Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP2676444B2 - Bonding equipment - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP2676444B2 - Bonding equipment - Google Patents

Bonding equipment

Info

Publication number
JP2676444B2
JP2676444B2 JP3273543A JP27354391A JP2676444B2 JP 2676444 B2 JP2676444 B2 JP 2676444B2 JP 3273543 A JP3273543 A JP 3273543A JP 27354391 A JP27354391 A JP 27354391A JP 2676444 B2 JP2676444 B2 JP 2676444B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
frame
island
suction
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3273543A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0590356A (en
Inventor
秀明 三好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Corp
Original Assignee
Kaijo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaijo Corp filed Critical Kaijo Corp
Priority to JP3273543A priority Critical patent/JP2676444B2/en
Publication of JPH0590356A publication Critical patent/JPH0590356A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2676444B2 publication Critical patent/JP2676444B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07178Means for aligning
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07502Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/932Plan-view shape, i.e. in top view
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体部品としてのI
Cチップ上のパッド(電極)とリードとのワイヤによる
接続若しくは該ICチップをリードフレームのアイラン
ド上に装着するボンディング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor component
The present invention relates to a bonding device for connecting a pad (electrode) on a C chip to a lead by a wire or mounting the IC chip on an island of a lead frame.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のボンディング装置として
は図3に示すようなものがある。この装置は、例えばI
Cチップ上のパッドとリードフレームに配設されたリー
ドとのボンディング接続を行うには、ボンディングツー
ルによりワイヤを保持し、ボール状に溶融形成された該
ワイヤの先端部を接続対象物である該パッドに加熱圧着
した後、次のボンディング点となるリードに順次加熱圧
着させてボンディング接続を行う。この時、ボンディン
グツールに超音波振動が印加されてボンディング接続さ
れる場合がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a bonding apparatus of this type is shown in FIG. This device is, for example, I
In order to perform the bonding connection between the pad on the C chip and the lead arranged on the lead frame, the wire is held by the bonding tool, and the tip end of the wire melt-formed in a ball shape is the object to be connected. After thermocompression bonding to the pad, the leads to be the next bonding point are sequentially thermocompression bonded to perform bonding connection. At this time, ultrasonic vibration may be applied to the bonding tool to perform bonding connection.

【0003】図3に示すように、超音波振動子50が、
フレーム51上にブラケット51a及び支持シャフト5
2を介して揺動可能に支持されている。この超音波振動
子50の一端には、先端にボンディングツールとしての
キャピラリ53が設けられて該超音波振動子と共に超音
波振動を増幅して加振する手段としてのホーン54が取
り付けられている。超音波振動子50の他端には、先端
部にローラ56が設けられたレバー57が固着されてい
る。そして、ローラ56に対応してカム58が設けられ
ておりレバー57は、ローラ56がカム58と接触する
ように、コイルスプリング59によって図における反時
計方向に付勢されている。
As shown in FIG. 3, the ultrasonic transducer 50 is
The bracket 51a and the support shaft 5 on the frame 51
It is swingably supported via 2. A capillary 53 as a bonding tool is provided at the tip of one end of the ultrasonic oscillator 50, and a horn 54 as a means for amplifying and exciting the ultrasonic vibration together with the ultrasonic oscillator is attached. At the other end of the ultrasonic transducer 50, a lever 57 having a roller 56 at its tip is fixed. A cam 58 is provided corresponding to the roller 56, and the lever 57 is biased counterclockwise in the drawing by a coil spring 59 so that the roller 56 contacts the cam 58.

【0004】超音波振動子50の上方にはワイヤ60が
巻装されたリール61が配置されており、また、前方に
はリール61から供給されるワイヤを把持するクランパ
62が設けられている。なお、キャピラリ53の近傍に
は、ワイヤ60の先端部を溶融させてボール状に形成す
るためのトーチ63が配設されており、かつ、鉛直軸6
4を中心として回動可能に構成されている。また、キャ
ピラリ53の上方にはカメラ等からなる位置検出装置6
5が設けられており、この位置検出装置65によって、
ボンディング対象物であるICチップ67の基準位置と
のずれ量を算出して正規のボンディング点を求める。そ
して、この求められた値に基づき位置決め手段としての
図示せぬXYテーブルを移動させてボンディングを行
う。
A reel 61 around which a wire 60 is wound is arranged above the ultrasonic transducer 50, and a clamper 62 for holding the wire supplied from the reel 61 is provided in the front. A torch 63 for melting the tip portion of the wire 60 to form a ball shape is provided near the capillary 53, and the vertical shaft 6 is provided.
It is configured to be rotatable around 4. Further, above the capillary 53, a position detection device 6 including a camera or the like is provided.
5 is provided, and by this position detection device 65,
The deviation amount from the reference position of the IC chip 67, which is the object to be bonded, is calculated to obtain a normal bonding point. Then, based on the obtained value, an XY table (not shown) as a positioning means is moved to perform bonding.

【0005】なお、超音波振動子50及びホーン54
は、レバー57と共にボンディングアームを構成し、該
ボンディングアームと、ローラ56と、カム58と、該
カム58にトルクを付与するトルク付与手段(図示せ
ず)とにより、キャピラリ53をボンディングステージ
69に対して接離させる接離手段が構成される。また、
この接離手段と、前述した位置決め手段としてのXYテ
ーブルとを接離位置決め手段と総称する。
The ultrasonic transducer 50 and the horn 54
Constitutes a bonding arm together with the lever 57, and the capillary 53 is attached to the bonding stage 69 by the bonding arm, the roller 56, the cam 58, and torque applying means (not shown) for applying torque to the cam 58. A contacting / separating means for contacting / separating from each other is configured. Also,
The contacting / separating means and the XY table as the positioning means described above are collectively referred to as the contacting / separating positioning means.

【0006】上記構成よりなる装置によりボンディング
作業を行う場合、図示せぬトルク付与手段としてのパル
スモータなどによりカム58にトルクを付与して回転駆
動させることによってカム58の形状に応じてキャピラ
リ53を昇降させてボンディング接続を行う。また、ボ
ンディング時、キャピラリ53には超音波振動が印加さ
れると共にボンディングステージ69は図示しないヒー
トブロックにより加熱されている。なお、ボンディング
作業中になされるワイヤ先端部におけるボールの形成、
ワイヤの切断等の種々の細かな作業については例えば実
公昭63−48123号公報などにおいて開示されてい
るので、ここではその説明を省略する。
When a bonding operation is performed by the device having the above-described structure, a torque is applied to the cam 58 by a pulse motor or the like (not shown) as torque applying means to drive the cam 58 in rotation, so that the capillary 53 is moved in accordance with the shape of the cam 58. Raise and lower to make bonding connection. At the time of bonding, ultrasonic vibration is applied to the capillary 53 and the bonding stage 69 is heated by a heat block (not shown). In addition, the formation of balls at the tip of the wire during the bonding operation,
Since various detailed operations such as cutting of wires are disclosed in, for example, Japanese Utility Model Publication No. 63-48123, the description thereof will be omitted here.

【0007】上記ボンディング作業中、リードフレーム
68はボンディングステージ69上に位置決め固定され
ているが、この位置決め固定のための構成を図4及び図
5に示す。なお、図5は、図4に関するB−B断面を示
すものである。
While the lead frame 68 is positioned and fixed on the bonding stage 69 during the above bonding work, the structure for this positioning and fixing is shown in FIGS. 4 and 5. Note that FIG. 5 shows a cross section taken along the line BB in FIG.

【0008】図4及び図5に示すように、ボンディング
ステージ69の担持面には、その中央部に1つの吸着孔
69aが形成され、また、この吸着孔69aを中心とし
て他の4つの吸着孔69bが分散して形成されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, one suction hole 69a is formed in the center of the carrying surface of the bonding stage 69, and the other four suction holes are centered around this suction hole 69a. 69b are formed dispersedly.

【0009】リードフレーム68は、多数のリード68
aと、各リードに囲まれるように位置し、かつICチッ
プ67が装着されている略矩形状のアイランド68bと
を備えており、4つの吸着孔69bは該アイランドの四
隅に対応して配設されている。そして、図5から明らか
なように、各吸着孔69a及び69bはボンディングス
テージ69の内部にて互いに連通されて一本にまとめら
れ、下面に開口している。この下面の開口を通じて図示
しない吸着手段による真空吸着が行なわれ、リードフレ
ーム68が吸着されて固定状態となる。なお、図4及び
図5に示すように、ICチップ67の周縁部には、リー
ドフレーム68のリード68aとワイヤ60により接続
されるべき多数のパッド67aが配列されている。ま
た、上述のようにボンディングステージ69に5つ設け
られた各吸着孔のうち中央に位置する吸着孔69aは、
外形が約2mm程度のICチップが装着されたリードフ
レームの吸着をなす際に用いられ、これより大径のIC
チップが装着されたリードフレームを吸着する場合はこ
の吸着孔69aに加え他の4つの吸着孔69bが併用さ
れる。
The lead frame 68 has a large number of leads 68.
a and a substantially rectangular island 68b which is located so as to be surrounded by each lead and to which the IC chip 67 is mounted. The four suction holes 69b are provided corresponding to the four corners of the island. Has been done. As is clear from FIG. 5, the suction holes 69a and 69b are communicated with each other inside the bonding stage 69 and are integrated into a single hole, which is opened on the lower surface. Vacuum suction is performed by suction means (not shown) through the opening on the lower surface, and the lead frame 68 is suctioned and fixed. As shown in FIGS. 4 and 5, a large number of pads 67a to be connected to the leads 68a of the lead frame 68 and the wires 60 are arranged on the peripheral portion of the IC chip 67. Further, among the five suction holes provided on the bonding stage 69 as described above, the suction hole 69a located at the center is
Used when adsorbing a lead frame on which an IC chip with an outer diameter of about 2 mm is mounted.
When adsorbing the lead frame on which the chip is mounted, in addition to the suction holes 69a, the other four suction holes 69b are used together.

【0010】前述したように、上記ボンディング装置に
おいては、ICチップ67のパッド67aとリードフレ
ーム68のリード68aとの接続を行う際、ボンディン
グステージ69の加熱と共に、キャピラリ53に対して
ホーン54(図3に図示)を通じ超音波振動が印加され
る。図6の矢印で示すように、この振動エネルギはIC
チップ67、アイランド68b及びボンディングステー
ジ69の各部材間を伝達又は反射しながらワイヤ60の
先端のボールに付与される。
As described above, in the above bonding apparatus, when the pad 67a of the IC chip 67 and the lead 68a of the lead frame 68 are connected, the bonding stage 69 is heated and the horn 54 (see FIG. Ultrasonic vibrations are applied through (shown in FIG. 3). As indicated by the arrow in FIG. 6, this vibration energy is IC
It is applied to the ball at the tip of the wire 60 while transmitting or reflecting between the respective members of the chip 67, the island 68b and the bonding stage 69.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置においては、図6に示すように接続作業時におい
て、接続対象物としてのICチップ67の被接続部位で
あるパッド67aの直下に吸着孔69b(あるいは吸着
孔69a)が位置している場合には、キャピラリ53よ
り加えられる振動エネルギの伝達及び反射状態に異常を
きたし、ワイヤ先端部に形成されたボールのパッド67
aへの圧着面積が他の被接続部位であるパッド67aに
比して大若しくは小となり過ぎるなど、正常な接続がな
されないという欠点がある。
However, in the conventional device, as shown in FIG. 6, at the time of connection work, the suction hole 69b is provided directly below the pad 67a which is the connection site of the IC chip 67 as the connection object. When (or the suction hole 69a) is located, the vibration energy applied from the capillary 53 is abnormally transmitted and reflected, and the ball pad 67 formed at the tip of the wire.
There is a drawback that a normal connection cannot be made, for example, the area to be crimped to a is too large or too small as compared with the pad 67a which is another connected portion.

【0012】そこで、本発明は上記従来技術の欠点に鑑
みてなされたもので、常に安定した接続状態を維持する
ことができるボンディング装置を提供することを目的と
する。
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to provide a bonding apparatus capable of always maintaining a stable connection state.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】 本発明は、フレームが載
置されるボンディングステージと、半導体部品若しくは
ワイヤを保持してこれを接続対象物に対して圧接させる
ためのボンディングツールと、前記ボンディングツール
を加振する加振手段とを含み、前記ボンディングステー
ジのフレーム担持面に前記フレームを吸着するための吸
着孔が形成され前記フレームを前記ボンディングステー
ジ上に吸着状態にして前記加振手段を作動させつつ前記
フレームに形成されたアイランドに対する前記半導体部
品の接合若しくは該アイランド上に装着された前記半導
体部品上の電極と該フレームに前記アイランドと一体的
配設されたリードとのワイヤによる接続を行うボンデ
ィング装置において、前記吸着孔が前記アイランドに対
応する範囲内のみで前記半導体部品の電極に対応する部
分以外の部分に配設され、フレームを吸着するように
成されたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a bonding stage on which a frame is mounted, a bonding tool for holding a semiconductor component or wire and pressing it against an object to be connected, and the bonding tool. And a vibrating means for vibrating the bonding stage, and a suction hole for adsorbing the frame is formed on a frame carrying surface of the bonding stage, and the vibrating means is operated by placing the frame on the bonding stage in a suction state. While joining the semiconductor component to the island formed in the frame or the electrode on the semiconductor component mounted on the island and the island in the frame
In a bonding apparatus for connecting a lead to a wire by means of a wire, the suction holes are arranged only in a region corresponding to the island, except for a portion corresponding to the electrode of the semiconductor component, and the frame is sucked. It is configured to do .

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明に係るワイヤボンディング装置
の実施例について図面を参照しつつ説明する。なお、こ
のワイヤボンディング装置は、以下に説明する部分以外
は図3乃至図6に示す従来の装置とほぼ同様の構成及び
機能を有するので、装置全体としての説明は省略する。
Embodiments of the wire bonding apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The wire bonding apparatus has almost the same configuration and function as the conventional apparatus shown in FIGS. 3 to 6 except for the portions described below, and therefore the description of the entire apparatus will be omitted.

【0015】図1及び図2に示すように、本発明に係る
ワイヤボンディング装置においては、ボンディングステ
ージ1のフレーム担持面に形成されてリードフレーム6
8を吸着するための吸着孔1aが略矩形環状の溝で形成
されている。この吸着孔1aは、連通孔1bを介してボ
ンディングステージ1の下面に開口しており、該下面開
口を通じて図示しない吸着手段による真空吸着が行なわ
れ、リードフレーム68の吸着がなされる。この吸着孔
1aは、ボンディングステージ1のフレーム担持面のう
ち、接続対象物であるリードフレーム68及びICチッ
プ67の各々の被接続部位、すなわちパッド67a及び
リード68aに対応する部分以外の部分に配設されてい
る。この場合、吸着孔1aは、パッド67aに対応する
部分の内側に略正方形形状で幅約1mm〜2mm程度の
溝が設けられている。この吸着孔の溝幅は、適宜可変し
てもよい。吸着孔1aをこのようにパッド67aよりも
内側に配設することによって有効に吸着することができ
る。但し、アイランド68bの外形寸法をICチップ6
7の外形寸法よりもかなり大きくとる場合には、吸着孔
1aをパッド67aよりも外側に配設してもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, in the wire bonding apparatus according to the present invention, the lead frame 6 is formed on the frame carrying surface of the bonding stage 1.
The suction hole 1a for sucking 8 is formed by a substantially rectangular annular groove. The suction hole 1a is opened to the lower surface of the bonding stage 1 through the communication hole 1b, and vacuum suction is performed by a suction means (not shown) through the lower surface opening to suck the lead frame 68. The suction holes 1a are arranged on the frame-carrying surface of the bonding stage 1 on the connection target parts of the lead frame 68 and the IC chip 67, which are the connection objects, that is, the parts other than the parts corresponding to the pads 67a and the leads 68a. It is set up. In this case, the suction hole 1a is provided with a groove having a substantially square shape and a width of about 1 mm to 2 mm inside the portion corresponding to the pad 67a. The groove width of the suction holes may be appropriately changed. By arranging the suction holes 1a inside the pad 67a in this way, it is possible to effectively suck the suction holes. However, the external dimensions of the island 68b are set to the IC chip 6
When it is taken to be considerably larger than the outer dimension of No. 7, the suction holes 1a may be arranged outside the pad 67a.

【0016】なお、吸着孔1aを上記の如く略矩形環状
の溝として形成することにより、キャピラリ53(図3
に示している)に印加される振動エネルギの伝達、反射
の状態が、該環状溝に沿うが如く配列された各パッド6
7aに関して均一化されて伝達される。
By forming the suction hole 1a as a substantially rectangular annular groove as described above, the capillary 53 (see FIG. 3) is formed.
The state of transmission and reflection of vibration energy applied to each pad 6 is arranged so as to be along the annular groove.
7a is homogenized and transmitted.

【0017】上述のように、接続対象物の被接続部位の
直下には吸着孔1aが位置しないように構成しているた
め、キャピラリを経て加えられる振動エネルギは分散す
ることなく正常に伝達及び反射を行い、常に安定した接
続状態を維持することができる。特に、該吸着孔1a
を、リードフレーム68に形成されたアイランド68b
に対応する範囲内のみでICチップ67のパッド67a
に対応する部分以外の部分に配設することとすれば、次
の効果が奏される。つまり、吸着孔1a、1bはアイラ
ンド68bに対応する比較的狭い範囲内にのみ形成され
るので、加工規模が小さく、高精度に、しかも低廉かつ
容易に形成することができる。加えて、ICチップ67
のパッド67aと接続されるリード68aの固定に関し
ては、該リードはアイランド68bと一体であるから該
アイランドを吸着・固定することで足りる。それ故に前
記の効果がより有効に奏される。また、前記吸着孔はア
イランドによって閉ざされるから大気を取り込むことな
く確実な吸着がなされる。更に、リードフレームの品種
交換の影響がほとんどないアイランドのみに対応して吸
着孔を設けたので品種交換に如何様にも対応することが
できる。
As described above, since the suction hole 1a is not located immediately below the connected portion of the object to be connected, the vibration energy applied through the capillary is normally transmitted and reflected without being dispersed. It is possible to always maintain a stable connection state. In particular, the adsorption hole 1a
The island 68b formed on the lead frame 68.
Pad 67a of the IC chip 67 only within the range corresponding to
If it is arranged in a portion other than the portion corresponding to, the following effects can be obtained. That is, since the suction holes 1a and 1b are formed only within a relatively narrow range corresponding to the island 68b, the processing scale is small, and the suction holes 1a and 1b can be formed with high precision, at low cost, and easily. In addition, IC chip 67
For fixing the lead 68a connected to the pad 67a, the lead is integral with the island 68b, so that it is sufficient to adsorb and fix the island. Therefore before
The effects described above are more effectively achieved. Further, the suction holes are
It ’s closed by Iland, so do n’t take in the atmosphere.
Secure adsorption. Furthermore, the type of lead frame
Suction only for islands that are not affected by replacement
Since the holes are provided, it is possible to deal with any kind of product exchange.
it can.

【0018】なお、上記ワイヤボンディング装置は、リ
ードフレーム68に配設されたリード68aとICチッ
プ67上のパッド67aとの間にワイヤ60を掛け渡し
て接続するものであるが、ICチップ自体をリードフレ
ーム68のアイランド68b上に装着されるペレットボ
ンディング装置(図示せず)のステージ側でかつ該チッ
プが外れた位置に上記吸着孔による吸着構造を採用して
も、上記ワイヤボンディング装置と同様の効果が奏され
る。但し、このペレットボンディング装置の詳細は、例
えば特公平2−51258号公報にその要部が示されて
いる故、ここでは説明しない。
In the wire bonding apparatus, the wire 60 is connected between the lead 68a provided on the lead frame 68 and the pad 67a on the IC chip 67 to connect the IC chip itself. Even if the suction structure with the suction holes is adopted at the stage side of the pellet bonding device (not shown) mounted on the island 68b of the lead frame 68 and at the position where the chip is removed, the same structure as that of the wire bonding device is obtained. The effect is played. However, the details of this pellet bonding apparatus will not be described here, for example, because the main part thereof is disclosed in Japanese Patent Publication No. 2-51258.

【0019】また、本実施例においては、吸着孔1aの
形態が略矩形環状の溝である場合を示しているが、例え
ば図4及び図5に示すような1本または複数本の孔によ
り該吸着孔を形成するなど、吸着孔としては他の種々の
形態を採用し得ることは言及するまでもない。
Further, in the present embodiment, the case where the suction hole 1a is a substantially rectangular annular groove is shown, but the suction hole 1a may be formed by one or a plurality of holes as shown in FIGS. 4 and 5, for example. It goes without saying that various other forms can be adopted as the adsorption holes, such as forming the adsorption holes.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接続対象物の被接続部位の直下に吸着孔が位置すること
がないので、ボンディングツールを経て加えられる振動
エネルギは分散することなく正常に伝達及び反射をな
し、常に安定した接続状態を得ることができる。特に、
吸着孔を、フレームに形成されたアイランドに対応する
範囲内のみで半導体部品の電極に対応する部分以外の部
分に配設することで、次の効果が奏される。すなわち、
吸着孔はアイランドに対応する比較的狭い範囲内にのみ
形成されるので、加工規模が小さく、高精度に、しかも
低廉かつ容易に形成することができる。なお、半導体部
品の電極と接続されるリードの固定に関しては、該リー
ドはアイランドと一体であるから該アイランドを吸着・
固定することで足りる。それ故に前記の効果がより有効
に奏される。 また、前記吸着孔はアイランドによって閉
ざされるから大気を取り込むことなく確実な吸着がなさ
れる。更に、フレームの品種交換の影響がほとんどない
アイランドのみに対応して吸着孔を設けたので品種交換
に如何様にも対応することができる。
As described above, according to the present invention,
Since the suction hole is not located directly below the connected part of the connection object, the vibration energy applied through the bonding tool is transmitted and reflected normally without being dispersed, and a stable connection state can always be obtained. it can. Especially,
By disposing the suction holes only in the area corresponding to the island formed in the frame, in a portion other than the portion corresponding to the electrode of the semiconductor component, the following effects are achieved. That is,
Since the suction holes are formed only within a relatively narrow area corresponding to the island, the processing scale is small, and the suction holes can be formed with high precision, at low cost, and easily. Regarding the fixing of the lead connected to the electrode of the semiconductor component, since the lead is integral with the island, the island is attracted or absorbed.
It is enough to fix it. Therefore the above effects are more effective
Played by. Also, the adsorption holes are closed by islands.
Since it is exposed to the air
It is. Furthermore, there is almost no effect of changing the frame type.
Since the suction holes are provided only for the island, the product type can be changed.
You can deal with anything.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明に係るワイヤボンディング装置
の要部であるボンディングステージとこれに担持された
リードフレームとの一部の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a part of a bonding stage, which is a main part of a wire bonding apparatus according to the present invention, and a lead frame carried by the bonding stage.

【図2】図2は、図1に関するA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1;

【図3】図3は、従来のボンディング装置の側面図であ
る。
FIG. 3 is a side view of a conventional bonding apparatus.

【図4】図4は、図3に示すボンディング装置が具備す
るボンディングステージとこれに担持されたリードフレ
ームとの一部の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a part of a bonding stage included in the bonding apparatus shown in FIG. 3 and a lead frame carried by the bonding stage.

【図5】図5は、図4に関するB−B断面図である。5 is a sectional view taken along line BB in FIG.

【図6】図6は、図3乃至図5に示すボンディング装置
の一部の接続作業状態における縦断面図である。
FIG. 6 is a vertical cross-sectional view of a part of the bonding apparatus shown in FIGS. 3 to 5 in a connecting work state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ボンディングステージ 1a 吸着孔 50 超音波振動子 54 ホーン 57 キャピラリ(ボンディングツール) 60 ワイヤ 67 ICチップ 67a パッド 68 リードフレーム 68a リード 1 Bonding Stage 1a Suction Hole 50 Ultrasonic Transducer 54 Horn 57 Capillary (bonding tool) 60 Wire 67 IC Chip 67a Pad 68 Lead Frame 68a Lead

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 フレームが載置されるボンディングステ
ージと、 半導体部品若しくはワイヤを保持してこれを接続対象物
に対して圧接させるためのボンディングツールと、 前記ボンディングツールを加振する加振手段とを含み、 前記ボンディングステージのフレーム担持面に前記フレ
ームを吸着するための吸着孔が形成され、 前記フレームを前記ボンディングステージ上に吸着状態
にして前記加振手段を作動させつつ前記フレームに形成
されたアイランドに対する前記半導体部品の接合若しく
は該アイランド上に装着された前記半導体部品上の電極
と該フレームに前記アイランドと一体的に配設されたリ
ードとのワイヤによる接続を行うボンディング装置にお
いて、 前記吸着孔が前記アイランドに対応する範囲内のみで前
記半導体部品の電極に対応する部分以外の部分に配設さ
、フレームを吸着するようにしたことを特徴とするボ
ンディング装置。
1. A bonding stage on which a frame is placed, a bonding tool for holding a semiconductor component or a wire and pressing it against an object to be connected, and a vibrating means for vibrating the bonding tool. An adsorption hole for adsorbing the frame is formed on a frame carrying surface of the bonding stage, and the frame is formed on the frame while operating the vibrating means with the frame being in an adsorption state on the bonding stage.
In bonding apparatus for performing connection by wires and the semiconductor component the island and integrally disposed a lead bonding or electrode and said frame on said semiconductor components mounted on the island of for the islands is the A bonding apparatus, wherein suction holes are provided only in a region corresponding to the islands, except for portions corresponding to the electrodes of the semiconductor component , and suck the frame .
【請求項2】 前記吸着孔は前記半導体部品の電極の内
側若しくは外側に設けられていることを特徴とする請求
項1記載のボンディング装置。
2. The bonding apparatus according to claim 1, wherein the suction holes are provided inside or outside the electrodes of the semiconductor component.
【請求項3】 前記吸着孔は略矩形環状の溝からなるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2記載のボンディン
グ装置。
3. The bonding apparatus according to claim 1, wherein the suction hole is formed of a substantially rectangular annular groove.
JP3273543A 1991-09-26 1991-09-26 Bonding equipment Expired - Fee Related JP2676444B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3273543A JP2676444B2 (en) 1991-09-26 1991-09-26 Bonding equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3273543A JP2676444B2 (en) 1991-09-26 1991-09-26 Bonding equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0590356A JPH0590356A (en) 1993-04-09
JP2676444B2 true JP2676444B2 (en) 1997-11-17

Family

ID=17529296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3273543A Expired - Fee Related JP2676444B2 (en) 1991-09-26 1991-09-26 Bonding equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2676444B2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6373632A (en) * 1986-09-17 1988-04-04 Hitachi Ltd Manufacture of electronic device
US4790897A (en) * 1987-04-29 1988-12-13 Lsi Logic Corporation Device for bonding of lead wires for an integrated circuit device
JPH01231334A (en) * 1988-03-11 1989-09-14 Oki Electric Ind Co Ltd Wire bonding method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0590356A (en) 1993-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4338834B2 (en) Semiconductor chip mounting method using ultrasonic vibration
KR100271995B1 (en) An improved lead frame clamp for ultrasonic bonding
JP2004006465A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2676444B2 (en) Bonding equipment
JPH10150072A (en) Semiconductor device and lead frame for semiconductor device
JP5549399B2 (en) Method for manufacturing vibrator device and vibrator device
JP2969953B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and device
JP3415283B2 (en) Bump forming apparatus, bump forming method, and semiconductor element manufacturing method
KR100310282B1 (en) Bonding apparatus
JPH04370957A (en) Multichip package
JP2803957B2 (en) Semiconductor chip pickup device
JP2003218154A (en) Semiconductor device and manufacturing apparatus thereof
JPH10303241A (en) Wire bonder
JP2712592B2 (en) Bonding tool and fixing method
JP2866266B2 (en) Wire bonding equipment
JP2955272B1 (en) LED chip die bonding method and die bonding apparatus
JP3409508B2 (en) Pellet mounter
JP3288837B2 (en) Solder grain setting device
JP2587481Y2 (en) Ultrasonic horn and bonding apparatus having the same
JP3796943B2 (en) Wire bonding apparatus and wire bonding method
JP2000174047A (en) Flip chip package bump forming method, bonding tool and flip chip package component
JPS6348126Y2 (en)
KR100431282B1 (en) Pick up method of semiconductor chip from wafer and clamp for it
JPS6173343A (en) Wire bonding device
JP2803801B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees