JP2566173B2 - 電気化学的検出器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、フローセルあるいは液相クロマトグラフイ
などに適用される電気化学的検出器に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

通常、血糖値測定などでは一定流速で流れるキヤリア
溶媒に検体試料を注入し、これを流路中に配置した検出
器により測定するフローセルと呼ばれる装置が使われて
いる。また、液相クロマトグラフイでは試料注入口と検
出器の間にクロマトグラフイのためのカラムが挿入され
ており、ここで注入試料が分離され、各成分ごとに検出
されるようになつている。

この試料の検出には、紫外・可視などの分光学的方
法、屈折率測定、電導度測定、電気化学的方法などが知
られている。電気化学的方法では、流路中に電極を配置
し、そこに一定の電位を印加しておき、キヤリアにのつ
て流れる試料が電極に到達した際、電極との間で起こる
酸化還元電流をモニタすることで検出を行なつている。
このように電気化学的検出は、装置が単純で比較的高感
度であり、しかも電気化学的に不活性な物質や印加した
電位より低い酸化還元電位を持つ物質には応答しないの
で、特定物質を選択的に検出できるという特徴を有す
る。さらにグルコースなど電気化学的に不活性な物質に
おいても、グルコースオキシターゼ等の酵素で電極を修
飾することにより検出が可能になる。

〔発明が解決しようとする課題〕

フローセルなどでは、電極のフロー方向に対する長さ
が長いほど検出物質との接触時間が長くなるため、応答
が鈍化してしまうという問題がある。また、参照電極と
作用電極の距離が遠いと、この間の液体の電気抵抗に対
応した電圧降下が生じ、信号が鈍化してしまう。これら
を抑えるためには電極を微細化して接触時間を短くし、
作用電極と参照電極の間隔を短くすればよいのだが、こ
うすると電極面積が小さいため、電流値が小さくなり検
出が困難になるという欠点を有している。さらに電流応
答は電極形状に依存するため、異なる形状では異なる応
答を示すことになる。微小電極の多くはガラス細管中に
白金，金などの金属線，炭素繊維，金属塩化物等を封入
して作製するため、全く同じ電極形状のものを得ること
ができず、作製に手間がかかり多量に得ることが困難で
作製した電極間のばらつきも大きいため、定量的なデー
タが必要な場合には前もつて電極を検定しておく必要が
あり、多大な測定時間を必要とした。このため、測定に
より電極が汚染，腐食される等の理由により検定するこ
とができない場合には、定量的なデータを得ることが非
常に困難であつた。

このような問題を解決するものとしては、リソグラフ
イ技術を応用して作製した微小電極を用いることが提案
されている（例えば、Analytical Chemistry,60巻2770
頁1988年）。この方法では、任意の形状，一定の電極間
距離を持つ微小電極を多量に再現性良く、基板上に作製
することができる。この方法を用いて２つのくし形電極
をかみ合わせた微小電極を作製し、一方を目的物質の酸
化電位に、他方を還元電位にすることにより、２つの電
極間で酸化と還元を繰り返させ、電流を増加させる方法
が提案されている（Journal of Electroanalytical Che
mistry,256巻269頁1988年）。しかし、この方法では、
２つの作用電極を異なる電位で同時に制御できるデユア
ルポテンシオスタツトが必要となり、また、２つの作用
電極に接続しなくてはならないので、検出部の構造が複
雑になるなどの欠点があり、既存の装置をそのまま使用
することはできなかつた。

〔課題を解決するための手段〕

このような課題を解決するために本発明による電気化
学的検出器は、絶縁性基板上に形成されたパターン状薄
膜電極からなる複数の作用電極を有し、検体に対する酸
化還元電位が印加され、検体を酸化もしくは還元する第
１の作用電極と、その第１の作用電極により酸化もしく
は還元された検体が還元もしくは酸化する第１の部分，
および，第１の部分とは電気的に接続し、第１の部分が
前記検体を還元もしくは酸化したとき、近傍の検体試料
溶液中の検体を酸化もしくは還元する第２の部分からな
り、電位が印加されない第２の作用電極とを備え、第１
の作用電極と第２の作用電極の第１の部分とは、微少な
平面的間隔および／あるいは絶縁層を介した立体的段差
による微小間隔により分離されているようにしたもので
ある。

