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JP2703209B2 - Electronic component sealing method - Google Patents
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JP2703209B2 - Electronic component sealing method - Google Patents

Electronic component sealing method

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Publication number
JP2703209B2
JP2703209B2 JP10042796A JP10042796A JP2703209B2 JP 2703209 B2 JP2703209 B2 JP 2703209B2 JP 10042796 A JP10042796 A JP 10042796A JP 10042796 A JP10042796 A JP 10042796A JP 2703209 B2 JP2703209 B2 JP 2703209B2
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JP
Japan
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sealing
propylene
electronic component
olefin copolymer
graft
Prior art date
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JP10042796A
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田 雅 彦 玉
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Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
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Publication date
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  • Graft Or Block Polymers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の技術分野】本発明は、発光ダイオード(LE
D)、集積回路(IC)などの電子部品の封止方法に関
し、さらに詳しくは、発光ダイオードまたは集積回路な
どの電子部品の封止部品を封止用樹脂により封止するに
際し、封止部分に予め特定の表面処理剤を被着させた
後、封止用樹脂により封止することにより、封止部分を
保護し補強するとともに、封止部分と封止用樹脂との密
着を良好にした発光ダイオード、集積回路などの電子部
品の封止方法に関する。 【0002】 【発明の技術的背景ならびにその問題点】発光ダイオー
ドは、金線などのワイヤが接続された金属リードフレー
ムに半導体チップをマウントし、次いでエポキシ樹脂な
どの封止用樹脂で封止し、レンズ状あるいはその他の形
状に成型して製造されている。またICなどのチップ化
された電子部品もまた、エポキシ樹脂などの封止用樹脂
によって金線あるいはリードフレームなどが封止されて
いる。 【0003】ところで上記のような発光ダイオードまた
はICなどの電子部品を封止用樹脂で封止するには、熱
硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が主として用いられてき
た。ところがエポキシ樹脂で上記のような電子部品を封
止するには、エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であるため射
出成形法を採用することができず、生産性に劣るという
問題点があった。このため、たとえばポリフェニレンサ
ルファイド、液晶ポリマー、ポリイミドなどの熱可塑性
樹脂を射出成形することによって上記のような電子部品
を封止しようとする研究が進められている。 【0004】ところが熱可塑性樹脂の射出成形によっ
て、発光ダイオードまたはICなどの電子部品を封止し
ようとすると、射出成形時の圧力などによって、従来の
エポキシ樹脂で電子部品を封止しようとする場合より
も、数段、電子部品の金線などのワイヤに切断あるいは
