JP2554896B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JP2554896B2 JP2554896B2 JP62248826A JP24882687A JP2554896B2 JP 2554896 B2 JP2554896 B2 JP 2554896B2 JP 62248826 A JP62248826 A JP 62248826A JP 24882687 A JP24882687 A JP 24882687A JP 2554896 B2 JP2554896 B2 JP 2554896B2
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- Japan
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- plasma
- electrode
- earth shield
- plasma cvd
- chamber
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チャンバー内の堆積物を完全に除去するこ
とができるプラズマCVD装置に関する。
とができるプラズマCVD装置に関する。
従来のプラズマCVD装置は、第３図に示すようにチャ
ンバー１の中に対向する電極２、３の間に直流又は高周
波の電界を電源７から印加し、一方の電極のガス吹出口
４から吹出す反応ガスをプラズマ分解し、他方の電極に
埋め込まれた、ヒーター５で加熱された、基板６の上に
薄膜を堆積させ、未反応ガス又は分解ガスを排気口８か
ら排出する構造をとることが一般的であった。電圧を印
加する電極２の周辺には、すき間１〜2mmを介してアー
スシールド９を設けてある。このアースシールドは名の
通り接地されており、プラズマが横方向に広がるのを防
ぐ役割をしている。これによって、基板６に堆積する薄
膜の均一性が良くなり、良質の薄膜を得ることができ
る。
ンバー１の中に対向する電極２、３の間に直流又は高周
波の電界を電源７から印加し、一方の電極のガス吹出口
４から吹出す反応ガスをプラズマ分解し、他方の電極に
埋め込まれた、ヒーター５で加熱された、基板６の上に
薄膜を堆積させ、未反応ガス又は分解ガスを排気口８か
ら排出する構造をとることが一般的であった。電圧を印
加する電極２の周辺には、すき間１〜2mmを介してアー
スシールド９を設けてある。このアースシールドは名の
通り接地されており、プラズマが横方向に広がるのを防
ぐ役割をしている。これによって、基板６に堆積する薄
膜の均一性が良くなり、良質の薄膜を得ることができ
る。
しかし、このようなプラズマCVD装置においては、薄
膜が基板上だけではなく対向する電極23、アースシール
ド９およびチャンバー１の一部にも堆積するため、厚く
なると剥れ落ちて基板６を汚染したり、アースシールド
９と電極２の間に堆積してプラズマを不安定にしたり、
ガス吹出口４をふさいで膜厚の均一性を低下させたりす
る等の問題点がある。このため、一定時間堆積後、チャ
ンバー内に薄膜エッチング用ガスを導入してプラズマエ
ッチングを行ない、電極周辺およびチャンバー内をクリ
ーニングすることが行なわれる。
膜が基板上だけではなく対向する電極23、アースシール
ド９およびチャンバー１の一部にも堆積するため、厚く
なると剥れ落ちて基板６を汚染したり、アースシールド
９と電極２の間に堆積してプラズマを不安定にしたり、
ガス吹出口４をふさいで膜厚の均一性を低下させたりす
る等の問題点がある。このため、一定時間堆積後、チャ
ンバー内に薄膜エッチング用ガスを導入してプラズマエ
ッチングを行ない、電極周辺およびチャンバー内をクリ
ーニングすることが行なわれる。
しかしながら、プラズマ分解による生成物はガスの流
れによってプラズマ発生域の外にも堆積するため、前述
のプラズマクリーニングだけでは完全に除去することは
難しく、通常はチャンバーを開けて、掃除機などを用い
て人手により除去することが多く、装置の自動クリーニ
ングができないという問題点があった。
れによってプラズマ発生域の外にも堆積するため、前述
のプラズマクリーニングだけでは完全に除去することは
難しく、通常はチャンバーを開けて、掃除機などを用い
て人手により除去することが多く、装置の自動クリーニ
ングができないという問題点があった。
本発明の目的は、上述した問題点を解決して、チャン
バーを開けることなく、堆積およびエッチングを行なえ
る構造を有するプラズマCVD装置を提供することにあ
る。
バーを開けることなく、堆積およびエッチングを行なえ
る構造を有するプラズマCVD装置を提供することにあ
る。
この目的の達成をはかるため、本発明はガス吹出し口
が表面に開口された第１の電極と、前記第１の電極から
離間して隣接配置されたアースシールド部材と、前記第
１の電極及び前記アースシールド部材に対向配置され
て、表面に基板を載置する第２の電極とをチャンバー内
