JP2592682B2 - 半導体装置の低温エッチング装置 - Google Patents
半導体装置の低温エッチング装置Info
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置の低温エッチング装置に関す
る。
る。
（従来の技術） 近年、半導体装置のエッチング装置では半導体基板を
氷点下に保ったままエッチング（低温エッチング）する
装置が利用されつつある。
氷点下に保ったままエッチング（低温エッチング）する
装置が利用されつつある。
第２図は従来のアルミニウム（Al）合金膜の低温エッ
チング装置の説明図であって、11はエッチング室、12は
後処理室、13は搬送室、14は半導体基板の受け体、15は
半導体基板の移送部である。
チング装置の説明図であって、11はエッチング室、12は
後処理室、13は搬送室、14は半導体基板の受け体、15は
半導体基板の移送部である。
同図において、エッチング室11において半導体基板
（図示せず）の温度を−10℃に保ち、Al合金膜の低温エ
ッチングを行う。この低温エッチングではエッチング反
応生成物（AlCl3）が揮発化せずにAl合金膜の側壁を保
護するため、異方性エッチングを実現することができ
る。
（図示せず）の温度を−10℃に保ち、Al合金膜の低温エ
ッチングを行う。この低温エッチングではエッチング反
応生成物（AlCl3）が揮発化せずにAl合金膜の側壁を保
護するため、異方性エッチングを実現することができ
る。
次に半導体基板は、搬送室13,移送部15を経て、後処
理室12に移送され、酸素プラズマによりレジストや残留
塩素の除去処理が施される。この際、前記反応生成物
（AlCl3）中に含まれている塩素を容易に除去できるよ
うに、半導体基板の温度は＋250℃に保たれる。
理室12に移送され、酸素プラズマによりレジストや残留
塩素の除去処理が施される。この際、前記反応生成物
（AlCl3）中に含まれている塩素を容易に除去できるよ
うに、半導体基板の温度は＋250℃に保たれる。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記の従来技術では、半導体基板の温
度は−10℃から＋250℃に急激に変化するので、半導体
基板や、その上に形成された配線、絶縁膜に、熱膨脹係
数の差によるストレスが加わり、結晶欠陥や配線の断
線、あるいは浮き上りが発生するという問題があった。
度は−10℃から＋250℃に急激に変化するので、半導体
基板や、その上に形成された配線、絶縁膜に、熱膨脹係
数の差によるストレスが加わり、結晶欠陥や配線の断
線、あるいは浮き上りが発生するという問題があった。
さらに後処理室12では最初に半導体基板の温度が上昇
するまでレジストや残留塩素の除去処理が行われず、装
置の制御性に支障をきたしていた。
するまでレジストや残留塩素の除去処理が行われず、装
置の制御性に支障をきたしていた。
本発明の目的は、半導体基板の損傷を低減し、しか
も、エッチング処理の制御性の向上が図れる半導体装置
の低温エッチング装置を提供することにある。
も、エッチング処理の制御性の向上が図れる半導体装置
の低温エッチング装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するため、本発明は、複数の反応室
を有する半導体装置の低温エッチング装置において、前
記反応室の処理温度がそれぞれ異なり、前記反応室の間
に、一方の反応室の処理温度から他方の反応室の処理温
度まで処理対象の半導体基板の温度を昇降させるために
温度制御ができ、しかも熱容量が前記反応室よりも小さ
い真空室を備えたことを特徴とする。
を有する半導体装置の低温エッチング装置において、前
記反応室の処理温度がそれぞれ異なり、前記反応室の間
に、一方の反応室の処理温度から他方の反応室の処理温
度まで処理対象の半導体基板の温度を昇降させるために
温度制御ができ、しかも熱容量が前記反応室よりも小さ
い真空室を備えたことを特徴とする。
（作 用） 上記手段を採用したため、真空室において、半導体基
板は次の反応室に移送される前に温度制御されるので、
熱膨脹係数の差による半導体基板の損傷を回避でき、さ
らに次の反応室に移送される前に半導体基板の温度を所
定の温度に制御できるので、後処理の制御性の向上が図
れ、しかも真空室の熱容量が小さいため昇温および降温
の変化速度が速いので、温度変化を容易に制御すること
ができる。
板は次の反応室に移送される前に温度制御されるので、
熱膨脹係数の差による半導体基板の損傷を回避でき、さ
らに次の反応室に移送される前に半導体基板の温度を所
定の温度に制御できるので、後処理の制御性の向上が図
れ、しかも真空室の熱容量が小さいため昇温および降温
の変化速度が速いので、温度変化を容易に制御すること
ができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の半導体装置の低温エッチング装置を
Al合金膜の形成装置に適用した一実施例を示す説明図で
あって、１と２は反応室であって、それぞれエッチング
室と後処理室、３は半導体基板（図示せず）の受け体、
４は搬送室を兼ねたAlからなる真空室、５は加熱用のラ
ンプヒータ、６は冷却用の窒素導入路、７は半導体基板
の移送部である。
Al合金膜の形成装置に適用した一実施例を示す説明図で
あって、１と２は反応室であって、それぞれエッチング
室と後処理室、３は半導体基板（図示せず）の受け体、
４は搬送室を兼ねたAlからなる真空室、５は加熱用のラ
ンプヒータ、６は冷却用の窒素導入路、７は半導体基板
の移送部である。
同図において、半導体基板の移送部７は、エッチング
室１では第２図で説明した公知の処理が施され、次に冷
却用の窒素によって予め−10℃に温度制御されている真
空室４に移送され、ランプヒータ５によって十分長い時
間（５分程度）をかけて＋250℃まで昇温される。この
後、半導体基板は後処理室２に移送されて、第２図で説
明した公知の処理が施される。
室１では第２図で説明した公知の処理が施され、次に冷
却用の窒素によって予め−10℃に温度制御されている真
空室４に移送され、ランプヒータ５によって十分長い時
間（５分程度）をかけて＋250℃まで昇温される。この
後、半導体基板は後処理室２に移送されて、第２図で説
明した公知の処理が施される。
また前記真空室４は半導体基板が後処理室２に移送さ
れた後、次の半導体基板に備えて再び冷却用の窒素によ
って予め−10℃に降温させられる。真空室４は容易に昇
温または降温できるように熱容量の小さなAlなどで構成
されている。
れた後、次の半導体基板に備えて再び冷却用の窒素によ
って予め−10℃に降温させられる。真空室４は容易に昇
温または降温できるように熱容量の小さなAlなどで構成
されている。
また移送部７は各反応室1,2と真空室４を断熱するた
めに熱容量の大きなセラミックスなどで構成されてい
る。
めに熱容量の大きなセラミックスなどで構成されてい
る。
以上のように本実施例によれば、反応室1,2の間に半
導体基板の温度を制御できる真空室４を備えたことによ
り、半導体基板は冷却用の窒素と加熱用のランプヒータ
５によって十分に長い時間をかけて−10℃から250℃ま
で昇温されるので、熱膨脹係数の差による半導体基板の
損傷を防止できる。さらに半導体基板の温度は後処理室
２に入る前に、既に真空室４で250℃まで上昇されてい
るので後処理の制御性を向上させることができる。
導体基板の温度を制御できる真空室４を備えたことによ
り、半導体基板は冷却用の窒素と加熱用のランプヒータ
５によって十分に長い時間をかけて−10℃から250℃ま
で昇温されるので、熱膨脹係数の差による半導体基板の
損傷を防止できる。さらに半導体基板の温度は後処理室
２に入る前に、既に真空室４で250℃まで上昇されてい
るので後処理の制御性を向上させることができる。
また窒素以外の不活性ガスを真空室４に導入して、上
記の温度制御を行ってもよく、さらに受け体３を窒素や
不活性ガスで冷却することで温度制御を行うことも考え
られる。
記の温度制御を行ってもよく、さらに受け体３を窒素や
不活性ガスで冷却することで温度制御を行うことも考え
られる。
なお、上記の実施例ではAl合金膜の低温エッチング装
置の例を示したが、多結晶シリコン膜や高融点シリサイ
ド膜などのエッチングの場合にも利用できる。
置の例を示したが、多結晶シリコン膜や高融点シリサイ
ド膜などのエッチングの場合にも利用できる。
また真空室４は反応室の１種としても利用できる。
（発明の効果） 本発明によれば、反応室の間に半導体基板の温度を制
御できる真空室を備えたことにより、半導体基板の損傷
を低減でき、温度制御を含むエッチング処理の制御が高
精度かつ容易に行える半導体装置の低温エッチング装置
を提供できる。
御できる真空室を備えたことにより、半導体基板の損傷
を低減でき、温度制御を含むエッチング処理の制御が高
精度かつ容易に行える半導体装置の低温エッチング装置
を提供できる。
第１図は本発明による半導体装置の低温エッチング装置
の一実施例を示す説明図、第２図は従来の半導体装置の
低温エッチング装置を示す説明図である。 1,2……反応室、３……受け体、４……真空室、５……
ランプヒータ、６……窒素導入路、７……移送部。
の一実施例を示す説明図、第２図は従来の半導体装置の
低温エッチング装置を示す説明図である。 1,2……反応室、３……受け体、４……真空室、５……
ランプヒータ、６……窒素導入路、７……移送部。
Claims (4)
- 【請求項１】複数の反応室を有する半導体装置の低温エ
ッチング装置において、前記反応室の処理温度がそれぞ
れ異なり、前記反応室の間に、一方の反応室の処理温度
から他方の反応室の処理温度まで処理対象の半導体基板
の温度を昇降させるために温度制御ができ、しかも熱容
量が前記反応室よりも小さい真空室を備えたことを特徴
とする半導体装置の低温エッチング装置。 - 【請求項２】前記真空室が半導体基板の反応室間の移送
のための搬送室を兼ねることを特徴とする請求項（１）
記載の半導体装置の低温エッチング装置。 - 【請求項３】前記真空室が反応室を兼ねることを特徴と
する請求項（１）記載の半導体装置の低温エッチング装
置。 - 【請求項４】前記真空室での温度制御を、ランプ加熱あ
るいは窒素や不活性ガスの真空室への導入、または窒素
や不活性ガスによる半導体基板の受け体の冷却によって
行うことを特徴とする請求項（１）記載の半導体装置の
低温エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23723589A JP2592682B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体装置の低温エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23723589A JP2592682B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体装置の低温エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101224A JPH03101224A (ja) | 1991-04-26 |
| JP2592682B2 true JP2592682B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17012391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23723589A Expired - Fee Related JP2592682B2 (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体装置の低温エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592682B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003600A (ko) * | 1995-06-29 | 1997-01-28 | 김주용 | 저온 에칭방법 |
| KR102554014B1 (ko) * | 2018-06-15 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 저온 식각 방법 및 플라즈마 식각 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027129A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 金属性膜配線のアニ−ル方法 |
| JPS62193099A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-24 | 富士通株式会社 | 真空チヤンバ |
| JP2585277B2 (ja) * | 1987-07-17 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 表面処理装置 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23723589A patent/JP2592682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03101224A (ja) | 1991-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |