JP2591346B2 - Image reading device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ等において
用いられる原稿読取装置に関し、特に、各光電変換素子
と該光電変換素子に対応するスイッチ素子とをそれぞれ
接続する配線導体の長さの相違に主に依存する出力信号
のバラツキを皆無もしくは無視し得る程度に小さくした
原稿読取装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a document reading apparatus used in a facsimile machine or the like, and more particularly to a document reading apparatus mainly used for the difference in the length of a wiring conductor connecting each photoelectric conversion element and a switch element corresponding to the photoelectric conversion element. The present invention relates to a document reading apparatus in which the variation of an output signal depending on the original is reduced to a level that is completely or negligible.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に原稿読取装置は、絶縁性基板上に
所定のパターンをもって配列された多数の光電変換素子
を備え、これらの光電変換素子をスイッチング走査して
各光電変換素子の受光量に対応する信号を取り出すため
に、上記光電変換素子と同数のスイッチ素子を備えたス
イッチング回路を光電変換素子と同一の基板上または外
部に設けることによって構成されている。2. Description of the Related Art Generally, a document reading apparatus includes a large number of photoelectric conversion elements arranged in a predetermined pattern on an insulating substrate, and performs switching scanning of these photoelectric conversion elements to correspond to the amount of light received by each photoelectric conversion element. In order to extract a signal to be converted, a switching circuit including the same number of switch elements as the photoelectric conversion elements is provided on the same substrate as the photoelectric conversion elements or on the outside.
【0003】ここで、光電変換素子アレイの長さが読取
るべき原稿と同一サイズとなるように構成されている。Here, the length of the photoelectric conversion element array is configured to be the same size as the original to be read.
【0004】このような原稿読取装置においては、オプ
ティカル・ファイバ・アレイまたはレンズ・アレイ等の
光学系を用いて一対一結像により原稿を読取るため、結
像光路長を短くすることが可能であり、原稿読取装置の
大幅な小型化を達成しうるものである。In such an original reading apparatus, since an original is read by one-to-one image formation using an optical system such as an optical fiber array or a lens array, it is possible to shorten the image forming optical path length. Thus, the size of the document reading apparatus can be significantly reduced.
【0005】図3は従来の原稿読取装置の回路図を示
し、P1 ,P2 ,P3 …PN は光導伝性薄膜により形成
された光電変換素子で、等価的にはフォトダイオードP
Dと容量CDにより構成される。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional document reading apparatus, wherein P1, P2, P3... PN are photoelectric conversion elements formed of a photoconductive thin film, and equivalently, a photodiode P1.
D and a capacitor CD.
【0006】また、Q1 ,Q2 ,Q3 …QN は光電変換
素子P1 〜PN をそれぞれスイッチングするためのMO
Sトランジスタ、1はMOSトランジスタQ1 〜QN を
走査するためのシフトレジスタで、光電変換素子P1 〜
PN とMOSトランジスタQ1 ,Q2 ,Q3 …QN との
間は、それぞれ配線導体W1 〜WN を介して接続されて
いる。.. QN are MOs for switching the photoelectric conversion elements P1 to PN, respectively.
The S transistor 1 is a shift register for scanning the MOS transistors Q1 to QN.
The PN and the MOS transistors Q1, Q2, Q3... QN are connected via wiring conductors W1 to WN, respectively.
【0007】このシフトレジスタ1とMOSトランジス
タQ1 〜QN とによって構成されたスイッチング回路2
は半導体基板上に集積化されて構成されている。A switching circuit 2 constituted by the shift register 1 and MOS transistors Q1 to QN
Are integrated on a semiconductor substrate.
【0008】なお、3は出力信号線、4は出力端子、5
は負荷抵抗、6はバイアス電源である。3 is an output signal line, 4 is an output terminal, 5
Is a load resistance, and 6 is a bias power supply.
【0009】図4および図5は、図3に示した原稿読取
装置の具体的構造の一例を示す平面図およびその III−
III 線断面図である。FIGS. 4 and 5 are plan views showing an example of a specific structure of the document reading apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line III.
【0010】光電変換素子P1 〜PN は、光導電性薄膜
7の上下を、導電性薄膜による分割された電極S1 〜S
N と、透明導電性薄膜による連続した電極8とによって
サンドイッチ状に挟んだ態様をもって絶縁性基板9上に
形成されている。The photoelectric conversion elements P1 to PN are arranged above and below the photoconductive thin film 7 with electrodes S1 to S divided by a conductive thin film.
It is formed on an insulating substrate 9 in a manner sandwiched between N and a continuous electrode 8 made of a transparent conductive thin film.
