JP2611384B2 - Polyphenylene sulfide film - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ポリフェニレンスルフィドフィルムに関す
るものであり、更に詳しくは耐水性のある強い自己熱融
着性を有する、保護フィルム、包装フィルム、ラベル、
コンデンサーなどに有効に使用できるポリフェニレンス
ルフィドフィルムに関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polyphenylene sulfide film, and more particularly, to a protective film, a packaging film, a label, which has a strong self-heat-fusing property having water resistance.
The present invention relates to a polyphenylene sulfide film that can be effectively used for capacitors and the like.
[従来の技術] ポリェニレンスルフィドフィルムはそのまでは熱融着
性がないため同種フィルム同士、あるいは異種フィルム
との熱接合ができないことは周知のとおりである。[Prior Art] It is well known that a polyphenylene sulfide film cannot be thermally bonded to another film of the same kind or to a different kind of film because it has no heat-fusing property until then.
従来、かかるポリフェニレンスルフィドフィルムの熱
融着性を改良するため、コロナ放電効果やプラズマ処理
を行なうことが提案されている(特開昭57−187327号公
報)。Conventionally, it has been proposed to carry out a corona discharge effect or a plasma treatment in order to improve the heat sealability of such a polyphenylene sulfide film (JP-A-57-187327).
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、本発明者らがさらに詳細に検討を進め
た結果、上述のコロナ放電処理によるものは、次のよう
な問題があることが判明した。[Problems to be Solved by the Invention] However, as a result of further study by the present inventors, it has been found that the above-described corona discharge treatment has the following problems.
すなわち、コロナ放電処理を施したポリフェニレンス
ルフィドフィルムは自己融着性を有するものの、水分供
給により容易に剥離してしまう。すなわち、耐水性がな
いという問題がある。That is, the polyphenylene sulfide film subjected to the corona discharge treatment has a self-fusing property, but is easily peeled off by supplying water. That is, there is a problem that there is no water resistance.
また前記特開に具体的に開示されているプラズマ処理
による方法、すなわち、ポリフェニレンスルフィドフィ
ルムをガス雰囲気中でプラズマ処理を施した場合、処理
条件(雰囲気ガス、投入電力、処理速度、処理装置な
ど)によっては、自己熱融着性がなかったり、自己熱融
着性はあるが耐水性がなかったりすることが判明した。In addition, in the case of the method based on the plasma treatment specifically disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open, ie, when the polyphenylene sulfide film is subjected to the plasma treatment in a gas atmosphere, the processing conditions (atmosphere gas, input power, processing speed, processing apparatus, etc.) In some cases, it was found that there was no self-heat-fusion property, or there was self-heat-fusion property but no water resistance.
本発明者らはかかる従来技術の問題点の改良対策につ
いて鋭意検討した結果、ポリフェニレンスルフィドフィ
ルムの表面を特定の化学構造を有するものに改質せしめ
た場合には、十分な自己熱融着性を有するとともに耐水
性をも優れたものとなすことができることを知見し、本
発明に到達したものである。The present inventors have conducted intensive studies on measures to improve the problems of the prior art, and as a result, when the surface of the polyphenylene sulfide film is modified to have a specific chemical structure, sufficient self-heat-fusing property is obtained. The present inventors have found that they have excellent water resistance as well as having the same, and have arrived at the present invention.
したがって、本発明の目的は耐水性を有し、かつ強い
自己熱融着性を有するポリフェニレンスルフィドフィル
ムを提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a polyphenylene sulfide film having water resistance and strong self-heat-fusing property.
[課題を解決するための手段] かかる本発明の目的は、表面において、全炭素原子に
対する酸素原子と結合した炭素原子の割合が、3%〜20
%の範囲にあり、かつ全イオウ原子に対するスルフォン
酸、スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で
酸素原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3%以上3
%未満の範囲にあることを特徴とするポリフェニレンス
ルフィドフィルムにより達成される。[Means for Solving the Problems] An object of the present invention is to provide a method in which the ratio of carbon atoms bonded to oxygen atoms to all carbon atoms on the surface is 3% to 20%.
%, And the ratio of sulfur atoms bonded to oxygen atoms in the state of sulfonic acid, sulfonate ion or sulfonate to all sulfur atoms is 0.3% or more and 3% or more.
%, Which is achieved by a polyphenylene sulfide film characterized by being in the range of less than 10%.
本発明において使用されるポリフェニレンスルフィド
フィルムとしては、次の繰返し単位 を主たる構成単位とするポリ−p−フェニレンスルフィ
ドを主成分とする樹脂組成物からなるフィルムをいう。
ポリ−p−フェニレンスルフィドの含有量は該フィルム
の耐熱性、各種機械的特性の点からは80重量%以上、好
ましくは90重量%以上であり、またポリ−p−フェニレ
ンスルフィド中の上記構成単位の割合が90モル%以上で
あることが好ましい。The polyphenylene sulfide film used in the present invention includes the following repeating unit Refers to a film made of a resin composition mainly composed of poly-p-phenylene sulfide.
The content of poly-p-phenylene sulfide is at least 80% by weight, preferably at least 90% by weight in view of the heat resistance and various mechanical properties of the film, and the above-mentioned structural unit in poly-p-phenylene sulfide Is preferably 90 mol% or more.
該樹脂組成物中にはポリフェニレンスルフィドフィル
ムの特性を損なわない範囲で耐摩耗性向上や耐候性向上
等のために、無機または有機フィラー、滑剤、紫外線吸
収剤、着色剤等を含有させることができる。The resin composition may contain an inorganic or organic filler, a lubricant, a UV absorber, a colorant, and the like, for the purpose of improving abrasion resistance and weather resistance within a range that does not impair the properties of the polyphenylene sulfide film. .
ポリフェニレンスルフィドフィルム厚さは0.4μm〜1
00μmの範囲が好ましく、また該フィルムの平均表面粗
さRaは0.03〜0.10μmの範囲が好ましいが、これらの範
囲に限定されない。Polyphenylene sulfide film thickness is 0.4μm ~ 1
The thickness is preferably in the range of 00 μm, and the average surface roughness Ra of the film is preferably in the range of 0.03 to 0.10 μm, but is not limited to these ranges.
本発明で用いるポリフェニレンスルフィドフィルム
は、例えば特開昭55−111235号公報等に記載された周知
の方法で製造することができる。The polyphenylene sulfide film used in the present invention can be produced by a well-known method described in, for example, JP-A-55-111235.
本発明のポリフェニレンスルフィドフィルムは、先
ず、表面において全炭素原子に対する酸素原子と結合し
た炭素原子の割合が、3%〜20%の範囲にあることが重
要であり、また第2に全イオウ原子に対するスルフォン
酸、スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で
酸素原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3%以上3
%未満の範囲にあることが重要である。In the polyphenylene sulfide film of the present invention, first, it is important that the ratio of carbon atoms bonded to oxygen atoms to the total carbon atoms on the surface is in the range of 3% to 20%. The ratio of sulfur atoms bonded to oxygen atoms in the state of sulfonic acid, sulfonate ion or sulfonate is 0.3% or more 3
It is important to be in the range of less than%.
ここでポリフェニレンスルフィドフィルム表面におけ
る炭素およびイオウの化学結合状態は例えば、X線光電
子分光(XPS)測定により知ることができる。すなわ
ち、XPS測定でX線をフィルム表面に照射し、放射され
るX線光電子の炭素の1Sピークとイオウの2Pピークを取
り出してピーク分割を行なうことにより炭素およびイオ
ウがどのような化学結合状態にどれだけの割合で結合し
ているかを知ることができる。Here, the chemical bonding state of carbon and sulfur on the surface of the polyphenylene sulfide film can be known by, for example, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurement. In other words, the film surface is irradiated with X-rays by XPS measurement, the 1S peak of carbon and the 2P peak of sulfur of the emitted X-ray photoelectrons are taken out, and peak splitting is performed to determine what kind of chemical bond between carbon and sulfur. It is possible to know the ratio of the combination.
