JP2550059B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JP2550059B2 JP2550059B2 JP8093287A JP8093287A JP2550059B2 JP 2550059 B2 JP2550059 B2 JP 2550059B2 JP 8093287 A JP8093287 A JP 8093287A JP 8093287 A JP8093287 A JP 8093287A JP 2550059 B2 JP2550059 B2 JP 2550059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fork
- process tube
- opening
- semiconductor wafer
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを熱処理するためのプロセスチ
ューブを備えた熱処理装置に関し、特にプロセスチュー
ブの開口部から内部への大気の巻き込みを防止すること
により自然酸化膜の生成を防止した熱処理装置に関す
る。
ューブを備えた熱処理装置に関し、特にプロセスチュー
ブの開口部から内部への大気の巻き込みを防止すること
により自然酸化膜の生成を防止した熱処理装置に関す
る。
一般に、半導体ウェハのエピタキシャル成長やCVD等
の処理を行う場合、内部を所要のガス雰囲気に保持した
プロセスチューブ内に半導体ウェハを挿入して加熱処理
する装置が用いられている。
の処理を行う場合、内部を所要のガス雰囲気に保持した
プロセスチューブ内に半導体ウェハを挿入して加熱処理
する装置が用いられている。
近年、この種の熱処理装置において、プロセスチュー
ブ内への半導体ウェハの出し入れの自動化を図るため
に、種々の装置が提案されており、例えば、特開昭54−
111758号公報には、複数枚の半導体ウェハを整列配置し
たボートを、プロセスチューブの開口外側で動作される
引出棒によって出し入れする構成が記載されている。
ブ内への半導体ウェハの出し入れの自動化を図るため
に、種々の装置が提案されており、例えば、特開昭54−
111758号公報には、複数枚の半導体ウェハを整列配置し
たボートを、プロセスチューブの開口外側で動作される
引出棒によって出し入れする構成が記載されている。
また、この半導体ウェハの出し入れに際しては、従来
ではソフトランディング装置が提案されており、半導体
ウェハをフォークの先端に搭載し、このフォークの前後
動及び上下動を微細に制御することにより、半導体ウェ
ハの出し入れの最適化が図られている。
ではソフトランディング装置が提案されており、半導体
ウェハをフォークの先端に搭載し、このフォークの前後
動及び上下動を微細に制御することにより、半導体ウェ
ハの出し入れの最適化が図られている。
このようにプロセスチューブに対する半導体ウェハの
出し入れにおいて種々の改良が進められているが、いず
れの方式のものにおいても、半導体ウェハの出し入れ時
には必ずプロセスチューブの開口を開いた状態で作業を
行わせる必要がある。このため、この出し入れ時にプロ
セスチューブ開口から内部に大気が侵入されて所謂大気
の巻き込みが生じ、プロセスチューブ内の所要ガスに大
気が混入されて半導体ウェハの表面に自然酸化膜が生成
される等の好適な熱処理ができなくなる。
出し入れにおいて種々の改良が進められているが、いず
れの方式のものにおいても、半導体ウェハの出し入れ時
には必ずプロセスチューブの開口を開いた状態で作業を
行わせる必要がある。このため、この出し入れ時にプロ
セスチューブ開口から内部に大気が侵入されて所謂大気
の巻き込みが生じ、プロセスチューブ内の所要ガスに大
気が混入されて半導体ウェハの表面に自然酸化膜が生成
される等の好適な熱処理ができなくなる。
このため、従来では半導体ウェハをプロセスチューブ
に挿入した後に大気を追出す工程が必要不可欠のものと
され、作業工数が増大するとともに、処理の繁雑化を招
くという問題が生じている。
に挿入した後に大気を追出す工程が必要不可欠のものと
され、作業工数が増大するとともに、処理の繁雑化を招
くという問題が生じている。
本発明の目的は、プロセスチューブ内への大気の巻き
込みを防止し、熱処理の最適化を図った熱処理装置を提
供することにある。
込みを防止し、熱処理の最適化を図った熱処理装置を提
供することにある。
本発明の熱処理装置は、プロセスチューブの開口部の
前方位置に一対の対向する開閉扉を配置し、かつフォー
クにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、その外側
に嵌合する外キャップとを設け、開閉扉はフォークの外
周に対応する略半円形の切欠を形成しかつ外キャップに
接触可能な構成としている。
前方位置に一対の対向する開閉扉を配置し、かつフォー
クにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、その外側
に嵌合する外キャップとを設け、開閉扉はフォークの外
周に対応する略半円形の切欠を形成しかつ外キャップに
接触可能な構成としている。
開閉扉と外キャップとの接触により、プロセスチュー
ブ開口端とフォークとの間を閉塞でき、しかもフォーク
がプロセスチューブに対して下動した場合にもこの閉塞
状態を維持でき、これによりプロセスチューブ内への大
気への巻き込みヲ防止してチューブ内を所定のガス雰囲
気に設定でき、熱処理の最適化及び処理効率の向上を可
能とする。
ブ開口端とフォークとの間を閉塞でき、しかもフォーク
がプロセスチューブに対して下動した場合にもこの閉塞
状態を維持でき、これによりプロセスチューブ内への大
気への巻き込みヲ防止してチューブ内を所定のガス雰囲
気に設定でき、熱処理の最適化及び処理効率の向上を可
能とする。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図は本発明の要部の斜視図、第2図はその正面
図、第3図は全体構成の概略側断面図である。
図、第3図は全体構成の概略側断面図である。
これらの図において、1はプロセスチューブであり、
加熱炉H内にセットされ、内挿された半導体ウェハを加
熱処理できるように構成している。このプロセスチュー
ブ1は、先端部1aを細径にし、ここから所要の反応ガス
をチューブ1内に供給できる。また、手前の端部1bはそ
のまま開口部として開口しており、ここから半導体ウェ
ハを出し入れするようになっている。そして、この実施
例では、このプロセスチューブ1の開口周囲に大径の筒
2を固着してこの部分を2重筒構造にして画成された空
間3に窒素ガスを導入可能にするとともに、この部分の
プロセスチューブ1に複数個の透孔4を開設して窒素ガ
スをシャワー状に噴出するように構成している。
加熱炉H内にセットされ、内挿された半導体ウェハを加
熱処理できるように構成している。このプロセスチュー
ブ1は、先端部1aを細径にし、ここから所要の反応ガス
をチューブ1内に供給できる。また、手前の端部1bはそ
のまま開口部として開口しており、ここから半導体ウェ
ハを出し入れするようになっている。そして、この実施
例では、このプロセスチューブ1の開口周囲に大径の筒
2を固着してこの部分を2重筒構造にして画成された空
間3に窒素ガスを導入可能にするとともに、この部分の
プロセスチューブ1に複数個の透孔4を開設して窒素ガ
スをシャワー状に噴出するように構成している。
また、前記プロセスチューブ1の開口部1bの手前位置
には、図外の装置固定部に夫々ヒンジ5a,6aによって支
持され、かつその先端が上下に開閉動作される一対の開
閉扉5,6を配設している。これら開閉扉5,6は、各先端縁
に後述するフォーク7よりも上下方向に幾分長い半円形
の切欠5b,6bを形成している。
には、図外の装置固定部に夫々ヒンジ5a,6aによって支
持され、かつその先端が上下に開閉動作される一対の開
閉扉5,6を配設している。これら開閉扉5,6は、各先端縁
に後述するフォーク7よりも上下方向に幾分長い半円形
の切欠5b,6bを形成している。
一方、加熱処理される半導体ウェハWを前記プロセス
チューブ1に出し入れするフォーク7は、その基端が公
知のソフトランディング装置の一部8に固定支持され、
前後動及び上下動が可能とされる。このフォーク7は先
端のフオーク部7aに、複数枚の半導体ウェハWを載置し
たボート9を搭載できる。
チューブ1に出し入れするフォーク7は、その基端が公
知のソフトランディング装置の一部8に固定支持され、
前後動及び上下動が可能とされる。このフォーク7は先
端のフオーク部7aに、複数枚の半導体ウェハWを載置し
たボート9を搭載できる。
また、このフォーク7のフォーク部7aの基端位置に
は、フォークの筒状内部を閉塞するための内キャップ10
を取着し、またその外側にはフォーク7の筒軸方向に移
動可能に円形の外キャップ11を嵌合取着している。この
外キャップ11は、下側に偏心した位置にフォーク7と略
等しい径の穴12をあけ、この穴にフォーク7を挿入させ
ている。
は、フォークの筒状内部を閉塞するための内キャップ10
を取着し、またその外側にはフォーク7の筒軸方向に移
動可能に円形の外キャップ11を嵌合取着している。この
外キャップ11は、下側に偏心した位置にフォーク7と略
等しい径の穴12をあけ、この穴にフォーク7を挿入させ
ている。
この構成によれば、第3図に示す状態では、フォーク
7はフォーク部7aに半導体ウェハWをボート9により搭
載し、ソフトランディング装置により前方へ移動され
る。このとき、プロセスチューブ1では、先端1aから処
理ガスを供給するとともに、開口端の透孔4から窒素ガ
スを噴出させて窒素ガスシャワーを形成し、チューブ1
内への大気の侵入防止を図っている。また、このとき開
閉扉5,6は開いている。
7はフォーク部7aに半導体ウェハWをボート9により搭
載し、ソフトランディング装置により前方へ移動され
る。このとき、プロセスチューブ1では、先端1aから処
理ガスを供給するとともに、開口端の透孔4から窒素ガ
スを噴出させて窒素ガスシャワーを形成し、チューブ1
内への大気の侵入防止を図っている。また、このとき開
閉扉5,6は開いている。
次いで、フォーク7がプロセスチューブ1内に侵入し
た第4図の状態では、開閉扉5,6が閉じ、外キャップ11
の外側面に接触する。これにより、外キャップ11はプロ
セスチューブ1の開口端を閉塞する。このため、プロセ
スチューブ1内への大気の巻き込みが抑制できる。この
間、窒素ガスのシャワーは継続されており、大気巻き込
みを更に抑制する。なお、このとき上側の開閉扉5とフ
ォーク7との間隙は微小間隙xに保持される。
た第4図の状態では、開閉扉5,6が閉じ、外キャップ11