【0011】分割された電極S1 〜SN は基板9上に被
着され、これら電極S1 〜SN よりそれぞれ配線導体W
1 〜WN が基板9上に延長されて導出されている。The divided electrodes S1 to SN are attached on a substrate 9, and the wiring conductors W
1 to WN are extended and led out on the substrate 9.
【0012】半導体集積回路構成のスイッチング回路2
は基板9上に固着されており、かつそのパッドが接続線
B1 〜BN によって配線導体W1 〜WN の端部に電気的
に接続されている。Switching circuit 2 of semiconductor integrated circuit configuration
Are fixed on the substrate 9, and the pads thereof are electrically connected to the ends of the wiring conductors W1 to WN by connection lines B1 to BN.
【0013】以上の構成において、原稿像が光学系によ
って光電変換素子P1 〜PN 上に結像されると、光電変
換素子P1 〜PN がそれぞれ受光した光の強度に対応す
る光電流をフォトダイオードPDに発生し、これにより
容量CDに電荷が蓄積され、この蓄積された電荷はMO
SトランジスタQ1 〜QN を順次オンにすることによっ
て出力信号線3に伝えられ、出力端子4より映像信号と
して取出される。In the above arrangement, when the original image is formed on the photoelectric conversion elements P1 to PN by the optical system, the photoelectric conversion elements P1 to PN output a photocurrent corresponding to the intensity of the light received by the photodiode PD. , And the electric charge is accumulated in the capacitor CD.
The signal is transmitted to the output signal line 3 by sequentially turning on the S transistors Q1 to QN, and is taken out from the output terminal 4 as a video signal.
【0014】図6は1つの光電変換素子についての等価
回路を示し、光電変換素子P1 〜PN のうちの1つに相
当するのが電流源11で、MOSトランジスタQ1 〜Q
N のうちの1つに相当するのがスイッチ素子12であ
る。FIG. 6 shows an equivalent circuit for one photoelectric conversion element. One of the photoelectric conversion elements P1 to PN corresponds to a current source 11 and MOS transistors Q1 to Q1.
The switch element 12 corresponds to one of N 1.
【0015】容量13は光電変換素子P1 〜PN からM
OSトランジスタQ1 〜QN までの配線の浮遊容量とM
OSトランジスタQ1 〜QN の入力容量との合成容量で
あり、また容量14はMOSトランジスタQ1 〜QN の
出力容量と出力配信号線3の浮遊容量との合成容量であ
る。The capacitor 13 is connected between the photoelectric conversion elements P1 to PN to M
The stray capacitance of the wiring between the OS transistors Q1 to QN and M
The capacitance 14 is a combined capacitance of the input capacitances of the OS transistors Q1 to QN and the capacitance 14 is a combined capacitance of the output capacitance of the MOS transistors Q1 to QN and the floating capacitance of the output signal line 3.
【0016】光電変換素子に光が入射されれば、電流源
11に電流が流れ、容量13に電荷が蓄積される。ここ
でスイッチ12を閉じれば、容量13に蓄積された電荷
が容量14および抵抗5を通って放電し、その放電電流
が出力端子4において検出される。When light enters the photoelectric conversion element, a current flows through the current source 11 and charges are accumulated in the capacitor 13. Here, when the switch 12 is closed, the electric charge accumulated in the capacitor 13 is discharged through the capacitor 14 and the resistor 5, and the discharge current is detected at the output terminal 4.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図4におい
ては、光電変換素子P1 〜PN とMOSトランジスタQ
1 〜QN 間にそれぞれ接続されている配線導体W1 〜W
N の長さが等しい場合を示しており、この場合、各配線
導体W1 〜WN の浮遊容量がほぼ等しいことから、図6
における容量13がほぼ一定と考えられる。In FIG. 4, the photoelectric conversion elements P1 to PN and the MOS transistor Q are shown.
Wiring conductors W1 to W connected between 1 to QN, respectively.
6 shows the case where the lengths of N are equal. In this case, since the stray capacitances of the respective wiring conductors W1 to WN are substantially equal, FIG.
Is considered to be almost constant.
【0018】しかしながら、実際の装置においては、例
えば図7に示すように、配線導体W1 〜WN は半導体集
積回路によって構成されたスイッチング回路2の側面に
まで延長されている場合が多く、このため配線導体W1
〜WN が互いに長さの異なるものとして基板9上に形成
される。However, in an actual device, as shown in FIG. 7, for example, the wiring conductors W1 to WN are often extended to the side of the switching circuit 2 constituted by a semiconductor integrated circuit. Conductor W1
... WN are formed on the substrate 9 as having different lengths.
【0019】この場合、各配線導体W1 〜WN の浮遊容
量に相違を生じ、第6図に示した容量13が各光電変換
素子P1 〜PN によって異なり、この結果、原稿読取装
置の出力信号に、CR時定数で決定されるバラツキを生
じる欠点があった。In this case, the stray capacitance of each of the wiring conductors W1 to WN differs, and the capacitance 13 shown in FIG. 6 differs depending on each of the photoelectric conversion elements P1 to PN. There is a drawback that the variation is determined by the CR time constant.
【0020】そこで、本発明は、光電変換素子からスイ
ッチ素子までの各配線導体の長さの相違に主に依存する
出力信号のバラツキを皆無もしくは無視し得る程度に小
さくした原稿読取装置を提供することを目的とする。Accordingly, the present invention provides a document reading apparatus in which the variation of the output signal mainly depending on the difference in the length of each wiring conductor from the photoelectric conversion element to the switch element is reduced to a level that is negligible or negligible. The purpose is to:
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、この発明は、複数の光電変換素子と、前記光電変
換素子に対応する複数のスイッチ素子とを同一基板上に
配設し、各光電変換素子と該光電変換素子に対応するス
イッチ素子とをそれぞれ配線導体を介して接続し、各光
電変換素子の受光量に対応するそれぞれの信号を前記配
線導体を介して取り出す原稿読取装置において、前記配
線導体の内で前記配線導体の浮遊容量と該配線導体が接
続されるスイッチ素子の入力容量との合成容量が最大の
ものを少なくとも除く他の配線導体に該配線導体の浮遊
容量と該配線導体が接続されるスイッチ素子の入力容量
との合成容量に対応して決定される容量素子をそれぞれ
接続し、前記配線導体の浮遊容量と該配線導体が接続さ
れるスイッチ素子の入力容量との各合成容量がそれぞれ
等しくなるようにしたことを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a plurality of photoelectric conversion elements and a plurality of switch elements corresponding to the photoelectric conversion elements on the same substrate. In a document reading apparatus, a photoelectric conversion element and a switch element corresponding to the photoelectric conversion element are connected via a wiring conductor, and a signal corresponding to the amount of light received by each photoelectric conversion element is taken out via the wiring conductor. Among the wiring conductors, the stray capacitance of the wiring conductor and the wiring capacitance of other wiring conductors other than at least those having the largest combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected A capacitance element determined in accordance with a combined capacitance of the input capacitance of the switch element to which the conductor is connected, and a switch element to which the stray capacitance of the wiring conductor and the wiring conductor are connected; Characterized in that each composite capacitance of the input capacitance is set to be equal to each other.
【0022】本発明では、各光電変換素子と該光電変換
素子に対応するスイッチ素子とをそれぞれ接続する配線
導体の内で該配線導体の浮遊容量と該配線導体が接続さ
れるスイッチ素子の入力容量との合成容量が最大のもの
を少なくとも除く他の配線導体に該配線導体の浮遊容量
と該配線導体が接続されるスイッチ素子の入力容量との
合成容量に対応して決定される容量素子をそれぞれ接続
し、各配線導体の浮遊容量と該配線導体が接続されるス
イッチ素子の入力容量との合成容量がそれぞれ等しくな
るようにして、これにより出力信号のバラツキを皆無も
しくは無視し得る程度に小さくする。In the present invention, the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected, among the wiring conductors connecting each photoelectric conversion element and the switch element corresponding to the photoelectric conversion element. Capacitance elements determined in accordance with the combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected to other wiring conductors except for at least the one with the largest combined capacitance. And the combined capacitance of the stray capacitance of each wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected is made equal to each other, thereby minimizing the variation of the output signal to a negligible or negligible level. .
【0023】[0023]
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail.
【0024】図1および図2は、本発明に係わる原稿読
取装置の一実施例を図3および図6にそれぞれ対応した
回路図によって示したものである。FIGS. 1 and 2 show an embodiment of a document reading apparatus according to the present invention, with circuit diagrams corresponding to FIGS. 3 and 6, respectively.
【0025】この実施例においては、半導体集積回路に
よって構成されたスイッチング回路2内の、配線導体W
1 〜WN にそれぞれ補償用容量素子C1 〜CN が並列に
接続される。In this embodiment, the wiring conductor W in the switching circuit 2 constituted by a semiconductor integrated circuit is provided.
Compensating capacitive elements C1 to CN are connected in parallel to 1 to WN, respectively.
【0026】ここで、この補償用容量素子C1 〜CN
は、図2に示す容量13、すなわち、電流源11(光電
変換素子P1 〜PN )からスイッチ素子12(MOSト
ランジスタQ1 〜QN )までの配線の浮遊容量とスイッ
チ素子12(MOSトランジスタQ1 〜QN )の入力容
量との合成容量が一定になるように個別に選択された容
量値を有するものである。Here, the compensation capacitive elements C1 to CN
Is the capacitance 13 shown in FIG. 2, that is, the stray capacitance of the wiring from the current source 11 (photoelectric conversion elements P1 to PN) to the switching element 12 (MOS transistors Q1 to QN) and the switching element 12 (MOS transistors Q1 to QN). Has a capacitance value individually selected such that a combined capacitance with the input capacitance of the first and second input capacitors becomes constant.
【0027】これらの容量素子C1 〜CN は、PN接合
による拡散容量、MOS構成による容量、または金属薄
膜間に誘電体を介在させることによって生じた容量等を
もって、スイッチング回路2内にトランジスタQ1 〜Q
N の形成と同時に形成することができる。These capacitive elements C1 to CN have a diffusion capacity by a PN junction, a capacity by a MOS structure, a capacity generated by interposing a dielectric between metal thin films, and the like.
It can be formed simultaneously with the formation of N.
【0028】なお、図2においてはこの補償用容量素子
を一般的にCK として示してあり、図2において、容量
13とこの補償用容量素子CK の容量との合成容量が、
各光電変換素子に対応して、ほぼ等しくなるように各補
償用容量素子CK が選択される。In FIG. 2, this compensating capacitance element is generally shown as CK. In FIG. 2, the combined capacitance of the capacitance 13 and the capacitance of this compensating capacitance element CK is:
Each compensating capacitive element CK is selected so as to be substantially equal to each photoelectric conversion element.
【0029】なお、図1においては、各配線導体W1 〜
WN に対してそれぞれ補償用容量素子C1 〜CN を接続
しているが、すべての各配線導体W1 〜WN に対応し
て、補償用容量素子C1 〜CN を接続せずに、各配線導
体W1 〜WN の内で、該配線導体の浮遊容量と該配線導
体が接続されるMOSトランジスタQ1 〜QN の入力容
量との合成容量が最大のものを少なくとも除く他の配線
導体に、該配線導体の浮遊容量と該配線導体が接続され
るMOSトランジスタQ1 〜QN の入力容量との合成容
量に対応して決定される容量素子をそれぞれ接続し、こ
れにより各配線導体W1 〜WN の浮遊容量と該配線導体
W1 〜WN が接続されるMOSトランジスタQ1 〜QN
の入力容量との各合成容量がそれぞれ等しくなるように
する。In FIG. 1, each of the wiring conductors W1 to W1
The compensation capacitance elements C1 to CN are respectively connected to WN. However, in correspondence with all the wiring conductors W1 to WN, the compensation capacitance elements C1 to CN are not connected and the respective wiring conductors W1 to CN are connected. Among the wiring conductors WN, the stray capacitance of the wiring conductor is added to other wiring conductors except at least the combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the MOS transistors Q1 to QN to which the wiring conductor is connected. And the capacitance elements determined according to the combined capacitance of the input capacitances of the MOS transistors Q1 to QN to which the wiring conductors are connected, whereby the floating capacitance of each of the wiring conductors W1 to WN and the wiring conductor W1 are connected. To WN are connected to MOS transistors Q1 to QN
So that each combined capacitance with the input capacitance is equal.
【0030】例えば、配線導体W1 〜WN の内の最大の
浮遊容量を有する最も長い配線導体に関しては補償用容
量素子を設けず、それより小さい浮遊容量を有する短い
配線導体についてのみ補償用容量素子を接続するように
構成する。For example, no compensating capacitive element is provided for the longest wiring conductor having the largest stray capacitance among the wiring conductors W1 to WN, and only the compensating capacitive element is provided for the short wiring conductor having a smaller stray capacitance. Configure to connect.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各光電変換素子と該光電変換素子に対応するスイッチ素
子とをそれぞれ接続する配線導体の浮遊容量と各スイッ
チ素子の入力容量との合成容量がそれぞれ等しくなるよ
うに、各合成容量に対応して個別に選択された容量素子
を配線導体の内で該配線導体の浮遊容量と該配線導体が
接続されるスイッチ素子の入力容量との合成容量が最大
のものを少なくとも除く他の配線導体に接続するように
構成したので、光電変換素子からスイッチ素子までの各
配線導体の長さの相違に主に依存する出力信号のバラツ
キを皆無もしくは無視し得る程度に小さくすることがで
きるという効果を奏する。As described above, according to the present invention,
Individually corresponding to each combined capacitance so that the combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor connecting each photoelectric conversion element and the switch element corresponding to the photoelectric conversion element and the input capacitance of each switch element is equal. The capacitance element selected in (2) is connected to other wiring conductors except at least those having the largest combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected. With such a configuration, there is an effect that the variation of the output signal mainly depending on the difference in the length of each wiring conductor from the photoelectric conversion element to the switch element can be reduced to a negligible or negligible level.
【図1】 本発明に係る原稿読取装置の一実施例を示す
回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a document reading apparatus according to the present invention.
【図2】 図1に示した原稿読取装置の読出回路の等価
回路図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a reading circuit of the document reading apparatus shown in FIG.
【図3】 従来の原稿読取装置を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional document reading apparatus.
【図4】 図3に示した原稿読取装置の具体的構造の一
例の平面図。FIG. 4 is a plan view of an example of a specific structure of the document reading apparatus shown in FIG. 3;
【図5】 図4に示した原稿読取装置 III−III 線にお
ける断面図。FIG. 5 is a sectional view taken along line III-III of the original reading apparatus shown in FIG. 4;
【図6】 図3に示した原稿読取装置の読出回路の等価
回路図。6 is an equivalent circuit diagram of a reading circuit of the document reading device shown in FIG.
【図7】 従来装置の問題点を説明するための図で、配
線導体配列を示す平面図。FIG. 7 is a diagram for explaining a problem of the conventional device, and is a plan view showing an arrangement of wiring conductors.
P1 〜PN …光電変換素子、S1 〜SN …分割された電
極、Q1 〜QN …MOSトランジスタ、W1 〜WN …配
線導体、C1 〜CN …補償用容量素子、1…シフトレジ
スタ、2…スイッチング回路、3…信号線、4…出力端
子、5…負荷抵抗、6…バイアス電源、7…光導電性薄
膜、8…透明導電性薄膜による連続した電極、9…絶縁
基板、11…電流源、12…スイッチ素子、13,14
…容量P1 to PN: photoelectric conversion elements, S1 to SN: divided electrodes, Q1 to QN: MOS transistors, W1 to WN: wiring conductors, C1 to CN: compensating capacitance elements, 1: shift registers, 2 switching circuits, DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Signal line, 4 ... Output terminal, 5 ... Load resistance, 6 ... Bias power supply, 7 ... Photoconductive thin film, 8 ... Continuous electrode by transparent conductive thin film, 9 ... Insulating substrate, 11 ... Current source, 12 ... Switch element, 13, 14
…capacity
Claims (1)
子に対応する複数のスイッチ素子とを同一基板上に配設
し、各光電変換素子と該光電変換素子に対応するスイッ
チ素子とをそれぞれ配線導体を介して接続し、各光電変
換素子の受光量に対応するそれぞれの信号を前記配線導
体を介して取り出す原稿読取装置において、 前記配線導体の内で前記配線導体の浮遊容量と該配線導
体が接続されるスイッチ素子の入力容量との合成容量が
最大のものを少なくとも除く他の配線導体に該配線導体
の浮遊容量と該配線導体が接続されるスイッチ素子の入
力容量との合成容量に対応して決定される容量素子をそ
れぞれ接続し、前記配線導体の浮遊容量と該配線導体が
接続されるスイッチ素子の入力容量との各合成容量がそ
れぞれ等しくなるようにしたことを特徴とする原稿読取
装置。1. A plurality of photoelectric conversion elements and a plurality of switch elements corresponding to the photoelectric conversion elements are provided on the same substrate, and each photoelectric conversion element and a switch element corresponding to the photoelectric conversion element are respectively provided. In a document reading apparatus connected via a wiring conductor and taking out each signal corresponding to the amount of light received by each photoelectric conversion element through the wiring conductor, the stray capacitance of the wiring conductor and the wiring conductor in the wiring conductor Corresponds to the combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected to other wiring conductors except for at least the one with the largest combined capacitance with the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected. And the combined capacitance of the stray capacitance of the wiring conductor and the input capacitance of the switch element to which the wiring conductor is connected is made equal to each other. Document reading apparatus according to claim and.
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|---|---|---|---|
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Family Cites Families (2)
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| JPS59152775A (en) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | Fuji Xerox Co Ltd | Original reader |
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