本発明において、酸素原子と結合した炭素原子とは、
XPS測定で得たC1sピークを分解した時、−COO−、=C
=O、=C−O−の結合状態に帰属される炭素原子を言
う。In the present invention, the carbon atom bonded to the oxygen atom is
When the C 1s peak obtained by XPS measurement was decomposed, -COO-, = C
= O, = C-O- refers to the carbon atom belonging to the bonding state.
ポリフェニレンスルフィドフィルムの表面において、
全炭素原子に対する酸素原子と結合した炭素原子の割合
が3%未満の場合には、十分な自己熱融着性が得られ
ず、また20%を越える場合はやはり十分な自己熱融着性
を得ることができないとともにフィルムの表面が硬くも
ろくなり、耐摩耗性などの低下を引き起こすため好まし
くない。より好ましくは4%〜15%の範囲である。On the surface of the polyphenylene sulfide film,
When the ratio of carbon atoms bonded to oxygen atoms to all carbon atoms is less than 3%, sufficient self-heat-fusibility cannot be obtained. It is not preferable because it cannot be obtained and the surface of the film becomes hard and brittle, causing a decrease in abrasion resistance and the like. More preferably, it is in the range of 4% to 15%.
本発明において、スルフォン酸、スルフオン酸イオン
又はスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結合したイオウ
原子とは、XPS測定でX線をフィルム表面に照射し、放
射されるX線光電子のS2pピークを取り出してピーク分
割した時、▲SO2- 4▼または▲SO- 4▼の結合状態に帰属
されるイオウ原子をいう。In the present invention, a sulfonic acid, a sulfonate ion or a sulfur atom bonded to an oxygen atom in a sulfonate state irradiates the film surface with X-rays by XPS measurement, and the S 2p peak of the emitted X-ray photoelectrons is measured. when the peak splitting removed, ▲ SO 2- 4 ▼ or ▲ SO - 4 ▼ refers to a sulfur atom which is attributable to bonding state.
表面において、全イオウ原子に対するスルフォン酸、
スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で酸素
原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3%未満の場合
には自己熱融着性が低下したり、得られなかったりする
などの欠点があり好ましくない。また上記割合が3%以
上の場合は自己熱融着後の耐水性が得られない。全イオ
ウ原子に対するスルフォン酸、スルフォン酸イオンまた
はスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結合したイオウ原
子の割合のより好ましい範囲は0.5%〜2%である。At the surface, sulfonic acid for all sulfur atoms,
If the proportion of sulfur atoms bonded to oxygen atoms in the state of sulfonate ions or sulfonates is less than 0.3%, there is a disadvantage that self-heat-fusion properties may be reduced or may not be obtained. . If the above ratio is 3% or more, water resistance after self-heat fusion cannot be obtained. A more preferable range of the ratio of the sulfur atom bonded to the oxygen atom in the state of sulfonic acid, sulfonate ion or sulfonate relative to all the sulfur atoms is 0.5% to 2%.
かかるポリフェニレンスルフィドフィルムの製法の1
例は、原料となるポリフェニレンスルフィドフィルムの
表面または両面を、例えば選択された混合ガス雰囲気お
よびプラズマ条件中で低温プラズマ処理を施すことによ
り得ることができる。One of the methods for producing such a polyphenylene sulfide film
Examples can be obtained by subjecting the surface or both surfaces of a polyphenylene sulfide film as a raw material to low-temperature plasma treatment, for example, in a selected mixed gas atmosphere and plasma conditions.
