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JP2571235B2 - Electronic component sealing method - Google Patents
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JP2571235B2 - Electronic component sealing method - Google Patents

Electronic component sealing method

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JP2571235B2
JP2571235B2 JP62227809A JP22780987A JP2571235B2 JP 2571235 B2 JP2571235 B2 JP 2571235B2 JP 62227809 A JP62227809 A JP 62227809A JP 22780987 A JP22780987 A JP 22780987A JP 2571235 B2 JP2571235 B2 JP 2571235B2
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sealing
propylene polymer
electronic component
modified propylene
treatment agent
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雅彦 玉田
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、発光ダイオード(LED)、集積回路(IC)
などの電子部品の封止方法に関し、さらに詳しくは、発
光ダイオードまたは集積回路などの電子部品の封止部品
を封止用樹脂により封止するに際し、封止部分に予め特
定の表面処理剤を被着させた後、封止用樹脂により封止
することにより、封止部分を保護し補強するとともに、
封止部分と封止用樹脂との密着を良好にした発光ダイオ
ード、集積回路などの電子部品の封止方法に関する。
Description: TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to light emitting diodes (LEDs), integrated circuits (ICs)
More specifically, when a sealing component of an electronic component such as a light emitting diode or an integrated circuit is sealed with a sealing resin, a specific surface treatment agent is applied to the sealing portion in advance. After being attached, sealing with a sealing resin protects and reinforces the sealed part,
The present invention relates to a method for sealing an electronic component such as a light emitting diode and an integrated circuit, in which the sealing portion and the sealing resin have good adhesion.

発明の技術的背景ならびにその問題点 発光ダイオードは、金線などのワイヤが接続された金
属リードフレームに半導体チップをマウントし、次いで
エポキシ樹脂などの封止用樹脂で封止し、レンズ状ある
いはその他の形状に成型して製造されている。またICな
どのチップ化された電子部品もまた、エポキシ樹脂など
の封止用樹脂によって金線あるいはリードフレームなど
が封止されている。
Technical background of the invention and its problems Light-emitting diodes are manufactured by mounting a semiconductor chip on a metal lead frame to which a wire such as a gold wire is connected, and then sealing with a sealing resin such as epoxy resin to form a lens or other It is manufactured by molding into a shape. In addition, a chip-shaped electronic component such as an IC is also sealed with a gold wire or a lead frame by a sealing resin such as an epoxy resin.

ところで上記のような発光ダイオードまたはICなどの
電子部品を封止用樹脂で封止するには、熱硬化性樹脂で
あるエポキシ樹脂が主として用いられてきた。ところが
エポキシ樹脂で上記のような電子部品を封止するには、
エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であるため射出成形法を採
用することができず、生産性に劣るという問題点があっ
た。このため、たとえばポリフェニレンサルファイド、
液晶ポリマー、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂を射出成
形することによって上記のような電子部品を封止しよう
とする研究が進められている。
By the way, to seal electronic components such as light emitting diodes or ICs with a sealing resin, an epoxy resin which is a thermosetting resin has been mainly used. However, to seal such electronic components with epoxy resin,
Since the epoxy resin is a thermosetting resin, the injection molding method cannot be adopted, and there is a problem that productivity is poor. For this reason, for example, polyphenylene sulfide,
Research for sealing the above electronic components by injection molding a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer or a polyimide has been advanced.

ところが熱可塑性樹脂の射出成形によって、発光ダイ
オードまたはICなどの電子部品を封止しようとすると、
射出成形時の圧力などによって、従来のエポキシ樹脂で
電子部品を封止しようとする場合よりも、数段、電子部
品の金線などのワイヤに切断あるいは変形が生じやす
く、またリードフレームあるいは半導体素子が破損する
ことがあるという重大な問題点があった。このため、射
出成形によって電子部品を封止しようとする場合には、
エポキシ樹脂で電子部品を封止しようとする場合以上
に、金線などのワイヤあるいはリードフレーム、半導体
素子を保護する必要がある。
However, when trying to seal electronic components such as light emitting diodes or ICs by injection molding of thermoplastic resin,
Due to the pressure during injection molding, the wires such as the gold wires of the electronic components are more likely to be cut or deformed than in the case where the electronic components are sealed with the conventional epoxy resin. However, there was a serious problem that the device could be damaged. Therefore, when trying to seal electronic components by injection molding,
It is necessary to protect a wire such as a gold wire, a lead frame, and a semiconductor element more than when an electronic component is sealed with an epoxy resin.

