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JP2550059B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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JP2550059B2 - Heat treatment equipment - Google Patents

Heat treatment equipment

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JP2550059B2
JP2550059B2 JP8093287A JP8093287A JP2550059B2 JP 2550059 B2 JP2550059 B2 JP 2550059B2 JP 8093287 A JP8093287 A JP 8093287A JP 8093287 A JP8093287 A JP 8093287A JP 2550059 B2 JP2550059 B2 JP 2550059B2
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fork
process tube
opening
semiconductor wafer
heat treatment
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秋一 伊藤
清之 宮田
哲也 岸田
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Japan Display Inc
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを熱処理するためのプロセスチ
ューブを備えた熱処理装置に関し、特にプロセスチュー
ブの開口部から内部への大気の巻き込みを防止すること
により自然酸化膜の生成を防止した熱処理装置に関す
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat treatment apparatus provided with a process tube for heat treating a semiconductor wafer, and more particularly to preventing entrapment of atmospheric air from the opening of the process tube. The present invention relates to a heat treatment apparatus that prevents the formation of a natural oxide film.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、半導体ウェハのエピタキシャル成長やCVD等
の処理を行う場合、内部を所要のガス雰囲気に保持した
プロセスチューブ内に半導体ウェハを挿入して加熱処理
する装置が用いられている。
In general, when performing processing such as epitaxial growth and CVD of a semiconductor wafer, an apparatus is used in which the semiconductor wafer is inserted into a process tube whose inside is kept in a desired gas atmosphere to perform heat treatment.

近年、この種の熱処理装置において、プロセスチュー
ブ内への半導体ウェハの出し入れの自動化を図るため
に、種々の装置が提案されており、例えば、特開昭54−
111758号公報には、複数枚の半導体ウェハを整列配置し
たボートを、プロセスチューブの開口外側で動作される
引出棒によって出し入れする構成が記載されている。
In recent years, in this type of heat treatment apparatus, various apparatuses have been proposed in order to automate the loading / unloading of a semiconductor wafer into / from a process tube.
Japanese Patent Laid-Open No. 111758 describes a configuration in which a boat in which a plurality of semiconductor wafers are arranged in an array is put in and taken out by a drawing rod that is operated outside the opening of a process tube.

また、この半導体ウェハの出し入れに際しては、従来
ではソフトランディング装置が提案されており、半導体
ウェハをフォークの先端に搭載し、このフォークの前後
動及び上下動を微細に制御することにより、半導体ウェ
ハの出し入れの最適化が図られている。
A soft landing device has been conventionally proposed for loading and unloading the semiconductor wafer. By mounting the semiconductor wafer on the tip of a fork and finely controlling the forward and backward movement and vertical movement of the fork, the semiconductor wafer Optimized loading and unloading.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

このようにプロセスチューブに対する半導体ウェハの
出し入れにおいて種々の改良が進められているが、いず
れの方式のものにおいても、半導体ウェハの出し入れ時
には必ずプロセスチューブの開口を開いた状態で作業を
行わせる必要がある。このため、この出し入れ時にプロ
セスチューブ開口から内部に大気が侵入されて所謂大気
の巻き込みが生じ、プロセスチューブ内の所要ガスに大
気が混入されて半導体ウェハの表面に自然酸化膜が生成
される等の好適な熱処理ができなくなる。
In this way, various improvements have been made in putting the semiconductor wafer in and out of the process tube, but in any of the methods, it is necessary to always perform work with the opening of the process tube opened when taking the semiconductor wafer in and out. is there. For this reason, at the time of this loading and unloading, atmospheric air is introduced into the interior from the process tube opening, so-called atmospheric air entrapment occurs, the atmospheric air is mixed with the required gas in the process tube, and a natural oxide film is formed on the surface of the semiconductor wafer. Suitable heat treatment cannot be performed.

このため、従来では半導体ウェハをプロセスチューブ
に挿入した後に大気を追出す工程が必要不可欠のものと
され、作業工数が増大するとともに、処理の繁雑化を招
くという問題が生じている。
For this reason, conventionally, the step of expelling the atmosphere after inserting the semiconductor wafer into the process tube has been indispensable, which causes a problem that the number of working steps increases and the processing becomes complicated.

