JP2611384B2 - ポリフェニレンスルフィンドフィルム - Google Patents
ポリフェニレンスルフィンドフィルムInfo
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- film
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ポリフェニレンスルフィドフィルムに関す
るものであり、更に詳しくは耐水性のある強い自己熱融
着性を有する、保護フィルム、包装フィルム、ラベル、
コンデンサーなどに有効に使用できるポリフェニレンス
ルフィドフィルムに関するものである。
るものであり、更に詳しくは耐水性のある強い自己熱融
着性を有する、保護フィルム、包装フィルム、ラベル、
コンデンサーなどに有効に使用できるポリフェニレンス
ルフィドフィルムに関するものである。
［従来の技術］ ポリェニレンスルフィドフィルムはそのまでは熱融着
性がないため同種フィルム同士、あるいは異種フィルム
との熱接合ができないことは周知のとおりである。
性がないため同種フィルム同士、あるいは異種フィルム
との熱接合ができないことは周知のとおりである。
従来、かかるポリフェニレンスルフィドフィルムの熱
融着性を改良するため、コロナ放電効果やプラズマ処理
を行なうことが提案されている（特開昭57−187327号公
報）。
融着性を改良するため、コロナ放電効果やプラズマ処理
を行なうことが提案されている（特開昭57−187327号公
報）。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、本発明者らがさらに詳細に検討を進め
た結果、上述のコロナ放電処理によるものは、次のよう
な問題があることが判明した。
た結果、上述のコロナ放電処理によるものは、次のよう
な問題があることが判明した。
すなわち、コロナ放電処理を施したポリフェニレンス
ルフィドフィルムは自己融着性を有するものの、水分供
給により容易に剥離してしまう。すなわち、耐水性がな
いという問題がある。
ルフィドフィルムは自己融着性を有するものの、水分供
給により容易に剥離してしまう。すなわち、耐水性がな
いという問題がある。
また前記特開に具体的に開示されているプラズマ処理
による方法、すなわち、ポリフェニレンスルフィドフィ
ルムをガス雰囲気中でプラズマ処理を施した場合、処理
条件（雰囲気ガス、投入電力、処理速度、処理装置な
ど）によっては、自己熱融着性がなかったり、自己熱融
着性はあるが耐水性がなかったりすることが判明した。
による方法、すなわち、ポリフェニレンスルフィドフィ
ルムをガス雰囲気中でプラズマ処理を施した場合、処理
条件（雰囲気ガス、投入電力、処理速度、処理装置な
ど）によっては、自己熱融着性がなかったり、自己熱融
着性はあるが耐水性がなかったりすることが判明した。
本発明者らはかかる従来技術の問題点の改良対策につ
いて鋭意検討した結果、ポリフェニレンスルフィドフィ
ルムの表面を特定の化学構造を有するものに改質せしめ
た場合には、十分な自己熱融着性を有するとともに耐水
性をも優れたものとなすことができることを知見し、本
発明に到達したものである。
いて鋭意検討した結果、ポリフェニレンスルフィドフィ
ルムの表面を特定の化学構造を有するものに改質せしめ
た場合には、十分な自己熱融着性を有するとともに耐水
性をも優れたものとなすことができることを知見し、本
発明に到達したものである。
したがって、本発明の目的は耐水性を有し、かつ強い
自己熱融着性を有するポリフェニレンスルフィドフィル
ムを提供することにある。
自己熱融着性を有するポリフェニレンスルフィドフィル
ムを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、表面において、全炭素原子に
対する酸素原子と結合した炭素原子の割合が、３％〜20
％の範囲にあり、かつ全イオウ原子に対するスルフォン
酸、スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で
酸素原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3％以上３
％未満の範囲にあることを特徴とするポリフェニレンス
ルフィドフィルムにより達成される。
対する酸素原子と結合した炭素原子の割合が、３％〜20
％の範囲にあり、かつ全イオウ原子に対するスルフォン
酸、スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で