図は本発明において使用可能な低温プラズマ処理装置
の1例を例示したもので、図において、原料フィルム1
は送り出しロール2により放電処理部9へ送り出され
る。放電処理部9にはガス導入系8より、所定組成のガ
スが供給され、ここで図示していない簡単な排気装置に
よって所定のガス圧力に維持される。フィルム1は放電
処理部において、高圧印加電極3に高電圧電源5より整
合トランス6を介して印加された高周波高電圧によっ
て、接地されたドラム状電極4との間で形成される放電
によって処理された後、巻き取りロール7に巻き取られ
る。The figure illustrates an example of a low-temperature plasma processing apparatus that can be used in the present invention.
Is sent out to the discharge processing section 9 by the feed roll 2. A gas having a predetermined composition is supplied to the discharge processing unit 9 from the gas introduction system 8, and is maintained at a predetermined gas pressure by a simple exhaust device (not shown). The film 1 is processed in a discharge processing unit by a discharge formed between the high voltage application electrode 3 and the grounded drum-shaped electrode 4 by a high frequency high voltage applied from a high voltage power supply 5 via a matching transformer 6. Then, it is taken up by a take-up roll 7.
放電は、内部に水などの冷媒を流すことによって冷却
された金属管などの導体の表面をゴムやガラス等の誘電
体で被覆した高電圧印加電極と、該電極に対向して設け
られ、放電が形成される面が同様な誘電体で被覆され
た、被処理物を支持するための電極との間で形成され
る。誘電体の厚さとしては0.1〜5mmの範囲が好ましい。The discharge is provided by opposing a high-voltage application electrode in which the surface of a conductor such as a metal tube, which is cooled by flowing a coolant such as water therein, is covered with a dielectric such as rubber or glass, and the electrode. Is formed between the electrode and the electrode for supporting the object to be processed, the surface of which is to be formed is coated with a similar dielectric. The thickness of the dielectric is preferably in the range of 0.1 to 5 mm.
高電圧印加電極と被処理物を支持する電極とは同数で
ある必要はなく、被処理物を支持する電極1個に対し、
高電圧印加電極を2個以上設けるのがよい。It is not necessary that the number of high-voltage application electrodes and the number of electrodes supporting the object to be processed be equal, and for one electrode supporting the object to be processed,
It is preferable to provide two or more high voltage application electrodes.
高電圧印加電極に印加する高電圧の周波数は好ましく
は50KHz〜500KHzの範囲で選択される。The frequency of the high voltage applied to the high voltage application electrode is preferably selected in the range of 50 KHz to 500 KHz.
本発明においてプラスマ処理に好適に用いられるガス
としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンな
どの不活性ガスと少量の空気からなる混合ガスが挙げら
れる。処理ガス中に含まれる空気成分(酸素、窒素、水
蒸気など)の量としては合計で0.15ppmから500ppmの範
囲であることが好ましい。酸素、窒素、水蒸気などの空
気を構成するガスが0.15ppm未満であると、自己熱融着
性が十分でなく、またこれらのガスの総量が500ppmを越
えると、耐水性のある自己熱融着性は得られない。In the present invention, as a gas suitably used for the plasma treatment, a mixed gas composed of an inert gas such as helium, neon, argon, and krypton and a small amount of air is exemplified. The total amount of air components (oxygen, nitrogen, water vapor, etc.) contained in the processing gas is preferably in the range of 0.15 ppm to 500 ppm in total. If the constituent gas of air such as oxygen, nitrogen, water vapor, etc. is less than 0.15 ppm, the self-heat fusion property is not sufficient, and if the total amount of these gases exceeds 500 ppm, water-resistant self-heat fusion is performed. Sex is not obtained.
雰囲気の圧力は、0.1〜1000Torrの範囲で選択するの
が好ましく、より好ましくは10〜900Torrの圧力範囲で
選択するのがよい。The pressure of the atmosphere is preferably selected in the range of 0.1 to 1000 Torr, more preferably in the range of 10 to 900 Torr.
処理強度としては、50W・min/m2以上の処理電力密度
で処理するのがよく、より好ましくは100W・min/m2以上
の処理電力密度で処理するのがよい。ここで処理電力密
度とは出力を放電部分の幅(ドラム状電極の軸長方向)
とフィルムの処理速度で割った値である。As for the processing intensity, the processing is preferably performed at a processing power density of 50 W · min / m 2 or more, and more preferably at a processing power density of 100 W · min / m 2 or more. Here, the processing power density means the output is the width of the discharge part (the axial direction of the drum electrode)
Divided by the processing speed of the film.