本発明の目的は、プロセスチューブ内への大気の巻き
込みを防止し、熱処理の最適化を図った熱処理装置を提
供することにある。
An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus which prevents the entrainment of air into the process tube and optimizes the heat treatment.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の熱処理装置は、プロセスチューブの開口部の
前方位置に一対の対向する開閉扉を配置し、かつフォー
クにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、その外側
に嵌合する外キャップとを設け、開閉扉はフォークの外
周に対応する略半円形の切欠を形成しかつ外キャップに
接触可能な構成としている。
In the heat treatment apparatus of the present invention, a pair of opposed opening / closing doors are arranged in front of the opening of the process tube, and the fork is provided with an inner cap that closes the inside of the fork and an outer cap that is fitted to the outside. The opening / closing door has a substantially semicircular notch corresponding to the outer circumference of the fork and is configured to be in contact with the outer cap.

〔作用〕[Action]

開閉扉と外キャップとの接触により、プロセスチュー
ブ開口端とフォークとの間を閉塞でき、しかもフォーク
がプロセスチューブに対して下動した場合にもこの閉塞
状態を維持でき、これによりプロセスチューブ内への大
気への巻き込みヲ防止してチューブ内を所定のガス雰囲
気に設定でき、熱処理の最適化及び処理効率の向上を可
能とする。
The contact between the open / close door and the outer cap makes it possible to close the open end of the process tube and the fork, and even when the fork moves downward with respect to the process tube, this closed state can be maintained. It is possible to prevent the air from getting into the atmosphere and set the inside of the tube to a predetermined gas atmosphere, which makes it possible to optimize the heat treatment and improve the treatment efficiency.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の要部の斜視図、第2図はその正面
図、第3図は全体構成の概略側断面図である。
FIG. 1 is a perspective view of an essential part of the present invention, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a schematic side sectional view of the entire structure.

これらの図において、1はプロセスチューブであり、
加熱炉H内にセットされ、内挿された半導体ウェハを加
熱処理できるように構成している。このプロセスチュー
ブ1は、先端部1aを細径にし、ここから所要の反応ガス
をチューブ1内に供給できる。また、手前の端部1bはそ
のまま開口部として開口しており、ここから半導体ウェ
ハを出し入れするようになっている。そして、この実施
例では、このプロセスチューブ1の開口周囲に大径の筒
2を固着してこの部分を2重筒構造にして画成された空
間3に窒素ガスを導入可能にするとともに、この部分の
プロセスチューブ1に複数個の透孔4を開設して窒素ガ
スをシャワー状に噴出するように構成している。
In these figures, 1 is a process tube,
The semiconductor wafer set in the heating furnace H and inserted therein can be heat-treated. In this process tube 1, the tip 1a has a small diameter, and a desired reaction gas can be supplied into the tube 1 from here. Further, the front end portion 1b is opened as an opening portion as it is, and the semiconductor wafer can be put in and taken out from here. Further, in this embodiment, a large-diameter cylinder 2 is fixed around the opening of the process tube 1 to make it possible to introduce nitrogen gas into a space 3 defined by a double cylinder structure. A plurality of through holes 4 are opened in the process tube 1 of a part so that the nitrogen gas is ejected in a shower shape.

また、前記プロセスチューブ1の開口部1bの手前位置
には、図外の装置固定部に夫々ヒンジ5a,6aによって支
持され、かつその先端が上下に開閉動作される一対の開
閉扉5,6を配設している。これら開閉扉5,6は、各先端縁
に後述するフォーク7よりも上下方向に幾分長い半円形
の切欠5b,6bを形成している。
A pair of open / close doors 5 and 6 which are supported by hinges 5a and 6a on an apparatus fixing portion (not shown) and whose tips are vertically opened and closed are provided in front of the opening 1b of the process tube 1. It is arranged. These opening / closing doors 5 and 6 have semicircular cutouts 5b and 6b formed at the respective leading edges thereof in the vertical direction, which are somewhat longer than the forks 7 described later.

一方、加熱処理される半導体ウェハWを前記プロセス
チューブ1に出し入れするフォーク7は、その基端が公
知のソフトランディング装置の一部8に固定支持され、
前後動及び上下動が可能とされる。このフォーク7は先
端のフオーク部7aに、複数枚の半導体ウェハWを載置し
たボート9を搭載できる。
On the other hand, a fork 7 for loading and unloading the semiconductor wafer W to be heat-treated into and out of the process tube 1 is fixedly supported at a base end thereof to a part 8 of a known soft landing device,
It is possible to move back and forth and up and down. The fork 7 can mount a boat 9 on which a plurality of semiconductor wafers W are mounted on a fork portion 7a at the tip.