酸素原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3％以上３
％未満の範囲にあることを特徴とするポリフェニレンス
ルフィドフィルムにより達成される。
本発明において使用されるポリフェニレンスルフィド
フィルムとしては、次の繰返し単位 を主たる構成単位とするポリ−ｐ−フェニレンスルフィ
ドを主成分とする樹脂組成物からなるフィルムをいう。
ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドの含有量は該フィルム
の耐熱性、各種機械的特性の点からは80重量％以上、好
ましくは90重量％以上であり、またポリ−ｐ−フェニレ
ンスルフィド中の上記構成単位の割合が90モル％以上で
あることが好ましい。
フィルムとしては、次の繰返し単位 を主たる構成単位とするポリ−ｐ−フェニレンスルフィ
ドを主成分とする樹脂組成物からなるフィルムをいう。
ポリ−ｐ−フェニレンスルフィドの含有量は該フィルム
の耐熱性、各種機械的特性の点からは80重量％以上、好
ましくは90重量％以上であり、またポリ−ｐ−フェニレ
ンスルフィド中の上記構成単位の割合が90モル％以上で
あることが好ましい。
該樹脂組成物中にはポリフェニレンスルフィドフィル
ムの特性を損なわない範囲で耐摩耗性向上や耐候性向上
等のために、無機または有機フィラー、滑剤、紫外線吸
収剤、着色剤等を含有させることができる。
ムの特性を損なわない範囲で耐摩耗性向上や耐候性向上
等のために、無機または有機フィラー、滑剤、紫外線吸
収剤、着色剤等を含有させることができる。
ポリフェニレンスルフィドフィルム厚さは0.4μｍ〜1
00μｍの範囲が好ましく、また該フィルムの平均表面粗
さRaは0.03〜0.10μｍの範囲が好ましいが、これらの範
囲に限定されない。
00μｍの範囲が好ましく、また該フィルムの平均表面粗
さRaは0.03〜0.10μｍの範囲が好ましいが、これらの範
囲に限定されない。
本発明で用いるポリフェニレンスルフィドフィルム
は、例えば特開昭55−111235号公報等に記載された周知
の方法で製造することができる。
は、例えば特開昭55−111235号公報等に記載された周知
の方法で製造することができる。
本発明のポリフェニレンスルフィドフィルムは、先
ず、表面において全炭素原子に対する酸素原子と結合し
た炭素原子の割合が、３％〜20％の範囲にあることが重
要であり、また第２に全イオウ原子に対するスルフォン
酸、スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で
酸素原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3％以上３
％未満の範囲にあることが重要である。
ず、表面において全炭素原子に対する酸素原子と結合し
た炭素原子の割合が、３％〜20％の範囲にあることが重
要であり、また第２に全イオウ原子に対するスルフォン
酸、スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で
酸素原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3％以上３
％未満の範囲にあることが重要である。
ここでポリフェニレンスルフィドフィルム表面におけ
る炭素およびイオウの化学結合状態は例えば、Ｘ線光電
子分光（XPS）測定により知ることができる。すなわ
ち、XPS測定でＸ線をフィルム表面に照射し、放射され
るＸ線光電子の炭素の1Sピークとイオウの2Pピークを取
り出してピーク分割を行なうことにより炭素およびイオ
ウがどのような化学結合状態にどれだけの割合で結合し
ているかを知ることができる。
る炭素およびイオウの化学結合状態は例えば、Ｘ線光電
子分光（XPS）測定により知ることができる。すなわ
ち、XPS測定でＸ線をフィルム表面に照射し、放射され
るＸ線光電子の炭素の1Sピークとイオウの2Pピークを取
り出してピーク分割を行なうことにより炭素およびイオ
ウがどのような化学結合状態にどれだけの割合で結合し
ているかを知ることができる。
本発明において、酸素原子と結合した炭素原子とは、
XPS測定で得たC1sピークを分解した時、−COO−、＝Ｃ
＝Ｏ、＝Ｃ−Ｏ−の結合状態に帰属される炭素原子を言
う。
XPS測定で得たC1sピークを分解した時、−COO−、＝Ｃ
＝Ｏ、＝Ｃ−Ｏ−の結合状態に帰属される炭素原子を言
う。
ポリフェニレンスルフィドフィルムの表面において、
全炭素原子に対する酸素原子と結合した炭素原子の割合
が３％未満の場合には、十分な自己熱融着性が得られ
ず、また20％を越える場合はやはり十分な自己熱融着性
を得ることができないとともにフィルムの表面が硬くも
ろくなり、耐摩耗性などの低下を引き起こすため好まし
くない。より好ましくは４％〜15％の範囲である。
全炭素原子に対する酸素原子と結合した炭素原子の割合
が３％未満の場合には、十分な自己熱融着性が得られ
ず、また20％を越える場合はやはり十分な自己熱融着性
を得ることができないとともにフィルムの表面が硬くも
ろくなり、耐摩耗性などの低下を引き起こすため好まし
くない。より好ましくは４％〜15％の範囲である。
本発明において、スルフォン酸、スルフオン酸イオン
又はスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結合したイオウ
原子とは、XPS測定でＸ線をフィルム表面に照射し、放
射されるＸ線光電子のS2pピークを取り出してピーク分
割した時、▲SO2- 4▼または▲SO- 4▼の結合状態に帰属
されるイオウ原子をいう。
又はスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結合したイオウ
原子とは、XPS測定でＸ線をフィルム表面に照射し、放
射されるＸ線光電子のS2pピークを取り出してピーク分
割した時、▲SO2- 4▼または▲SO- 4▼の結合状態に帰属
されるイオウ原子をいう。
表面において、全イオウ原子に対するスルフォン酸、
スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で酸素
原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3％未満の場合
には自己熱融着性が低下したり、得られなかったりする
などの欠点があり好ましくない。また上記割合が３％以
上の場合は自己熱融着後の耐水性が得られない。全イオ
ウ原子に対するスルフォン酸、スルフォン酸イオンまた
はスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結合したイオウ原
子の割合のより好ましい範囲は0.5％〜２％である。
スルフォン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で酸素
原子と結合したイオウ原子の割合が、0.3％未満の場合
には自己熱融着性が低下したり、得られなかったりする
などの欠点があり好ましくない。また上記割合が３％以
上の場合は自己熱融着後の耐水性が得られない。全イオ
ウ原子に対するスルフォン酸、スルフォン酸イオンまた
はスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結合したイオウ原
子の割合のより好ましい範囲は0.5％〜２％である。
かかるポリフェニレンスルフィドフィルムの製法の１
例は、原料となるポリフェニレンスルフィドフィルムの
表面または両面を、例えば選択された混合ガス雰囲気お
よびプラズマ条件中で低温プラズマ処理を施すことによ
り得ることができる。
例は、原料となるポリフェニレンスルフィドフィルムの
表面または両面を、例えば選択された混合ガス雰囲気お
よびプラズマ条件中で低温プラズマ処理を施すことによ
り得ることができる。
図は本発明において使用可能な低温プラズマ処理装置
の１例を例示したもので、図において、原料フィルム１
は送り出しロール２により放電処理部９へ送り出され
る。放電処理部９にはガス導入系８より、所定組成のガ
スが供給され、ここで図示していない簡単な排気装置に
よって所定のガス圧力に維持される。フィルム１は放電
処理部において、高圧印加電極３に高電圧電源５より整
合トランス６を介して印加された高周波高電圧によっ
て、接地されたドラム状電極４との間で形成される放電
によって処理された後、巻き取りロール７に巻き取られ
る。
の１例を例示したもので、図において、原料フィルム１
は送り出しロール２により放電処理部９へ送り出され
る。放電処理部９にはガス導入系８より、所定組成のガ
スが供給され、ここで図示していない簡単な排気装置に
よって所定のガス圧力に維持される。フィルム１は放電
処理部において、高圧印加電極３に高電圧電源５より整
合トランス６を介して印加された高周波高電圧によっ
て、接地されたドラム状電極４との間で形成される放電
によって処理された後、巻き取りロール７に巻き取られ
る。
放電は、内部に水などの冷媒を流すことによって冷却
された金属管などの導体の表面をゴムやガラス等の誘電
