JP2593480B2 - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、La−Ba−Cu−Ｏ系斜方晶系酸素欠陥ペロブ
スカイト型の超電導体の製造方法に関する。
スカイト型の超電導体の製造方法に関する。
（従来の技術） 近年、La−Ba−Cu−Ｏ系の酸素欠陥ペロブスカイト型
の酸化物（以下、ODPと略称する。）が高い臨界温度を
有する可能性のあることが発表されて以来、各所でLa−
Ba−Cu−Ｏ系ODPやＹ−Ba−Cu−Ｏ系ODPの研究が盛んに
行われている（Z.Phys.B Condensed Matter 64,189−19
3（1986））。
の酸化物（以下、ODPと略称する。）が高い臨界温度を
有する可能性のあることが発表されて以来、各所でLa−
Ba−Cu−Ｏ系ODPやＹ−Ba−Cu−Ｏ系ODPの研究が盛んに
行われている（Z.Phys.B Condensed Matter 64,189−19
3（1986））。
La−Ba−Cu−Ｏ系酸化物は、これらの画期的な研究の
端緒となった結晶であり、K2NiF4構造を有し臨界温度
（Tc）が30Kの超電導体であることが知られている（H.T
akagi,S.Uchida,K.Kitazawa and S.Tanaka:Jpn.J.Appl.
Phys.26（1987）L123.）。
端緒となった結晶であり、K2NiF4構造を有し臨界温度
（Tc）が30Kの超電導体であることが知られている（H.T
akagi,S.Uchida,K.Kitazawa and S.Tanaka:Jpn.J.Appl.
Phys.26（1987）L123.）。
いくつかの研究グループは、LaBa2Cu3Oyの組成をもつ
La−Ba−Cu−Ｏ系超電導体は、60K〜90Kの、より高いTc
をもつ超電導体であると報告しているが（T.Iwazumi,R.
Yoshizaki,M.Inoue,H.Sawada,H.Hayashi,H.Ikeda and
E.Matsuura:Jpn.J.Appl.Phys.26（1987）L621他）、現
在まで液体窒素温度以上で零抵抗となるものは実現され
ていない。
La−Ba−Cu−Ｏ系超電導体は、60K〜90Kの、より高いTc
をもつ超電導体であると報告しているが（T.Iwazumi,R.
Yoshizaki,M.Inoue,H.Sawada,H.Hayashi,H.Ikeda and
E.Matsuura:Jpn.J.Appl.Phys.26（1987）L621他）、現
在まで液体窒素温度以上で零抵抗となるものは実現され
ていない。
最近の研究では、La−Ba−Cu−Ｏ系における90K超電
導体相が正方晶系ODP La3-xBa3+xCu6O14＋δであると
報告されている（D.B.Mitzi,A.F.Marshall,J.Z.Sun,D.
J.Webb,M.R.Beasley,T.H.Geballe,and A.Kapitulnik:Ph
ys.Rev.B.）。また、他の研究グループは、それは正方
晶系YBa2Cu3O８−δと同じ構造を有する他の正方晶系OD
Pであると主張している。
導体相が正方晶系ODP La3-xBa3+xCu6O14＋δであると
報告されている（D.B.Mitzi,A.F.Marshall,J.Z.Sun,D.
J.Webb,M.R.Beasley,T.H.Geballe,and A.Kapitulnik:Ph
ys.Rev.B.）。また、他の研究グループは、それは正方
晶系YBa2Cu3O８−δと同じ構造を有する他の正方晶系OD
Pであると主張している。
これとは対照的に、全ての他の90K超電導体LnBa2Cu3O
７−δ（Ln＝Ｙ、Yb、Tm、Er、Ho、Dy、Gd、Eu、Sm、N
d）については、１つの平面上にCu−Ｏ鎖を持つ斜方晶
系ODP相が、この高温超電導に対して重要な役割を果し
ていることが、かなり確立され、さらに超電導はこの１
つの平面上の一次元鎖に沿って行われているとしばしば
考えられている。
７−δ（Ln＝Ｙ、Yb、Tm、Er、Ho、Dy、Gd、Eu、Sm、N
d）については、１つの平面上にCu−Ｏ鎖を持つ斜方晶
系ODP相が、この高温超電導に対して重要な役割を果し
ていることが、かなり確立され、さらに超電導はこの１
つの平面上の一次元鎖に沿って行われているとしばしば
考えられている。
そこで、LaBa2Cu3Oyは、正方晶系のODPが90K超電導体
相であるとする見解からは、特殊な地位を占めている。
相であるとする見解からは、特殊な地位を占めている。
したがってLaBa2Cu3OyとYBa2Cu3Oy間の構造上の違い
は、高温超電導の機構についての重要な基本的疑問を提
起している。特に、前述したPhys.Rev.B.の著書は、一
次元鎖に沿う伝導機構が高いTcをもつ材料に対して非常
に重要であるという説が否定される可能性を指摘してい
る。
は、高温超電導の機構についての重要な基本的疑問を提
起している。特に、前述したPhys.Rev.B.の著書は、一
次元鎖に沿う伝導機構が高いTcをもつ材料に対して非常
に重要であるという説が否定される可能性を指摘してい
る。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、LaBa2Cu3Oy（またはLa3-xBa3+xCu6O
14＋δ）についての従来の研究におけるデータは、90K
超電導体に特定の構造を割当てるには不十分であった。
14＋δ）についての従来の研究におけるデータは、90K
超電導体に特定の構造を割当てるには不十分であった。
一般に知られているように、これらの研究における試
料中の全体積の高々16％がマイナス−効果を示し、また
反磁性が増加しはじめる温度が抵抗測定により決定され
た、Tconsetよりはるかに低いのである。
料中の全体積の高々16％がマイナス−効果を示し、また
反磁性が増加しはじめる温度が抵抗測定により決定され
た、Tconsetよりはるかに低いのである。
このため、これらの発見において同定された相が真の
90K超電導体相と一致しない可能性を排除することはで
きない。
90K超電導体相と一致しない可能性を排除することはで
きない。
さらに、改良された方法で90K超電導体LaBa2Cu3Oyを
調製すれば、高温超電導体の分野における重要な情報が
得られるものと考えられる。
調製すれば、高温超電導体の分野における重要な情報が
得られるものと考えられる。
本発明者らはかかる点を考慮して上記点の解明すべく
鋭意研究をすすめたところ、斜方晶系ペロブスカイト型
LaBa2Cu3Oyが真の90K超電導体相を形成することを発見
した。
鋭意研究をすすめたところ、斜方晶系ペロブスカイト型
LaBa2Cu3Oyが真の90K超電導体相を形成することを発見
した。
本発明は、かかる知見に基いてなされたもので、La−
Ba−Cu−Ｏ系斜方晶系ODPからなる超電導体の製造方法
を提供することを目的とする。
Ba−Cu−Ｏ系斜方晶系ODPからなる超電導体の製造方法
を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明の超電導体の製造方法は、La、BaおよびCuを、 La:Ba:Cu＝３−x:3＋x:6（原子比） （0.4＜ｘ＜1.2） の割合で含有する出発原料の混合物を、融点より低い温
度で反応させる焼成工程と、前記焼成工程で得られた焼
成物を380℃以下の酸素含有雰囲気中で熱処理する工程
とを有し、前記La、BaおよびCuを実質的に1:2:3（原子
比）の割合で含む斜方晶系酸素欠陥ペロブスカイト型構
造を含む酸化物超電導体を製造することを特徴としてい
る。
度で反応させる焼成工程と、前記焼成工程で得られた焼
成物を380℃以下の酸素含有雰囲気中で熱処理する工程
とを有し、前記La、BaおよびCuを実質的に1:2:3（原子
比）の割合で含む斜方晶系酸素欠陥ペロブスカイト型構
造を含む酸化物超電導体を製造することを特徴としてい
る。
本発明の製造方法により得られる超電導体は、 一般に、 LaBa2Cu3O８−δ（δは０〜1.5） で表わされる斜方晶系の単相から構成される。
本発明の超電導体には、同組成の正方晶系の結晶、半
導体、その他の成分が共存していても実用上差支えな
い。しかしながら、超電導体全体の少なくとも50％は上
記組成の斜方晶系結晶であることが望ましい。
導体、その他の成分が共存していても実用上差支えな
い。しかしながら、超電導体全体の少なくとも50％は上
記組成の斜方晶系結晶であることが望ましい。
なお、Laの一部を他の希土類元素、例えばＹ等で置換
することも可能である。
することも可能である。
上記超電導体は、以下に示す方法により製造される。
まず、La、Ba、Cuなどのペロブスカイト型酸化物超電
導体の構成元素を前述した一般式に対して化学量論比の
組成となるように混合して粉砕した後乾燥し、粉末のま
まで所定のモル比で十分混合する。この場合、各々の原
料としては、La2O3、BaO、CuO等の酸化物が一般に用い
られる。また、これらの酸化物以外に、焼成後酸化物に
転化する炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物等の化
合物を用いることも可能である。ペロブスカイト型酸化
物超電導体を構成する元素は、基本的に化学量論比の組
成となるように混合するが、多少製造条件等との関係等
でずれていても差支えない。例えばLa、BaおよびCuを、 La:Ba:Cu＝３−x:3＋x:6（原子比） （0.4＜ｘ＜1.2） の範囲で含有していれば実用上問題は生じない。
導体の構成元素を前述した一般式に対して化学量論比の
組成となるように混合して粉砕した後乾燥し、粉末のま
まで所定のモル比で十分混合する。この場合、各々の原
料としては、La2O3、BaO、CuO等の酸化物が一般に用い
られる。また、これらの酸化物以外に、焼成後酸化物に
転化する炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物等の化
合物を用いることも可能である。ペロブスカイト型酸化
物超電導体を構成する元素は、基本的に化学量論比の組
成となるように混合するが、多少製造条件等との関係等
でずれていても差支えない。例えばLa、BaおよびCuを、 La:Ba:Cu＝３−x:3＋x:6（原子比） （0.4＜ｘ＜1.2） の範囲で含有していれば実用上問題は生じない。
前述の原料を混合した後、仮焼・粉砕しペレット状、
その他所望の形状に成形した後、焼成する。なお、焼成
前の仮焼は必ずしも必要ではない。
その他所望の形状に成形した後、焼成する。なお、焼成
前の仮焼は必ずしも必要ではない。
本発明の焼成においては、LaがBaとイオン半径が近接
しているために反応し難く、例えば、出発原料のBaとし
てBaCO3を使用した場合1030℃〜1100℃のような比較的
高温での焼成が必要である。なお、BaOはBaCO3よりも反
応性が高いので、BaOを出発原料として用いる場合に
は、これよりも低温、例えば800℃以上の温度であれば
反応を行わせることが可能である。
しているために反応し難く、例えば、出発原料のBaとし
てBaCO3を使用した場合1030℃〜1100℃のような比較的
高温での焼成が必要である。なお、BaOはBaCO3よりも反
応性が高いので、BaOを出発原料として用いる場合に
は、これよりも低温、例えば800℃以上の温度であれば
反応を行わせることが可能である。
焼成は、十分な酸素が供給できるような酸素含有雰囲
気中で、出発原料の混合物の融点をMtemp（℃）、焼成
温度をStemp（℃）としたとき、 Mtemp＞Stemp＞Mtemp−100 の温度範囲の、できるだけ混合物の融点に接近した温度
で行うことが好ましい。このとき、雰囲気は、純酸素の
他、酸素と不活性気体との混合気体も使用可能であり、
必要に応じて加圧下に焼成するようにしてもよい。な
お、焼成温度が上記温度範囲を越えると、焼結中に部分
的に焼結体が溶融して半導体等の他の相が形成されるよ
うになり、また上記温度範囲未満では所定の組成の斜方
晶系ODPが形成され難いので好ましくない。
気中で、出発原料の混合物の融点をMtemp（℃）、焼成
温度をStemp（℃）としたとき、 Mtemp＞Stemp＞Mtemp−100 の温度範囲の、できるだけ混合物の融点に接近した温度
で行うことが好ましい。このとき、雰囲気は、純酸素の
他、酸素と不活性気体との混合気体も使用可能であり、
必要に応じて加圧下に焼成するようにしてもよい。な
お、焼成温度が上記温度範囲を越えると、焼結中に部分
的に焼結体が溶融して半導体等の他の相が形成されるよ
うになり、また上記温度範囲未満では所定の組成の斜方
晶系ODPが形成され難いので好ましくない。
焼成時間は、焼成温度に応じて高温の場合には低温の
ときよりも、より長時間となるように考慮して数時間〜
数十時間の範囲で設定する。出発原料の混合物は、この
高温下での加熱により焼結して結晶化し、正方晶系のOD
Pを形成する。
ときよりも、より長時間となるように考慮して数時間〜
数十時間の範囲で設定する。出発原料の混合物は、この
高温下での加熱により焼結して結晶化し、正方晶系のOD
Pを形成する。
次にこの焼結体を冷却し、そのまま、あるいはボール
ミル、その他公知の手段により粉砕し、酸素含有雰囲気
中で、380℃以下の比較的低い温度で、アニール温度に
応じて数時間〜数日間アニールさせる。
ミル、その他公知の手段により粉砕し、酸素含有雰囲気
中で、380℃以下の比較的低い温度で、アニール温度に
応じて数時間〜数日間アニールさせる。
このアニールにより正方晶系ODPは、結晶構造中に酸
素が導入されてδの値が減少し相転移して斜方晶系のOD
Pとなり、本発明の超電導体が得られる。
素が導入されてδの値が減少し相転移して斜方晶系のOD
Pとなり、本発明の超電導体が得られる。
なお、相転移は300〜350℃程度で生じると考えられる
ため、アニーリング温度が380℃を越える高温加熱は超
電導特性にとって悪影響をもたらす。また100℃未満で
は上記の相転移および酸素導入の反応速度が非常に遅く
なるので好ましくない。したがって、アニール温度は20
0〜350℃、より好ましくは300〜350℃の範囲が適してい
る。
ため、アニーリング温度が380℃を越える高温加熱は超
電導特性にとって悪影響をもたらす。また100℃未満で
は上記の相転移および酸素導入の反応速度が非常に遅く
なるので好ましくない。したがって、アニール温度は20
0〜350℃、より好ましくは300〜350℃の範囲が適してい
る。
また雰囲気は、通常、常圧の純酸素が用いられるが、
酸素と不活性気体との混合気体を使用してもよく、必要
に応じて加圧下にアニールさせるようにしてもよい。
酸素と不活性気体との混合気体を使用してもよく、必要
に応じて加圧下にアニールさせるようにしてもよい。
なお、以上の本発明の製造方法は、出発原料または焼
結体を種々の形態にして行うことが可能である。
結体を種々の形態にして行うことが可能である。
すなわち、出発原料または焼結体の粉末をペーストの
状態にして基板上にスクリーン印刷をし、この基板上に
パターン状に形成された材料に対して焼成およびアニー
リングを行ったり、または出発原料もしくは焼結体の粉
末をAgその他の金属パイプに封入し、線引きし上記の焼
成およびアニーリングを行うことも可能である。
状態にして基板上にスクリーン印刷をし、この基板上に
パターン状に形成された材料に対して焼成およびアニー
リングを行ったり、または出発原料もしくは焼結体の粉
末をAgその他の金属パイプに封入し、線引きし上記の焼
成およびアニーリングを行うことも可能である。
（作用） 本発明の製造方法により得られる超電導体は、液体窒
素の温度以上の温度で超電導体特性を発揮し、また本発
明によれば原子半径が大きいため、反応が困難な、Laを
含むLaBa2Cu3O８−δ（δは０〜1.5）を容易に製造する
ことができる。
素の温度以上の温度で超電導体特性を発揮し、また本発
明によれば原子半径が大きいため、反応が困難な、Laを
含むLaBa2Cu3O８−δ（δは０〜1.5）を容易に製造する
ことができる。
（実施例） 次に本発明の実施例について説明する。
実施例 粒径１〜５μｍのLa2O3粉末、BaCO3粉末およびCuO粉
末を、1:2:3のモル比で乳鉢により充分に混合した。こ
の混合物を1000℃で10時間仮焼した後、プレスによりペ
レット状に成型し、このペレットをO2雰囲気中で1050℃
で10時間加熱して焼結させた。
末を、1:2:3のモル比で乳鉢により充分に混合した。こ
の混合物を1000℃で10時間仮焼した後、プレスによりペ
レット状に成型し、このペレットをO2雰囲気中で1050℃
で10時間加熱して焼結させた。
次に、この焼結体を、O2気流中で300℃で20時間アニ
ールして本発明の超電導体を得た。
ールして本発明の超電導体を得た。
得られた超電導体について、Ｘ線回折、直流抵抗（４
プローブ法）、磁化率（SHE SQUID温度可変磁化率測定
器）の測定をそれぞれ行った。
プローブ法）、磁化率（SHE SQUID温度可変磁化率測定
器）の測定をそれぞれ行った。
その結果を第１図ないし第４図に示す。なお、第４図
は第３図の要部をより詳細に測定したものである。ま
た、これらの図中、比較例は、酸素気流中におけるアニ
ール処理を行わなかった点を除いて、他の条件を実施例
と同にして製造された試料である。
は第３図の要部をより詳細に測定したものである。ま
た、これらの図中、比較例は、酸素気流中におけるアニ
ール処理を行わなかった点を除いて、他の条件を実施例
と同にして製造された試料である。
第１図に示すように、比較例の試料では、全てのピー
クがMichel et al.によって示唆された正方晶系DOPと一
致している。そして、格子定数はａ＝ｂ＝3.920（８）
Åおよびｃ＝11.73（３）Å≒3aである。
クがMichel et al.によって示唆された正方晶系DOPと一
致している。そして、格子定数はａ＝ｂ＝3.920（８）
Åおよびｃ＝11.73（３）Å≒3aである。
これに対して実施例では、ピークのほとんどのものは
比較例のものと同一であるが、それらのいくつかは明ら
かにスプリットしたり、非対称となっている。矢印で示
した46.6゜、57.6゜および67.5゜におけるピークのスプ
リットは特に著しいことがわかる。
比較例のものと同一であるが、それらのいくつかは明ら
かにスプリットしたり、非対称となっている。矢印で示
した46.6゜、57.6゜および67.5゜におけるピークのスプ
リットは特に著しいことがわかる。
これらのスプリットピークの強度比をとるとパラメー
ターａ、ｂ、c/3の１つが他のものよりも小さくなって
いることが容易にわかる。
ターａ、ｂ、c/3の１つが他のものよりも小さくなって
いることが容易にわかる。
実際、パラメーターを決定するための最小自乗法によ
り、第１図および次表に示すように、全てのピークが、
ａ＝3.901（８）Å、ｂ＝3.928（７）Åおよびｃ＝11.7
83（18）Åの斜方晶系の格子定数と非常によく一致して
いる。なお、次表は、実施例から観察された回折角、お
よび最小自乗法により決定された斜方晶系の格子定数か
ら計算で求められた角度を示すものである。
り、第１図および次表に示すように、全てのピークが、
ａ＝3.901（８）Å、ｂ＝3.928（７）Åおよびｃ＝11.7
83（18）Åの斜方晶系の格子定数と非常によく一致して
いる。なお、次表は、実施例から観察された回折角、お
よび最小自乗法により決定された斜方晶系の格子定数か
ら計算で求められた角度を示すものである。
なお、比較例においても、（020）、（123）ピーク
が、わずかに非対称となっているが、これは斜方晶系相
が少量存在しているか、あるいはこの試料がわずかなａ
−ｂスプリットのみをもつ斜方晶系ではないかと考えら
れる。
が、わずかに非対称となっているが、これは斜方晶系相
が少量存在しているか、あるいはこの試料がわずかなａ
−ｂスプリットのみをもつ斜方晶系ではないかと考えら
れる。
以上の各試験結果から、この実施例における斜方晶系
構造がYBa2Cu3Oy90K超電導体と同一結晶形を有するLaBa
2Cu3O８−δ（δは０〜1.5）であるものと考えられる。
構造がYBa2Cu3Oy90K超電導体と同一結晶形を有するLaBa
2Cu3O８−δ（δは０〜1.5）であるものと考えられる。
第２図は、実施例および比較例における抵抗の温度依
存性を示すものである。これらはいずれも、Tconset≒9
0K〜100Kで超電導が現れており、また明確な相違がTc
zero resistanceにおいて現れている。比較例は有限の
抵抗が40Kに下がり、一方実施例については零抵抗が80K
（中心90K）で達成されている。これは、いままで調査
したLaBa2Cu3Oyで得られた中では最高の零抵抗温度であ
る。最高零抵抗温度が斜方晶系結晶について得られたこ
とは興味あることであり、これはYBa2Cu3Oyにおけると
同じように、LaBa2Cu3Oyにおいては、90K超電導体が、
正方晶系ODPではなく、斜方晶系ODPであることを示して
いる。
存性を示すものである。これらはいずれも、Tconset≒9
0K〜100Kで超電導が現れており、また明確な相違がTc
zero resistanceにおいて現れている。比較例は有限の
抵抗が40Kに下がり、一方実施例については零抵抗が80K
（中心90K）で達成されている。これは、いままで調査
したLaBa2Cu3Oyで得られた中では最高の零抵抗温度であ
る。最高零抵抗温度が斜方晶系結晶について得られたこ
とは興味あることであり、これはYBa2Cu3Oyにおけると
同じように、LaBa2Cu3Oyにおいては、90K超電導体が、
正方晶系ODPではなく、斜方晶系ODPであることを示して
いる。
実際、第３図に示すように、磁化率の測定によって、
実施例の試料は、完全反磁性の約60％のシールディング
カレント磁化の生成と、完全反磁性の30％のマイスナ
ー信号の生成が見出されている。第４図に示すように、
この反磁性信号は、80Kまで認められた。
実施例の試料は、完全反磁性の約60％のシールディング
カレント磁化の生成と、完全反磁性の30％のマイスナ
ー信号の生成が見出されている。第４図に示すように、
この反磁性信号は、80Kまで認められた。
他方、比較例は、90Kから抵抗低下を示すが、全体積
の10％のみがマイスナー効果を示しており、反磁性信号
は、55K近くで消滅している。
の10％のみがマイスナー効果を示しており、反磁性信号
は、55K近くで消滅している。
［発明の効果］ 以上の実施例からも明らかなように、本発明の製造方
法により得られる酸化物超電導体は、液体窒素温度より
高いTcを有し、この種超電導体の用途に広く応用可能で
ある。
法により得られる酸化物超電導体は、液体窒素温度より
高いTcを有し、この種超電導体の用途に広く応用可能で
ある。
第１図ないし第４図は、本発明の実施例の効果を示すグ
ラフである。
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−72920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−9849（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−14148（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】La、BaおよびCuを、 La:Ba:Cu＝３−x:3＋x:6（原子比） （0.4＜ｘ＜1.2） の割合で含有する出発原料の混合物を、融点より低い温
度で反応させる焼成工程と、 前記焼成工程で得られた焼成物を380℃以下の酸素含有
雰囲気中で熱処理する工程とを有し、 前記La、BaおよびCuを実質的に1:2:3（原子比）の割合
で含む斜方晶系酸素欠陥ペロブスカイト型構造を含む酸
化物超電導体を製造することを特徴とする酸化物超電導
体の製造方法。 - 【請求項２】La、BaおよびCuを、 La:Ba:Cu＝３−x:3＋x:6（原子比） （0.4＜ｘ＜1.2） の割合で含有する出発原料の混合物を、この出発原料の
混合物の融点をMtemp（℃）、焼成温度をStemp（℃）と
したとき、 Mtemp＞Stemp＞Mtemp−100 の温度範囲の酸素含有雰囲気中で反応させる焼成工程
と、 前記焼成工程で得られた焼成物を380℃以下の酸素含有
雰囲気中で熱処理して、結晶構造中に酸素を導入すると
ともに斜方晶系の結晶に相転移する工程とを含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62188636A JP2593480B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62188636A JP2593480B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6433048A JPS6433048A (en) | 1989-02-02 |
| JP2593480B2 true JP2593480B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=16227173
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62188636A Expired - Lifetime JP2593480B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2593480B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-07-28 JP JP62188636A patent/JP2593480B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6433048A (en) | 1989-02-02 |
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