〔作用〕

本発明においては、これまで２つの作用電極をデユア
ルポテンシオスタツトに接続し、それぞれに異なる電位
を印加していたのに対し、一方の作用電極（第１の作用
電極）を通常のポテンシオスタットに接続し、他方の作
用電極（第２の作用電極）を第１の作用電極に近づけた
第１の部分と離した第２の部分とから構成することによ
り、２つの作用電極をデユアルポテンシオスタツトに接
続したのと同じ効果が得られることを見いだした。

言い換えれば、電位が与えられる第１の作用電極で目
的物質を酸化あるいは還元すると、微小間隔で隔てられ
た第２の作用電極の第１の部分へ拡散するのに対し、そ
こより離れた第２の作用電極の第２の部分までは酸化あ
るいは還元された目的物質が拡散していないので、これ
ら第１の部分と第２の部分との間で濃度差を生じる。こ
の濃度差により第２の作用電極に電位が生じ、電位が与
えられている第１の作用電極で酸化あるいは還元された
目的物質を第２の作用電極の第１の部分で還元あるいは
酸化して元の物質に戻す、いわゆるレドックスサイクリ
ングが起こり、高感度化できることを見いだした。

このとき、第２の作用電極の第１の部分で起こる電気
化学反応で生成あるいは消費される電子は、第２の部分
で起こる逆の電気化学反応で消費あるいは生成される。
なお、第１の作用電極と第２の作用電極の第１の部分と
の微小間隔は、小さければ小さいほど有効であるが、少
なくとも50μｍ以下であることが好ましい。

この第２の作用電極の第２の部分は、フローセルやク
ロマトグラフイの液路の適当な位置に設けた電極あるい
は液路がステンレスパイプなど導電性の材料であるなら
ばそれ自体、さらには第１の部分より配線を延ばし、こ
の配線に白金などの金属を第２の部分として接続してフ
ローセルなどのキャリア液溜やその廃液受けに浸漬する
だけでもよい。また、第１の部分と第２の部分とは、10
μｍ以上離れていることが好ましい。

さらに、その配線の途中に電流計を設ければ、デユア
ルポテンシオスタツトを用いる場合と同様な測定が可能
となる。例えば、目的物質以外にアスコルビン酸を含む
ような検体では、第１の作用電極でアスコルビン酸と目
的物質を同時に参加させ、第２の作用電極の第１の部分
での目的物質の還元電流を上述の電流計で測定すること
により、目的物質のみの濃度を知ることができる。

また、第１および第２の作用電極としては、第１の作
用電極を微小電極とし、第２の作用電極を通常サイズの
電極とし、これらを微小間隔で平行あるいは対向させて
配置するようにしてもよい。

また、微小デイスク電極をマトリクス状に多数並べた
微小デイスクアレイ電極において、デイスク電極を第１
の作用電極として用い、デイスク電極間の絶縁膜をデイ
スク電極と電気的に隔離して導電体に置換した電極を第
２の作用電極として用いるようにしてもよく、従来の測
定装置の電極部分のみを変えればよいことになる。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。な
お、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではな
い。

（実施例１） 第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明による電気化学的検
出器の一実施例による構成をその製造方法に基づいて説
明する工程の断面図である。同図において、まず、同図
（ａ）に示すように表面に１μｍの厚さの酸化膜１を有
するシリコン基板（大阪チタニウム社製）２上に5nmの
厚さのチタン膜を挾んで100nmの厚さの白金薄膜３を電
子線加熱蒸着装置（アネルバ製:VI−451）を用いて形成
した。次に同図（ｂ）に示すようにこのシリコン基板２
上にフオトレジスト（シツプレー社製:MP1400−27）を
１μｍの厚さで塗布した。このレジスト塗布シリコン基
板２をホツトプレート上で80℃,2分の条件でベークし
た。その後、クロムマスクを用いて噛み合つたくし形構
造の電極パターンを、マスクアライナー（キヤノン製:P
LA−501）により15秒間密着露光した。露光したシリコ
ン基板２は、レジスト現像液（シツプレー社製:MF319）
中で20℃,60秒間現像を行ない、水洗，乾燥してマスク
パターンをレジストに転写してレジストパターン４を形
成した。次に同図（ｃ）に示すようにこのシリコン基板
２をイオンミリング装置（Commonwealth Scientific社
製:Millatron）内の所定位置に取り付け、アルゴンガス
２×10^-4Torr,引き出し電圧550Vでミーリングを行な
い、レジストパターン４に覆われていない部分の白金お
よびその下層のチタン膜を取り除いた後、アツシング装
置（東京応化製：プラズマアツシヤ）にてレジストパタ
ーン４を除去して互いに噛合したくし形作用電極5,6を
形成した。次に同図（ｄ）に示すようにこのシリコン基
板２をプラズマCVD装置（Applied Materials社製:AMP−
3300）内に入れ、シランガス23SCCM,アンモニアガス48S
CCMの流量で各ガスを流し、ガス圧0.2Torr,投入電力500
W,シリコン基板温度300℃で10分間堆積を行ない、厚さ4
00nmの窒化シリコン膜７で被覆した。次に同図（ｅ）に
示すようにこの窒化シリコン膜７上に再びレジストをス
ピンコートし、マスクアライナで露光後、現像してレジ
ストパターン８を得た。次に同図（ｆ）に示すようにこ
のシリコン基板２を反応性イオンエツチング装置（アネ
ルバ製:DEM−451）内に入れCF₄ガスを流量25SCCM,圧力
0.25Pa,150Wの条件でレジストパターンをマスクにして1
5分間、窒化シリコン膜７のエツチングを行なつてくし
形作用電極5,6およびその接続パツドを露出させた。作
製したくし形作用電極5,6の形状は、各くしの電極幅1.5
μm,くし間隔1.5μm,くしの長さ2mmおよびくしの本数各
100本ずつであつた。

このようにして形成された電気化学的検出器をフロー
セルシステム（BAS社製:LC−4B/17AT）に装着し、２つ
のくし形作用電極5,6の一方はフローセルシステムのポ
テンシオスタツトに、他方はフエロセンを加えた廃液溜
に浸漬した白金線に接続した。参照電極に対してくし形
作用電極の電位を0.7Vに設定し、１μmol/のフエロセ
ン100μを流速0.8ml/minのもとで注入したところ、該
くし形作用電極は直ちに応答し、30msecでピーク電流値
55nAを示し、50msecで元に戻つた。また、ディアルポテ
ンシオスタツトを用い、参照電極に対してくし形作用電
極の一方の電位を0.7Vに他方の電位を−0.1Vに設定して
同様の実験を行なつて同様の結果を得た。一方、同一面
積の円形電極を用いて同様の実験を行なつたところ、50
msecでピーク電流値0.29nAとなり、500msecで元に戻つ
た。

（実施例２） 第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明による電気化学的検出
器の製造方法の他の実施例を説明する工程の断面図であ
り、前述の図と同一部分には同一符号を付してある。同
図において、まず、同図（ａ）に示すように表面に１μ
ｍの厚さの酸化膜１を有するシリコン基板２をステツパ
装置（アネルバ製:SPF−332H）内の所定位置にメタルマ
スクとともに取り付け、圧力1.3Pa,アルゴン中，パワー
50Wでクロムのスパツタを10秒間行ない、真空を破るこ
となく続いてパワー70Wで１分間白金のスパツタを行な
い、同図（ｂ）に示すように膜厚100nmのクロム−白金
膜の下部電極９を形成した。次にメタルマスクを外して
同図（ｃ）に示すように二酸化シリコン膜10をスパツタ
法で堆積させた。次に同図（ｄ）に示すようにパワー50
W,10分のスパツタを行ない、二酸化シリコン膜10を300n
mの膜厚とした後、再び別のメタルマスクを装着し、ク
ロム−白金の表面電極11を100nm堆積した。その後、こ
のシリコン基板２上にフオトレジスト（シツプレー社
製:MP1400−27）を１μｍの厚さに塗布した。そして、
このレジスト塗布シリコン基板２をオーブン内に入れ80
℃,30分の条件でベークした。その後、レチクルを用い
てステツパ（ニコン製:NSR1010G）により0.3秒間縮小投
影露光した。露光したシリコン基板２は、レジスト現像
液（シツプレー社製:MF−319）中で20℃,60秒間現像を
行ない、水洗，乾燥して同図（ｅ）に示すようにレチク
ルパターンをレジストに転写したレジストパターン12を
形成した。次に現像後、このシリコン基板２はイオンミ
リング装置内の所定位置に取り付け、アルゴンガス圧２
×10^-4Torr,引き出し電圧550Vでミリングを行ない、同
図（ｆ）に示すように上部作用電極13を形成するととも
に続いて反応性イオンエツチング装置内に入れ、CF₄ガ
ス，流量25SCCM,圧力0.25Pa,150Wの条件で10分間、二酸
化シリコン膜10のエツチングを行なつて同図（ｆ）に示
すように微細孔を有する多数の微小デイスクアレイ電極
14を形成した。この場合、各デイスクアレイ電極14の直
径は１μm,デイスクアレイ電極14の間隔は10μm,個数は
10000個とした。その後、このシリコン基板２をメチル
エチルケトン中に浸漬して超音波処理を行ない、電極形
成部分以外のレジストを剥離して電極パターンを得た。
このようにして作製した電気化学測定用セルの概略を第
３図に斜視図で示す。同図において、9A,13Aは接続パツ
ドである。

このように構成された電気化学的検出器をフローセル
システムに装着し、下部の微小デイスクアレイ電極14を
フローセルシステムのポテンシオスタットに接続した。
参照電極に対して作用電極となる下部の微小デイスクア
レイ電極14の電位を0.7Vに設定し、１μmol/のフエロ
セン100μを流量0.8ml/minのもとで注入したところ、
この微小デイスクアレイ電極14は直ちに反応し、30msec
でピーク電流値55nAを示し、50msecで元に戻った。これ
に対して、デユアルポテンシオスタツトを用い、参照電
極に対して微小デイスクアレイ電極14の電位を0.7Vに設
定し、これに加えて、この場合は、その廻りの上部作用
電極13にも−0.1Vの電位を設定して同様の実験を行った
ところ、同様の結果を得た。

（実施例３） 第４図（ａ）〜（ｇ）は本発明による電気化学的検出
器の製造方法のさらに他の実施例を説明する工程の断面
図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付してあ
る。同図において、まず、同図（ａ）に示すように表面
に１μｍの厚さの酸化膜１を有するシリコン基板２をス
パツタ装置内の所定位置に取り付け、クロム，白金を順
次スパツタデポを行なつた。そして、圧力10^-2Torr,ア
ルゴン雰囲気でクロムを50W,10秒，白金を70W,1分間ス
パツタを行ない、膜厚100nmの白金／クロム薄膜を得
た。その後、このシリコン基板２上にフオトレジストを
1.0μｍの厚さに塗布した。このレジスト塗布シリコン
基板２をホツトプレート上で90℃,2分の条件でベークし
た。その後、マスクアライナにより15秒間密着露光し
た。露光したシリコン基板２は、レジスト現像液中で20
℃,60秒間現像を行ない、水洗，乾燥してマスクパター
ンをレジストに転写した。次にこのレジスト転写シリコ
ン基板２をイオンミリング装置内の所定位置に取り付
け、アルゴンガス圧２×10^-4Torr,引き出し電圧550Vで
白金／クロム薄膜のミリングを２分間行ない、アツシン
グ装置にてレジストを除去して同図（ｂ）に示すような
下部くし形作用電極15を形成した。次にこのシリコン基
板２は再びスパツタ装置内に入れ、同図（ｃ）に示すよ
うに基板全面を100nmの二酸化シリコン膜10で覆つた。
その後、再びこのシリコン基板２をスパツタ装置に取り
付け、クロム，白金を順次スパツタデポを行ない、膜厚
100nmの白金／クロム薄膜を形成した。その後、このシ
リコン基板２上にフオトレジストを１μｍ厚さに塗布
し、位置合わせを行なつてくし形電極パターンを密着露
光した。現像後、再び白金／クロム薄膜のミリングを行
ない、レジストをアツシングで剥離して同図（ｄ）に示
すように上部くし形作用電極16を形成した。次にこのシ
リコン基板２は再びスパツタ装置内に入れ、同図（ｅ）
に示すように基板全面に100nmの二酸化シリコン膜10で
覆つた。次にこのシリコン基板２上にフオトレジストを
１μｍの厚さに塗布し、クロムマスクを用いて上下に噛
み合つたくし形電極部分（1mm×0.25mm），パツド部分
のみを露光，現像し、同図（ｆ）に示すようにその部分
を露出させた。次にこのシリコン基板２は反応性イオン
エツチング装置内に入れ、CF₄ガス，流量25SCCM,圧力0.
25Pa,150Wの条件でレジストパターン８をマスクにして
５分間、二酸化シリコン膜10のエツチングを行なつて同
図（ｇ）に示すように上部くし形作用電極16および下部
くし形作用電極15を露出させた。この結果、上下に分か
れた２つの作用電極間が極めて小さい噛み合つたくし形
電極化学測定用セルが得られた。作製したくし形作用電
極15,16の形状は、各くしの電極幅1.5μm,くし形電極間
の段差0.3μm,くしの長さ2mm,くしの本数各200本ずつで
あつた。作製したくし形電気化学測定用セルの電極部分
の概略図を第５図に斜視図で示す。

