JP2701698B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2701698B2 JP2701698B2 JP17882593A JP17882593A JP2701698B2 JP 2701698 B2 JP2701698 B2 JP 2701698B2 JP 17882593 A JP17882593 A JP 17882593A JP 17882593 A JP17882593 A JP 17882593A JP 2701698 B2 JP2701698 B2 JP 2701698B2
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- liquid crystal
- crystal display
- common electrode
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＯＡ機器等の画像，文字
情報の表示装置として用いられる、アクティブマトリッ
クス方式の液晶表示装置の構造に関する。
情報の表示装置として用いられる、アクティブマトリッ
クス方式の液晶表示装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス等の絶縁基板上に薄膜トランジス
タ（以下ＴＦＴと記す）をマトリックス状に形成し、こ
れをスイッチング素子として用いるアクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は高画質のフ
ラットパネルディスプレイとして期待が大きい。従来の
アクティブマトリックス型液晶表示装置では、液晶層を
駆動する電極として２枚の基板上に形成し対向させた透
明電極を用いていた。これは液晶に印加する電界の方向
を基板面にほぼ垂直な方向とすることで動作するツイス
テッドネマチック表示方式に代表される表示方式を採用
していることによる。
タ（以下ＴＦＴと記す）をマトリックス状に形成し、こ
れをスイッチング素子として用いるアクティブマトリッ
クス型の液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は高画質のフ
ラットパネルディスプレイとして期待が大きい。従来の
アクティブマトリックス型液晶表示装置では、液晶層を
駆動する電極として２枚の基板上に形成し対向させた透
明電極を用いていた。これは液晶に印加する電界の方向
を基板面にほぼ垂直な方向とすることで動作するツイス
テッドネマチック表示方式に代表される表示方式を採用
していることによる。
【０００３】一方、液晶に印加する電界の方向を基板面
にほぼ平行な方向とする方式として、櫛歯電極を用いた
方式が特公昭63−21907 号に開示されている。
にほぼ平行な方向とする方式として、櫛歯電極を用いた
方式が特公昭63−21907 号に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術は液晶
層を相互に咬合する櫛歯状の電極により駆動するもので
あるが、駆動電極として櫛歯状の電極を用いたので光が
透過できる有効面積（以下開口率という）を大きくする
ことが困難である。原理的には櫛歯電極の電極幅を１〜
２μｍ程度まで縮小すれば開口率を実用レベルまで拡大
出来るが、実際には大型基板全面にわたってそのような
細線を均一にかつ断線がないように形成することは極め
て困難である。即ち、上記の従来技術では、相互に咬合
する櫛歯状の電極を用いたために画素開口率と製造歩留
まりがトレードオフの関係となり、明るい画像を有する
液晶表示装置を低コストで提供することは困難であっ
た。
層を相互に咬合する櫛歯状の電極により駆動するもので
あるが、駆動電極として櫛歯状の電極を用いたので光が
透過できる有効面積（以下開口率という）を大きくする
ことが困難である。原理的には櫛歯電極の電極幅を１〜
２μｍ程度まで縮小すれば開口率を実用レベルまで拡大
出来るが、実際には大型基板全面にわたってそのような
細線を均一にかつ断線がないように形成することは極め
て困難である。即ち、上記の従来技術では、相互に咬合
する櫛歯状の電極を用いたために画素開口率と製造歩留
まりがトレードオフの関係となり、明るい画像を有する
液晶表示装置を低コストで提供することは困難であっ
た。
【０００５】本発明の目的は、開口率が高く、明るい液
晶表示装置を提供することにある。
晶表示装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそれぞれの領
域で少なくとも一つの画素が構成され、それぞれの画素
には複数の画素に渡って接続された共通電極と、対応す
る薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有してい
る。 共通電極と画素電極とはその一部において絶縁膜を
介して重ね合わさり、この重ね合わさった部分により容
量が形成される。 共通電極と画素電極間に印加される電
圧により、液晶層には基板に対し支配的に平行な成分を
持った電界が発生する。
走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそれぞれの領
域で少なくとも一つの画素が構成され、それぞれの画素
には複数の画素に渡って接続された共通電極と、対応す
る薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有してい
る。 共通電極と画素電極とはその一部において絶縁膜を
介して重ね合わさり、この重ね合わさった部分により容
量が形成される。 共通電極と画素電極間に印加される電
圧により、液晶層には基板に対し支配的に平行な成分を
持った電界が発生する。
【０００７】好ましくは、共通電極上に絶縁膜が形成さ
れ、この絶縁膜上には画素電極が形成される。
れ、この絶縁膜上には画素電極が形成される。
【０００８】また、共通電極の実施態様によれば、その
表面は自己酸化膜または自己窒化膜で被覆された金属電
極によって構成されている。
表面は自己酸化膜または自己窒化膜で被覆された金属電
極によって構成されている。
【０００９】更に、共通電極及び画素電極の形状は、リ
ング状、十字型、Ｔ字型，Π字型、Ι字型、梯子型のい
ずれかの形状であってもよい。
ング状、十字型、Ｔ字型，Π字型、Ι字型、梯子型のい
ずれかの形状であってもよい。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【作用】共通電極と画素電極とをその一部において絶縁
膜を介して互いに重ね合わせ、この重ね合わさった部分
により付加容量を形成することにより開口率（光が透過
する開口部の面積割合）を高く出来、かつ、電圧保持特
性を改善出来る。また、共通電極と映像信号電極また
は、共通電極と画素電極互いに絶縁膜より異層化するこ
とによる効果は上記だけではなく、これらの電極相互間
の短絡不良は発生する確率が小さくできるので画素欠陥
を低減出来るという効果も有る。
膜を介して互いに重ね合わせ、この重ね合わさった部分
により付加容量を形成することにより開口率（光が透過
する開口部の面積割合）を高く出来、かつ、電圧保持特
性を改善出来る。また、共通電極と映像信号電極また
は、共通電極と画素電極互いに絶縁膜より異層化するこ
とによる効果は上記だけではなく、これらの電極相互間
の短絡不良は発生する確率が小さくできるので画素欠陥
を低減出来るという効果も有る。
【００１４】共通電極または画素電極の形状としては、
なるべく開口率が大きくなるようなパターンを採用する
ことが望ましい。そこで、画素電極または共通電極を、
環状型，十字型，Ｔ字型，Π字型，工字型，梯子型のい
ずれかの平面形状とし、これらを適宜組み合わせること
により開口率を拡大出来る。また、共通電極と画素電極
を互いに絶縁膜より異層化することにより、互いに重な
りあうような電極形状の組合せが可能となるので、開口
率が最大となるような電極形状の設計が容易となる。ま
た、共通電極をその表面が自己酸化膜または自己窒化膜
で被覆された金属電極によって構成することにより、共
通電極と画素電極を互いに重ねあわせた時にこれらの間
の短絡不良の発生を防止出来るので画素欠陥を低減出来
る。
なるべく開口率が大きくなるようなパターンを採用する
ことが望ましい。そこで、画素電極または共通電極を、
環状型，十字型，Ｔ字型，Π字型，工字型，梯子型のい
ずれかの平面形状とし、これらを適宜組み合わせること
により開口率を拡大出来る。また、共通電極と画素電極
を互いに絶縁膜より異層化することにより、互いに重な
りあうような電極形状の組合せが可能となるので、開口
率が最大となるような電極形状の設計が容易となる。ま
た、共通電極をその表面が自己酸化膜または自己窒化膜
で被覆された金属電極によって構成することにより、共
通電極と画素電極を互いに重ねあわせた時にこれらの間
の短絡不良の発生を防止出来るので画素欠陥を低減出来
る。
【００１５】本発明のその他の特長は以下の記載から明
らかとなるであろう。
らかとなるであろう。
【００１６】
【実施例】〔実施例１〕 図１〜図４は本発明の第１の実施例の動作原理を示す単
位画素の断面図及び平面図である。ガラス基板１上にＣ
ｒよりなるゲート電極１０およびコモン電極（共通電
極）１６を形成し、これらの電極を覆うように窒化シリ
コン（ＳｉＮ）膜からなるゲート絶縁膜２０を形成し
た。ゲート電極（走査信号電極）１０上にゲート絶縁膜
２０上を介して非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜３０を形
成しトランジスタの能動層とする。前記ａ−Ｓｉ膜３０
のパターンの一部に重畳するようにＭｏよりなるドレイ
ン電極（映像信号電極）１４，ソース電極（画素電極）
１５を形成し、これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜
よりなる保護絶縁膜２３を形成した。以上よりなる単位
画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリック
ス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜ORI1，ＯＲＩ
２を形成し、表面にラビング処理を施した。同じくラビ
ング処理を施した配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２を表面に形
成した対向基板５０８と、前記アクティブマトリックス
基板の間に棒状の液晶分子５１３を含む液晶組成物を封
入し、二枚の基板の外表面に偏光板５０５を配置した。
液晶分子５１３は無電界時（図１および図２）にはスト
ライプ状のソース電極１５およびコモン電極１６の長手
方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長軸（光学
軸）と電界の方向（ソース電極とコモン電極の長手方向
に垂直）のなす角度にして４５°以上９０°未満を持つ
ように配向されている。尚、上下基板との界面での液晶
分子の配向は互いに平行とした。また、液晶分子の誘電
異方性は正である。ここで、ＴＦＴのゲート電極１０に
電圧を印加してＴＦＴをオンとするとソース電極１５に
電圧が印加し、ソース電極１５−コモン電極１６間に電
界Ｅ１を誘起させると、図３および図４に示すように電
界方向に液晶分子が向きを変える。上下基板の表面に配
置した２枚の偏光板５０５の偏光透過軸を所定角度ＡＧ
Ｌ１に配置することで電界印加によって光の透過率を変
化させることが可能になる。このように、本発明の表示
方式では従来必要であった透明電極がなくてもコントラ
ストを与える表示が可能となる。このため、透明電極の
形成に関わる工程を全て省略出来るので製造コスト削減
が可能となる。さらに、従来の透明電極を用いる表示方
式では、電圧印加により液晶分子の長軸を基板界面から
立ち上がらせ複屈折位相差を０とすることで暗状態を得
ているが、複屈折位相差が０となる視角方向は正面、即
ち基板界面に垂直な方向のみであり、僅かでも傾くと副
屈折位相差が現れ、ノーマリーオープン型の表示では光
が漏れコントラストの低下や階調レベルの反転を引き起
こす。ところが、本実施例の表示方式では液晶分子の長
軸は基板とほぼ平行であり電圧を印加しても立ち上がる
ことが無い、従って視角方向を変えたときの明るさの変
化が小さく視角特性が大幅に改善される効果が有る。
位画素の断面図及び平面図である。ガラス基板１上にＣ
ｒよりなるゲート電極１０およびコモン電極（共通電
極）１６を形成し、これらの電極を覆うように窒化シリ
コン（ＳｉＮ）膜からなるゲート絶縁膜２０を形成し
た。ゲート電極（走査信号電極）１０上にゲート絶縁膜
２０上を介して非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜３０を形
成しトランジスタの能動層とする。前記ａ−Ｓｉ膜３０
のパターンの一部に重畳するようにＭｏよりなるドレイ
ン電極（映像信号電極）１４，ソース電極（画素電極）
１５を形成し、これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜
よりなる保護絶縁膜２３を形成した。以上よりなる単位
画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリック
ス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜ORI1，ＯＲＩ
２を形成し、表面にラビング処理を施した。同じくラビ
ング処理を施した配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２を表面に形
成した対向基板５０８と、前記アクティブマトリックス
基板の間に棒状の液晶分子５１３を含む液晶組成物を封
入し、二枚の基板の外表面に偏光板５０５を配置した。
液晶分子５１３は無電界時（図１および図２）にはスト
ライプ状のソース電極１５およびコモン電極１６の長手
方向に対して若干の角度、即ち液晶分子の長軸（光学
軸）と電界の方向（ソース電極とコモン電極の長手方向
に垂直）のなす角度にして４５°以上９０°未満を持つ
ように配向されている。尚、上下基板との界面での液晶
分子の配向は互いに平行とした。また、液晶分子の誘電
異方性は正である。ここで、ＴＦＴのゲート電極１０に
電圧を印加してＴＦＴをオンとするとソース電極１５に
電圧が印加し、ソース電極１５−コモン電極１６間に電
界Ｅ１を誘起させると、図３および図４に示すように電
界方向に液晶分子が向きを変える。上下基板の表面に配
置した２枚の偏光板５０５の偏光透過軸を所定角度ＡＧ
Ｌ１に配置することで電界印加によって光の透過率を変
化させることが可能になる。このように、本発明の表示
方式では従来必要であった透明電極がなくてもコントラ
ストを与える表示が可能となる。このため、透明電極の
形成に関わる工程を全て省略出来るので製造コスト削減
が可能となる。さらに、従来の透明電極を用いる表示方
式では、電圧印加により液晶分子の長軸を基板界面から
立ち上がらせ複屈折位相差を０とすることで暗状態を得
ているが、複屈折位相差が０となる視角方向は正面、即
ち基板界面に垂直な方向のみであり、僅かでも傾くと副
屈折位相差が現れ、ノーマリーオープン型の表示では光
が漏れコントラストの低下や階調レベルの反転を引き起
こす。ところが、本実施例の表示方式では液晶分子の長
軸は基板とほぼ平行であり電圧を印加しても立ち上がる
ことが無い、従って視角方向を変えたときの明るさの変
化が小さく視角特性が大幅に改善される効果が有る。
【００１７】さらに、本実施例ではコモン電極１６をゲ
ート電極１０と同一のレイヤーに形成し、ドレイン電極
１４および液晶駆動電極であるソース電極１５とコモン
電極１６をゲート絶縁膜２０によって絶縁分離した。ま
た、従来使用されていた櫛歯状電極を廃し、ソース電極
１５とコモン電極１６をゲート絶縁膜２０を介して重畳
させた。このようにドレイン電極１４およびソース電極
１５とコモン電極１６を絶縁分離することによりソース
電極１５およびコモン電極１６の平面パターンの設計自
由度が大きくなり画素開口率を向上させることが可能と
なる。また、ソース電極１５とコモン電極１６の重畳部
は液晶容量と並列に接続される付加容量として作用する
ので液晶印加電圧の保持能を向上させることが出来る。
このような効果は従来の櫛歯状電極では得られないもの
であり、ドレイン電極１４およびソース電極１５とコモ
ン電極１６を絶縁分離することにより初めて達成され
る。以上のように、ドレイン電極１４およびソース電極
１５とコモン電極１６を異層化することにより平面パタ
ーンの設計自由度が大きくなったので、電極形状として
は本実施例に限らず多種多彩な構造が採用出来る。
ート電極１０と同一のレイヤーに形成し、ドレイン電極
１４および液晶駆動電極であるソース電極１５とコモン
電極１６をゲート絶縁膜２０によって絶縁分離した。ま
た、従来使用されていた櫛歯状電極を廃し、ソース電極
１５とコモン電極１６をゲート絶縁膜２０を介して重畳
させた。このようにドレイン電極１４およびソース電極
１５とコモン電極１６を絶縁分離することによりソース
電極１５およびコモン電極１６の平面パターンの設計自
由度が大きくなり画素開口率を向上させることが可能と
なる。また、ソース電極１５とコモン電極１６の重畳部
は液晶容量と並列に接続される付加容量として作用する
ので液晶印加電圧の保持能を向上させることが出来る。
このような効果は従来の櫛歯状電極では得られないもの
であり、ドレイン電極１４およびソース電極１５とコモ
ン電極１６を絶縁分離することにより初めて達成され