体で被覆した高電圧印加電極と、該電極に対向して設け
られ、放電が形成される面が同様な誘電体で被覆され
た、被処理物を支持するための電極との間で形成され
る。誘電体の厚さとしては0.1〜5mmの範囲が好ましい。
された金属管などの導体の表面をゴムやガラス等の誘電
体で被覆した高電圧印加電極と、該電極に対向して設け
られ、放電が形成される面が同様な誘電体で被覆され
た、被処理物を支持するための電極との間で形成され
る。誘電体の厚さとしては0.1〜5mmの範囲が好ましい。
高電圧印加電極と被処理物を支持する電極とは同数で
ある必要はなく、被処理物を支持する電極１個に対し、
高電圧印加電極を２個以上設けるのがよい。
ある必要はなく、被処理物を支持する電極１個に対し、
高電圧印加電極を２個以上設けるのがよい。
高電圧印加電極に印加する高電圧の周波数は好ましく
は50KHz〜500KHzの範囲で選択される。
は50KHz〜500KHzの範囲で選択される。
本発明においてプラスマ処理に好適に用いられるガス
としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンな
どの不活性ガスと少量の空気からなる混合ガスが挙げら
れる。処理ガス中に含まれる空気成分（酸素、窒素、水
蒸気など）の量としては合計で0.15ppmから500ppmの範
囲であることが好ましい。酸素、窒素、水蒸気などの空
気を構成するガスが0.15ppm未満であると、自己熱融着
性が十分でなく、またこれらのガスの総量が500ppmを越
えると、耐水性のある自己熱融着性は得られない。
としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンな
どの不活性ガスと少量の空気からなる混合ガスが挙げら
れる。処理ガス中に含まれる空気成分（酸素、窒素、水
蒸気など）の量としては合計で0.15ppmから500ppmの範
囲であることが好ましい。酸素、窒素、水蒸気などの空
気を構成するガスが0.15ppm未満であると、自己熱融着
性が十分でなく、またこれらのガスの総量が500ppmを越
えると、耐水性のある自己熱融着性は得られない。
雰囲気の圧力は、0.1〜1000Torrの範囲で選択するの
が好ましく、より好ましくは10〜900Torrの圧力範囲で
選択するのがよい。
が好ましく、より好ましくは10〜900Torrの圧力範囲で
選択するのがよい。
処理強度としては、50W・min/m2以上の処理電力密度
で処理するのがよく、より好ましくは100W・min/m2以上
の処理電力密度で処理するのがよい。ここで処理電力密
度とは出力を放電部分の幅（ドラム状電極の軸長方向）
とフィルムの処理速度で割った値である。
で処理するのがよく、より好ましくは100W・min/m2以上
の処理電力密度で処理するのがよい。ここで処理電力密
度とは出力を放電部分の幅（ドラム状電極の軸長方向）
とフィルムの処理速度で割った値である。
本発明で得られるポリフェニレンスルフィドフィルム
は強固な自己熱融着性を示し、かつその耐水性に優れて
いるため、保護フィルム、包装フィルム、ラベル、コン
デンサーなどの用途に有効に使用できる。
は強固な自己熱融着性を示し、かつその耐水性に優れて
いるため、保護フィルム、包装フィルム、ラベル、コン
デンサーなどの用途に有効に使用できる。
［発明の効果］ 本発明のポリフェニレンスルフィドフィルムは表面を
特定の化学構造を有するものとしたため高度の自己熱融
着性を有し、しかもその耐水性に優れているという顕著
な実用効果を奏するものである。
特定の化学構造を有するものとしたため高度の自己熱融
着性を有し、しかもその耐水性に優れているという顕著
な実用効果を奏するものである。
このような効果を奏する理由については明らかではな
いが、酸素原子と結合した炭素原子やイオウ原子、例え
ば＞Ｃ＝Ｏ、−COH、−COOHやスルフォン酸基などの極
性基は自己熱融着性を発現するために効果があるもとと
考えられる。一方、スルフォン酸基の存在をある一定の
範囲内にしたことで、耐水性に優れた自己熱融着性を付
与できたものと推察される。
いが、酸素原子と結合した炭素原子やイオウ原子、例え
ば＞Ｃ＝Ｏ、−COH、−COOHやスルフォン酸基などの極
性基は自己熱融着性を発現するために効果があるもとと
考えられる。一方、スルフォン酸基の存在をある一定の
範囲内にしたことで、耐水性に優れた自己熱融着性を付
与できたものと推察される。
［実施例］ 以下本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらに限定されない。なお実施例中の本発明にお
ける特性の測定には、次の方法を用いた。
明はこれらに限定されない。なお実施例中の本発明にお
ける特性の測定には、次の方法を用いた。
（１） ポリフェニレンスルフィドフィルム表面の化学
構造の測定法 Ｘ線光電子分光装置（（株）島津製作所製ESCA750）
を用い、炭素の1Sピークとイオウの2pピークを測定す
る。このピークを下記のような化学結合状態のピークの
合成であることから、ガウス分布近似により化学結合状
態からの信号に分解し、分解後のそれぞれの信号のピー
ク高さからそれぞれの化学結合状態にある原子の数の比
を算出する。また下記のそれぞれの化学結合状態にある
原子の数の比の合計をもって全炭素原子の数または全イ
オウ原子の数とする。
構造の測定法 Ｘ線光電子分光装置（（株）島津製作所製ESCA750）
を用い、炭素の1Sピークとイオウの2pピークを測定す
る。このピークを下記のような化学結合状態のピークの
合成であることから、ガウス分布近似により化学結合状
態からの信号に分解し、分解後のそれぞれの信号のピー
ク高さからそれぞれの化学結合状態にある原子の数の比
を算出する。また下記のそれぞれの化学結合状態にある
原子の数の比の合計をもって全炭素原子の数または全イ
オウ原子の数とする。
C1sピークは、π−π＊、−COO−、＝Ｃ＝Ｏ、＝Ｃ−
Ｏ−、中性炭素、−Ｃ−Ｓ−に帰属される。
Ｏ−、中性炭素、−Ｃ−Ｓ−に帰属される。
S2pピークはπ−π＊、▲SO2- 4▼、▲SO- 3▼、−Ｃ−
SO2−Ｃ−、−Ｃ−SO3−Ｃ−、−Ｃ−SO−Ｃ−、−Ｃ−
Ｓ−Ｃ−に帰属される。
SO2−Ｃ−、−Ｃ−SO3−Ｃ−、−Ｃ−SO−Ｃ−、−Ｃ−
Ｓ−Ｃ−に帰属される。
ここで▲SO2- 4▼、▲SO- 3▼がスルフオン酸、スルフ
ォン酸イオンまたはスルフォン酸塩を示す。
ォン酸イオンまたはスルフォン酸塩を示す。
（２） 接着力の測定法 処理面同士を重ね合せわて、２枚のポリフェニレンス
ルフィドフィルムを220℃に加熱したロール間を１回通
過させて熱融着させる。ロール間は3Kg/cm2、ロール回
転速度は1m/分とした。
ルフィドフィルムを220℃に加熱したロール間を１回通
過させて熱融着させる。ロール間は3Kg/cm2、ロール回
転速度は1m/分とした。
次いで前記熱融着されたポリフェニレンスルフィドフ
ィルムをショッパ型引張試験機（大栄科学精器製作所
製）にセットして180度方向に引き剥がし、引き剥がす
のに要する力を読みとり、乾接着力とした。なお引き剥
がし速度は20cm/分とした。
ィルムをショッパ型引張試験機（大栄科学精器製作所
製）にセットして180度方向に引き剥がし、引き剥がす
のに要する力を読みとり、乾接着力とした。なお引き剥
がし速度は20cm/分とした。
また前記方法において引き剥がしを連続的に水を供給
しながら行ない、測定した接着力を湿接着力とした。
しながら行ない、測定した接着力を湿接着力とした。
（３） 空気成分含有量の測定 マスフィルター型質量分析計（日本真空技術製MSQ−1
50A）を用い、排気後および処理ガス導入後の処理装置
内のガススペクトルを測定した。このスペクトルから求
まる、H2O、N2およびO2の合計量を空気成分の量とし
た。
50A）を用い、排気後および処理ガス導入後の処理装置
内のガススペクトルを測定した。このスペクトルから求
まる、H2O、N2およびO2の合計量を空気成分の量とし
た。
実施例１ 図のプラズマ処理装置に、２軸延伸された厚さ38μｍ
のポリフェニレンスルフィドフィルム（東レ（株）製
“トレリナ”）をセットして処理した。
のポリフェニレンスルフィドフィルム（東レ（株）製
“トレリナ”）をセットして処理した。
電極に被覆する誘導体として厚さ1mmのガラスを使用
し、高圧印加電極とドラム状電極４との距離を1mmに設
定した。
し、高圧印加電極とドラム状電極４との距離を1mmに設
定した。
放電処理部９内を１×10-3Torrから４×10-3Torrの範
囲まで排気し、ガス導入系よりアルゴンガスを導入して
600Torrに保つ。この時の処理ガス中の空気成分の量は2
ppmから8ppmの範囲であった。
囲まで排気し、ガス導入系よりアルゴンガスを導入して
600Torrに保つ。この時の処理ガス中の空気成分の量は2
ppmから8ppmの範囲であった。
次いで高圧印加電極３とドラム状電極４の間に110KHz
の高周波を高電圧電源５より供給し、プラズマを発生さ
せる。投入電力は電源出力で1KWとした。
の高周波を高電圧電源５より供給し、プラズマを発生さ
せる。投入電力は電源出力で1KWとした。
発生させたプラズマ中を基体を7m/分の速度で通過さ
せて処理を行なった（処理電力密度240W・min/m2）。
せて処理を行なった（処理電力密度240W・min/m2）。
得られたポリフェニレンスルフィドフィルムの表面の
化学構造、乾接着力および湿接着力を測定し、結果を表
１に示した。
化学構造、乾接着力および湿接着力を測定し、結果を表
１に示した。
表１から明らかなごとく、本発明で規定した表面構造
を有する場合、極めて高い乾接着力を有するとともに、
湿接着力も乾接着力と同等以上に高いことがわかる。
を有する場合、極めて高い乾接着力を有するとともに、
湿接着力も乾接着力と同等以上に高いことがわかる。
比較例１、２、３ 放電処理部９内の排気を１×10-4以下としたことおよ
び導入ガスをアルゴン：窒素：酸素が97.5:2:0.5とした
以外は実施例１と同様にして表面処理したものを比較例
１とする。
び導入ガスをアルゴン：窒素：酸素が97.5:2:0.5とした
以外は実施例１と同様にして表面処理したものを比較例
１とする。
また放電処理部内の排気を２×10-3とした以外は比較
例１と同様にして処理した場合を比較例２とする。さら
に導入するガスをアルゴン：窒素：酸素が70:24:6の混
合ガスとした以外は比較例１と同様にして表面処理した
ものを比較例３とする。
例１と同様にして処理した場合を比較例２とする。さら
に導入するガスをアルゴン：窒素：酸素が70:24:6の混
合ガスとした以外は比較例１と同様にして表面処理した
ものを比較例３とする。
得られたポリフェニレンスルフィドフィルムの表面の
化学構造および特性の測定結果を表１に示す。
化学構造および特性の測定結果を表１に示す。
表１から明らかなごとく、比較例１、２のいずれの場
合も乾接着力は十分大きいものの湿接着力は殆どなかっ
た。また比較例３の場合は、乾接着力も低下し十分な接
着力は得られず実用性のないものであった。
合も乾接着力は十分大きいものの湿接着力は殆どなかっ
た。また比較例３の場合は、乾接着力も低下し十分な接
着力は得られず実用性のないものであった。
図は本発明で使用できるプラズマ処理装置の一例を示す
概略図である。 2:送り出しロール 3:高圧印加電極 4:ドラム状電極 4:高電圧電源
概略図である。 2:送り出しロール 3:高圧印加電極 4:ドラム状電極 4:高電圧電源
Claims (1)
- 【請求項１】表面において、全炭素原子に対する酸素原
子と結合した炭素原子の割合が、３％〜20％の範囲にあ
り、かつ全イオウ原子に対するスルフォン酸、スルフォ
ン酸イオンまたはスルフォン酸塩の状態で酸素原子と結
合したイオウ原子の割合が、0.3％以上３％未満の範囲
にあることを特徴とするポリフェニレンスルフィドフィ
ルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26242088A JP2611384B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | ポリフェニレンスルフィンドフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26242088A JP2611384B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | ポリフェニレンスルフィンドフィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107641A JPH02107641A (ja) | 1990-04-19 |
| JP2611384B2 true JP2611384B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=17375539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26242088A Expired - Lifetime JP2611384B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | ポリフェニレンスルフィンドフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611384B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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