本発明で得られるポリフェニレンスルフィドフィルム
は強固な自己熱融着性を示し、かつその耐水性に優れて
いるため、保護フィルム、包装フィルム、ラベル、コン
デンサーなどの用途に有効に使用できる。The polyphenylene sulfide film obtained by the present invention exhibits strong self-heat-fusion properties and has excellent water resistance, so that it can be effectively used for applications such as protective films, packaging films, labels, and capacitors.
[発明の効果] 本発明のポリフェニレンスルフィドフィルムは表面を
特定の化学構造を有するものとしたため高度の自己熱融
着性を有し、しかもその耐水性に優れているという顕著
な実用効果を奏するものである。[Effects of the Invention] The polyphenylene sulfide film of the present invention has a high degree of self-heat fusing property because the surface has a specific chemical structure, and has a remarkable practical effect of being excellent in water resistance. It is.
このような効果を奏する理由については明らかではな
いが、酸素原子と結合した炭素原子やイオウ原子、例え
ば>C=O、−COH、−COOHやスルフォン酸基などの極
性基は自己熱融着性を発現するために効果があるもとと
考えられる。一方、スルフォン酸基の存在をある一定の
範囲内にしたことで、耐水性に優れた自己熱融着性を付
与できたものと推察される。Although it is not clear why such an effect is obtained, polar groups such as a carbon atom and a sulfur atom bonded to an oxygen atom, for example,> C = O, -COH, -COOH, and a sulfonic acid group are self-heat-fusible. Is considered to be an effective source for expressing On the other hand, it is presumed that by setting the presence of the sulfonic acid group within a certain range, it was possible to impart self-heat-fusibility excellent in water resistance.
[実施例] 以下本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。なお実施例中の本発明にお
ける特性の測定には、次の方法を用いた。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto. The following methods were used for measuring the characteristics of the present invention in the examples.
(1) ポリフェニレンスルフィドフィルム表面の化学
構造の測定法 X線光電子分光装置((株)島津製作所製ESCA750)
を用い、炭素の1Sピークとイオウの2pピークを測定す
る。このピークを下記のような化学結合状態のピークの
合成であることから、ガウス分布近似により化学結合状
態からの信号に分解し、分解後のそれぞれの信号のピー
ク高さからそれぞれの化学結合状態にある原子の数の比
を算出する。また下記のそれぞれの化学結合状態にある
原子の数の比の合計をもって全炭素原子の数または全イ
オウ原子の数とする。(1) Method for measuring the chemical structure of the surface of a polyphenylene sulfide film X-ray photoelectron spectrometer (ESCA750 manufactured by Shimadzu Corporation)
The 1S peak of carbon and the 2p peak of sulfur are measured using. Since this peak is a combination of the peaks in the chemical bond state as shown below, it is decomposed into signals from the chemical bond state by Gaussian distribution approximation, and the peak height of each signal after decomposition is converted to each chemical bond state. Calculate the ratio of the number of atoms. The sum of the ratios of the numbers of the atoms in the following chemical bonding states is defined as the total number of carbon atoms or the total number of sulfur atoms.
C1sピークは、π−π*、−COO−、=C=O、=C−
O−、中性炭素、−C−S−に帰属される。The C 1s peak is π-π * , -COO-, = C = O, = C-
It is attributed to O-, neutral carbon, and -CS-.
S2pピークはπ−π*、▲SO2- 4▼、▲SO- 3▼、−C−
SO2−C−、−C−SO3−C−、−C−SO−C−、−C−
S−C−に帰属される。S 2p peak π-π *, ▲ SO 2- 4 ▼, ▲ SO - 3 ▼, -C-
SO 2 -C-, -C-SO 3 -C-, -C-SO-C-, -C-
S-C-.
ここで▲SO2- 4▼、▲SO- 3▼がスルフオン酸、スルフ
ォン酸イオンまたはスルフォン酸塩を示す。Here ▲ SO 2- 4 ▼, ▲ SO - 3 ▼ indicates Surufuon acid, sulfonic acid ion or sulfonic acid salt.
(2) 接着力の測定法 処理面同士を重ね合せわて、2枚のポリフェニレンス
ルフィドフィルムを220℃に加熱したロール間を1回通
過させて熱融着させる。ロール間は3Kg/cm2、ロール回
転速度は1m/分とした。(2) Method of Measuring Adhesive Strength The treated surfaces are superimposed on each other, and two polyphenylene sulfide films are passed through a roll heated at 220 ° C. once to be thermally fused. The distance between the rolls was 3 kg / cm 2 , and the roll rotation speed was 1 m / min.
次いで前記熱融着されたポリフェニレンスルフィドフ
ィルムをショッパ型引張試験機(大栄科学精器製作所
製)にセットして180度方向に引き剥がし、引き剥がす
のに要する力を読みとり、乾接着力とした。なお引き剥
がし速度は20cm/分とした。Next, the heat-fused polyphenylene sulfide film was set on a shopper type tensile tester (manufactured by Daiei Kagaku Seiki Seisaku-Sho, Ltd.) and peeled in the 180 ° direction. The peeling speed was 20 cm / min.
また前記方法において引き剥がしを連続的に水を供給
しながら行ない、測定した接着力を湿接着力とした。In the above method, the peeling was performed while continuously supplying water, and the measured adhesive strength was defined as wet adhesive strength.
(3) 空気成分含有量の測定 マスフィルター型質量分析計(日本真空技術製MSQ−1
50A)を用い、排気後および処理ガス導入後の処理装置
内のガススペクトルを測定した。このスペクトルから求
まる、H2O、N2およびO2の合計量を空気成分の量とし
た。(3) Measurement of air component content Mass filter mass spectrometer (MSQ-1 manufactured by Nippon Vacuum Technology)
Using 50A), gas spectra in the processing apparatus after evacuation and after introduction of the processing gas were measured. The total amount of H 2 O, N 2 and O 2 determined from this spectrum was defined as the amount of the air component.
実施例1 図のプラズマ処理装置に、2軸延伸された厚さ38μm
のポリフェニレンスルフィドフィルム(東レ(株)製
“トレリナ”)をセットして処理した。Example 1 A plasma processing apparatus shown in FIG.
Of polyphenylene sulfide film (“Torelina” manufactured by Toray Industries, Inc.) was processed.
電極に被覆する誘導体として厚さ1mmのガラスを使用
し、高圧印加電極とドラム状電極4との距離を1mmに設
定した。1 mm thick glass was used as a derivative to be coated on the electrode, and the distance between the high voltage application electrode and the drum electrode 4 was set to 1 mm.
放電処理部9内を1×10-3Torrから4×10-3Torrの範
囲まで排気し、ガス導入系よりアルゴンガスを導入して
600Torrに保つ。この時の処理ガス中の空気成分の量は2
ppmから8ppmの範囲であった。The inside of the discharge processing section 9 is evacuated to a range of 1 × 10 −3 Torr to 4 × 10 −3 Torr, and argon gas is introduced from a gas introduction system.
Keep at 600 Torr. At this time, the amount of air component in the process gas is 2
It was in the range of 8 ppm to 8 ppm.
次いで高圧印加電極3とドラム状電極4の間に110KHz
の高周波を高電圧電源5より供給し、プラズマを発生さ
せる。投入電力は電源出力で1KWとした。Next, 110 KHz is applied between the high voltage application electrode 3 and the drum electrode 4.
Is supplied from the high-voltage power supply 5 to generate plasma. The input power was 1KW at the power output.