このような金線などのワイヤ、リードフレーム、半導
体素子を保護しようとするには、たとえば特開昭54−48
186号公報では、半導体素子部などの電子部品を予め樹
脂で被覆し、次いで封止する方法が提案されている。と
ころが、この公報に開示された方法では、封止樹脂とワ
イヤなどの金属との接合部が強固に接着されていないた
め、界面にクラックが生じたり、またクラックから水分
が浸入して金属の腐蝕が生じたりして、電子部材の信頼
性が大きく低下してしまうという重大な問題点が生じて
いる。
In order to protect such a wire such as a gold wire, a lead frame and a semiconductor element, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Japanese Patent Publication No. 186 proposes a method in which an electronic component such as a semiconductor element portion is previously covered with a resin and then sealed. However, according to the method disclosed in this publication, since the joint between the sealing resin and the metal such as a wire is not firmly bonded, cracks may occur at the interface, or moisture may enter from the cracks and cause corrosion of the metal. And the reliability of the electronic member is greatly reduced.

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決
しようとするものであって、発光ダイオードまたはICな
どの電子部品の封止部分を封止用樹脂によって封止する
際に、ワイヤ、リードフレーム、半導体素子などの封止
部分のうち切断または変形しやすいような部分を保護す
るとともに補強し、封止部分にクラックが生じたりする
ことがなく、しかも射出成形が可能であるような電子部
品の封止方法を提供することを目的としてある。
Object of the Invention The present invention is to solve the problems associated with the prior art as described above, and when sealing a sealing portion of an electronic component such as a light emitting diode or an IC with a sealing resin. Protects and reinforces the easily cut or deformed portions of the sealing portions of wires, lead frames, semiconductor elements, etc., so that cracks do not occur in the sealing portions, and injection molding is possible. An object of the present invention is to provide a method for sealing such electronic components.

発明の概要 本発明に係る電子部品の封止方法は、電子部品の封止
部分を封止溶樹脂により封止するに際して、未変性プロ
ピレン系重合体に、不飽和カルボン酸またはその誘導体
を、得られる変性プロピレン系重合体のケン化価が5〜
150mgの範囲内になるようにグラフト重合させた、極限
粘度[η]0.1〜5dl/gの変性プロピレン系重合体を、塩
素含有量が10〜50重量%になるように塩素化した変性プ
ロピレン系重合体塩素化物が含有される表面処理剤
(A)を、予め封止部分に被着させた後に、封止用樹脂
により封止することを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The method for encapsulating an electronic component according to the present invention includes the steps of, when sealing a sealing portion of the electronic component with a sealing resin, obtaining an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof in an unmodified propylene polymer. Saponification value of the modified propylene polymer is 5
Modified propylene polymer having a limiting viscosity [η] of 0.1 to 5 dl / g, which is chlorinated so that the chlorine content is 10 to 50% by weight, which has been graft-polymerized to fall within the range of 150 mg. A surface treatment agent (A) containing a chlorinated polymer is applied to a sealing portion in advance and then sealed with a sealing resin.

本発明に係る発光ダイオードまたはICなどの電子部品
の封止方法によれば、ワイヤ、リードフレーム、半導体
素子などの破損しやすい部分に、特定の表面処理剤を被
着させた後に封止用樹脂により封止しているので、ワイ
ヤなどの封止部分と表面処理剤との接着性が著しく優れ
ているため、封止部分と封止用樹脂との間にクラックな
どが生ずることなく、しかもワイヤなどに破損あるいは
変形が生ずることもない。このため電子部品を射出成形
によって極めて効率的に製造することができる。
According to the method for sealing an electronic component such as a light emitting diode or an IC according to the present invention, a sealing resin is applied after a specific surface treatment agent is applied to easily breakable portions such as wires, lead frames, and semiconductor elements. , The adhesion between the sealing portion such as a wire and the surface treatment agent is remarkably excellent, so that no cracks or the like occur between the sealing portion and the sealing resin, and the wire No damage or deformation occurs. For this reason, an electronic component can be extremely efficiently manufactured by injection molding.

発明の具体的説明 以下本発明に係る電子部品の封止方法について具体的
に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, a method for sealing an electronic component according to the present invention will be specifically described.

本発明で封止される電子部品としては、発光ダイオー
ド、ICなどを含めて、樹脂で封止されるものがすべて含
まれる。このような電子部品は、一般に金属などのワイ
ヤがリードフレームに接続されており、このリードフレ
ームには半導体素子(ICチップ)がマウントされた構造
を有している。
The electronic components sealed by the present invention include all components sealed with resin, including light-emitting diodes and ICs. Such an electronic component generally has a structure in which a wire such as a metal is connected to a lead frame, and a semiconductor element (IC chip) is mounted on the lead frame.

本発明では、上記のような電子部品の封止部分を、封
止用樹脂で封止するに際し、下記に示すような表面処理
剤(A)を予じめ封止部分に被着させた後、封止用樹脂
により封止している。
In the present invention, when a sealing portion of an electronic component as described above is sealed with a sealing resin, a surface treatment agent (A) as described below is applied to the sealing portion in advance. , And is sealed with a sealing resin.

本発明で使用する表面処理剤(A)は、変性プロピレ
ン系重合体塩素化物からなる。
The surface treating agent (A) used in the present invention comprises a chlorinated modified propylene polymer.

この変性プロピレン系重合体塩素物の調製に際して
は、まず、未変性のプロピレン系重合体に、不飽和カル
ボン酸またはその誘導体をグラフト共重合された変性プ
ロピレン系重合体を調製する。この変性プロピレン系重
合体のケン化価は、5〜150mg/gの範囲にある。そし
て、この変性プロピレン系重合体についてデカリン溶媒
135℃で測定した極限粘度[η]は、0.1〜5dl/gの範囲
にある。
In preparing the modified propylene polymer chloride, first, a modified propylene polymer is prepared by graft copolymerizing an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof with an unmodified propylene polymer. The saponification value of this modified propylene polymer is in the range of 5 to 150 mg / g. Then, the decalin solvent for the modified propylene polymer
The intrinsic viscosity [η] measured at 135 ° C. is in the range of 0.1 to 5 dl / g.

本発明の方法で表面処理剤(A)として使用する変性
プロピレン系重合体塩素化物は、上記のような特性を有
する変性プロピレン系重合体を、塩素含有量が10〜50重
量%の範囲内になるように塩素化することにより得られ
る。塩素含有量が50重量%より多いと、変性プロピレン
系重合体塩素化物が硬くもろくなり、封止樹脂の剥離強
度が充分に高くならない。また、耐溶剤性も低下する。
さらに得られる変性プロピレン系重合体塩素化物の着色
も著しくなると共に、遊離塩素量も多くなり、この遊離
塩素により素子が劣化しやすくなる。他方、本発明で
は、表面処理剤(A)は、トルエン、メチルイソブチル
ケトン、メチルシクロヘキサンなどの有機溶媒に変性プ
ロピレン系重合体塩素化物を溶解して使用されるが、変
性プロピレン系重合体塩素化物の塩素含有量が10重量%
に満たないと、変性プロピレン系重合体塩素化物の溶解
性が低く、被着部分の封止部分の表面処理を効率的に行
うことができない。
The chlorinated modified propylene polymer used as the surface treatment agent (A) in the method of the present invention is a chlorinated modified propylene polymer having the above-mentioned properties when the chlorine content is within the range of 10 to 50% by weight. It is obtained by chlorination as follows. When the chlorine content is more than 50% by weight, the chlorinated modified propylene polymer becomes hard and brittle, and the peel strength of the sealing resin does not become sufficiently high. Also, the solvent resistance is reduced.
Further, the coloring of the obtained chlorinated modified propylene polymer becomes remarkable, and the amount of free chlorine also increases, and the element tends to deteriorate due to the free chlorine. On the other hand, in the present invention, the surface treatment agent (A) is used by dissolving the chlorinated modified propylene polymer in an organic solvent such as toluene, methyl isobutyl ketone, and methylcyclohexane. Chlorine content of 10% by weight
If it is less than the above, the solubility of the chlorinated modified propylene polymer is low, and the surface treatment of the sealed portion of the adhered portion cannot be performed efficiently.

