JP2590916B2 - Method of manufacturing thick film type thermal head - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、厚膜型サーマルヘッドの製造方法に係り、
特に発熱抵抗体の抵抗値のばらつきをなくすためのパル
ストリミングの方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a thick-film type thermal head,
In particular, the present invention relates to a pulse trimming method for eliminating a variation in resistance value of a heating resistor.
プリンタあるいはファクシミリ装置等の記録部におい
て用いられる感熱記録ヘッド(サーマルヘッド)におい
ては、近年、高画質化への要求が高まっている。そのた
め各発熱抵抗体の抵抗値の均一化と共に長期にわたる抵
抗値の安定化が重大な問題となってきている。2. Description of the Related Art In a thermal recording head (thermal head) used in a recording unit such as a printer or a facsimile apparatus, a demand for higher image quality has recently been increasing. Therefore, it has become a serious problem to stabilize the resistance value for a long time as well as to make the resistance value of each heating resistor uniform.
殊に、厚膜印刷法によって発熱抵抗体をはじめ周辺回
路を形成してなる厚膜型サーマルヘッドは、製造が容易
でコストも低く機械的強度が高いことから、サーマルヘ
ッドの主流となってはいるが、反面、薄膜型のものに比
べてパターン精度が悪く、抵抗値にバラツキが生じ易い
上、早期に抵抗値の劣化が起り易いという問題があっ
た。In particular, thick-film type thermal heads, in which peripheral circuits including heat-generating resistors are formed by the thick-film printing method, are easy to manufacture, have low cost, and have high mechanical strength. On the other hand, on the other hand, there is a problem that the pattern accuracy is lower than that of the thin film type, the resistance value tends to vary, and the resistance value tends to deteriorate early.
ところで、この厚膜型のサーマルヘッドは、一般に、
次に出すようなフローチャートに従って製造される。By the way, this thick film type thermal head is generally
It is manufactured according to the flowchart shown below.
すなわち、まず、グレーズ加工のなされたセラミック
基板等の絶縁基板を出発材料とし、スクリーン印刷法に
よって導体を印刷した後、焼成し、フォトリソエッチン
グ法により該導体をパターニングし電極を形成する。That is, first, an insulating substrate such as a glazed ceramic substrate is used as a starting material, a conductor is printed by a screen printing method, and then baked, and the conductor is patterned by a photolithographic etching method to form an electrode.
この後、発熱抵抗体を構成するための抵抗体層パター
ンをスクリーン印刷および焼成によって形成する。Thereafter, a resistor layer pattern for forming the heating resistor is formed by screen printing and firing.
そして最後に、耐摩耗層を印刷、焼成し完成となる。 Finally, the wear-resistant layer is printed and fired to complete.
完成後のサーマルヘッドの各発熱抵抗素子の抵抗値
は、使用する抵抗ペーストのシート抵抗値、抵抗体パタ
ーンのパターン寸法、焼成温度によって決定される。The resistance value of each heating resistor element of the completed thermal head is determined by the sheet resistance value of the resistor paste to be used, the pattern size of the resistor pattern, and the firing temperature.
しかし、ロットのバラツキあるいは粘度変化等による
抵抗ペーストの成分差をはじめ、使用するスクリーンの
スクリーン張力あるいはスキージの摩耗度合等の印刷条
件、焼成プロファイルの再現性等の焼成条件等、変動要
因が多く、±10%以内の精度で各発熱抵抗素子の抵抗値
をそろえることは極めて困難であるとされてきた。However, there are many variation factors, such as component differences of the resistance paste due to lot variation or viscosity change, printing conditions such as screen tension of a screen to be used or a degree of abrasion of a squeegee, and firing conditions such as reproducibility of a firing profile. It has been said that it is extremely difficult to equalize the resistance values of each heating resistance element with an accuracy within ± 10%.
また厚膜型サーマルヘッドは、厚膜抵抗体からなる発
熱抵抗素子に画情報に応じて選択的に一定の大きさ(電
力値)の電気パルスを印加し、所望の温度に発熱させる
ようにして用いられるものである。この厚膜抵抗体は、
一般に印加電力に応じて抵抗値が変化する性質を持って
いる。従って、使用している間に抵抗値が変化してしま
い、発熱量が変わることにより印字濃度が変化する等の
不都合が生じていた。このため、従来は抵抗値の変化が
少なくてすむように比較的小さな電力でしか使用でき
ず、また、大きな電力で使用した場合は、抵抗値変化が
大きく極めて寿命が短いという欠点があった。The thick-film type thermal head is configured to selectively apply an electric pulse of a certain magnitude (power value) to a heating resistor element composed of a thick-film resistor according to image information so as to generate heat to a desired temperature. What is used. This thick film resistor is
Generally, it has a property that the resistance value changes according to the applied power. Therefore, the resistance value changes during use, and a change in the amount of heat generated causes a problem such as a change in print density. For this reason, there has been a drawback that conventionally, only a relatively small power can be used so that a change in the resistance value is small, and that a large change in the resistance value results in a large change in the resistance value and an extremely short life.
また、定電圧で駆動した場合、初期抵抗値に合せて電
圧を固定してしまうため、電力印加を続けていくと抵抗
値が下がる。このため実質の印加電力が増加していき、
抵抗値の変化を加速することになり、場合によっては破
壊に至ってしまうことがあった そこで、各発熱抵抗素子の抵抗値のばらつきを小さく
すると共に印字特性の安定化をはかるために、厚膜法に
より厚膜抵抗体を形成した後、所望の大きさの高電圧パ
ルスを各厚膜抵抗体に印加して抵抗値の調整(トリミン
グ)を行なうと共に、短時間電気的負荷をかけるという
方法が提案されている。(例えば特開昭61−83053号公
報) このように、各厚膜低抗体の抵抗値のばらつきをなく
すために補正しようとする幅に応じた値のパルスを印加
するいわゆるパルストリミング法は、極めて優れた方法
であるが、従来は、一定幅ずつ電圧を上昇させながら所
望の抵抗値となるまでパルス印加を続けるという方法が
とられていた。In addition, when driven at a constant voltage, the voltage is fixed in accordance with the initial resistance value, so that the resistance value decreases as the power application is continued. As a result, the actual applied power increases,
The change in resistance value was accelerated, and in some cases, it was destroyed.Therefore, in order to reduce the variation in the resistance value of each heating resistance element and stabilize the printing characteristics, the thick film method was used. A method is proposed in which after forming a thick film resistor, a high voltage pulse of a desired magnitude is applied to each thick film resistor to adjust (trim) the resistance value and to apply an electrical load for a short time. Have been. As described above, the so-called pulse trimming method of applying a pulse having a value corresponding to the width to be corrected in order to eliminate the variation in the resistance value of each thick-film low antibody is extremely difficult. Although it is an excellent method, conventionally, a method has been adopted in which pulse application is continued while increasing a voltage by a constant width until a desired resistance value is obtained.
しかしながらこの方法では、抵抗値を高精度に揃える
には1ビット毎に多数回のパルスを印加する必要があ
り、作業性が悪いという問題があった。However, in this method, it is necessary to apply a large number of pulses per bit to adjust the resistance value with high accuracy, and there is a problem that workability is poor.
すなわち、通常の方法で形成した厚膜型サーマルヘッ
ドでは抵抗値のばらつきが±25%程度もあり、これをパ
ルストリミング工程で±3%以下に押さえることが可能
であるが、精度を上げようとすると量産性に問題があ
り、量産性を上げようとすると精度が悪くなるという相
反する関係にあった。That is, in a thick-film type thermal head formed by a normal method, there is a variation of about ± 25% in the resistance value, which can be suppressed to ± 3% or less in a pulse trimming step. Then, there was a problem in mass productivity, and there was a contradictory relationship that accuracy was deteriorated when trying to increase mass productivity.
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、量産性
良く、抵抗値ばらつきの小さい厚膜型サーマルヘッドを
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a thick-film type thermal head with good mass productivity and small resistance value variation.