このようにして作製された電気化学的検出器を高速液
体クロマトグラフイ装置（日本分光社製:800シリーズに
カラムとしてカテコールパツクを取り付け）に装着し、
上部くし形作用電極16は目的検体を加えた廃液溜めに浸
漬した白金に接続し、下部くし形作用電極15の電位を飽
和カロメル電極に対して0.7Vに設定した。ノルアドレナ
リン，エピネフリン，ドーパミンを各400pgずつPH3.1の
リン酸緩衝液1mlに溶かし、溶液100μを流速1ml/min
のもとで注入したところ、各試料はカラムにより分離さ
れ、各試料とも5nAのピーク電流を示した。通常のグラ
ツシーカーボンを電極とした場合には、ピーク電流は0.
5nAであつた。

（実施例４） 前記実施例３で作製した電気化学的検出器を液相クロ
マトグラフイに装着し、参照電極に対して上部くし形作
用電極16の電位を0.7Vに設定し、下部くし形作用電極15
とドーパミンを加えた廃液溜めの白金との間に電流計を
装着し、下部くし形作用電極15の電流を測定できるよう
にした。100μmol/のアスコルビン酸,100μmol/の
ドーパミンの混合溶液100μを流速0.8ml/minのもとで
注入した。その結果、注入後、３分で上部くし形作用電
極16側のみにアスコルビン酸の酸化電流が観測され、下
部くし形作用電極15ではほとんど電流が観測されなかつ
た。さらに注入後、８分で上部くし形作用電極16側では
ドーパミンの酸化電流（85nA）、下部くし形作用電極15
側では酸化されたドーパミンの還元電流が観測された。
下部くし形作用電極15を接続せず、上部くし形作用電極
16の電位を0.7Vに設定して同様のことを行なつたとこ
ろ、ドーパミンの酸化電流は、下部くし形作用電極15を
接続して行なつた場合の20分の１（4.2nA）であつた。

（実施例５） 前記実施例４で電気化学的検出器を液相クロマトグラ
フイに代えてフローセルに装着し、参照電極に対して上
部くし形作用電極16の電位を0.7Vに設定し、下部くし形
作用電極15とドーパミンを加えた廃液溜めの白金との間
に電流計を装着し、下部くし形作用電極15の電流を測定
できるようにした。100μmol/のアスコルビン酸,100
μmol/のドーパミンの混合溶液100μを流速0.8ml/m
inのもとで注入した。その結果、注入後、３分で上部く
し形作用電極16側ではアスコルビン酸とドーパミンの酸
化電流が観測され、下部くし形作用電極15ではドーパミ
ンのみの電流が観測された。下部くし形作用電極15を接
続せず、上部くし形作用電極16の電位を0.7Vに設定して
同様のことを行なつたところ、酸化電流は、下部くし形
作用電極15を接続して行なつた場合の20分１（4.2nA）
以下であり、しかもアスコルビン酸の信号と重なつてし
まい、分離することができなかつた。

なお、前述した実施例において、表面あるいは全体が
絶縁性の基板としては、酸化膜付シリコン基板を用いた
が、この他に石英板，酸化アルミニウム基板，ガラス基
板，プラスチツク基板などを挙げることができる。ま
た、電極用の金属としては、金，白金，銀，クロム，チ
タン，ステンレスなどを挙げることができる。さらに電
極用の半導体としてはｐおよびｎ型シリコン,pおよびｎ
型ゲルマニウム，硫化カドミウム，二酸化チタン，酸化
亜鉛，ガリウムリン，ガリウム砒素，インジウムリン，
カドミウムセリン，カドミウムテルル，二酸化モリブデ
ン，セレン化タングステン，二酸化銅，酸化スズ，酸化
インジウム，インジウムスズ酸化物などを挙げることが
できる。半金属としては導電性カーボンを挙げることが
できる。絶縁膜としては、酸化シリコン，二酸化シリコ
ン，窒化シリコン，シリコーン樹脂，ポリイミドおよび
その誘導体，エポキシ樹脂，高分子熱硬化物などを挙げ
ることができる。参照電極上の参照物質としては、銀，
塩化銀，ポリビニルフエロセン等を挙げることができ
る。