また、このフォーク7のフォーク部7aの基端位置に
は、フォークの筒状内部を閉塞するための内キャップ10
を取着し、またその外側にはフォーク7の筒軸方向に移
動可能に円形の外キャップ11を嵌合取着している。この
外キャップ11は、下側に偏心した位置にフォーク7と略
等しい径の穴12をあけ、この穴にフォーク7を挿入させ
ている。
Further, at the base end position of the fork portion 7a of the fork 7, an inner cap 10 for closing the tubular inside of the fork 7 is provided.
A circular outer cap 11 is fitted and attached to the outer side of the fork 7 so as to be movable in the cylinder axis direction of the fork 7. The outer cap 11 has a hole 12 having a diameter substantially equal to that of the fork 7 at a position eccentric to the lower side, and the fork 7 is inserted into this hole.

この構成によれば、第3図に示す状態では、フォーク
7はフォーク部7aに半導体ウェハWをボート9により搭
載し、ソフトランディング装置により前方へ移動され
る。このとき、プロセスチューブ1では、先端1aから処
理ガスを供給するとともに、開口端の透孔4から窒素ガ
スを噴出させて窒素ガスシャワーを形成し、チューブ1
内への大気の侵入防止を図っている。また、このとき開
閉扉5,6は開いている。
According to this configuration, in the state shown in FIG. 3, the fork 7 has the semiconductor wafer W mounted on the fork portion 7a by the boat 9 and is moved forward by the soft landing device. At this time, in the process tube 1, while supplying the processing gas from the tip 1a, the nitrogen gas is ejected from the through hole 4 at the opening end to form the nitrogen gas shower,
We are trying to prevent the invasion of the atmosphere into the interior. At this time, the open / close doors 5 and 6 are open.

次いで、フォーク7がプロセスチューブ1内に侵入し
た第4図の状態では、開閉扉5,6が閉じ、外キャップ11
の外側面に接触する。これにより、外キャップ11はプロ
セスチューブ1の開口端を閉塞する。このため、プロセ
スチューブ1内への大気の巻き込みが抑制できる。この
間、窒素ガスのシャワーは継続されており、大気巻き込
みを更に抑制する。なお、このとき上側の開閉扉5とフ
ォーク7との間隙は微小間隙xに保持される。
Next, in the state in which the fork 7 has entered the process tube 1, the opening / closing doors 5 and 6 are closed and the outer cap 11
Contact the outer surface of. As a result, the outer cap 11 closes the open end of the process tube 1. Therefore, it is possible to suppress the entrapment of the atmosphere in the process tube 1. During this period, the shower of nitrogen gas is continued, further suppressing air entrainment. At this time, the gap between the upper opening / closing door 5 and the fork 7 is held at the minute gap x.

そして、第5図のように、フォーク7が更に前進され
たときには、外キャップ11フォーク7とともにプロセス
チューブ1内に侵入される。このとき、プロセスチュー
ブ1の開口端は開閉扉5,6とフォーク7の外周によって
維持される。
Then, as shown in FIG. 5, when the fork 7 is further advanced, the outer cap 11 and the fork 7 are inserted into the process tube 1. At this time, the open end of the process tube 1 is maintained by the outer peripheries of the opening / closing doors 5 and 6 and the fork 7.

そして、第6図のように、ソフトランディング装置に
よりフォーク7が下動してボート9をプロセスチューブ
1内に載置する際には、下側の開閉扉6が開いてフォー
ク7の下動を可能とする。そして、このフォーク7が下
動状態のままで後退して外キャップ11がプロセスチュー
ブ1の開口端位置にまで移動されたときには、上側の開
閉扉5と外キャップ11とで開口端を閉塞し、チューブ内
の閉塞効果を保持している。
Then, as shown in FIG. 6, when the fork 7 is moved downward by the soft landing device to place the boat 9 in the process tube 1, the lower opening / closing door 6 is opened to move the fork 7 downward. It is possible. Then, when the fork 7 moves backward with the downward motion and the outer cap 11 is moved to the opening end position of the process tube 1, the opening end is closed by the upper opening / closing door 5 and the outer cap 11. It retains the occluding effect inside the tube.

この状態から、通常のように半導体ウェハへの加熱処
理が行われる。
From this state, the heat treatment for the semiconductor wafer is performed as usual.