に備え、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧
を印加することにより前記チャンバー内でプラズマを発
生させ、前記基板をプラズマ処理するプラズマCVD装置
において、前記プラズマ処理時には前記アースシールド
部材を接地電位とし、プラズマクリーニング時には前記
アースシールド部材を前記第１の電極と同電位とする切
替手段を設けたことを特徴とする。
が表面に開口された第１の電極と、前記第１の電極から
離間して隣接配置されたアースシールド部材と、前記第
１の電極及び前記アースシールド部材に対向配置され
て、表面に基板を載置する第２の電極とをチャンバー内
に備え、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧
を印加することにより前記チャンバー内でプラズマを発
生させ、前記基板をプラズマ処理するプラズマCVD装置
において、前記プラズマ処理時には前記アースシールド
部材を接地電位とし、プラズマクリーニング時には前記
アースシールド部材を前記第１の電極と同電位とする切
替手段を設けたことを特徴とする。
このような構成によれば、プラズマの広がりを抑えて
いたアースシールドを、電圧を印加する電極と同電位に
することによりプラズマが広がり、ガスの流れによって
プラズマ発生域の外に付着した堆積物をプラズマエッチ
ングで除去することができる。
いたアースシールドを、電圧を印加する電極と同電位に
することによりプラズマが広がり、ガスの流れによって
プラズマ発生域の外に付着した堆積物をプラズマエッチ
ングで除去することができる。
次に、図面を参照して本発明の一実施例について説明
する。これらの図において従来と同様の構成要素につい
ては、同一の記号を付して示す。また、これらの図は本
発明の概略図であり、各構成要素の寸法、形状及び配置
関係は図に示した例に限定されるものではない。
する。これらの図において従来と同様の構成要素につい
ては、同一の記号を付して示す。また、これらの図は本
発明の概略図であり、各構成要素の寸法、形状及び配置
関係は図に示した例に限定されるものではない。
〔実施例１〕 第１図は本発明のプラズマCVD装置の実施例１の主要
断面の概略図である。図において、アースシールド９は
プラズマ分解による薄膜形成時には、接点を−と
し、アースシールドを接地してプラズマの広がりを抑え
る。一方、プラズマエッチングする時には、アースシー
ルド９は接点を−に接続し、電極２と同電位にして
プラズマを広げ、電極、アースシールドおよびチャンバ
ー内に堆積した薄膜をプラズマエッチングする。
断面の概略図である。図において、アースシールド９は
プラズマ分解による薄膜形成時には、接点を−と
し、アースシールドを接地してプラズマの広がりを抑え
る。一方、プラズマエッチングする時には、アースシー
ルド９は接点を−に接続し、電極２と同電位にして
プラズマを広げ、電極、アースシールドおよびチャンバ
ー内に堆積した薄膜をプラズマエッチングする。
〔実施例２〕 第２図は本発明のプラズマCVD装置の実施例２の主要
断面図の概略である。図において、アースシールドは９
および10から構成される。アースシールド10は、常に接
地されている。アースシールド９は、プラズマ分解によ
る薄膜形成時には、接点を−として接地し、プラズ
マの広がりを抑える。一方、プラズマエッチングする時
には、アースシールド９は接点を−に接続し、電極
２と、同電位にしてプラズマを広げ、電極、アースシー
ルドおよびチャンバー内に堆積した薄膜をプラズマエッ
チングする。
断面図の概略である。図において、アースシールドは９
および10から構成される。アースシールド10は、常に接
地されている。アースシールド９は、プラズマ分解によ
る薄膜形成時には、接点を−として接地し、プラズ
マの広がりを抑える。一方、プラズマエッチングする時
には、アースシールド９は接点を−に接続し、電極
２と、同電位にしてプラズマを広げ、電極、アースシー
ルドおよびチャンバー内に堆積した薄膜をプラズマエッ
チングする。
上述した２実施例および第３図に示す従来例のプラズ
マCVD装置について、アモルファスシリコンで形成したp
in型フォトダイオードを表−１の条件で、高周波グロー
放電分解法により連続15バッチ成膜した。
マCVD装置について、アモルファスシリコンで形成したp
in型フォトダイオードを表−１の条件で、高周波グロー
放電分解法により連続15バッチ成膜した。
この成膜によって、電極、アースシールドおよびチャ
ンバー内には最大約12μのアモルファスシリコン層が堆
積している。
ンバー内には最大約12μのアモルファスシリコン層が堆
積している。
次に、これらについてCF4/O2の混合ガスを用いて、ｉ
層成膜の３倍の電力を印加してプラズマエッチングによ
りアモルファスシリコンを除去した時の結果を表２に示
す。
層成膜の３倍の電力を印加してプラズマエッチングによ
りアモルファスシリコンを除去した時の結果を表２に示
す。
この結果からも明らかなように、本発明によるプラズ