の外側面に接触する。これにより、外キャップ11はプロ
セスチューブ1の開口端を閉塞する。このため、プロセ
スチューブ1内への大気の巻き込みが抑制できる。この
間、窒素ガスのシャワーは継続されており、大気巻き込
みを更に抑制する。なお、このとき上側の開閉扉5とフ
ォーク7との間隙は微小間隙xに保持される。
そして、第5図のように、フォーク7が更に前進され
たときには、外キャップ11フォーク7とともにプロセス
チューブ1内に侵入される。このとき、プロセスチュー
ブ1の開口端は開閉扉5,6とフォーク7の外周によって
維持される。
たときには、外キャップ11フォーク7とともにプロセス
チューブ1内に侵入される。このとき、プロセスチュー
ブ1の開口端は開閉扉5,6とフォーク7の外周によって
維持される。
そして、第6図のように、ソフトランディング装置に
よりフォーク7が下動してボート9をプロセスチューブ
1内に載置する際には、下側の開閉扉6が開いてフォー
ク7の下動を可能とする。そして、このフォーク7が下
動状態のままで後退して外キャップ11がプロセスチュー
ブ1の開口端位置にまで移動されたときには、上側の開
閉扉5と外キャップ11とで開口端を閉塞し、チューブ内
の閉塞効果を保持している。
よりフォーク7が下動してボート9をプロセスチューブ
1内に載置する際には、下側の開閉扉6が開いてフォー
ク7の下動を可能とする。そして、このフォーク7が下
動状態のままで後退して外キャップ11がプロセスチュー
ブ1の開口端位置にまで移動されたときには、上側の開
閉扉5と外キャップ11とで開口端を閉塞し、チューブ内
の閉塞効果を保持している。
この状態から、通常のように半導体ウェハへの加熱処
理が行われる。
理が行われる。
したがって、この装置では、開閉扉5,6及び外キャッ
プ11の協動作用により、半導体ウェハWの出し入れ時に
プロセスチューブ1の開口を閉塞状態に保持し、チュー
ブ内への大気の巻き込みを有効に防止できる。これによ
り、プロセスチューブ1内を直ちに所定のガス雰囲気に
設定でき、迅速な熱処理と自然酸化膜の生成防止を実現
できる。
プ11の協動作用により、半導体ウェハWの出し入れ時に
プロセスチューブ1の開口を閉塞状態に保持し、チュー
ブ内への大気の巻き込みを有効に防止できる。これによ
り、プロセスチューブ1内を直ちに所定のガス雰囲気に
設定でき、迅速な熱処理と自然酸化膜の生成防止を実現
できる。
また、処理後の半導体ウェハの取り出しは、前記した
工程と略逆の工程により行なうことができる。
工程と略逆の工程により行なうことができる。
以上のように本発明によれば、プロセスチューブの開
口部の前方位置に一対の対向する開閉扉を配置し、かつ
フォークにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、そ
の外側に嵌合する外キャップとを設け、開閉扉はフォー
クの外周に対応する略半円形の切欠を形成かつ外キャッ
プに接触可能に構成しているので、開閉扉と外キャップ
との接触によりプロセスチューブ開口端とフォークとの
間を閉塞でき、しかもフォークがプロセスチューブに対
して下動した場合にもこの閉塞状態を維持でき、これに
よりプロセスチューブ内への大気への巻き込みを防止し
てチューブ内を所定のガス雰囲気に設定でき、熱処理の
最適化及び処理効率の向上を実現できる。
口部の前方位置に一対の対向する開閉扉を配置し、かつ
フォークにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、そ
の外側に嵌合する外キャップとを設け、開閉扉はフォー
クの外周に対応する略半円形の切欠を形成かつ外キャッ
プに接触可能に構成しているので、開閉扉と外キャップ
との接触によりプロセスチューブ開口端とフォークとの
間を閉塞でき、しかもフォークがプロセスチューブに対
して下動した場合にもこの閉塞状態を維持でき、これに
よりプロセスチューブ内への大気への巻き込みを防止し
てチューブ内を所定のガス雰囲気に設定でき、熱処理の
最適化及び処理効率の向上を実現できる。
第1図は本発明の一実施例の要部の斜視図、 第2図はその正面からみた模式的な図、 第3図は全体構成を示す概略側断面図、 第4図乃至第6図は作用を説明するための第3図と同様
の側断面図である。 1……プロセスチューブ、2……大径筒、3……空間、
4……透孔、5,6……開閉扉、1……フォーク、8……
ソフトランディング装置、9……ボート、10……内キャ
ップ、11……外キャップ、12……穴、W……半導体ウェ
ハ。
の側断面図である。 1……プロセスチューブ、2……大径筒、3……空間、
4……透孔、5,6……開閉扉、1……フォーク、8……
ソフトランディング装置、9……ボート、10……内キャ
ップ、11……外キャップ、12……穴、W……半導体ウェ
ハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸田 哲也 茂原市早野3681番地 日立デバイスエン ジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−248126(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】開口端から内部に挿入セットされた半導体
ウェハを加熱処理するプロセスチューブと、このプロセ
スチューブに半導体ウェハを挿入させるフォークとを有
する熱処理装置において、前記プロセスチューブの開口
部の前方位置に一対の上下対向する開閉扉を配置し、前
記フォークにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、
その外側に嵌合する外キャップとを設け、前記開閉扉は
前記フォークの外周に対応する略半円形の切欠を形成し
かつ前記外キャップに接触可能に構成したことを特徴と
する熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8093287A JP2550059B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8093287A JP2550059B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248126A JPS63248126A (ja) | 1988-10-14 |
| JP2550059B2 true JP2550059B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=13732217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8093287A Expired - Lifetime JP2550059B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550059B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02152820A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-12 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP8093287A patent/JP2550059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63248126A (ja) | 1988-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100466920B1 (ko) | 피처리 기판의 처리방법 및 처리장치 | |
| JP2020167398A (ja) | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 | |
| JP3134137B2 (ja) | 縦型処理装置 | |
| JPH04352426A (ja) | 熱処理装置 | |
| CA2012270C (en) | A device for carrying out sequential thermal treatments under a vacuum | |
| JP2550059B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US4955808A (en) | Method of heat-processing objects and device and boat for the same | |
| JP2550058B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| DE3906075C2 (ja) | ||
| EP0494783B1 (en) | Furnace structure of semiconductor manufacturing apparatus | |
| US6585828B1 (en) | Process chamber lid service system | |
| JP2001085346A (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2555380B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JPH01321638A (ja) | 熱処理管 | |
| JPS612330A (ja) | 処理装置 | |
| JP2000173945A (ja) | 半導体基板用縦型熱処理装置 | |
| JP2733681B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS60155541A (ja) | 光学系ガラス棒延伸用加熱炉 | |
| CN120926757A (zh) | 基于等离子体催化的金属表面低温渗氮强化方法及设备 | |
| JPH0821551B2 (ja) | 減圧化学気相成長装置 | |
| JP3232585B2 (ja) | 半導体洗浄装置 | |
| JP2590352B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH05243170A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH06248329A (ja) | 焼入油槽室を有する熱処理装置 | |
| JPS61184821A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 Year of fee payment: 11 |