本発明において、上記のような変性プロピレン系重合
体塩素化物を含有する表面処理剤の調製に用いられる未
変性のプロピレン系重合体の組成は、プロピレン成分単
位が、通常は70〜100モル%、好ましくは85〜100モル%
であり、プロピレン以外のα−オレフィン成分単位が、
通常0〜30モル%、好ましくは0〜15モル%である。
In the present invention, the composition of the unmodified propylene polymer used for the preparation of the surface treatment agent containing the chlorinated modified propylene polymer as described above has a propylene component unit of usually 70 to 100 mol%, Preferably 85 to 100 mol%
Is an α-olefin component unit other than propylene,
Usually, it is 0 to 30 mol%, preferably 0 to 15 mol%.

ここでプロピレン以外のα−オレフィンとしては、た
とえばエチレン、1−ブテン1−ペンテン、1−ヘキセ
ン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテ
ン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘプテン、1−オ
クテン等が用いられる。これらのα−オレフィンの中で
は、エチレン、1−ブテンを用いたものが好ましい。こ
れらのプロピレン以外のα−オレフィンは、各単独でプ
ロピレンとともにプロピレン系重合体を構成していても
よいし、2種以上がプロピレンとともにプロピレン系重
合体の構成成分となっていてもよい。またプロピレン系
重合体は各構成成分単位のランダム共重合体、各種ブロ
ック共重合体でもよい。プロピレン系重合体の好ましい
例としては、アイソタクチック・ポリプロピレン、プロ
ピレン−エチレン共重合体、プロピレン−1−ブテン共
重合体等を挙げることができる。
Here, as the α-olefin other than propylene, for example, ethylene, 1-butene 1-pentene, 1-hexene, 2-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, -Heptene, 1-octene and the like are used. Among these α-olefins, those using ethylene and 1-butene are preferred. These α-olefins other than propylene may independently constitute a propylene polymer together with propylene, or two or more thereof may be constituent components of the propylene polymer together with propylene. Further, the propylene-based polymer may be a random copolymer of each constituent unit or various block copolymers. Preferred examples of the propylene-based polymer include isotactic polypropylene, propylene-ethylene copolymer, propylene-1-butene copolymer and the like.

この未変性プロピレン系重合体は、上記成分単位の
他、さらに、アクリル酸、アクリル酸エステル、酢酸ビ
ニル、ビニルアルコール、塩化ビニル等の共重合性モノ
マーから誘導される成分単位を含むこともできる。
The unmodified propylene-based polymer may further contain a component unit derived from a copolymerizable monomer such as acrylic acid, an acrylate, vinyl acetate, vinyl alcohol, and vinyl chloride, in addition to the above component units.

変性プロピレン系重合体は、上記の未変性のプロピレ
ン系重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体が、グ
ラフト共重合してなり、そのケン化価が5〜150mg/gの
範囲にあることが必要であり、特に30〜100mg/gの範囲
にあることが好ましい。この変性プロピレン系重合体の
極限粘度[η]は、0.1〜5dl/gの範囲にあることが必要
であり、0.2〜3dl/gの範囲にあることが好ましい。
The modified propylene-based polymer is obtained by graft copolymerization of the above-mentioned unmodified propylene-based polymer with an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof, and the saponification value needs to be in the range of 5 to 150 mg / g. And particularly preferably in the range of 30 to 100 mg / g. The intrinsic viscosity [η] of the modified propylene polymer needs to be in the range of 0.1 to 5 dl / g, and preferably in the range of 0.2 to 3 dl / g.

この変性プロピレン系重合体のケン化価あるいは極限
粘度[η]が上記のような範囲からはずれると、ワイヤ
などの封止部分と、表面処理剤(A)との接着性が低下
するため好ましくない。
If the saponification value or intrinsic viscosity [η] of the modified propylene polymer is out of the above range, the adhesiveness between the sealing portion such as a wire and the surface treatment agent (A) decreases, which is not preferable. .

未変性のプロピレン系重合体をグラフト変性する際に
用いられる不飽和カルボン酸またはその誘導体として
は、アクリル酸、マレイン酸、フマール酸、テトラヒド
ロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン酸、
イソクロトン酸、ナジック酸TM(エンドシス−ビシクロ
[2,2,1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸)など
の不飽和カルボン酸、またはその誘導体、たとえば酸ハ
ライド、アミド、イミド、無水物、エステルなどが挙げ
られる。
As the unsaturated carboxylic acid or its derivative used when graft-modified an unmodified propylene polymer, acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, tetrahydrophthalic acid, itaconic acid, citraconic acid, crotonic acid,
Unsaturated carboxylic acids such as isocrotonic acid and nadic acid TM (endosis-bicyclo [2,2,1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid) or derivatives thereof, for example, acid halides, amides, imides, anhydrides Products, esters and the like.

ここでグラフト変性に用いられる不飽和カルボン酸の
エステルとしては、前記不飽和カルボン酸のモノ低級ア
ルキルエステルまたはジ低級アルキルエステルを例示す
ることができる。ここで低級アルキル基として具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基
等を例示することができる。これらの不飽和カルボン酸
のエステルのうちでは、マレイン酸モノ低級アルキルエ
ステルが好適である。
Here, as the ester of the unsaturated carboxylic acid used for the graft modification, a mono-lower alkyl ester or a di-lower alkyl ester of the unsaturated carboxylic acid can be exemplified. Here, specific examples of the lower alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Among these esters of unsaturated carboxylic acids, maleic acid mono-lower alkyl esters are preferred.

さらに、グラフト変性に用いられる化合物の具体例と
しては、塩化マレニル、マレイミド、無水マレイン酸、
無水シトラコン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸
ジメチル、グリシジルマレエートなどが挙げられる。
Further, specific examples of the compound used for graft modification include maleenyl chloride, maleimide, maleic anhydride,
Citraconic anhydride, monomethyl maleate, dimethyl maleate, glycidyl maleate and the like.

これらの中では、不飽和ジカルボン酸またはその酸無
水物が好適であり、とくにマレイン酸、ナジック酸TM
たはこれらの酸無水物が好適である。
Among these, unsaturated dicarboxylic acids or acid anhydrides thereof are preferable, and maleic acid, nadic acid TM or acid anhydrides thereof are particularly preferable.

上記グラフト成分を、未変性のプロピレン系重合体に
グラフト重合させるには公知の方法、例えば特開昭58−
185655号に開示されている方法を採用することができ
る。
The graft component is graft-polymerized to an unmodified propylene-based polymer by a known method, for example, a method described in
The method disclosed in Japanese Patent No. 185655 can be employed.

変性プロピレン系重合体塩素化物は、上記のようなグ
ラフト変性剤で未変性のプロピレン系重合体を変性した
グラフト変性プロピレン系重合体を塩素化したものであ
る。
The chlorinated modified propylene polymer is obtained by chlorinating a graft-modified propylene polymer obtained by modifying an unmodified propylene polymer with the above-described graft modifier.

この塩素化に際しては、上記のようにして調製された
変性プロピレン系重合体を溶媒中へ完全溶解させた均一
溶媒に、塩素ガスを導入する。この際用いられる溶媒と
しては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデ
カン、テトラデカン、灯油のような脂肪族炭化水素、メ
チルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルクロヘキ
サン、シクロオクタン、シクロデカンのような脂環族炭
化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、エチルトルエン、トリメチルベンゼン、シ
メン、ジイソプロピルベンゼンなどの芳香族炭化水素、
クロロベンゼン、ブロモベンゼン、o−ジクロロベンゼ
ン、四塩化炭素、クロロホルム、ブロモホルム、トリク
ロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタ
ン、テトラクロロエチレンのようなハロゲン化炭化水素
などを例示することができる。これらの中では特にハロ
ゲン化炭化水素が好適である。
In the chlorination, chlorine gas is introduced into a homogeneous solvent in which the modified propylene polymer prepared as described above is completely dissolved in a solvent. Examples of the solvent used in this case include aliphatic hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, decane, dodecane, tetradecane, and kerosene; and alicyclic hydrocarbons such as methylcyclopentane, cyclohexane, methylchlorohexane, cyclooctane, and cyclodecane. Aromatic hydrocarbons such as hydrogen, benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, cumene, ethyltoluene, trimethylbenzene, cymene, diisopropylbenzene,
Examples thereof include halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, carbon tetrachloride, chloroform, bromoform, trichloroethane, trichloroethylene, tetrachloroethane, and tetrachloroethylene. Of these, halogenated hydrocarbons are particularly preferred.

変性プロピレン系重合体の塩素化反応に際しては、グ
ラフト変性プロピレン系重合体を以上のような溶媒に均
一に溶解させた均一溶液をよく撹拌しながら、所定の塩
素含量に達するまで塩素ガスを加えて、この塩素ガスを
グラフト変性プロピレン系共重合体と反応させる。塩素
化反応を行う際、反応を効率的に進行させる目的でラジ
カル発生剤を使用したり、紫外線や可視光線を照射する
こともできる。ラジカル発生剤としては、プロピレン系
ポリマーをグラフト変性をする際に用いられるラジカル
発生剤を使用することができる。しかし、ラジカル発生
剤の添加や、紫外線・可視光線の照射を行わずに、塩化
物を得る方法も採用できる。
At the time of the chlorination reaction of the modified propylene-based polymer, while thoroughly stirring a homogeneous solution obtained by uniformly dissolving the graft-modified propylene-based polymer in a solvent as described above, adding chlorine gas until a predetermined chlorine content is reached. This chlorine gas is reacted with the graft-modified propylene-based copolymer. When performing the chlorination reaction, a radical generator may be used, or ultraviolet or visible light may be irradiated for the purpose of efficiently proceeding the reaction. As the radical generator, a radical generator used when graft-modifying a propylene-based polymer can be used. However, a method of obtaining a chloride without adding a radical generator or irradiating with ultraviolet rays or visible rays can also be adopted.

塩素化反応の温度は、通常約50〜120℃であり、反応
時間は約0.5〜5時間である。
The temperature of the chlorination reaction is usually about 50 to 120 ° C, and the reaction time is about 0.5 to 5 hours.

このようにして得られた変性プロピレン系共重合体
は、トルエン、メチルイソブチルケトン、メチルシクロ
ヘキサンなどの溶媒に溶解されて、通常5〜30重量%の
濃度の表面処理剤(A)として用いられる。
The modified propylene-based copolymer thus obtained is dissolved in a solvent such as toluene, methyl isobutyl ketone, or methylcyclohexane, and is usually used as a surface treatment agent (A) having a concentration of 5 to 30% by weight.

上記のような表面処理剤を用いて電子部品の封止部分
に表面処理剤(A)を被着させるには、電子部品の封止
部分を、表面処理剤(A)に、たとえばディッピングす
ればよい。
In order to apply the surface treatment agent (A) to the sealing portion of the electronic component using the surface treatment agent as described above, the sealing portion of the electronic component is dipped, for example, to the surface treatment agent (A). Good.

また本発明では、電子部品を封止するに際して、電子
部品の封止部分にエポキシ系あるいはアクリル系接着剤
を塗布した後、表面処理剤(A)を被着させれば、電子
部品の封止部と表面処理剤との密着性はさらに向上させ
ることができる。
Further, in the present invention, when an electronic component is sealed, an epoxy-based or acrylic adhesive is applied to a sealing portion of the electronic component, and then a surface treatment agent (A) is applied. The adhesion between the part and the surface treatment agent can be further improved.

発明の効果 本発明に係る発光ダイオードまたはICなどの電子部品
の封止方法によれば、ワイヤ、リードフレーム、半導体
素子などの破損しやすい部分に、特定の表面処理剤を被
着させた後に封止用樹脂により封止しているが、ワイヤ
などの封止部分と表面処理剤との接着性が著しく優れて
いるため、封止部分と封止用樹脂との間にクラックなど
が生ずることなく、しかもワイヤなどに損傷あるいは変
形が生ずることもない。このため電子部品を射出成形に
よって極めて効率的に製造することができる。
Effect of the Invention According to the method for sealing an electronic component such as a light emitting diode or an IC according to the present invention, a specific surface treatment agent is applied to a fragile portion such as a wire, a lead frame, or a semiconductor element, and then sealed. It is sealed with a sealing resin, but since the adhesion between the sealing part such as a wire and the surface treatment agent is remarkably excellent, there is no crack between the sealing part and the sealing resin. In addition, the wires and the like are not damaged or deformed. For this reason, an electronic component can be extremely efficiently manufactured by injection molding.

実施例 次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する
が、本発明は、その要旨を越えない限り、これらの例に
何ら制約されるものではない。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples unless it exceeds the gist thereof.

実施例1 プロピレンの単独重合体を無水マレイン酸を用いて、
無水マレイン酸グラフト量が7重量%になるように変性
して変性プロピレン系重合体を調製した。こうしてグラ
フト量7重量%に変性された変性プロピレン系重合体の
ケン化値は79mg/gであり、極限粘度[η]は0.6dl/gで
ある。
Example 1 A propylene homopolymer was prepared using maleic anhydride.
The modified propylene-based polymer was prepared by modifying so that the grafted amount of maleic anhydride became 7% by weight. The saponification value of the modified propylene polymer thus modified to a graft amount of 7% by weight is 79 mg / g, and the intrinsic viscosity [η] is 0.6 dl / g.

次いで、この無水マレイン酸でグラフト変性されら変
性プロピレン系重合体を、塩素含量が30重量%になるよ
うに塩素化して変性プロピレン系重合体塩素化物を得
た。この変性プロピレン系重合体の極限粘度[η]は、
0.6dl/gである。
Next, the modified propylene polymer graft-modified with maleic anhydride was chlorinated so that the chlorine content was 30% by weight, to obtain a chlorinated modified propylene polymer. The intrinsic viscosity [η] of this modified propylene polymer is
0.6 dl / g.

この変性プロピレン系重合体塩素化物を、濃度12.3重
量%になるようにn−ヘキサンに溶解して表面処理剤を
調製した。以下、この表面処理剤を「処理剤(I)」と
略記する。
The chlorinated modified propylene polymer was dissolved in n-hexane so as to have a concentration of 12.3% by weight to prepare a surface treating agent. Hereinafter, this surface treatment agent is abbreviated as “treatment agent (I)”.

この処理剤(I)を、発光ダイオードのリードフレー
ムにマウントされている半導体チップ部、金細線部およ
びリードフレーム部に、0.2g〜0.3gの量で被着した後、
温度23℃、湿度50%の環境下で10分間以上自然乾燥させ
た。
After applying the treating agent (I) to the semiconductor chip portion, the gold wire portion and the lead frame portion mounted on the lead frame of the light emitting diode in an amount of 0.2 g to 0.3 g,
It was air-dried in an environment at a temperature of 23 ° C and a humidity of 50% for 10 minutes or more.

次に上記のようにして表面処理剤が被着されたリード
フレームを、射出成形金型内に設置した。
Next, the lead frame to which the surface treatment agent was applied as described above was placed in an injection mold.

別に、MFRが70g/minであり、1−デセン含有量が3.0
重量%である4−メチル−1−ペンテン・1−デセン共
重合体を用意し、この4−メチル−1−ペンテン・1−
デセン共重合体を、射出成形機(形式:M−100、(株)
各機製作所製)から成形温度310℃、射出圧力20Kg/cm
2G、射出速度3g/sec、金型温度40℃の条件下で射出成形
し、封止発光ダイオード(I)を得た。
Separately, MFR is 70 g / min and 1-decene content is 3.0
4% by weight of a 4-methyl-1-pentene / 1-decene copolymer was prepared.
The decene copolymer is injected into an injection molding machine (model: M-100, Inc.)
Molding temperature 310 ° C, injection pressure 20Kg / cm
Injection molding was performed under the conditions of 2 G, an injection speed of 3 g / sec, and a mold temperature of 40 ° C. to obtain a sealed light emitting diode (I).

得られた封止発光ダイオード(I)は、半導体チップ
の損傷および金線の断線もなく、良好な外観を示した。
The obtained encapsulated light emitting diode (I) showed a good appearance without damage to the semiconductor chip and no break in the gold wire.

処理剤(I)とリードフレームとの密着性、耐ヒート
サイクル性等の評価を以下の方法で行った。
The following methods were used to evaluate the adhesion between the treatment agent (I) and the lead frame, the heat cycle resistance, and the like.

密着性試験:発光ダイオードを赤インキ液中に浸漬し、
1時間煮沸した後、赤インキから取り出し洗浄し、目視
にて赤インキの侵入性を評価した。
Adhesion test: Immerse the light emitting diode in red ink liquid,
After boiling for 1 hour, the ink was taken out of the red ink and washed, and the penetration of the red ink was visually evaluated.

(評価方法) ○;赤インキの侵入なし △;封止部本位の根本から1mmまで赤インキの侵入あり ×;封止部内部の半導体チップ付近まで内部侵入あり 耐ヒートサイクル試験:−30℃、20℃、100℃の各温度
の雰囲気中に各30分間放置し、これを30サイクル繰り返
した後、定格30mAの電流を通電させて金細線の切断破損
および目視で封止部分の界面クラック発生有無を評価し
た。
(Evaluation method) ○: no red ink penetrated △: red ink penetrated up to 1 mm from the root of the sealing part ×: penetrated into the vicinity of the semiconductor chip inside the sealing part Heat cycle test: -30 ° C, After leaving for 30 minutes each in an atmosphere of each temperature of 20 ° C and 100 ° C, repeating this for 30 cycles, applying a current of 30 mA rating to cut or break gold wire, and visually check for the occurrence of interface cracks in the sealed part. Was evaluated.

(評価方法) ○;封止部分の界面クラックもなく、通電可能 △;封止部分の界面区ラックのみで、通電は可能 ×;界面クラックの発生および通電不能 結果を表1に示す。(Evaluation method) ;: no energetic cracks in the sealed portion and energized.

実施例2 実施例1で調製した処理剤(I)を、実施例1と同様
に発光ダイオードのリードフレームにカウントされてい
る半導体チップ部および他のリードフレーム部に予め被
着させ、実施例1と同様な条件で乾燥し、処理剤が被着
されたリードフレームを射出成形金型内に設置した。次
に、MFRが26g/10minでありデセン含有量が3.0重量%で
ある4−メチル−1−ペンテン・1−デセン共重合体
で、処理剤が被着されたリードフレームを封止した。
Example 2 The treating agent (I) prepared in Example 1 was previously applied to the semiconductor chip portion and other lead frame portions counted on the lead frame of the light emitting diode in the same manner as in Example 1. After drying under the same conditions as described above, the lead frame to which the treating agent was applied was placed in an injection mold. Next, the lead frame on which the treating agent was applied was sealed with a 4-methyl-1-pentene-1-decene copolymer having an MFR of 26 g / 10 min and a decene content of 3.0% by weight.

使用した射出成形機は、実施例1と同じものを使用
し、成形温度310℃、射出圧力25Kg/cm2G、射出速度3g/s
ec、金属温度40℃であった。
The same injection molding machine as that used in Example 1 was used. The molding temperature was 310 ° C., the injection pressure was 25 kg / cm 2 G, and the injection speed was 3 g / s.
ec, metal temperature 40 ° C.

得られた封止ダイオード(II)を実施例1に記載の方
法で評価した。
The obtained sealed diode (II) was evaluated by the method described in Example 1.

結果を表1に示す。 Table 1 shows the results.

比較例1 表面処理剤(I)を使用しないで、MFRが70g/10minで
ある4−メチル−1−ペンテン・1−デセン共重合体を
使用した以外は、実施例1と同様に行った。
Comparative example 1 It carried out similarly to Example 1 except not using the surface treatment agent (I) but using 4-methyl-1-pentene 1-decene copolymer whose MFR was 70 g / 10min.

得られた封止発光ダイオード(III)を実施例1に記
載の方法で評価した。
The obtained encapsulated light emitting diode (III) was evaluated by the method described in Example 1.

結果を表1に示す。 Table 1 shows the results.

比較例2 比較例1と同様に、MFRが26g/10minである4−メチル
−1−ペンテン・1−デセン共重合体を使用した以外は
実施例と同様に行ったが、封止内部の金線が切断され、
発光ダイオードとして機能しなかった。
Comparative Example 2 Similar to Comparative Example 1, except that a 4-methyl-1-pentene / 1-decene copolymer having an MFR of 26 g / 10 min was used. The line is cut,
It did not function as a light emitting diode.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電子部品の封止部分を封止用樹脂により封
止するに際して、未変性プロピレン系重合体に、不飽和
カルボン酸またはその誘導体を、得られる変性プロピレ
ン系重合体のケン化価が5〜150mgの範囲内になるよう
にグラフト重合させた、極限粘度[η]0.1〜5dl/gの変
性プロピレン系重合体を、塩素含有量が10〜50重量%に
なるように塩素化した変性プロピレン系重合体塩素化物
が含有される表面処理剤(A)を、予め封止部分に被着
させた後に、封止用樹脂により封止することを特徴とす
る電子部品の封止方法。
1. An unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof is added to an unmodified propylene polymer and a saponification value of the modified propylene polymer obtained when an electronic component is sealed with a sealing resin. Of a modified propylene polymer having an intrinsic viscosity [η] of 0.1 to 5 dl / g, which has been graft-polymerized so as to be in the range of 5 to 150 mg, is chlorinated so that the chlorine content is 10 to 50% by weight. A method for sealing an electronic component, comprising applying a surface treatment agent (A) containing a chlorinated modified propylene polymer to a sealing portion in advance, and then sealing with a sealing resin.
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