変形が生じやすく、またリードフレームあるいは半導体
素子が破損することがあるという重大な問題点があっ
た。このため、射出成形によって電子部品を封止しよう
とする場合には、エポキシ樹脂で電子部品を封止しよう
とする場合以上に、金線などのワイヤあるいはリードフ
レーム、半導体素子を保護する必要がある。 【0005】このような金線などのワイヤ、リードフレ
ーム、半導体素子を保護しようとするには、たとえば特
開昭54−48186号公報では、半導体素子部などの
電子部品を予め樹脂で被覆し、次いで封止する方法が提
案されている。ところが、この公報に開示された方法で
は、封止樹脂とワイヤなどの金属との接合部が強固に接
着されていないため、界面にクラックが生じたり、また
クラックから水分が浸入して金属の腐蝕が生じたりし
て、電子部材の信頼性が大きく低下してしまうという重
大な問題点が生じている。 【0006】 【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題点を解決しようとするものであって、発光ダイオー
ドまたはICなどの電子部品の封止部分を封止用樹脂に
よって封止する際に、ワイヤ、リードフレーム、半導体
素子などの封止部分のうち切断または変形しやすいよう
な部分を保護するとともに補強し、封止部分にクラック
が生じたりすることがなく、しかも射出成形が可能であ
るような電子部品の封止方法を提供することを目的とし
ている。 【0007】 【発明の概要】本発明の電子部品の封止方法は、電子部
品の封止部分を封止用樹脂により封止するに際して、プ
ロピレン含量が55〜75モル%であり、X線回折によ
る結晶化度が0〜20%である未変性プロピレン-α-オ
レフィン共重合体に、不飽和カルボン酸またはその誘導
体を0.5〜15重量%の量でグラフト重合させた、極
限粘度[η0]が0.3dl/g以上であるグラフト変性プロ
ピレン-α-オレフィン共重合体を含有する表面処理剤
(B)を、予め封止部分を被着させた後に、封止用樹脂
により封止することを特徴としている。 【0008】本発明に係る発光ダイオードまたはICな
どの電子部品の封止方法によれば、ワイヤ、リードフレ
ーム、半導体素子などの破損しやすい部分に、特定の表
面処理剤を被着させた後に封止用樹脂により封止してい
るので、ワイヤなどの封止部分と表面処理剤との接着性
が著しく優れているため、封止部分と封止用樹脂との間
にクラックなどが生ずることなく、しかもワイヤなどに
破損あるいは変形が生ずることもない。このため電子部
品を射出成形によって極めて効率的に製造することがで
きる。 【0009】 【発明の具体的説明】以下本発明に係る電子部品の封止
方法について具体的に説明する。本発明で封止される電
子部品としては、発光ダイオード、ICなどを含めて、
樹脂で封止されるものがすべて含まれる。このような電
子部品は、一般に金属などのワイヤがリードフレームに
接続されており、このリードフレームには半導体素子
(ICチップ)がマウントされた構造を有している。 【0010】本発明では、上記のような電子部品の封止
部分を、封止用樹脂で封止するに際し、下記に示すよう
な表面処理剤(B)を予じめ封止部分に被着させた後、
封止用樹脂により封止している。 【0011】この表面処理剤(B)は、プロピレン含量
が55〜75モル%であり、X線回折による結晶化度が
0〜20%であるプロピレン-α-オレフィン共重合体
に、不飽和カルボン酸またはその誘導体がを0.5〜1
5重量%グラフト共重合した変性プロピレン-α-オレフ
ィン共重合体からなる。そして、この変性プロピレン-
α-オレフィン共重合体の極限粘度[η0]は、0.3dl/
g以上であることが必要である。 【0012】この変性プロピレン-α-オレフィン共重合
体は、プロピレンとエチレン、1-ブテン、4-メチル-1-
ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン等のα-
オレフィンとを共重合させてまず未変性プロピレン-α-
オレフィン共重合体を調製し、次いでこの未変性プロピ
レン-α-オレフィン共重合体をグラフト変性することに
より得られる。 【0013】さらにこの未変性プロピレン-α-オレフィ
ン共重合体の中でもプロピレンとエチレンとのランダム
共重合体が好ましい。この未変性プロピレン-α-オレフ
ィン共重合体におけるプロピレン含量は、55〜75モ
ル%好ましくは60〜70モル%の範囲である。また、
その極限粘度[η1](135℃デカリン中)は0.3〜
20dl/g好ましくは約0.3〜10dl/gの範囲である。 【0014】この未変性プロピレン-α-オレフィン共重
合体についてX線回折により測定した結晶化度は、約2