発生させたプラズマ中を基体を7m/分の速度で通過さ
せて処理を行なった(処理電力密度240W・min/m2)。The processing was performed by passing the substrate through the generated plasma at a speed of 7 m / min (processing power density: 240 W · min / m 2 ).
得られたポリフェニレンスルフィドフィルムの表面の
化学構造、乾接着力および湿接着力を測定し、結果を表
1に示した。The chemical structure, dry adhesive strength and wet adhesive strength of the surface of the obtained polyphenylene sulfide film were measured, and the results are shown in Table 1.
表1から明らかなごとく、本発明で規定した表面構造
を有する場合、極めて高い乾接着力を有するとともに、
湿接着力も乾接着力と同等以上に高いことがわかる。As is clear from Table 1, when having the surface structure specified in the present invention, it has an extremely high dry adhesive strength,
It can be seen that the wet adhesive strength is also higher than the dry adhesive strength.
比較例1、2、3 放電処理部9内の排気を1×10-4以下としたことおよ
び導入ガスをアルゴン:窒素:酸素が97.5:2:0.5とした
以外は実施例1と同様にして表面処理したものを比較例
1とする。Comparative Examples 1, 2, and 3 In the same manner as in Example 1 except that the exhaust gas in the discharge processing section 9 was set to 1 × 10 −4 or less and the introduced gas was set to 97.5: 2: 0.5 of argon: nitrogen: oxygen. The surface-treated one is referred to as Comparative Example 1.
また放電処理部内の排気を2×10-3とした以外は比較
例1と同様にして処理した場合を比較例2とする。さら
に導入するガスをアルゴン:窒素:酸素が70:24:6の混
合ガスとした以外は比較例1と同様にして表面処理した
ものを比較例3とする。Further, a case where the processing was performed in the same manner as in Comparative Example 1 except that the exhaust gas in the discharge processing unit was set to 2 × 10 −3 is referred to as Comparative Example 2. Further, Comparative Example 3 was subjected to surface treatment in the same manner as in Comparative Example 1 except that the gas to be introduced was a mixed gas of argon: nitrogen: oxygen of 70: 24: 6.
得られたポリフェニレンスルフィドフィルムの表面の
化学構造および特性の測定結果を表1に示す。Table 1 shows the measurement results of the chemical structure and properties of the surface of the obtained polyphenylene sulfide film.
表1から明らかなごとく、比較例1、2のいずれの場
合も乾接着力は十分大きいものの湿接着力は殆どなかっ
た。また比較例3の場合は、乾接着力も低下し十分な接
着力は得られず実用性のないものであった。As is evident from Table 1, in each of Comparative Examples 1 and 2, although the dry adhesive strength was sufficiently large, the wet adhesive strength was almost nonexistent. In the case of Comparative Example 3, the dry adhesive strength was also reduced, and a sufficient adhesive strength could not be obtained, so that it was not practical.
図は本発明で使用できるプラズマ処理装置の一例を示す
概略図である。 2:送り出しロール 3:高圧印加電極 4:ドラム状電極 4:高電圧電源FIG. 1 is a schematic view showing an example of a plasma processing apparatus that can be used in the present invention. 2: Feeding roll 3: High voltage application electrode 4: Drum electrode 4: High voltage power supply
Claims (1)
子と結合した炭素原子の割合が、3%〜20%の範囲にあ
り、かつ全イオウ原子に対するスルフォン酸、スルフォ
ン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結
合したイオウ原子の割合が、0.3%以上3%未満の範囲
にあることを特徴とするポリフェニレンスルフィドフィ
ルム。(1) a ratio of sulfonic acid, sulfonic acid ion or sulfonic acid salt to all sulfur atoms on the surface, wherein a ratio of carbon atoms bonded to oxygen atoms to total carbon atoms is in a range of 3% to 20%; Wherein the proportion of sulfur atoms bonded to oxygen atoms is in the range of 0.3% or more and less than 3%.
Priority Applications (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1988
- 1988-10-17 JP JP26242088A patent/JP2611384B2/en not_active Expired - Lifetime
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