したがって、この装置では、開閉扉5,6及び外キャッ
プ11の協動作用により、半導体ウェハWの出し入れ時に
プロセスチューブ1の開口を閉塞状態に保持し、チュー
ブ内への大気の巻き込みを有効に防止できる。これによ
り、プロセスチューブ1内を直ちに所定のガス雰囲気に
設定でき、迅速な熱処理と自然酸化膜の生成防止を実現
できる。
Therefore, in this apparatus, the opening / closing doors 5 and 6 and the outer cap 11 cooperate to hold the opening of the process tube 1 in a closed state when the semiconductor wafer W is taken in and out, thereby effectively preventing the atmospheric air from being trapped in the tube. it can. As a result, the inside of the process tube 1 can be immediately set to a predetermined gas atmosphere, and rapid heat treatment and prevention of formation of a natural oxide film can be realized.

また、処理後の半導体ウェハの取り出しは、前記した
工程と略逆の工程により行なうことができる。
Further, the semiconductor wafer after the processing can be taken out by a process which is substantially the reverse of the process described above.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明によれば、プロセスチューブの開
口部の前方位置に一対の対向する開閉扉を配置し、かつ
フォークにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、そ
の外側に嵌合する外キャップとを設け、開閉扉はフォー
クの外周に対応する略半円形の切欠を形成かつ外キャッ
プに接触可能に構成しているので、開閉扉と外キャップ
との接触によりプロセスチューブ開口端とフォークとの
間を閉塞でき、しかもフォークがプロセスチューブに対
して下動した場合にもこの閉塞状態を維持でき、これに
よりプロセスチューブ内への大気への巻き込みを防止し
てチューブ内を所定のガス雰囲気に設定でき、熱処理の
最適化及び処理効率の向上を実現できる。
As described above, according to the present invention, a pair of opposing opening / closing doors are arranged at the front position of the opening of the process tube, and the fork has an inner cap that closes the inside of the fork and an outer cap that fits on the outside. Since the opening / closing door is provided with a substantially semicircular notch corresponding to the outer circumference of the fork and can be contacted with the outer cap, the opening / closing door and the outer cap are brought into contact with each other so that the opening end of the process tube and the fork are Can be closed, and even when the fork moves downward relative to the process tube, this closed state can be maintained, which prevents the process tube from being entrained in the atmosphere and creates a predetermined gas atmosphere inside the tube. It can be set, and heat treatment can be optimized and treatment efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例の要部の斜視図、 第2図はその正面からみた模式的な図、 第3図は全体構成を示す概略側断面図、 第4図乃至第6図は作用を説明するための第3図と同様
の側断面図である。 1……プロセスチューブ、2……大径筒、3……空間、
4……透孔、5,6……開閉扉、1……フォーク、8……
ソフトランディング装置、9……ボート、10……内キャ
ップ、11……外キャップ、12……穴、W……半導体ウェ
ハ。
FIG. 1 is a perspective view of an essential part of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic view seen from the front thereof, FIG. 3 is a schematic side sectional view showing the entire structure, and FIGS. FIG. 4 is a side sectional view similar to FIG. 3 for explaining the operation. 1 ... Process tube, 2 ... Large diameter tube, 3 ... Space,
4 ... Through hole, 5,6 ... Open / close door, 1 ... Fork, 8 ...
Soft landing device, 9 ... Boat, 10 ... Inner cap, 11 ... Outer cap, 12 ... Hole, W ... Semiconductor wafer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸田 哲也 茂原市早野3681番地 日立デバイスエン ジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−248126(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Tetsuya Kishida Tetsuya Kishida 3681 Hayano, Mobara-shi Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (56) Reference JP-A-56-248126 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】開口端から内部に挿入セットされた半導体
ウェハを加熱処理するプロセスチューブと、このプロセ
スチューブに半導体ウェハを挿入させるフォークとを有
する熱処理装置において、前記プロセスチューブの開口
部の前方位置に一対の上下対向する開閉扉を配置し、前
記フォークにはフォークの筒内部を塞ぐ内キャップと、
その外側に嵌合する外キャップとを設け、前記開閉扉は
前記フォークの外周に対応する略半円形の切欠を形成し
かつ前記外キャップに接触可能に構成したことを特徴と
する熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus having a process tube for heat-treating a semiconductor wafer inserted and set inside from an opening end, and a fork for inserting the semiconductor wafer into the process tube, wherein a front position of the opening of the process tube is provided. A pair of vertically openable doors are arranged in the fork, and the fork has an inner cap that closes the inside of the fork.
An outer cap that fits on the outer side of the fork is provided, and the opening / closing door has a substantially semicircular cutout corresponding to the outer periphery of the fork and is configured to be contactable with the outer cap.
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