〜20%特に好ましくは約5〜18%の範囲内にある。
この未変性プロピレン-α-オレフィン共重合体における
プロピレン含量あるいは極限粘度[η1]が上記のよう
な範囲からはずれると、ワイヤなどの封止部分と、表面
処理剤(B)との接着性が低下する場合がある。 【0015】本発明で使用される表面処理剤(B)は、
上記のような未変性プロピレン-α-オレフィン共重合体
のグラフト変性物を含有する。未変性プロピレン-α-オ
レフィン共重合体とグラフト共重合する変性剤は、不飽
和カルボン酸またはその誘導体である。 【0016】ここで使用される不飽和カルボン酸または
その誘導体としては、アクリル酸、マレイン酸、フマー
ル酸、テトラヒドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン
酸、クロトン酸、イソクロトン酸、ナジック酸TM(エン
ドシス- ビシクロ[2,2,1]ヘプト-5- エン-2,3-ジカル
ボン酸)などの不飽和カルボン酸、またはその誘導体、
たとえば酸ハライド、アミド、イミド、無水物、エステ
ルなどが挙げられる。 【0017】またグラフト変性に用いられる不飽和カル
ボン酸のエステルとしては、前記不飽和カルボン酸のモ
ノ低級アルキルエステルまたはジ低級アルキルエステル
を例示することができる。ここで低級アルキル基として
具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基等を例示することができる。これらの不飽和カ
ルボン酸のエステルのうちでは、マレイン酸モノ低級ア
ルキルエステルが好適である。 【0018】さらに、グラフト変性に用いられる化合物
の具体例としては、塩化マレニル、マレイミド、無水マ
レイン酸、無水シトラコン酸、マレイン酸モノメチル、
マレイン酸ジメチル、グリシジルマレエ―トなどが挙げ
られる。 【0019】これらの中では、不飽和ジカルボン酸また
はその酸無水物が好適であり、とくにマレイン酸、ナジ
ック酸TMまたはこれらの酸無水物が好適である。上記グ
ラフト成分を、未変性プロピレン-α-オレフィン共重合
体にグラフトさせるには公知の方法、例えば特開昭58
−185655号に開示されている方法を採用すること
ができる。 【0020】すなわち、例えば、変性プロピレン-α-オ
レフィン共重合体は、上記のような未変性プロピレン-
α-オレフィン共重合体を、有機溶媒に溶解し、不飽和
カルボン酸またはその誘導体およびラジカル発生剤を添
加して撹拌加熱することによって得られる。この際、溶
液に、不飽和カルボン酸またはその誘導体およびラジカ
ル発生剤を、逐次添加することが好ましく、このように
すると変性プロピレン-α-オレフィン共重合体の析出あ
るいはゲル化を防止でき、未変性のプロピレン-α-オレ
フィン共重合体に対して均質に不飽和カルボン酸または
その誘導体をグラフト共重合させることができる。 【0021】上記のようなグラフト化反応は、たとえば
下記のような条件を採用することにより行われる。有機
溶媒1m3に対して、例えばプロピレン-エチレン共重合
体のような未変性プロピレン-α-オレフィン共重合体を
10〜500Kg特に好ましくは100〜400Kg溶解さ
せて未変性プロピレン-α-オレフィン共重合体の溶液を
調製する。この溶液に、不飽和カルボン酸またはその誘
導体を1〜100ミリモル/min/kg-重合体、好ましくは
2〜20ミリモル/min/kg-重合体の割合で逐次添加す
る。またラジカル開示剤も同様に逐次添加が好ましく、
添加速度は、約5×10-5〜50ミリモル/min/kg-重合
体、好ましくは約10-2〜5ミリモル/min/kg-重合体で
ある。この反応において、ラジカル開始剤の不飽和カル
ボン酸またはその誘導体に対するモル比は約1/100
〜3/6特に約1/20〜1/2とすることが好まし
い。 【0022】このグラフト反応は、プロピレン-α-オレ
フィン共重合体溶液を加熱し、強撹拌下に行うことが好
ましい。反応温度は、未変性プロピレン-α-オレフィン
共重合体の融点以上100℃、特に120〜160℃の
範囲が好適であり、反応時間は通常2〜10時間程度で
ある。反応は、回分式、連続式いずれの方法を採用する
こともできるが、グラフト化を均一に行うためには回分
式が好ましい。 【0023】上記のような方法を採用すると、不飽和カ
ルボン酸等のグラフト変性剤のホモポリマーの生成が極
度に抑制され、反応終了時に残留する未反応モノマーあ
るいはラジカル開始剤およびその分解生成物の割合も僅
少に抑えることができる。 【0024】こうして得られたグラフト変性プロピレン
-α-オレフィン共重合体中における不飽和カルボン酸ま
