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JP2668834B2 - Exposure equipment - Google Patents
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JP2668834B2 - Exposure equipment - Google Patents

Exposure equipment

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JP2668834B2 JP7804289A JP7804289A JP2668834B2 JP 2668834 B2 JP2668834 B2 JP 2668834B2 JP 7804289 A JP7804289 A JP 7804289A JP 7804289 A JP7804289 A JP 7804289A JP 2668834 B2 JP2668834 B2 JP 2668834B2
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えば、水晶振動子の製作等に使用され
る露光装置に係り、特に被露光物のアライメントの際に
必要な手段を施した露光装置に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an exposure apparatus used, for example, in the manufacture of a crystal oscillator, and in particular, has provided means necessary for alignment of an object to be exposed. The present invention relates to an exposure apparatus.

[従来の技術] 従来より、例えば、水晶振動子やプリント基板の製作
には、基板に液状レジスト,ドライフィルムレジスト等
の薄いフォトレジスト層を設け、転写すべきパターンが
描かれたフォトマスクを通して前記フォトレジストの感
光波長の光を露光する工程を経て、所望のパターンを前
記フォトレジスト層に設けている。
[Prior Art] Conventionally, for example, when manufacturing a crystal oscillator or a printed circuit board, a thin photoresist layer such as a liquid resist or a dry film resist is provided on the substrate, and the above-described method is performed through a photomask on which a pattern to be transferred is drawn. A desired pattern is provided on the photoresist layer through a step of exposing the photoresist to light having a photosensitive wavelength.

ところが最近、IC,LSI等と同じように、プリント基板
も組込まれる製品、装置の精密化に伴い、パターンの微
細化が要求されるようになってきている。
However, recently, as with ICs, LSIs, and the like, with the precision of products and devices in which a printed circuit board is incorporated, finer patterns have been required.

第2図は従来の露光装置の主要部の概略説明図で、1
は例えば水銀ランプ等の光源,12は光源1からの光を集
光する楕円集光鏡、13,15は平面反射鏡、14はインテグ
レータレンズ、16はコンデンサレンズで、楕円集光鏡1
2、平面反射鏡13,15、インデグレータレンズ14、コンデ
ンサレンズ16によって照明光学系を形成している。ま
た、2はパターンが描かれたマスク、3はマスク2のパ
ターンの像を被露光物上に結像される投影レンズ、4は
被露光物5をアライメントするために光路に設けられた
アライメント用光学系、5は被露光物(以下ワークとい
う)である。さらにまた、17は常時光路上に固定され、
露光波長(例えば436nm)の光を透過させ、前記露光波
長より短い波長の光をカットするシャープカットフィル
ム(以下、単にフィルタ17とする)、18はアライメント
用の波長(例えば546nm)の光を透過させ、それ以下の
露光波長等の光をカットするアライメント用のフィル
タ、18aはこのフィルタ18を光路上に設けたり、光路か
ら退避させたりするための駆動器である。また、6はア
ライメント用の波長を透過するモニタ用のフィルタであ
る。
FIG. 2 is a schematic explanatory view of a main part of a conventional exposure apparatus.
Is a light source such as a mercury lamp, 12 is an elliptical focusing mirror that collects the light from the light source 1, 13 and 15 are plane reflecting mirrors, 14 is an integrator lens, 16 is a condenser lens, and the elliptical focusing mirror 1
2. The illumination optical system is formed by the plane reflecting mirrors 13 and 15, the integrator lens 14, and the condenser lens 16. Reference numeral 2 denotes a mask on which a pattern is drawn. Reference numeral 3 denotes a projection lens that forms an image of the pattern of the mask 2 on an object to be exposed. Reference numeral 4 denotes an alignment path provided in an optical path for aligning the object to be exposed 5. The optical system 5 is an object to be exposed (hereinafter referred to as a work). Furthermore, 17 is always fixed on the optical path,
A sharp cut film (hereinafter simply referred to as a filter 17) that transmits light having an exposure wavelength (for example, 436 nm) and cuts light having a wavelength shorter than the exposure wavelength, and 18 transmits light for alignment wavelength (for example, 546 nm) An alignment filter 18a for cutting light having a wavelength equal to or shorter than the exposure wavelength, and a driver 18a for providing the filter 18 on the optical path or retracting the filter 18 from the optical path. Reference numeral 6 denotes a monitor filter that transmits a wavelength for alignment.

第4図は水銀ランプの分光特性と、レジストの分光感
度特性と、第1図におけるフィルタ17,18の透過特性を
示した図である。
FIG. 4 is a diagram showing the spectral characteristics of the mercury lamp, the spectral sensitivity characteristics of the resist, and the transmission characteristics of the filters 17 and 18 in FIG.

第4図から明らかなように、フィルタ17は露光波長で
ある436nmの波長以上の光を透過させ、それより短波長
の光を不要な光として除去するものである。従って、露
光時にはフィルタ17を光路上に設けることにより436nm
の波長の光を透過させ、それにより短波長であって、レ
ジストが感光する可能性のある405nm及びそれ以下の波
長の光を除去して、色収差によるボケを少なくしてい
る。
As is apparent from FIG. 4, the filter 17 transmits light having a wavelength of 436 nm which is the exposure wavelength or more, and removes light having a shorter wavelength than that as unnecessary light. Therefore, at the time of exposure, by providing the filter 17 on the optical path,
Of light having a wavelength of 405 nm or less, which is a short wavelength and may cause the resist to be exposed, to reduce blurring due to chromatic aberration.

また、フィルタ18は、ワーク5としてのレジストに感
度のない546nmの波長以上の光を透過させ、それより短
波長の光は透過させない。従って、マスク2とワーク5
とのアライメント時には、フィルタ18を光路上に設ける
ことにより、リジストが不必要に感光することがなくア
ライメントを行うことができる。
Further, the filter 18 transmits light having a wavelength of 546 nm or more, which is insensitive to the resist as the work 5, and does not transmit light having a shorter wavelength than that. Therefore, the mask 2 and the work 5
By providing the filter 18 on the optical path at the time of alignment with, the alignment can be performed without unnecessary exposure of the resist.

尚、投影レンズ3は、436nmの光と546nmの光の両方が
マスクの像をワークを置く位置である同一平面上に結像
するように色収差補正が施されている。
The projection lens 3 has been corrected for chromatic aberration so that both the light of 436 nm and the light of 546 nm form an image of the mask on the same plane where the work is placed.

そこで、アライメント時にフィルタ18を光路上に設け
た場合は、アライメント用の546nmの波長は透過する
が、それより短波長の光は透過しないので、レジストを
感光させることなくワークの位置合わせを行うことがで
きる。
Therefore, when the filter 18 is provided on the optical path during alignment, the wavelength of 546 nm for alignment is transmitted, but light of shorter wavelength is not transmitted, so the work must be aligned without exposing the resist. Can be.

また、露光時には、フィルタ18が存在すると露光波長
である436nmの波長の光を透過させないので、駆動器18a
を駆動することにより、フィルタ18を駆動させて、光路
外に退却させ、露光波長である436nmの波長の光を透過
させて露光している。
Further, at the time of exposure, the presence of the filter 18 does not allow light having a wavelength of 436 nm, which is the exposure wavelength, to pass therethrough.
To drive the filter 18 to retreat out of the optical path and to transmit light having a wavelength of 436 nm, which is an exposure wavelength, for exposure.

[発明が解決しようとする課題] 前述の通り、このような露光装置における投影レンズ
は436nmと546nmの両方の波長の光でマスクパターンをワ
ーク上に結像するように設計されている。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, the projection lens in such an exposure apparatus is designed so as to form an image of a mask pattern on a workpiece with light having wavelengths of 436 nm and 546 nm.

この場合、前述の通り露光時には、レジストの感度が
ある405nm,365nm等の露光波長より短波長の光はフィル
タで除去されているのでワーク上のレジストにぼけた像
を形成することはない。しかし、露光波長である、例え
ば436nmより長波長側の光に対してもレジストは感度を
有する。この波長の光は第4図中斜線で囲まれた部分で
あり、これらの光の色収差によってマスクパターンの像
がぼけてしまう。その結果、現像後に形成されるレジス
トのパターンがシャープに形成されなくて、ウエハにお
けるパターンの微細化ができないという問題がある。即
ち、解像度が3μmからさらに2μmもしくは1μmと
いう微細パターンの露光に際しては、露光波長以外の波
長の光は僅かな照度であってもフィルタで除去して、結
像のぼけをなくして精度を上げなければならないという
問題がある。
In this case, as described above, at the time of exposure, light having a sensitivity of the resist, which is shorter than the exposure wavelength such as 405 nm or 365 nm, is removed by the filter, so that a blurred image is not formed on the resist on the work. However, the resist is sensitive to light having a wavelength longer than the exposure wavelength, for example, 436 nm. Light of this wavelength is the portion surrounded by the diagonal lines in FIG. 4, and the image of the mask pattern is blurred due to the chromatic aberration of these lights. As a result, there is a problem that the pattern of the resist formed after the development is not sharply formed and the pattern on the wafer cannot be miniaturized. That is, when exposing a fine pattern having a resolution of 3 μm to 2 μm or 1 μm, light having a wavelength other than the exposure wavelength should be filtered out even with a slight illuminance to eliminate blurring of image formation and improve accuracy. There is a problem that must be.

この発明はかかる従来の課題を解決すためになされた
もので、レジスト等のワークが感光する光によって形成
される像がずれたり、ぼけたりすることのない露光装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus in which an image formed by light, such as a resist, formed by a photosensitive work is not shifted or blurred. .

[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、この発明の露光装置
は、露光波長の光を透過させ前記露光波長より短い波長
の光をカットするフィルタを光路上に常設し、前記フィ
ルタよりも後段の光路上に、露光波長の光を透過させる
バンドパスフィルタと、前記露光波長の光を透過させず
アライメント用の波長の光を透過させるフィルタとを、
交互に切換え可能に具備したものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the exposure apparatus of the present invention is provided with a filter on the optical path that transmits light having an exposure wavelength and cuts light having a wavelength shorter than the exposure wavelength. , On the optical path subsequent to the filter, a bandpass filter that transmits light of an exposure wavelength, and a filter that transmits light of a wavelength for alignment without transmitting light of the exposure wavelength,
It is provided so that it can be switched alternately.

[作用] 上記の構成を有することにより、露光時には露光波長
以外の光は殆ど除去されるので、解像度は上がり、露光
するパターンの微細化が可能になる。
[Operation] With the above configuration, most of the light other than the exposure wavelength is removed at the time of exposure, so the resolution is improved and the pattern to be exposed can be miniaturized.

[実施例] 第1図はこの発明の一実施例である露光装置の概略構
成を説明するための図である。第1図において、19は露
光波長としての436nmの波長を中心とする光のみを透過
させるバンドパスフィルタ(以下B.P.Fという)で、19a
はこのB.P.F19を光路上に設けたり、光路から取り去る
ための駆動器であり、ロータリソレノイド、直流モー
タ,エアシリンダまたはロータリアクチュエータ、その
他フィルタを移動する機構ならばどのような手段でもか
まわない。また、第2図と同一符号は同一、または相当
部分を示すので説明は省略する。
[Embodiment] FIG. 1 is a diagram for explaining a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 19 is a bandpass filter (hereinafter referred to as BPF) that transmits only light having a wavelength of 436 nm as an exposure wavelength.
Is a driver for providing the BPF 19 on the optical path or removing the BPF 19 from the optical path, and may be a rotary solenoid, a DC motor, an air cylinder or a rotary actuator, or any other means for moving the filter. Further, the same reference numerals as those in FIG.

さらに、第3図は光源である水ランプの分光特性とB.
P.F19の透過率とを示す図である。
FIG. 3 shows the spectral characteristics of a water lamp as a light source and B.
FIG. 9 is a diagram showing the transmittance of P.F19.

第1図の装置において、フィルタ17が光路上にあるの
で、B.P.F19及びフィルタ18が光源1からの遠紫外線に
より劣化することが防止できる。
In the apparatus of FIG. 1, since the filter 17 is on the optical path, it is possible to prevent the BPF 19 and the filter 18 from being deteriorated by the far ultraviolet rays from the light source 1.

第1図の装置において、マスク2に対してワーク5の
アライメント時は、光路上にB.P.F19があると、露光波
長としての436nm以外の波長の光は殆ど除去されてしま
い、アライメントに必要な546nmの波長の光は殆ど透過
されず、アライメントができなくなるので、駆動器19a
によってB.P.F19を光路から退却させ、かわりに光路上
にフィルタ18を挿入させる。それによって、マスク2の
パターンをワーク5上にアライメントするために必要な
波長546nmの光で結像させる。また、500nm以下のレジス
トに感度のある短波長の光はフィルタ18によって除去す
る。そのためレジストを露光することなく、アライメン
トの動作を有効に行うことができる。
In the apparatus shown in FIG. 1, when the work 5 is aligned with the mask 2, if the BPF 19 is on the optical path, most of the light with a wavelength other than 436 nm as the exposure wavelength is removed, and the 546 nm wavelength required for alignment is reduced. Since light of the wavelength is hardly transmitted and alignment cannot be performed, the driving device 19a
Causes the BPF 19 to retreat from the optical path and instead insert the filter 18 in the optical path. Thereby, an image is formed with light having a wavelength of 546 nm necessary for aligning the pattern of the mask 2 on the work 5. Further, light having a short wavelength sensitive to the resist having a wavelength of 500 nm or less is removed by the filter 18. Therefore, the alignment operation can be effectively performed without exposing the resist.

また、ワーク5の露光時は、B.P.F19を光路上に挿入
し、フィルタ18を駆動器18aによって退却させる。それ
によって、露光波長の436nmの狭帯域の光のみがワーク
5上のレジストの照射される。そのため、436nm付近以
外の波長による色収差による像のぼけもなく、現像後、
鮮明なレジストパターンが形成され、回路パターンの微
細化を可能にする。
When the work 5 is exposed, the BPF 19 is inserted in the optical path and the filter 18 is retracted by the driver 18a. As a result, the resist on the work 5 is irradiated with only light in a narrow band having an exposure wavelength of 436 nm. Therefore, after development, there is no blurring of the image due to chromatic aberration due to wavelengths other than around 436 nm.
A clear resist pattern is formed, and the circuit pattern can be miniaturized.

尚、フィルタ18とB.P.F19を光路上に設置したり、退
却させたりする移動機構には次のような各手段がある。
即ち、2枚のシャッタ羽根の1枚をフィルタ18で構成
し、他の1枚をB.P.F19で構成して、アライメント時
と、露光時とのそれぞれに前記シャッタ羽根の1枚が光
路上にあるとき他の1枚は退却し、また、他の1枚が光
路上にあるときは先の1枚は退却するというように、い
ずれか1枚が光路上に配置されるよう前述のモータ等に
より移動させる手段と、1枚のシャッタ羽根の左右両
端にフィルタ18とB.P.F19を取り付け、フィルタ18とB.
P.F19のいずれか一方が光路上にあるときは他方が退去
するような構成にして、このシャッタ羽根を前述のモー
タ等により回転駆動させる等種々の手段がある。
The moving mechanism for installing the filter 18 and the BPF 19 on the optical path or retracting the filter 18 has the following means.
That is, when one of the two shutter blades is constituted by the filter 18 and the other is constituted by the BPF 19, one of the shutter blades is on the optical path at the time of alignment and at the time of exposure, respectively. The other one retreats, and when the other one is on the optical path, the other one retreats, so that any one is moved by the motor etc. so that it is placed on the optical path. And a filter 18 and a BPF 19 are attached to the left and right ends of one shutter blade.
There are various means such as a configuration in which when one of P.F19 is on the optical path, the other moves away, and this shutter blade is rotationally driven by the above-mentioned motor or the like.

この実施例では上記いずれの手段を用いることも可能
である。
In this embodiment, any of the above means can be used.

また、前述の如く、フィルタ17がアライメント時及び
露光時に関係なく、露光上に固定して設けてあるので、
光路上において、フィルタ17より後段に設けられるB.P.
F19及びフィルタ18を遠紫外線による損傷から防止する
ことができるという利点がある。
Further, as described above, since the filter 17 is fixedly provided on the exposure regardless of the alignment and the exposure,
On the optical path, a BP provided after the filter 17
There is an advantage that the F19 and the filter 18 can be prevented from being damaged by far ultraviolet rays.

[発明の効果] 以上説明したとおり、この発明の露光装置は露光波長
の光を透過させるバンドパスフィルタと、前記露光波長
の光を透過させずアライメント用の波長の光を透過させ
るフィルタとを、光路上に交互に切換え可能に具備した
ので、装置の解像度が上昇し、パターンの微細加工がで
きる。さらに、露光波長の光を透過させ、前記露光波長
より短い波長の光をカットするフィルタが光路上に常設
されているので、前記バンドパスフィルタと前記露光波
長の光を透過させずアライメント用の波長の光を透過さ
せるフィルタとが遠紫外線により損傷されない。
[Advantages of the Invention] As described above, the exposure apparatus of the present invention includes a bandpass filter that transmits light having an exposure wavelength and a filter that transmits light having a wavelength for alignment without transmitting light having the exposure wavelength. Since it is provided so that it can be switched alternately on the optical path, the resolution of the device is increased and fine processing of the pattern is possible. Furthermore, since a filter that transmits light having an exposure wavelength and cuts light having a wavelength shorter than the exposure wavelength is permanently provided on the optical path, the bandpass filter and the wavelength for alignment that does not transmit the light having the exposure wavelength are transmitted. The filter that transmits the light is not damaged by the far ultraviolet light.

また、アライメント時には、B.P.Fは光路上から退避
しているので、アライメントに支障をきたすことがな
く、構造上従来の装置と比較して大きな変更を要しない
ので改良コストは安い。
Also, at the time of alignment, the BPF is retracted from the optical path, so that it does not hinder the alignment, and does not require a large change in structure in comparison with the conventional apparatus, so that the improvement cost is low.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はこの発明の一実施例である露光装置の概略構成
を説明するための図、第2図は従来の露光装置の主要部
の概略説明図、第3図は光源である水銀ランプの分光特
性とB.P.Fの透過率とを示す図、第4図は光源である水
銀ランプの分光特性とレジストの感度特性及び各フィル
タの透過率を示す図である。 図中. 1:光源 2:マスク 3:投影レンズ 4:アライメント用光学系 5:ワーク 12:楕円集光鏡 13,15:平面反射鏡 14:インテグレータレンズ 16:コンデンサレンズ 17,18:フィルタ 18a,19a:駆動器 19:B.P.F
FIG. 1 is a diagram for explaining a schematic configuration of an exposure apparatus which is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic explanatory view of a main part of a conventional exposure apparatus, and FIG. 3 is a diagram of a mercury lamp which is a light source. FIG. 4 is a diagram showing the spectral characteristics and the transmittance of the BPF, and FIG. 4 is a diagram showing the spectral characteristics of the mercury lamp as the light source, the sensitivity characteristics of the resist, and the transmittance of each filter. In the figure. 1: Light source 2: Mask 3: Projection lens 4: Alignment optical system 5: Workpiece 12: Elliptical condensing mirror 13, 15: Planar reflecting mirror 14: Integrator lens 16: Condenser lens 17, 18: Filter 18a, 19a: Drive Vessel 19: BPF

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】光源と、照明光学系と、マスクと、投影レ
ンズとを有する露光装置において、露光波長の光を透過
させ前記露光波長より短い波長の光をカットするフィル
タを光路上に常設し、前記フィルタよりも後段の光路上
に、露光波長の光を透過させるバンドパスフィルタと、
前記露光波長の光を透過させずアライメント用の波長の
光を透過させるフィルタとを、交互に切換え可能に具備
したことを特徴とする露光装置。
In an exposure apparatus having a light source, an illumination optical system, a mask, and a projection lens, a filter for transmitting light having an exposure wavelength and cutting light having a wavelength shorter than the exposure wavelength is provided on an optical path. A bandpass filter that transmits light having an exposure wavelength on an optical path subsequent to the filter,
An exposure apparatus comprising: a filter that does not transmit light having the exposure wavelength but transmits light having a wavelength for alignment, which is alternately switchable.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5372901A (en) * 1992-08-05 1994-12-13 Micron Technology, Inc. Removable bandpass filter for microlithographic aligners
JP2004358854A (en) * 2003-06-06 2004-12-24 Process Lab Micron:Kk Manufacturing method for metal mask, metal mask and metal mask printing form plate
JP5145530B2 (en) * 2005-10-07 2013-02-20 株式会社ブイ・テクノロジー Photomask and exposure method using the same
JP6951926B2 (en) * 2017-06-06 2021-10-20 株式会社オーク製作所 Exposure device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57164528A (en) * 1981-04-03 1982-10-09 Oki Electric Ind Co Ltd Wafer alignment device
JPS61156736A (en) * 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc exposure equipment

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