として動作する。入力信号Vin′と出力信号VO
との関係は、 となる。ここで、Rf=Rsと仮定すれば、 VO=−Vin ………(2) となり、利得−1の反転増幅器として動作する。Referring to FIG. 1, the input signal SH of the sample hold control input terminal 13 and its inverting input terminal 14 is now ▲
When ▼ is “H” and “L” respectively, that is, when this circuit is in the sample mode, the differential transistor pair Q14, Q
Of the 15 and the differential transistor pair Q16, Q17, the transistors Q14, Q17 are both in the conductive state, and the transistors Q15, Q16 are in the cut-off state. In this case, this circuit includes a differential transistor pair Q11, Q12, transistors Q13, Q18, Q14, Q17,
The constant current sources I11, I12, I13 and I14 and the resistors Rf and Rs operate as an inverting amplifier. Input signal Vin ′ and output signal V O
Relationship with Becomes Assuming that Rf = Rs, V O = −Vin (2), and the gain −1 operates as an inverting amplifier.
入力制御信号SH、▲▼がそれぞれ“L"、“H"の場
合、即ちトランジスタQ14、Q17が共に遮断状態、トラン
ジスタQ15、Q16が共に導通状態になると、本回路はホー
ルドモードとなる。サンプルモードにおいてはエミッタ
フォロワ動作をし、ホールド容量GHの充放電動作を停止
し、ホールド容量GHの電位の瞬時値が保持される。この
とき、トランジスタQ13を遮断状態にするための条件
は、トランジスタQ11、Q13、Q18のベースエミッタ間電
圧をそれぞれVBE11、VBE13、VBE20とし、ダイオードD11
の順方向電圧をVDと仮定すると、 VO+VBE18+VBE13>−VBE11−VD ………(3) となる。従って、 VBE11+VBE13+VBE18+VD>−VO=Vin ………(4) であれば良い。When the input control signals SH and ▲ ▼ are “L” and “H”, respectively, that is, when the transistors Q14 and Q17 are both in the cutoff state and the transistors Q15 and Q16 are both in the conduction state, this circuit is in the hold mode. And an emitter follower operation in sample mode, to stop the charging and discharging operation of the hold capacitor G H, the instantaneous value of the potential of the hold capacitor G H is held. In this case, conditions for the transistor Q13 to the blocking state, the transistors Q11, Q13, Q18 of the base-emitter voltage of the respective V BE11, V BE13, V BE20 , a diode D11
Assuming that the forward voltage of V D is V D , V O + V BE18 + V BE13 > −V BE11 −V D ……… (3). Therefore, V BE11 + V BE13 + V BE18 + V D > −V O = Vin ... (4)
ホールドモードにおいて、導通状態にあるトランジス
タQ15、Q16の動作電流は、トランジスタQ15に関しては
トランジスタQ11の電流がダイオードD11を介しておよび
定電流源I14の電流がその動作電流となり、またトラン
ジスタQ16に関しては電源線15より直接供給される。In the hold mode, the operating currents of the transistors Q15 and Q16 in the conductive state are as follows: for the transistor Q15, the current of the transistor Q11 is through the diode D11 and the current of the constant current source I14 is its operating current. Supplied directly from line 15.
なお、以上の説明に於いて、Rf=Rsと仮定したが、当
然のこと乍らRf≠Rsとしてサンプルモードにおける利得
を−1以外で使用することも考えられる。In the above description, it was assumed that Rf = Rs, but it is naturally possible to use Rf ≠ Rs and use a gain in the sample mode other than −1.
第1図に示された第1の実施例では、ホールド容量GH
の漏れ電流は無視し得るものとして、トランジスタQ18
の電流増幅率をhFEとおくと、ドループレイトdVO/dt
は、 となる。これに対して従来例においては、トランジスタ
Q3、Q8の電流増幅率をhFEと仮定すると となるために、各定電流源の値を仮にI1=I2=I3=I13,
I1=2・I4と設定すると となる。第1図の実施例のドループレイトは、ダイオー
ドD11の導通によりトランジスタQ13を遮断状態に出来る
ために従来例のトランジスタQ3を不要と出来るために、 となるから、ドループレイトを従来例の2/5と大幅に低
減させることが可能となる。In the first embodiment shown in FIG. 1, the hold capacitance G H
Assuming that the leakage current of the transistor Q18 is negligible,
If the current amplification factor of is FE , then the druprate dV O / dt
Is Becomes On the other hand, in the conventional example, the transistor
Assuming the current gain of Q3 and Q8 is h FE Therefore, assuming that the value of each constant current source is I1 = I2 = I3 = I13,
If I1 = 2 · I4 is set Becomes In the druprate of the embodiment shown in FIG. 1, since the transistor Q13 can be turned off by the conduction of the diode D11, the transistor Q3 of the conventional example can be omitted. Therefore, the droop rate can be greatly reduced to 2/5 of the conventional example.
第2図は本発明による第2の実施例を示す回路構成図
である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment according to the present invention.
第2図を参照するに、第2の実施例は、第1図におけ
るダイオードD11のかわりに、トランジスタのコレクタ
とベースを接続した素子Q19をダイオードとして用いた
例である。第1の実施例と同一の部分の構成、動作の詳
細な説明については省略するが、ダイオードの代わりに
トランジスタをダイオード接続して用いることにより集
積回路化した場合の寄生容量を小さくすることができ、
サンプルホールド回路としてより高速性が得られる。Referring to FIG. 2, the second embodiment is an example in which an element Q19 in which a collector and a base of a transistor are connected is used as a diode instead of the diode D11 in FIG. Although a detailed description of the structure and operation of the same parts as those of the first embodiment is omitted, parasitic capacitance can be reduced when integrated into an integrated circuit by using a diode-connected transistor instead of a diode. ,
Higher speed can be obtained as a sample hold circuit.
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、アナログ信号
の瞬時値を標本化し、さらにこれを保持するサンプルホ
ールド回路において、特に集積回路化を考慮した場合、
標本化時の追従速度を損なわずに、かつ接合形電界効果
トランジスタ等の特殊な素子を同時に作り込むための複
雑即ち高価な集積回路製造プロセスを要することがな
く、標準的な製造プロセスにより、その保持特性を従来
の回路に比較して2倍以上向上させることが可能となる
効果が得られる。EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, in a sample hold circuit that samples an instantaneous value of an analog signal and further holds the instantaneous value, particularly considering integration into an integrated circuit,
The standard manufacturing process eliminates the need for a complicated or expensive integrated circuit manufacturing process for simultaneously forming a special element such as a junction field effect transistor without impairing the follow-up speed during sampling. It is possible to obtain the effect that the holding characteristic can be improved more than twice as compared with the conventional circuit.
第1図は本発明による第1の実施例を示す回路構成図、
第2図は本発明による第2の実施例を示す回路構成図、
第3図は従来例の回路図である。 1、11……入力端子、2、12……出力端子、3、4、1
3、14…制御入力端子、5、6、15、16……電源線、Q1
〜Q8、Q11〜Q19……トランジスタ、D1〜D4、D11……ダ
イオード、CH……ホールド容量、Rs、Rf……抵抗、I1〜
I4、I11〜I14……定電流源FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional example. 1, 11 …… Input terminals, 2,12 …… Output terminals, 3,4,1
3, 14 ... Control input terminals 5, 6, 15, 16 ... Power line, Q1
~ Q8, Q11 ~ Q19 ... Transistor, D1 ~ D4, D11 ... Diode, C H ... Hold capacitance, Rs, Rf ... Resistor, I1 ~
I4, I11 to I14 ... Constant current source
Claims (1)
続された一方のトランジスタと他方のトランジスタのベ
ースが一定電圧にバイアスされコレクタが電源に接続さ
れた該他方のトランジスタからなる第1の差動回路と、
ベースが前記定電流源に接続されコレクタが前記電源に
接続されエミッタにホールド容量が接続された第1のト
ランジスタと、アノード側が前記第1の差動回路の共通
エミッタ部に接続されカソード側が前記定電流源に接続
された単一もしくは複数のダイオードと、一方のトラン
ジスタのコレクタが前記第1の差動回路の共通エミッタ
に接続され他方のトランジスタのコレクタが前記定電流
源に接続された第2の差動回路と、一方のトランジスタ
のコレクタが前記電源に接続され他方のトランジスタの
コレクタが前記第1のトランジスタのエミッタに接続さ
れた第3の差動回路と、ベースにホールド容量の電圧を
受けて動作するエミッタフォロワとを具備しており、前
記エミッタフォロワの出力が前記第1の差動回路のコレ
クタが前記定電流源に接続された前記トランジスタのベ
ースへ第1の抵抗を介して帰還されると共に、第2の抵
抗を介して前記定電流源に接続されたトランジスタのベ
ースへ信号が入力され、前記第2の差動回路のコレクタ
が前記定電流源に接続されたトランジスタのベースと、
前記第3の差動回路のコレクタが前記電源に接続された
トランジスタのベースとを制御入力端子とし、前記第
2、第3の差動回路のそれぞれ他方のトランジスタのベ
ースを反転制御入力端子とすることを特徴とするサンプ
ルホールド回路。1. A first current source comprising a constant current source and one transistor whose collector is connected to the constant current source and the other transistor whose base is biased to a constant voltage and whose collector is connected to a power source. Differential circuit of
A first transistor having a base connected to the constant current source, a collector connected to the power supply, and an emitter connected to a hold capacitor; and an anode side connected to a common emitter section of the first differential circuit and a cathode side connected to the constant current source. A single or a plurality of diodes connected to the current source, and a second transistor in which the collector of one transistor is connected to the common emitter of the first differential circuit and the collector of the other transistor is connected to the constant current source. A differential circuit, a third differential circuit in which the collector of one transistor is connected to the power supply and the collector of the other transistor is connected to the emitter of the first transistor, and the base receives the voltage of the hold capacitor. An emitter follower that operates, wherein the output of the emitter follower is the collector of the first differential circuit and the constant current. Is fed back to the base of the transistor connected to the first resistor via the first resistor, and a signal is input to the base of the transistor connected to the constant current source via the second resistor, and the second difference A base of a transistor whose collector is connected to the constant current source,
The collector of the third differential circuit uses the base of the transistor connected to the power supply as a control input terminal, and the bases of the other transistors of the second and third differential circuits use the inverting control input terminal. A sample and hold circuit characterized in that
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| JP2263398A JP2541003B2 (en) | 1990-09-30 | 1990-09-30 | Sample-hold circuit |
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1990
- 1990-09-30 JP JP2263398A patent/JP2541003B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH04195799A (en) | 1992-07-15 |
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