また、微小電極の作製は、薄膜形成法，レジストパタ
ーン形成法，エツチング法などのリソグラフイ技術を組
み合わせて行なう。薄膜形成法としては蒸着法，スパツ
タ法,CVD法または塗布法をあげることができる。レジス
トパターン形成法としては、ホトリソグラフイ，電子線
リソグラフイ,X線リソグラフイなどを利用することがで
きる。また、パターン形成法としては、まず、基板全面
に薄膜を形成し、そこにレジストパターンを形成し、こ
れをマスクに下層の薄膜をエツチングするエツチング法
またはレジストパターンを形成後、その上に薄膜を堆積
させ、レジストを剥離することにより、レジストに覆わ
れていなかつた鵜分のみに薄膜パターンを形成するリフ
トオフ法などが利用できる。電極作製後、作製した電極
のうち、一方に支持物質となる金属，有機酸化還元性高
分子をメツキ，電解重合法により、形成し参照電極とす
ることも可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明による電気化学的検出器に
よれば、２つの作用電極を有しながら、デユアルポテン
シオスタツトを必要とせず、従来の検出電極を置き換え
て使用するのみで、レドツクスサイクルによる電流増加
が起り、従来の検出器に比べて10倍〜100倍以上感度を
向上させることができた。また、これまで、アスコルビ
ン酸が妨害物質となつて測定が困難であつた試料につい
ても、一方の電極でアスコルビン酸を酸化させ、電気化
学的に不活性にした後、他方の電極で目的物質を検出す
ることにより、アスコルビン酸に妨害されることなく、
検出できた。さらにリソグラフイ技術を用いて作製する
ため、任意のサイズ，形状，電極間距離の作用電極，参
照電極，対向電極を有する測定セルを安価で多量に得る
ことができ、簡単な装置で測定可能となるなどの利点が
得られるので、フローセルや液相クロマトグラフイ用の
電気化学的検出として極めて利用価値が大きいなどの極
めて優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明による電気化学的検出器
の製造方法の一実施例を説明する工程の断面図、第２図
（ａ）〜（ｆ）は本発明の他の実施例を説明する工程の
断面図、第３図は本発明による電気化学的検出器の一実
施例による構成を示す斜視図、第４図（ａ）〜（ｇ）は
本発明のさらに他の実施例を説明する工程の断面図、第
５図は本発明のさらに他の実施例による構成を示す要部
概略図である。 １……シリコン酸化膜、２……シリコン基板、３……白
金薄膜、４……レジストパターン、5,6……くし形作用
電極、７……窒化シリコン膜、８……レジストパター
ン、９……下部電極、9A……接続パツド、10……二酸化
シリコン膜、11……表面電極、12……レジストパター
ン、13……上部作用電極、13A……接続パツド、14……
微小デイスクアレイ電極、15……下部くし形作用電極、
16……上部くし形作用電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田部井 久男 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−301159（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−19757（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−268265（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−179248（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−50263（ＪＰ，Ｕ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性基板上に形成された複数のパターン
   状薄膜電極からなる作用電極を有し、検体試料溶液を流
   入してそれに溶解している検体試料を電気的に検出する
   電気化学的検出器において、 前記検体に対する酸化還元電位が印加され、前記検体を
   酸化もしくは還元する第１の作用電極と、 前記第１の作用電極により酸化もしくは還元された検体
   が還元もしくは酸化する第１の部分，および，前記第１
   の部分とは電気的に接続し、前記第１の部分が前記検体
   を還元もしくは酸化したとき、近傍の前記検体試料溶液
   中の検体を酸化もしくは還元する第２の部分からなり、
   電位が印加されない第２の作用電極と を備え、 前記第１の作用電極と第２の作用電極の第１の部分と
   は、微少な平面的間隔および／あるいは絶縁層を介した
   立体的段差による微小間隔により分離されていることを
   特徴とする電気化学的検出器。