マCVD装置は、比較的短時間で電極、アースシールドお
よびチャンバー内の薄膜を完全に除去することができ
た。
マCVD装置は、比較的短時間で電極、アースシールドお
よびチャンバー内の薄膜を完全に除去することができ
た。
本発明は、上述した実施例のエッチング実験に用いた
高周波グロー放電分解法によるアモルファスシリコン成
膜装置に限定されるものではなく、プラズマCVD成膜装
置すべてに適用することができる。
高周波グロー放電分解法によるアモルファスシリコン成
膜装置に限定されるものではなく、プラズマCVD成膜装
置すべてに適用することができる。
本発明の効果を以下に述べる。
（１） チャンバーを開けることなく、電極、アースシ
ールドおよびチャンバー内の堆積物をプラズマエッチン
グで完全に除去できる。
ールドおよびチャンバー内の堆積物をプラズマエッチン
グで完全に除去できる。
（２） チャンバーを開けないため、完全自動化が達成
でき、成膜コストが低減する。
でき、成膜コストが低減する。
（３） 成膜条件には何ら影響を与えない。
（４） 構造が比較的単純であり、装置のコストアップ
はわずかである。
はわずかである。
以上に述べたように、本発明は、簡単な構造で大きな
効果を有するため、実用上有用な発明である。
効果を有するため、実用上有用な発明である。
第１図は本発明のプラズマCVD装置の実施例１の主要断
面概略図。 第２図は本発明のプラズマCVD装置の実施例２の主要断
面概略図。 第３図は従来のプラズマCVD装置の主要断面概略図であ
る。 １……チャンバー ２……電極 ３……対向電極 ４……ガス吹出口 ５……ヒーター ６……基板 ７……電源 ８……排気口 ９……アースシールド 10……アースシールド
面概略図。 第２図は本発明のプラズマCVD装置の実施例２の主要断
面概略図。 第３図は従来のプラズマCVD装置の主要断面概略図であ
る。 １……チャンバー ２……電極 ３……対向電極 ４……ガス吹出口 ５……ヒーター ６……基板 ７……電源 ８……排気口 ９……アースシールド 10……アースシールド
Claims (1)
- 【請求項１】ガス吹出し口が表面に開口された第１の電
極と、前記第１の電極から離間して隣接配置されたアー
スシールド部材と、前記第１の電極及び前記アースシー
ルド部材に対向配置されて、表面に基板を載置する第２
の電極とをチャンバー内に備え、前記第１の電極と前記
第２の電極との間に電圧を印加することにより前記チャ
ンバー内でプラズマを発生させ、前記基板をプラズマ処
理するプラズマCVD装置において、 前記プラズマ処理時には前記アースシールド部材を接地
電位とし、プラズマクリーニング時には前記アースシー
ルド部材を前記第１の電極と同電位とする切替手段を設
けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248826A JP2554896B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248826A JP2554896B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6490522A JPS6490522A (en) | 1989-04-07 |
| JP2554896B2 true JP2554896B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17183997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62248826A Expired - Fee Related JP2554896B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554896B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8012306B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-09-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing reactor with multiple capacitive and inductive power sources |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130524A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP62248826A patent/JP2554896B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6490522A (en) | 1989-04-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |