Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP2595566B2 - 荷電粒子ビーム露光装置 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP2595566B2 - 荷電粒子ビーム露光装置 - Google Patents

荷電粒子ビーム露光装置

Info

Publication number
JP2595566B2
JP2595566B2 JP62268530A JP26853087A JP2595566B2 JP 2595566 B2 JP2595566 B2 JP 2595566B2 JP 62268530 A JP62268530 A JP 62268530A JP 26853087 A JP26853087 A JP 26853087A JP 2595566 B2 JP2595566 B2 JP 2595566B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charged particle
thin film
particle beam
charge
resist film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62268530A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01110729A (ja
Inventor
新一 濱口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP62268530A priority Critical patent/JP2595566B2/ja
Publication of JPH01110729A publication Critical patent/JPH01110729A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2595566B2 publication Critical patent/JP2595566B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 荷電粒子ビームの正確な描画を可能にする荷電粒子ビ
ーム露光装置の改良に関し、 レジスト膜上に蓄積された荷電粒子の電荷の影響を受
けることなく、正確なパターニングが可能な荷電粒子ビ
ーム露光装置の提供を目的とし、 露光領域に相当する開口と位置決め用孔とを有する導
体薄膜と、該導体薄膜の移動機構と、該導体薄膜の位置
検出センサとを有するチャージシールド装置を具備する
よう構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、荷電粒子ビーム露光装置に係り、特に荷電
粒子ビームの正確な描画を可能にする荷電粒子ビーム露
光装置の改良に関するものである。
荷電粒子ビーム露光装置によってレジスト膜上に所望
のパターニングを行う場合に、絶縁物よりなるレジスト
膜に荷電粒子の電荷が蓄積され、そのために発生するチ
ャージアップによる斥力により、荷電粒子ビームの軌道
が所望の位置からずれるという問題が生じている。
以上のような状況から荷電粒子ビームの軌道が、所望
の位置からずれるのを防止することが可能な荷電粒子ビ
ーム露光装置が要望されている。
〔従来の技術〕
従来の荷電粒子ビーム露光装置、例えば電子ビーム露
光装置においては第2図に示すように、電子ビーム発生
源から照射された電子ビームは、レジスト膜12上の所望
の位置において、ビーム偏向コイル13や対物レンズコイ
ル14により一定の領域の範囲内を走査するようになって
いる。
しかしながら、電子ビームがパターンを描画するレジ
スト膜12が絶縁物のため、照射された電子ビームの電荷
がレジスト膜12上に蓄積される。
このレジスト膜12上に蓄積された電子ビームの電荷
は、レジスト膜12の下の金属膜、例えば遮光パターン11
bを通して逃がすようにしてもある程度の電荷はレジス
ト膜12に蓄積されることになる。
特に第2図に示すように対物レンズコイル14の開口部
の寸法が大きい場合には、上記のレジスト膜12上に蓄積
された電子の電荷の影響を大きく受けて、電子ビームが
レジスト膜12上に照射される位置が設定された位置から
ずれることがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来の荷電粒子ビーム露光装置で問題とな
るのは、レジスト膜上に蓄積された荷電粒子の電荷と荷
電粒子ビームとの極性が同一のため、荷電粒子ビームが
上記の荷電粒子の電荷により斥力を受け、レジスト膜上
に照射される荷電粒子ビームの位置が設定された位置か
らずれることである。
本発明は以上のような状況から、レジスト膜上に蓄積
された荷電粒子の電荷の影響を受けることなく、正確な
パターニングが可能な荷電粒子ビーム露光装置の提供を
目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、露光領域に相当する複数の開口と該そ
れぞれの開口に対応する複数の位置決め用孔とが連続し
て設けられたチャージシールド用導体薄膜と、前記チャ
ージシールド用導体薄膜の開口を含む所定の部分を試料
面に近接させる移動機構と、前記移動機構によって前記
チャージシールド用導体薄膜の所定の部分が前記試料面
に近接した状態で前記位置決め用孔を検出する位置検出
センサと、前記チャージシールド用導体薄膜の複数の開
口が前記露光領域に順次位置合わせされるように該チャ
ージシールド用導体薄膜を巻き取る機構とを設けた荷電
粒子ビーム露光装置によって解決される。
〔作用〕 即ち本発明においては、荷電粒子ビーム露光装置の対
物レンズコイルの開口部の寸法よりも小さい荷電粒子ビ
ームの偏向領域に相当する偏向用開口と、位置決め用孔
を有する金属薄膜と、この金属薄膜を露光時の位置と乾
板の挿入時の位置との間を上下移動させる機構と、露光
時の位置におけるこの金属薄膜の位置検出センサと、を
有するチャージシールド装置を具備するから、レジスト
膜上に蓄積された電荷の影響を上記の金属薄膜により遮
断し得るのでこの電荷による荷電粒子ビームの照射位置
のずれを防止でき、レジスト膜上の正確なパターニング
が可能となる。
〔実施例〕
以下第1図によって本発明の一実施例を電子ビーム露
光装置の場合について説明する。
電子ビーム露光装置のビーム偏向コイル3や対物レン
ズコイル4等を含むコラム部とチャージシールド装置及
び遮光パターン1bを有する透明基板1aの概略を第1図に
示す。
第1図(a)に示す側面図において、ビーム偏向コイ
ル3の中を通過して照射される電子ビームは、ビーム偏
向コイル3及び対物レンズコイル4により、遮光パター
ン1bの上に形成したレジスト膜2の表面に所望のパター
ンを描画するようになっている。
チャージシールド装置は、レジスト膜2に蓄積された
電子の電荷により生じる斥力の影響を防止するために、
膜厚0.02〜0.05mmの銅よりなる金属薄膜5を図示のプー
リー軸8の上の位置から図示のレジスト膜2に近接した
位置に押し下げる可動シャフト6と、この可動シャフト
6が結合されているプーリー軸8及びプーリー7とから
なり、可動シャフト6の上下は、駆動ベルト9によりプ
ーリー7を回転して行っている。
金属薄膜5は第1図(b)の平面図に示すように、電
子ビームがレジスト膜2上の描画する偏向領域に相当す
る偏向用開口5aと位置決め用孔5bとを備えており、金属
薄膜5を可動シャフト6により押し下げた場合に生じる
偏向用開口5aの位置ずれを、金属薄膜5にテンションを
与えている図示しないテンション機構により、センサ10
の位置に位置決め用孔5bを一致させることにより修正し
ている。
このようなチャージシールド装置において、遮光パタ
ーン1bを有する透明基板1aの挿入,取り外しの際には金
属薄膜5をプーリー軸8の上に位置させておき、電子ビ
ームの照射時にはチャージシールド装置により金属薄膜
5をレジスト膜2に近接させることが可能となるので、
電子ビームの照射によりレジスト膜2に蓄積された電子
の荷電による斥力を金属薄膜5により防止することが可
能となる。
なお、この金属薄膜5に複数の偏向用開口5aと位置決
め用孔5bとを設け、複数回の使用毎に上記のテンション
機構により一ピッチ分を巻き取り、電子ビームの照射を
継続して行うことが可能である。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、簡単
な構造のチャージシールド装置を荷電粒子ビーム露光装
置の設けることにより、レジスト膜上に蓄積された電荷
による荷電粒子ビームの照射位置のずれを防止すること
が可能となり、レジスト膜上の正確なパターニングが可
能となる等の利点があり、著しい信頼性向上の効果が期
待でき工業的には極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例を示す図、 第2図は従来の電子ビーム露光装置を示す側面概要図、 である。 図において、 1aは透明基板、 1bは遮光パターン、 2はレジスト膜、 3はビーム偏向コイル、 4は対物レンズコイル、 5は金属薄膜、 5aは偏向用開口、 5bは位置決め用孔、 6は可動シャフト、 7はプーリー、 8はプーリー軸、 9は駆動ベルト、 10はセンサ、 を示す。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】露光領域に相当する複数の開口(5a)と該
    それぞれの開口に対応する複数の位置決め用孔(5b)と
    が連続して設けられたチャージシールド用導体薄膜
    (5)と、 前記チャージシールド用導体薄膜の開口を含む所定の部
    分を試料面に近接させる移動機構(6〜9)と、 前記移動機構によって前記チャージシールド用導体薄膜
    の所定の部分が前記試料面に近接した状態で前記位置決
    め用孔を検出する位置検出センサ(10)と、 前記チャージシールド用導体薄膜の複数の開口が前記露
    光領域に順次位置合わせされるように該チャージシール
    ド用導体薄膜を巻き取る機構と を設けたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
JP62268530A 1987-10-23 1987-10-23 荷電粒子ビーム露光装置 Expired - Lifetime JP2595566B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62268530A JP2595566B2 (ja) 1987-10-23 1987-10-23 荷電粒子ビーム露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62268530A JP2595566B2 (ja) 1987-10-23 1987-10-23 荷電粒子ビーム露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01110729A JPH01110729A (ja) 1989-04-27
JP2595566B2 true JP2595566B2 (ja) 1997-04-02

Family

ID=17459796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62268530A Expired - Lifetime JP2595566B2 (ja) 1987-10-23 1987-10-23 荷電粒子ビーム露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2595566B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6590518B2 (ja) * 2015-05-13 2019-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6258620A (ja) * 1985-09-09 1987-03-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01110729A (ja) 1989-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4130761A (en) Electron beam exposure apparatus
US6310341B1 (en) Projecting type charged particle microscope and projecting type substrate inspection system
US6265719B1 (en) Inspection method and apparatus using electron beam
US4639301A (en) Focused ion beam processing
JP2559346B2 (ja) 電子線装置内の二次および/または後方散乱電子の検出装置
US4528452A (en) Alignment and detection system for electron image projectors
EP0478215B1 (en) Reflection mask and electrically charged beam exposing apparatus using the reflection mask
JPH02295040A (ja) 集束イオンビーム装置
JPH097538A (ja) 荷電ビーム描画装置
JP2578093B2 (ja) 電子像投影装置
CA1103813A (en) Apparatus for electron beam lithography
US3881108A (en) Ion microprobe analyzer
US5153441A (en) Electron-beam exposure apparatus
JP2595566B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
JP2793181B2 (ja) 荷電粒子ビーム リソグラフイー方法および装置
GB2164787A (en) Electron beam apparatus
EP0035556B1 (en) Electron beam system
US5029222A (en) Photoelectron image projection apparatus
US4021674A (en) Charged-particle beam optical apparatus for irradiating a specimen in a two-dimensional pattern
JPS63121738A (ja) 固体物体の組成決定方法
US3885157A (en) Electron beam image processing device
US4983864A (en) Electronic beam drawing apparatus
JPS6074620A (ja) 電子イメ−ジプロジエクタ
JPS6222261B2 (ja)
JP3190922B2 (ja) 走査電子顕微鏡