そこで本発明では、厚膜型サーマルヘッドのパルスト
リミングを行なうに際し、予めプロセス毎にあるいはヘ
ッド毎に少なくとも1つの発熱抵抗体に対して印加パル
スと抵抗値変化との関係を示す校正曲線を作成してお
き、その校正曲線と該ビットの初期抵抗値とに基づいて
印加電圧値を決めるようにしている。すなわち、本発明
では、同一基板上に厚膜法によって形成した多数個の熱
抵抗体を配列せしめてなる厚膜型サーマルヘッド製造方
法において、発熱抵抗体の形成後に、各発熱抵抗体の抵
抗値を均一化すべく各発熱抵抗体に電圧パルスを印加し
て調整するパルストリミング工程が、少なくとも1つの
発熱抵抗体を選択し、この選択された発熱抵抗体の電圧
パルスの変化に対する抵抗値変化を測定し、この測定結
果に基づき、目標値よりも所定量だけ小さくなるような
電圧値を、トリミング基準電圧として設定する基準電圧
設定工程と、各発熱低抗体のトリミングに際し、前記基
準電圧から出発して印加後の抵抗値を測定しながら電圧
印加を行い、目標の抵抗値に到達するまで次第に印加す
る電圧パルスの電圧値を所定幅づつ増大させるようにす
る調整工程とを含むようにしたことを特徴とする。Therefore, in the present invention, when performing pulse trimming of a thick film type thermal head, a calibration curve indicating a relationship between an applied pulse and a change in resistance value is created in advance for at least one heating resistor for each process or for each head. In advance, the applied voltage value is determined based on the calibration curve and the initial resistance value of the bit. That is, according to the present invention, in a method of manufacturing a thick-film type thermal head in which a large number of thermal resistors formed by a thick-film method are arranged on the same substrate, after forming the heating resistors, the resistance value of each heating resistor is determined. A pulse trimming step of applying a voltage pulse to each heating resistor in order to make the heating resistor uniform, selects at least one heating resistor, and measures a change in resistance value of the selected heating resistor with respect to a change in the voltage pulse. Then, based on the measurement result, a reference voltage setting step of setting a voltage value that is smaller than the target value by a predetermined amount as a trimming reference voltage, and when trimming each heat-generating low antibody, starting from the reference voltage. The voltage is applied while measuring the resistance value after application, and the voltage value of the applied voltage pulse is gradually increased by a predetermined width until the target resistance value is reached. Characterized in that to include an adjustment process.
本発明は、−パルスの印加による厚膜抵抗体の抵抗値
の挙動は、電圧値に対する抵抗値変化にしてもパルス数
に対する抵抗値変化にしても、抵抗体の下地すなわちア
ンダーグレーズ材料、抵抗体ペースト、焼成条件、上層
すなわちオーバーグレーズ層の焼成条件等によって敏感
に変化するものであるが、同一ロット内あるいは、同一
基板内ではある程度の規則性があり、再現性があるとい
う点に着目してなされたもので、予め、校正曲線を作成
しておき、これに従って印加パルスを決めるようにすれ
ば、少ない印加回数で高精度のトリミングを行なうこと
が可能となる。According to the present invention, the behavior of the resistance value of a thick film resistor due to the application of a pulse can be either a resistance value change with respect to a voltage value or a resistance value change with respect to the number of pulses. Although it changes sensitively depending on the paste, firing conditions, firing conditions of the upper layer, that is, the overglaze layer, etc., attention is paid to the fact that there is some regularity and reproducibility within the same lot or within the same substrate. By performing a calibration curve in advance and determining an application pulse in accordance with the calibration curve, it is possible to perform high-precision trimming with a small number of application times.
すなわち、従来は、第2図(a)に示す如く、初期抵
抗値Rnから印加パルスを一定電圧Δv毎に上昇させてい
き、目標抵抗値R0となるまでこれを繰り返すという方法
がとられていたのに対し、本発明の方法では、第2図
(b)に示す如く、予め算出された校正曲線に基づいて
算出された、まず最初からある値Vn>>Δvを印加し、
目標値に近づけてから、少しずつ印加電圧を上昇させて
いくようにしている。In other words, conventionally, as shown in FIG. 2 (a), a method is employed in which the applied pulse is increased from the initial resistance value Rn at every constant voltage Δv, and this is repeated until the target resistance value R0 is reached. On the other hand, in the method of the present invention, as shown in FIG. 2 (b), a value Vn >> Δv calculated from the beginning based on the previously calculated calibration curve is applied,
After approaching the target value, the applied voltage is gradually increased.
本発明の方法のパルストリミング方法の概略を第1図
に示すフローチャートに従って説明する。The outline of the pulse trimming method of the present invention will be described with reference to the flowchart shown in FIG.
まず、当該サーマルヘッドに適用する校正曲線を作成
する(工程101)。First, a calibration curve to be applied to the thermal head is created (Step 101).
この校正曲線は同基板中の数ビットを選択し一定の電
圧ステップでトリミングしその値と抵抗値の変動幅とか
ら作成するようにしてもよいし、また、ダミービットを
形成しておき、このパルステストを行なうことによって
作成してもよい。This calibration curve may be selected from a few bits in the same substrate, trimmed at a constant voltage step, and created from the value and the variation width of the resistance value, or a dummy bit may be formed beforehand. It may be created by performing a pulse test.
又、若干のズレを認めるならば予め他のテストで求め
ておくようにしてもよい。If a slight deviation is recognized, it may be obtained in advance by another test.
次に、この構成曲線に従って各ビット後とのトリミン
グを実施する。Next, trimming after each bit is performed according to this configuration curve.
まず、各ビット毎に初期抵抗値Rnを測定する(工程10
2)。First, an initial resistance value Rn is measured for each bit (Step 10).
2).
そして、この初期抵抗値と前記校正曲線とに基づいて
印加電圧を算出する(行程103)。Then, an applied voltage is calculated based on the initial resistance value and the calibration curve (step 103).
この後、目標とする精度によって、小さめの印加パル
スを印加し(工程104)、測定(工程105)する。Thereafter, a smaller application pulse is applied depending on the target accuracy (step 104), and measurement is performed (step 105).
そして、判定(106)を行ない、目標値に達していな
い場合は、再び印加電圧の算出工程(工程104)に戻
る。Then, the determination (106) is performed. If the target value has not been reached, the process returns to the applied voltage calculation step (step 104).
このようにして目標値に到達すればトリミングは終了
となり、従来に比べて大幅に作業性良く、高精度のトリ
ミングが可能となる。従来のような一定電圧ステップの
トリミングでは同程度の精度を得るのに多数回のパルス
印加が必要であったのに対し、本願発明の方法では小さ
めの値をとるように電圧値を設定し、電圧パルス印加後
抵抗値を測定しながら目標の抵抗値に到達する迄電圧値
を所定幅づつ徐々に上昇させるようにしているため、1/
3回程度のパルス印加回数ですむことにより、量産性が
大幅に向上し、高速で、より高精度のトリミングを達成
することができる。When the target value is reached in this manner, the trimming is completed, and the trimming can be performed with much higher operability and higher precision than in the related art. In the conventional trimming of a constant voltage step, a large number of pulse applications were required to obtain the same level of accuracy, whereas in the method of the present invention, the voltage value was set so as to take a smaller value, Since the voltage value is gradually increased by a predetermined width until the target resistance value is reached while measuring the resistance value after applying the voltage pulse, 1 /
By requiring only about three pulse applications, mass productivity is greatly improved, and high-speed and more accurate trimming can be achieved.
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細
に説明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第3図、第4図(a)および(b)は、本発明実施例
の8ドット/mmの厚膜型サーマルヘッドの製造工程を示
すフローチャート図および同厚膜型サーマルヘッドの断
面図である。(なお第4図(b)は第4図(a)のA−
A断面図)である。FIGS. 3, 4 (a) and 4 (b) are a flow chart showing a manufacturing process of an 8 dot / mm thick film type thermal head according to the embodiment of the present invention and a sectional view of the same thick film type thermal head. . (Note that FIG. 4 (b) corresponds to A- in FIG. 4 (a).
(A sectional view).
この厚膜型サーマルヘッドは、グレーズドセラミック
基板10上に、所定の間隔で配列せしめられた全厚膜パタ
ーンからなるリード電極(A1)…Am,Am+1,Am+2,Am+
3,Am+4,…(An)と、この上層に配設された酸化ルテニ
ウムを主成分とする線状の厚膜抵抗体Rとを具えたもの
で、画情報に応じて各リード電極に電流が供給され、該
厚膜抵抗体Rの所定の素子領域が選択的に発熱せしめら
れるようにしたものである。This thick-film type thermal head is composed of lead electrodes (A 1 ) composed of all thick-film patterns arranged at predetermined intervals on a glazed ceramic substrate 10... Am, Am + 1, Am + 2, Am +
3, Am + 4,... (An) and a linear thick film resistor R mainly composed of ruthenium oxide disposed on the upper layer, and a current is applied to each lead electrode according to image information. The predetermined element region of the thick-film resistor R is supplied with heat and is selectively heated.
次に、この厚膜型サーマルヘッドの作製方法について
説明する。Next, a method of manufacturing the thick film type thermal head will be described.
まずここで用いるパルストリミング装置は、第5図に
ブロック図を示す如く、測定しようとするサーマルヘッ
ド1の発熱抵抗体に探針を接触せしめるプロービング装
置2と、スイッチング手段3を介して該プロービング装
置2に切換え自在に接続され各ビットの抵抗値を測定す
る抵抗測定器4と、パルス印加回路5とを具える各ビッ
トの抵抗値を測定しながら発熱抵抗体への印加パルスを
制御し、目標領域まで制御するように構成されている。First, as shown in the block diagram of FIG. 5, the pulse trimming device used here is a probing device 2 for bringing a probe into contact with a heating resistor of a thermal head 1 to be measured, and the probing device via a switching means 3. 2, a resistance measuring device 4 that is switchably connected to 2 and measures a resistance value of each bit; and a pulse application circuit 5. A pulse applied to the heating resistor is controlled while measuring the resistance value of each bit. It is configured to control up to the area.
このパルス印加回路5は、パルス発生器50と印加パル
スの波高値に対する抵抗値の変化から校正曲線を作成す
る構成曲線作成部51と、該校正曲線と当該ビットの測定
抵抗値とから印加パルスの波高値およびパルス数を制御
するパルス制御回路52とを具え、校正曲線に従って、効
率良いトリミングを行なうことができるように構成され
ている。The pulse applying circuit 5 includes a pulse generator 50 and a constituent curve creating unit 51 for creating a calibration curve from a change in resistance value with respect to the peak value of the applied pulse, and an applied pulse based on the calibration curve and the measured resistance value of the bit. A pulse control circuit 52 for controlling the peak value and the number of pulses is provided so that trimming can be performed efficiently according to a calibration curve.
作成に際してはまず、グレーズドセラミック基板10を
準備し(N1)、この表面上に、スクリーン印刷および焼
成(900℃)によって全厚膜層を形成したあと(N2)、
フォトリソエッチング法によりリード電極A1…Anのパタ
ーニングを行なう。(N3) この後、酸化テルニウムを主成分とする抵抗ペースト
を用いてスクリーン印刷および焼成(870℃)を行な
い、線状の厚膜抵抗体Rを形成する。(N4) 次にオーバーグレーズペーストを開いてスクリーン印
刷し、焼成して耐摩耗層Qを形成する。First, a glazed ceramic substrate 10 is prepared (N 1 ), and a full-thickness film layer is formed on this surface by screen printing and firing (900 ° C.) (N 2 ).
The lead electrodes A 1 ... An are patterned by photolithography. (N 3 ) Thereafter, screen printing and baking (870 ° C.) are performed using a resistive paste containing ternium oxide as a main component to form a linear thick-film resistor R. (N 4 ) Next, the overglaze paste is opened, screen-printed, and fired to form the wear-resistant layer Q.
続いて、この厚膜サーマルヘッドの厚膜抵抗体の各抵
抗値を測定する。(N5) このときの抵抗値のばらつきは第6図(a)に示す如
く±25%程度と大きいものであった。Subsequently, each resistance value of the thick film resistor of the thick film thermal head is measured. (N 5 ) The variation of the resistance value at this time was as large as about ± 25% as shown in FIG. 6 (a).
次に、まず最初の32ビットを一定電圧ステップでトリ
ミングし、校正曲線を作成する。(N6) この結果は第7図(a)に示す如く、一時曲線で近似
できるものであり、次式(1)に示す関係式をもつもの
であることがわかった。Next, the first 32 bits are trimmed in constant voltage steps to create a calibration curve. (N 6 ) This result can be approximated by a temporary curve as shown in FIG. 7 (a), and has a relational expression shown by the following equation (1).
そして、−ビット毎に、各初期抵抗値Rと目標抵抗R0
値との差ΔR=R−R0を算出し、これを(1)式にあて
はめてVを得る。このようにして算出された電圧Vの半
分すなわちV1=1/2vをまず印加し、抵抗値を測定する。
そして、まだ目標抵抗領域(R0±ΔR0、ここでΔR0は必
要とする精度に応じて決定する)に達していないとき
は、V2=1/2V+1/4Vを印加する。そして又、抵抗値を測
定する−というように順次幅を小さくしながら目標領域
に達するまでパルストリミングを続行する(N7)。目標
領域に達する時に実際に印加したパルスの波高値とΔR/
Rとの関係を第7図に示す。第4図(a)および(b)
の比較からも校正曲線が正しかったことがわかる。 Then, for each-bit, each initial resistance value R and target resistance R 0
A difference ΔR = R−R 0 from the value is calculated, and V is obtained by applying this to the equation (1). First, half of the voltage V calculated in this way, that is, V 1 = 1 / 2v is applied, and the resistance value is measured.
When the target resistance region has not yet reached the target resistance region (R 0 ± ΔR 0 , where ΔR 0 is determined according to the required accuracy), V 2 = 1 / 2V + 1 / 4V is applied. And also, to measure the resistance value - continuing the pulse trimming to reach the target region while reducing the sequentially width so that (N 7). When reaching the target area, the peak value of the pulse actually applied and ΔR /
The relationship with R is shown in FIG. FIG. 4 (a) and (b)
It can be seen from the comparison that the calibration curve was correct.
このようにして、ビット毎にトリミングを行なった
後、約200℃で30分間アニールし抵抗値の安定化をはか
る(N8)。After trimming for each bit in this way, annealing is performed at about 200 ° C. for 30 minutes to stabilize the resistance value (N 8 ).
このようにして形成されたサーマルヘッドの発熱抵抗
体の抵抗値は第6図(b)に示す如く、ばらつきが±3
%以内と極めて高精度のものとなっている。As shown in FIG. 6 (b), the resistance value of the heating resistor of the thermal head thus formed has a variation of ± 3.
% And extremely high accuracy.
従来のような、一定電圧ステップのトリミングではこ
の精度を得るのに2万回以上のパルス印加が必要であっ
たのに対し、上記方法では約1/3のパルス印加回数です
むため、量産性が大幅に向上する。In conventional trimming in constant voltage steps, more than 20,000 pulses must be applied to achieve this accuracy, whereas the above method requires only about one-third the number of pulses to be applied. Is greatly improved.
なお、実施例では、校正曲線を作成するのに最初の32
ビットについてのパルストリミングの結果を用いたが、
この測定ビット数および位置については、実施例に限定
されることなく変更可能であり、又、ダミービットをあ
らかじめ形成しており、このダミービットの測定値から
校正曲線を作成するようにしてもよい。Note that in the embodiment, the first 32
Using the result of pulse trimming for bits,
The number and position of the measurement bits can be changed without being limited to the embodiment, and a dummy bit may be formed in advance, and a calibration curve may be created from the measured value of the dummy bit. .
また、校正曲線は、同一ロット毎に作成してもよい
し、基板毎に作成してもよい。Further, the calibration curve may be created for each same lot or may be created for each substrate.
以上説明してきたように、本発明によれば厚膜型サー
マルヘッドのパルストリミングを行なうに際し、予め、
プロセス毎あるいはヘッド毎に校正曲線を作成してお
き、その校正曲線と当該ビットの初期抵抗値とに基づい
て印加電力値を決めるようにしているため、量産性良
く、特性の良好なサーマルヘッドを形成することが可能
となる。As described above, according to the present invention, when performing pulse trimming of a thick film type thermal head,
A calibration curve is created for each process or head, and the applied power value is determined based on the calibration curve and the initial resistance value of the bit. It can be formed.
第1図は、本発明のパルストリミング方法の概略を示す
フローチャートであり、第2図は、本発明の方法と従来
例の方法との比較説明図、第3図は、本発明実施例の厚
膜型サーマルヘッドの製造工程を示すフローチャート
図、第4図(a)および第4図(b)は、夫々、同厚膜
型サーマルヘッドの断面図、第5図は、本発明実施例の
方法で用いられるパルストリミング装置を示すブロック
図、第6図(a)および第6図(b)は夫々、パルスト
リミング前と後の各ビットの抵抗値のばらつきを示す
図、第7図(a)および第7図(b)は、夫々、本発明
実施例の方法で用いた校正曲線と、実際に印加した最終
パルスの波高値を示す図である。 10……グレーズドセラミック基板、 1……サーマルヘッド、2……プロービング装置、 3……スイッチング手段、4……抵抗器、 5……パルス印加回路、50……パルス発生器、 51……校正曲線作成部、52……パルス制御回路。FIG. 1 is a flow chart showing the outline of the pulse trimming method of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view showing a comparison between the method of the present invention and the conventional method, and FIG. 4 (a) and 4 (b) are cross-sectional views of the same thick film type thermal head, and FIG. 5 is a method according to the embodiment of the present invention. FIG. 6 (a) and FIG. 6 (b) are block diagrams showing a pulse trimming device used in FIG. 7, and FIG. 7 (a) is a diagram showing variations in resistance values of respective bits before and after pulse trimming, respectively. FIG. 7B is a diagram showing the calibration curve used in the method of the embodiment of the present invention and the peak value of the last pulse actually applied. 10: Glazed ceramic substrate, 1: Thermal head, 2: Probing device, 3: Switching means, 4, Resistor, 5, Pulse application circuit, 50: Pulse generator, 51: Calibration curve Creation unit, 52 ... Pulse control circuit.
Claims (1)
個の熱抵抗体を配列せしめてなる厚膜型サーマルヘッド
製造方法において、 発熱抵抗体の形成後に、各発熱抵抗体の抵抗値を均一化
すべく各発熱抵抗体に電圧パルスを印加して調整するパ
ルストリミング工程が、 少なくとも1つの発熱抵抗体を選択し、この選択された
発熱抵抗体の電圧パルスの変化に対する抵抗値変化を測
定し、この測定結果に基づき、目標値よりも所定量だけ
小さくなるような電圧値を、トリミング基準電圧として
設定する基準電圧設定工程と、 各発熱低抗体のトリミングに際し、前記基準電圧から出
発して印加後の抵抗値を測定しながら電圧印加を行い、
目標の抵抗値に到達するまで、次第に印加する電圧パル
スの電圧値を所定幅づつ増大させるようにする調整工程
とを含むようにしたことを特徴とする厚膜型サーマルヘ
ッドの製造方法。1. A method of manufacturing a thick-film type thermal head, comprising arranging a large number of thermal resistors formed by a thick-film method on the same substrate, wherein after forming the heating resistors, the resistance value of each heating resistor is determined. A pulse trimming step of applying a voltage pulse to each heating resistor to make it uniform is to select at least one heating resistor and measure a change in resistance value of the selected heating resistor with respect to a change in the voltage pulse. A reference voltage setting step of setting, as a trimming reference voltage, a voltage value that is smaller than a target value by a predetermined amount based on the measurement result; Apply voltage while measuring the resistance value afterwards,
An adjusting step of gradually increasing the voltage value of the applied voltage pulse by a predetermined width until the resistance value reaches a target resistance value.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62207762A JP2590916B2 (en) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | Method of manufacturing thick film type thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62207762A JP2590916B2 (en) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | Method of manufacturing thick film type thermal head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6451958A JPS6451958A (en) | 1989-02-28 |
| JP2590916B2 true JP2590916B2 (en) | 1997-03-19 |
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ID=16545127
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62207762A Expired - Fee Related JP2590916B2 (en) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | Method of manufacturing thick film type thermal head |
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
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| JPH068054B2 (en) * | 1986-08-29 | 1994-02-02 | 三菱電機株式会社 | Method of manufacturing thermal head |
| JPS63230361A (en) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | thermal head |
| JPS63252760A (en) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | How to trim heating resistor of thermal head |
-
1987
- 1987-08-21 JP JP62207762A patent/JP2590916B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6451958A (en) | 1989-02-28 |
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