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JP2554345B2 - 半導体素子のピックアップ方法 - Google Patents
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JP2554345B2 - 半導体素子のピックアップ方法 - Google Patents

半導体素子のピックアップ方法

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JP2554345B2
JP2554345B2 JP62292519A JP29251987A JP2554345B2 JP 2554345 B2 JP2554345 B2 JP 2554345B2 JP 62292519 A JP62292519 A JP 62292519A JP 29251987 A JP29251987 A JP 29251987A JP 2554345 B2 JP2554345 B2 JP 2554345B2
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佳郎 古矢
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体素子のピックアップの際のコレットによる真空
吸着時に発生する半導体素子が受けるダメージを防止す
る方法に関し、 コレットへの真空の供給時点の変更により、半導体素
子に発生する角カケの障害を防止することが可能な半導
体素子のピックアップ方法の提供を目的とし、 粘着テープ上に接着して配置された半導体素子を、突
き上げピンで突き上げてこの粘着テープからこの半導体
素子を剥離し、コレットに真空吸着させる半導体素子の
ピックアップ工程において、この粘着テープを貫通した
複数のこの突き上げピンによる突き上げにより、この半
導体素子がこの粘着テープから完全に剥離した時点後
に、このコレットへの真空の供給を行うように構成す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子のピックアップ方法に係り、特
にコレットによる真空吸着時に発生する半導体素子が受
けるダメージを防止する方法に関するものである。
粘着テープ上に接着して配置された半導体素子を、突
き上げピンで突き上げてこの粘着テープから半導体素子
を剥離し、コレットに真空吸着させる半導体素子のピッ
クアップ工程においては、突き上げピンで粘着テープ上
の半導体素子を突き上げて剥離するのと平行して、真空
が供給されて半導体素子を吸着できる状態のコレットを
半導体素子の上に接近させ、粘着テープから剥離した半
導体素子をコレットにより吸着している。
このため吸着される半導体素子に隣接する半導体素子
の角にカケが発生する障害が発生している。
以上のような状況から障害を発生させずに半導体素子
を粘着テープから剥離し、コレットに吸着させることが
可能な半導体素子のピックアップ方法が要望されてい
る。
〔従来の技術〕
従来の半導体素子のピックアップ方法を第4図により
説明する。
先ず第4図(a)に示すように、粘着テープ5を移動
させて次にピックアップする半導体素子6を突き上げピ
ン1の上の所定の位置に停止させる。
次に粘着テープ固定用の真空を供給して粘着テープ5
をテープ吸着面3に吸着し、一方コレット4にも真空を
供給する。
次いで第4図(b)に示すように、ピンホルダ2を上
昇して突き上げピン1で半導体素子6を突き上げると同
時に、コレット4を降下させて半導体素子6を吸着させ
る。
最後に第4図(c)に示すように、コレット4は半導
体素子6を吸着した状態で上昇し、ピンホルダ2が降下
して元の位置に戻り、粘着テープ5をテープ吸着面3に
吸着していた真空を切り、半導体素子6のコレット4へ
のピックアップが完了する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来の半導体素子のピックアップ方法で問
題となるのは、ピックアップされる半導体素子に隣接す
る半導体素子の素子形成面の周辺の角にカケが発生する
ことである。
即ち、半導体素子が突き上げピンによる粘着テープか
ら完全に剥離されていな時に、既に真空が供給されてい
るコレットが半導体素子に接近していて強力な吸着力が
半導体素子に働くと、半導体素子の早く粘着テープから
剥離した部分から吸着されるため、半導体素子が傾斜し
た状態でコレットに吸着され、その際に隣接する半導体
素子の素子形成面の周辺の角に、吸着される半導体素子
の角が強く当たりカケが発生するのである。
本発明は以上のような状況から容易に実施可能なコレ
ットへの真空の供給時点の変更により、半導体素子に発
生する角カケの障害を防止することが可能な半導体素子
のピックアップ方法の提供を目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体素子のピックアップ方法は、粘着テー
プ上に接着して配置された半導体素子を、突き上げピン
で突き上げてこの粘着テープからこの半導体素子を剥離
し、コレットに真空吸着させる半導体素子のピックアッ
プ工程において、この粘着テープを貫通した複数のこの
突き上げピンによる突き上げにより、この半導体素子が
この粘着テープから完全に剥離した時点後に、このコレ
ットへの真空の供給を行うように構成する。
〔作用〕
即ち本発明においては、複数の突き上げピンによる突
き上げにより、半導体素子が粘着テープから完全に剥離
した時点後に、半導体素子を吸着するコレットへの真空
の供給を行うので、半導体素子が粘着テープから完全に
剥離しないで、傾斜したままで隣接する半導体素子の角
に当たった状態でコレットにより強力に吸着されること
がないので、隣接する半導体素子に角カケ障害を発生さ
せることがなくなる。
〔実施例〕
以下第1図〜第2図について本発明の一実施例を、第
3図について他の実施例を工程順に説明する。
先ず第1図(a)に示すように、粘着テープ5を移動
させて次にピックアップする半導体素子6を複数の突き
上げピン1の上の所定の位置に停止させ、粘着テープ固
定用の真空を供給して粘着テープ5をテープ吸着面3に
吸着させる。
次に第1図(b)に示すように、ピンホルダ2を上昇
して複数の突き上げピン1で半導体素子6を突き上げる
と同時に、コレット4を降下させる。この時点ではコレ
ット4には真空は供給されていない。
次いで第1図(c)に示すように、半導体素子6が粘
着テープ5から完全に剥離した状態でコレット4に真空
を供給して半導体素子6を吸着する。
その後第1図(d)に示すように、コレット4は半導
体素子6を吸着した状態で上昇し、ピンホルダ2が降下
した元の位置に戻り、粘着テープ5をテープ吸着面3に
吸着していた真空を切り、半導体素子6のコレット4へ
のピックアップが完了する。
これらの動作のタイミングを第2図に示すタイミング
チャートのようなものにし、コレット4が最下点まで降
下した時点でコレット4へ真空を供給すると、吸着され
る半導体素子による隣接する半導体素子の素子形成面の
周辺部の角カケの防止が可能となる。
尚、本実施例による効果は下記の実験結果によって実
証されている。
分子は発生件数で、分母は実験を行った半導体素子6
の数である。
以上の実験結果により、複数の突き上げピンで突き上
げて半導体素子6を粘着テープ5から剥離するのみで、
コレットで吸着しない場合には角カケは発生していな
い。従来技術では角カケがスクライブラインを越えてい
るものが42件中9件も発生している。本実施例では角カ
ケがスクライブラインに達していないものが186件中1
件のみ発生していることがわかる。
なお、第3図に示す他の実施例においては、第1図
(b)を更に二工程に分けて、第3図(a)に示すよう
に、先ず複数の突き上げピン1の上昇のみとし、次に第
3図(b)に示すように、その後にコレット4を降下さ
せると、半導体素子6の粘着テープ5からの剥離がより
確実となり、更に安定した半導体素子6のピックアップ
を行うことが可能となる。
〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて
簡単なコレットへの真空の供給のタイミング変更によ
り、ピックアップされる半導体素子に隣接する半導体素
子の素子形成面の周辺の角にカケを発生させないで半導
体素子のピックアップを行うことが可能となる利点があ
り、著しい信頼性向上の効果が奇態でき工業的には極め
て有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例を工程順に示す側断面
図、 第2図は本発明にる一実施例のタイミングチャート、 第3図は本発明による他の実施例を工程順に示す側断面
図、 第4図は従来の半導体素子のピックアップ方法を工程順
に示す側断面図、 である。 図において、 1は突き上げピン、 2はピンホルダ、 3はテープ吸着面、 4はコレット、 5は粘着テープ、 6は半導体素子、 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古矢 佳郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 向坂 年光 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘1 番地の1 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (72)発明者 岩田 輝幸 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株 式会社九州富士通エレクトロニクス内 (56)参考文献 実開 昭63−70153(JP,U)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】粘着テープ上に接着して配置された半導体
    素子を、突き上げピンで突き上げて前記粘着テープから
    前記半導体素子を剥離し、コレットに真空吸着させる半
    導体素子のピックアップ工程において、前記粘着テープ
    を貫通した複数の前記突き上げピンによる突き上げによ
    り、前記半導体素子が前記粘着テープから完全に剥離し
    た時点後に、前記コレットへの真空の供給を行うことを
    特徴とする半導体素子のピックアップ方法。
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JP4156460B2 (ja) * 2003-07-09 2008-09-24 Tdk株式会社 ワークのピックアップ方法及びその装置、実装機
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