たはその誘導体のグラフト量は、0.5〜15重量%好
ましくは3〜10重量%の範囲内にある。 【0025】このようにして得られるグラフト変性プロ
ピレン-α-オレフィン共重合体は、たとえばトルエン、
メチルシクロヘキサン等の溶媒に溶解されて通常5〜3
0重量%の表面処理剤(B)として用いられる。 【0026】上記のような表面処理剤を用いて電子部品
の封止部分に表面処理剤(B)を被着させるには、電子
部品の封止部分を、表面処理剤(B)に、たとえばディ
ッピングすればよい。 【0027】また本発明では、電子部品を封止するに際
して、電子部品の封止部分にエポキシ系あるいはアクリ
ル系接着剤を塗布した後、表面処理剤(B)を被着させ
れば、電子部品の封止部と表面処理剤との密着性はさら
に向上させることができる。 【0028】 【発明の効果】本発明の電子部品の封止方法では、発光
ダイオードおよびIC等の電子部品のワイヤ、リードフ
レーム、半導体素子などの破損しやすい部分に、特定の
表面処理剤を被着させた後に封止用樹脂により封止して
いるので、ワイヤなどの封止部分と表面処理剤との接着
性が著しく優れているため、封止部分と封止用樹脂との
間にクラックなどが生ずることなく、しかもワイヤなど
に破損あるいは変形が生ずることもない。このため電子
部品を射出成形によって極めて効率的に製造することが
できる。 【0029】 【実施例】次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明は、その要旨を越えない限り、これら
の例に何ら制約されるものではない。 【0030】 【実施例1】プロピレン含量が60モル%の未変性プロ
ピレン-エチレン共重合体(極限粘度[η1]=1.1dl/
g)に、7重量%の無水マレイン酸をグラフト重合させ
て、極限粘度[η0]が1.1dl/gのグラフト変性プロピ
レン-エチレン共重合体(X線回折による結晶化度=7.
8%)を調製した。この変性プロピレン-エチレン共重
合体をn-ヘキサンに12.3重量%の濃度で溶解させて
表面処理剤を調製した。以下この表面処理剤(I)」と
する。 【0031】この表面処理剤(I)を、発光ダイオード
のリードフレームにマウントされている半導体チップ
部、金細線部およびリードフレーム部に、0.2g〜0.
3gの量で被着した後、温度23℃、湿度50%の環境
下で10分間以上自然乾燥させた。 【0032】次に上記のようにして表面処理剤が被着さ
れたリードフレームを、射出成形金型内に設置した。別
に、MFRが70g/minであり、1-デセン含有量が3.0
重量%である4-メチル-1-ペンテン・1-デセン共重合体
を用意し、この4-メチル-1-ペンテン・1-デセン共重合
体を、射出成形機(形式:M−100、(株)名機製作
所製)から成形温度310℃、射出圧力20Kg/cm2G、
射出速度3g/sec、金型温度40℃の条件下で射出成形
し、封止発光ダイオード(I)を得た。 【0033】得られた封止発光ダイオードは、半導体チ
ップの損傷および金線の断線もなく、良好な外観を示し
た。表面処理剤(I)とリードフレームとの密着性、耐
ヒートサイクル性等の評価を以下の方法で行った。密着性試験 : 発光ダイオードを赤インキ液中に浸漬
し、1時間煮沸した後、赤インキから取り出し洗浄し、
目視にて赤インキの侵入性を評価した。 【0034】 (評価方法) ○;赤インキの侵入なし △;封止部本位の根本から1mmまで赤インキの侵入あり ×;封止部内部の半導体チップ付近まで内部侵入あり耐ヒートサイクル試験 :−30℃、20℃、100℃の
各温度の雰囲気中に各30分間放置し、これを30サイ
クル繰り返した後、定格30mAの電流を通電させて金細
線の切断破損および目視で封止部分の界面クラック発生
有無を評価した。 【0035】 (評価方法) ○;封止部分の界面クラックもなく、通電可能 △;封止部分の界面区ラックのみで、通電は可能 ×;界面クラックの発生および通電不能 結果を表1に示す。 【0036】 【比較例1】表面処理剤(I)を使用しないで、MFR
が70g/10minである4-メチル-1-ペンテン・1-デセン共
重合体を使用した以外は、実施例1と同様に行った。 【0037】得られた封止発光ダイオード(II)を実施
例1に記載の方法で評価した。結果を表1に示す。 【0038】 【比較例2】比較例1と同様に、MFRが26g/10min
である4-メチル-1-ペンテン・1-デセン共重合体を使用
した以外は実施例1と同様に行ったが、封止内部の金線
が切断され、発光ダイオードとして機能しなかった。 【0039】 【表1】
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode (LE).
D) and a method of sealing electronic components such as integrated circuits (ICs). More specifically, when sealing a sealing component of an electronic component such as a light emitting diode or an integrated circuit with a sealing resin, After applying a specific surface treatment agent in advance, sealing with a sealing resin protects and reinforces the sealing portion, and improves the adhesion between the sealing portion and the sealing resin. The present invention relates to a method for sealing electronic components such as diodes and integrated circuits. BACKGROUND OF THE INVENTION A light emitting diode has a semiconductor chip mounted on a metal lead frame to which a wire such as a gold wire is connected, and then sealed with a sealing resin such as an epoxy resin. It is manufactured by molding into a lens shape or other shapes. Also, a chip-shaped electronic component such as an IC has a gold wire or a lead frame sealed with a sealing resin such as an epoxy resin. In order to seal electronic components such as light emitting diodes or ICs with a sealing resin, an epoxy resin which is a thermosetting resin has been mainly used. However, in order to seal such electronic components with an epoxy resin, there is a problem that the epoxy resin is a thermosetting resin, so that an injection molding method cannot be employed, resulting in poor productivity. For this reason, studies are being made to seal such electronic components by injection molding a thermoplastic resin such as polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, or polyimide. However, when an electronic component such as a light emitting diode or an IC is sealed by injection molding of a thermoplastic resin, it is more difficult to seal the electronic component with a conventional epoxy resin due to pressure during injection molding. However, there have been serious problems that wires such as gold wires of electronic components are liable to be cut or deformed several times, and the lead frame or the semiconductor element may be damaged. Therefore, when an electronic component is to be sealed by injection molding, it is necessary to protect a wire such as a gold wire, a lead frame, and a semiconductor element more than when an electronic component is sealed with an epoxy resin. . In order to protect such a wire such as a gold wire, a lead frame and a semiconductor element, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-48186, an electronic component such as a semiconductor element portion is coated with a resin in advance. Then, a sealing method has been proposed. However, according to the method disclosed in this publication, since the joint between the sealing resin and the metal such as a wire is not firmly bonded, cracks may occur at the interface, or moisture may enter from the cracks and cause corrosion of the metal. And the reliability of the electronic member is greatly reduced. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems associated with the prior art as described above, and a sealing portion of an electronic component such as a light emitting diode or an IC is sealed with a sealing resin. When sealing, protect and reinforce those parts that are easily cut or deformed, such as wires, lead frames, and semiconductor elements, so that cracks do not occur in the sealed parts and injection An object of the present invention is to provide a method for sealing an electronic component that can be formed. SUMMARY OF THE INVENTION According to the method for sealing an electronic component of the present invention, when the sealing portion of the electronic component is sealed with a sealing resin, the propylene content is 55 to 75 mol%, and the X-ray diffraction is performed. An unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof is graft-polymerized in an amount of 0.5 to 15% by weight to an unmodified propylene-α-olefin copolymer having a crystallinity of 0 to 20% by the following method. [0 ] is 0.3 dl / g or more, and a surface-treating agent (B) containing a graft-modified propylene-α-olefin copolymer is applied to a sealing portion in advance, and then sealed with a sealing resin. It is characterized by doing. According to the method for sealing an electronic component such as a light emitting diode or an IC according to the present invention, a specific surface treatment agent is applied to a fragile portion such as a wire, a lead frame, or a semiconductor element, and then sealed. Since sealing is performed with the sealing resin, the adhesion between the sealing portion such as a wire and the surface treatment agent is remarkably excellent, so that no crack is generated between the sealing portion and the sealing resin. Moreover, there is no breakage or deformation of the wire and the like. For this reason, an electronic component can be extremely efficiently manufactured by injection molding. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, a method for sealing an electronic component according to the present invention will be specifically described. Electronic components sealed by the present invention include light emitting diodes, ICs, etc.
Includes all that are sealed with resin. Such an electronic component generally has a structure in which a wire such as a metal is connected to a lead frame, and a semiconductor element (IC chip) is mounted on the lead frame. In the present invention, when the sealing portion of the electronic component as described above is sealed with a sealing resin, the following surface treatment agent (B) is applied to the sealing portion in advance. After letting
It is sealed with a sealing resin. This surface treating agent (B) is used for preparing a propylene-α-olefin copolymer having a propylene content of 55 to 75% by mole and a crystallinity of 0 to 20% by X-ray diffraction. When the acid or its derivative is 0.5 to 1
It is composed of 5% by weight of a graft copolymerized modified propylene-α-olefin copolymer. And this modified propylene-
The intrinsic viscosity [η 0 ] of the α-olefin copolymer is 0.3 dl /
It must be at least g. The modified propylene-α-olefin copolymer comprises propylene and ethylene, 1-butene, 4-methyl-1-
Α- such as pentene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene
First, unmodified propylene-α-
It is obtained by preparing an olefin copolymer and then graft-modifying this unmodified propylene-α-olefin copolymer. Further, among the unmodified propylene-α-olefin copolymers, a random copolymer of propylene and ethylene is preferred. The propylene content in the unmodified propylene-α-olefin copolymer is in the range of 55 to 75 mol%, preferably 60 to 70 mol%. Also,
Its intrinsic viscosity [η 1 ] (at 135 ° C in decalin) is from 0.3 to
20 dl / g, preferably in the range of about 0.3 to 10 dl / g. The unmodified propylene-α-olefin copolymer has a crystallinity of about 2 as measured by X-ray diffraction.
-20%, particularly preferably in the range of about 5-18%.
When the propylene content or the intrinsic viscosity [η 1 ] of the unmodified propylene-α-olefin copolymer deviates from the above range, the adhesion between the sealing portion such as a wire and the surface treatment agent (B) becomes poor. May decrease. The surface treating agent (B) used in the present invention comprises:
It contains a graft-modified unmodified propylene-α-olefin copolymer as described above. The modifier for graft copolymerization with the unmodified propylene-α-olefin copolymer is an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof. The unsaturated carboxylic acids or derivatives thereof used herein include acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, tetrahydrophthalic acid, itaconic acid, citraconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, nadic acid TM (endocis-bicyclo Unsaturated carboxylic acids such as [2,2,1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid) or derivatives thereof,
Examples include acid halides, amides, imides, anhydrides, esters and the like. Examples of the unsaturated carboxylic acid ester used for the graft modification include mono-lower alkyl esters and di-lower alkyl esters of the unsaturated carboxylic acids. Here, specific examples of the lower alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group. Among these esters of unsaturated carboxylic acids, maleic acid mono-lower alkyl esters are preferred. Further, specific examples of the compound used for graft modification include maleenyl chloride, maleimide, maleic anhydride, citraconic anhydride, monomethyl maleate,
Examples include dimethyl maleate and glycidyl maleate. Of these, unsaturated dicarboxylic acids or their anhydrides are preferred, and maleic acid, nadic acid TM or their anhydrides are particularly preferred. A known method for grafting the above graft component to an unmodified propylene-α-olefin copolymer, for example,
-185655 can be adopted. That is, for example, the modified propylene-α-olefin copolymer is obtained by
The α-olefin copolymer is obtained by dissolving the copolymer in an organic solvent, adding an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof and a radical generator and heating with stirring. At this time, it is preferable to sequentially add the unsaturated carboxylic acid or its derivative and a radical generator to the solution, so that precipitation or gelation of the modified propylene-α-olefin copolymer can be prevented, and unmodified Unsaturated carboxylic acid or its derivative can be graft-copolymerized homogeneously with the propylene-α-olefin copolymer of (1). The above grafting reaction is carried out, for example, by employing the following conditions. An unmodified propylene-α-olefin copolymer is dissolved in 1 m 3 of an organic solvent by dissolving 10 to 500 kg, particularly preferably 100 to 400 kg, of an unmodified propylene-α-olefin copolymer such as a propylene-ethylene copolymer. Prepare the combined solution. To this solution, an unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof is successively added at a rate of 1 to 100 mmol / min / kg-polymer, preferably 2 to 20 mmol / min / kg-polymer. Similarly, the radical dispersing agent is also preferably added sequentially,
The rate of addition is about 5 × 10 -5 to 50 mmol / min / kg-polymer, preferably about 10 -2 to 5 mmol / min / kg-polymer. In this reaction, the molar ratio of radical initiator to unsaturated carboxylic acid or derivative thereof is about 1/100
3 to /, particularly preferably about 1/20 to 1 /. This grafting reaction is preferably carried out by heating the propylene-α-olefin copolymer solution and under strong stirring. The reaction temperature is preferably from the melting point of the unmodified propylene-α-olefin copolymer to 100 ° C., particularly preferably in the range of 120 to 160 ° C., and the reaction time is usually about 2 to 10 hours. The reaction may be carried out in either a batch system or a continuous system, but a batch system is preferred in order to perform the grafting uniformly. When the above method is employed, the formation of a homopolymer of a graft modifier such as an unsaturated carboxylic acid is extremely suppressed, and the unreacted monomer or radical initiator remaining at the end of the reaction and the decomposition product thereof are reduced. The ratio can also be reduced slightly. Graft-modified propylene thus obtained
The grafting amount of the unsaturated carboxylic acid or its derivative in the -α-olefin copolymer is in the range of 0.5 to 15% by weight, preferably 3 to 10% by weight. The thus obtained graft-modified propylene-α-olefin copolymer is, for example, toluene,
Usually dissolved in a solvent such as methylcyclohexane
Used as 0% by weight of the surface treatment agent (B). In order to apply the surface treatment agent (B) to the sealing portion of the electronic component by using the surface treatment agent as described above, the sealing portion of the electronic component is applied to the surface treatment agent (B), for example. Just dipping. According to the present invention, when an electronic component is sealed, an epoxy or acrylic adhesive is applied to a sealing portion of the electronic component, and then a surface treatment agent (B) is applied. The adhesion between the sealing portion and the surface treatment agent can be further improved. According to the method of sealing an electronic component of the present invention, a specific surface treatment agent is applied to easily breakable portions of wires, lead frames, semiconductor elements, etc. of electronic components such as light emitting diodes and ICs. Since the resin is sealed with the sealing resin after being attached, the adhesiveness between the sealing portion such as a wire and the surface treatment agent is remarkably excellent, so that a crack is formed between the sealing portion and the sealing resin. There is no occurrence of breakage or deformation of the wire or the like. For this reason, an electronic component can be extremely efficiently manufactured by injection molding. The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, which should not be construed as limiting the scope of the invention. Example 1 An unmodified propylene-ethylene copolymer having a propylene content of 60 mol% (intrinsic viscosity [η 1 ] = 1.1 dl /
g) was graft-polymerized with 7% by weight of maleic anhydride to obtain a graft-modified propylene-ethylene copolymer having an intrinsic viscosity [η 0 ] of 1.1 dl / g (crystallinity by X-ray diffraction = 7.
8%). This modified propylene-ethylene copolymer was dissolved in n-hexane at a concentration of 12.3% by weight to prepare a surface treating agent. Hereinafter, this surface treatment agent (I) will be referred to as “surface treatment agent (I)”. The surface treating agent (I) is applied to the semiconductor chip portion, the fine gold wire portion and the lead frame portion mounted on the lead frame of the light emitting diode in an amount of 0.2 g to 0.2 g.
After being applied in an amount of 3 g, it was naturally dried for 10 minutes or more in an environment of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50%. Next, the lead frame to which the surface treatment agent was applied as described above was set in an injection mold. Separately, the MFR is 70 g / min and the 1-decene content is 3.0.
4% by weight of a 4-methyl-1-pentene / 1-decene copolymer was prepared, and the 4-methyl-1-pentene / 1-decene copolymer was injected into an injection molding machine (type: M-100, ( Co., Ltd.), molding temperature 310 ° C, injection pressure 20Kg / cm 2 G,
Injection molding was performed under the conditions of an injection speed of 3 g / sec and a mold temperature of 40 ° C. to obtain a sealed light emitting diode (I). The obtained encapsulated light emitting diode exhibited a good appearance without any damage to the semiconductor chip and no break in the gold wire. The following methods were used to evaluate the adhesion between the surface treatment agent (I) and the lead frame, heat cycle resistance, and the like. Adhesion test : The light emitting diode was immersed in the red ink solution, boiled for 1 hour, then removed from the red ink and washed.
The penetration of the red ink was visually evaluated. (Evaluation method) ○: no red ink penetrated △: red ink penetrated up to 1 mm from the root of the sealing portion ×: internal penetrating into the vicinity of the semiconductor chip inside the sealing portion Heat cycle test :- After leaving in an atmosphere of each temperature of 30 ° C., 20 ° C., and 100 ° C. for 30 minutes, and repeating this for 30 cycles, a current of 30 mA was passed through to cut and break the gold fine wire and visually check the interface of the sealed portion. The occurrence of cracks was evaluated. (Evaluation method) ○: no encapsulation cracks at the interface and energization possible Δ: encapsulation is possible only at the interface section racks of the encapsulation ×; . Comparative Example 1 MFR was used without using the surface treatment agent (I).
Was carried out in the same manner as in Example 1 except that a 4-methyl-1-pentene / 1-decene copolymer having a content of 70 g / 10 min was used. The obtained encapsulated light emitting diode (II) was evaluated by the method described in Example 1. Table 1 shows the results. Comparative Example 2 As in Comparative Example 1, the MFR was 26 g / 10 min.
Example 1 was repeated except that the 4-methyl-1-pentene / 1-decene copolymer was used, but the gold wire inside the sealing was cut off and did not function as a light emitting diode. [Table 1]

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1. 電子部品の封止部分を封止用樹脂により封止する
に際して、プロピレン含量が55〜75モル%であり、
X線回折による結晶化度が0〜20%である未変性プロ
ピレン-α-オレフィン共重合体に、不飽和カルボン酸ま
たはその誘導体を0.5〜15重量%の量でグラフト重
合させた、極限粘度[η0]が0.3dl/g以上であるグラ
フト変性プロピレン-α-オレフィン共重合体を含有する
表面処理剤(B)を、予め封止部分を被着させた後に、
封止用樹脂により封止することを特徴とする電子部品の
封止方法。 2. 上記未変性プロピレン-α-オレフィン共重合体に
ついてX線回折法により測定した結晶化度が、5〜18
%である請求項第1項に記載の封止方法。 3. 上記未変性プロピレン-α-オレフィン共重合体の
極限粘度[η1]が、0.3〜20dl/gの範囲内にある請
求項第1項記載の封止方法。
(57) [Claims] When sealing the sealing portion of the electronic component with the sealing resin, the propylene content is 55 to 75 mol%,
An unsaturated carboxylic acid or a derivative thereof is graft-polymerized in an amount of 0.5 to 15% by weight to an unmodified propylene-α-olefin copolymer having a crystallinity of 0 to 20% by X-ray diffraction. After applying a surface-treating agent (B) containing a graft-modified propylene-α-olefin copolymer having a viscosity [η 0 ] of 0.3 dl / g or more to a sealing portion in advance,
A method for sealing an electronic component, which comprises sealing with a sealing resin. 2. The unmodified propylene-α-olefin copolymer has a crystallinity of 5-18 as measured by X-ray diffraction.
%. 3. The intrinsic viscosity of the unmodified propylene -α- olefin copolymer [eta 1] is, 0.3~20dl / g sealing method as in claim 1 wherein in the range of.
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