る。以上のように、ドレイン電極１４およびソース電極
１５とコモン電極１６を異層化することにより平面パタ
ーンの設計自由度が大きくなったので、電極形状として
は本実施例に限らず多種多彩な構造が採用出来る。
【００１８】〔実施例２〕図５は本発明の第２の実施例
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例ではコモ
ン電極１６を十字型とし、一方ソース電極１５はリング
型とした点に特徴が有る。コモン電極１６とソース電極
１５はＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４と記した箇所で互いに重
なり付加容量を形成している。本実施例によれば、コモ
ン電極１６とゲート電極１０の間の距離を大きくとれる
のでコモン電極１６とゲート電極１０間の短絡不良を防
止出来る。また、ソース電極１５をリング型にすること
により、ソース電極の任意の箇所で断線が発生しても２
箇所以上の断線が無いかぎりソース電極全体に給電さ
れ、正常な動作が可能である。即ち、本構造は断線に対
し冗長性をもち歩留まりを向上させることができる。
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例ではコモ
ン電極１６を十字型とし、一方ソース電極１５はリング
型とした点に特徴が有る。コモン電極１６とソース電極
１５はＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４と記した箇所で互いに重
なり付加容量を形成している。本実施例によれば、コモ
ン電極１６とゲート電極１０の間の距離を大きくとれる
のでコモン電極１６とゲート電極１０間の短絡不良を防
止出来る。また、ソース電極１５をリング型にすること
により、ソース電極の任意の箇所で断線が発生しても２
箇所以上の断線が無いかぎりソース電極全体に給電さ
れ、正常な動作が可能である。即ち、本構造は断線に対
し冗長性をもち歩留まりを向上させることができる。
【００１９】〔実施例３〕図６は本発明の第３の実施例
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、ソ
ース電極１５は第２の実施例と同様にリング型とし、コ
モン電極１６をＴ字型とした点に特徴が有る。本実施例
では、リング状のソース電極の短辺の一方とコモン電極
が重なるようにすることにより、開口率を低下させるこ
と無く大きな付加容量を形成出来、電圧保持特性を改善
出来る。また、水平方向のコモン電極を光透過領域内か
ら排除したので画素開口率向上に有利である。
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、ソ
ース電極１５は第２の実施例と同様にリング型とし、コ
モン電極１６をＴ字型とした点に特徴が有る。本実施例
では、リング状のソース電極の短辺の一方とコモン電極
が重なるようにすることにより、開口率を低下させるこ
と無く大きな付加容量を形成出来、電圧保持特性を改善
出来る。また、水平方向のコモン電極を光透過領域内か
ら排除したので画素開口率向上に有利である。
【００２０】〔実施例４〕図７は本発明の第４の実施例
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、ソ
ース電極１５は第２の実施例と同様にリング型とし、コ
モン電極１６を工字型とした点に特徴が有る。本実施例
では、リング状のソース電極の２つの短辺とコモン電極
が重なるようにすることにより、開口率を低下させるこ
と無くより大きな付加容量を形成出来、電圧保持特性を
改善出来る。
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、ソ
ース電極１５は第２の実施例と同様にリング型とし、コ
モン電極１６を工字型とした点に特徴が有る。本実施例
では、リング状のソース電極の２つの短辺とコモン電極
が重なるようにすることにより、開口率を低下させるこ
と無くより大きな付加容量を形成出来、電圧保持特性を
改善出来る。
【００２１】〔実施例５〕図８は本発明の第５の実施例
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、コ
モン電極１６はΠ字型とし、ソース電極１５をＴ字型と
した。本実施例は前記第２〜第４の実施例とはことな
り、画素の中央にソース電極１５を、その左右両側にコ
モン電極１６を配置した点に特徴が有る。このような配
置の利点は、コモン電極１６とドレイン電極１４がゲー
ト絶縁膜により分離されているためにこれらの電極の間
の距離を小さく出来る点にある。これにより、コモン電
極１６をドレイン電極１４に出来る限り近付けることに
より光透過領域を拡大出来開口率を向上させることが出
来る。ただし、この時コモン電極１６とドレイン電極１
４が重なると、これらの電極間の寄生容量が急激に増大
する。コモン電極とドレイン電極の間の過大な寄生容量
はコモン電極信号の波形歪をもたらし、スミアと呼ばれ
る画質低下が発生するので望ましくない。したがって、
コモン電極とドレイン電極は可能な限り近付けても良い
が決して重ならないようにすることが必要である。
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、コ
モン電極１６はΠ字型とし、ソース電極１５をＴ字型と
した。本実施例は前記第２〜第４の実施例とはことな
り、画素の中央にソース電極１５を、その左右両側にコ
モン電極１６を配置した点に特徴が有る。このような配
置の利点は、コモン電極１６とドレイン電極１４がゲー
ト絶縁膜により分離されているためにこれらの電極の間
の距離を小さく出来る点にある。これにより、コモン電
極１６をドレイン電極１４に出来る限り近付けることに
より光透過領域を拡大出来開口率を向上させることが出
来る。ただし、この時コモン電極１６とドレイン電極１
４が重なると、これらの電極間の寄生容量が急激に増大
する。コモン電極とドレイン電極の間の過大な寄生容量
はコモン電極信号の波形歪をもたらし、スミアと呼ばれ
る画質低下が発生するので望ましくない。したがって、
コモン電極とドレイン電極は可能な限り近付けても良い
が決して重ならないようにすることが必要である。
【００２２】〔実施例６〕図９は本発明の第６の実施例
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、ソ
ース電極１５を工字型とし、コモン電極１６はリング型
とした点に特徴が有る。本実施例では前記第５の実施例
と同様に開口率を向上させることができることに加え、
ソース電極１５とコモン電極１６の重なりを大きく出来
るので付加容量を大きく出来る。
の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前記
第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、ソ
ース電極１５を工字型とし、コモン電極１６はリング型
とした点に特徴が有る。本実施例では前記第５の実施例
と同様に開口率を向上させることができることに加え、
ソース電極１５とコモン電極１６の重なりを大きく出来
るので付加容量を大きく出来る。
【００２３】〔実施例７〕図１０は本発明の第７の実施
例の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前
記第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、
ソース電極１５をはしご型とし、コモン電極１６はリン
グ型として互いに重ね合わせた構造を有し、前記第１〜
第６の実施例と異なり液晶を駆動する電界は画素の長手
方向と平行な方向とした点に特徴が有る。本実施例で
は、はしご型電極の段数を変えることによりコモン電極
１６とソース電極１５間のギャップを任意に変えること
が出来る。電極間ギャップは液晶の応答速度を決めるの
で、ギャップを任意に調節することにより所望の応答速
度を得ることが可能となる。
例の単位画素の平面図を示す。本実施例の断面構造は前
記第１の実施例（図１）と同様である。本実施例では、
ソース電極１５をはしご型とし、コモン電極１６はリン
グ型として互いに重ね合わせた構造を有し、前記第１〜
第６の実施例と異なり液晶を駆動する電界は画素の長手
方向と平行な方向とした点に特徴が有る。本実施例で
は、はしご型電極の段数を変えることによりコモン電極
１６とソース電極１５間のギャップを任意に変えること
が出来る。電極間ギャップは液晶の応答速度を決めるの
で、ギャップを任意に調節することにより所望の応答速
度を得ることが可能となる。
【００２４】以上のように、コモン電極とソース電極，
ドレイン電極を異層化することにより多種多様な電極形
状の設計が可能となり、用途に応じた表示性能を実現す
ることが出来る。
ドレイン電極を異層化することにより多種多様な電極形
状の設計が可能となり、用途に応じた表示性能を実現す
ることが出来る。
【００２５】以上の実施例ではコモン電極をゲート電極
と同一の電極材料で構成する場合を示してきたが、コモ
ン電極またはソース電極を複数の電極を組み合わせて構
成しても良い。以下、そのような実施例を示す。
と同一の電極材料で構成する場合を示してきたが、コモ
ン電極またはソース電極を複数の電極を組み合わせて構
成しても良い。以下、そのような実施例を示す。
【００２６】〔実施例８〕図１１は本発明の第８の実施
例の単位画素の平面図を示す。図１２は図１１中Ｂ−
Ｂ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極は
引出配線１６０とコモン側駆動電極１６１の２つの部材
によって構成され、これらはゲート絶縁膜２０に設けた
スルーホールＴＨを介して接続されている。ここで引出
配線１６０にはゲート電極１０と同一の電極材料を、コ
モン側駆動電極１６１にはソース電極１５と同一の電極
材料を用いた。本実施例においてもコモン電極の引出配
線１６０とソース電極１５はゲート絶縁膜２０によって
異層化されているため、互いに交差させることができ交
差部Ｃｓｔにおいて付加容量を構成し、保持特性を改善
出来る。また、コモン側駆動電極１６１をソース電極１
５と同一層内に形成することにより、ソース電極１５と
隣接するドレイン電極１４との間で形成される不必要な
電界をシールドすることが可能となる。液晶の駆動に直
接関与しない電極によって形成される寄生電界は液晶の
配向を乱し、表示画像のコントラスト低下を招くので、
通常電極の周囲を遮光層によって隠すことによって対策
している。しかしこのような遮光層は開口率を低下させ
るという欠点を持つ。これにたいして本実施例のよう
に、液晶の配向を乱す寄生電界をシールドすることによ
り遮光層の面積を縮小出来るので開口率を向上させるこ
とが可能となる。
例の単位画素の平面図を示す。図１２は図１１中Ｂ−
Ｂ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極は
引出配線１６０とコモン側駆動電極１６１の２つの部材
によって構成され、これらはゲート絶縁膜２０に設けた
スルーホールＴＨを介して接続されている。ここで引出
配線１６０にはゲート電極１０と同一の電極材料を、コ
モン側駆動電極１６１にはソース電極１５と同一の電極
材料を用いた。本実施例においてもコモン電極の引出配
線１６０とソース電極１５はゲート絶縁膜２０によって
異層化されているため、互いに交差させることができ交
差部Ｃｓｔにおいて付加容量を構成し、保持特性を改善
出来る。また、コモン側駆動電極１６１をソース電極１
５と同一層内に形成することにより、ソース電極１５と
隣接するドレイン電極１４との間で形成される不必要な
電界をシールドすることが可能となる。液晶の駆動に直
接関与しない電極によって形成される寄生電界は液晶の
配向を乱し、表示画像のコントラスト低下を招くので、
通常電極の周囲を遮光層によって隠すことによって対策
している。しかしこのような遮光層は開口率を低下させ
るという欠点を持つ。これにたいして本実施例のよう
に、液晶の配向を乱す寄生電界をシールドすることによ
り遮光層の面積を縮小出来るので開口率を向上させるこ
とが可能となる。
【００２７】〔実施例９〕図１３は本発明の第９の実施
例の単位画素の平面図を示す。図１４は図１３中Ｃ−
Ｃ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極の
引出配線１６０は、前記第７の実施例と同様にゲート電
極１０と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電極１
６１は保護絶縁膜２３上に設けた新たな電極によって構
成し、これらをスルーホールによって接続した。本実施
例ではコモン電極は引出配線１６０，コモン側駆動電極
１６１ともにソース電極１５と絶縁分離されているので
前記の実施例と同様な効果が有る。
例の単位画素の平面図を示す。図１４は図１３中Ｃ−
Ｃ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極の
引出配線１６０は、前記第７の実施例と同様にゲート電
極１０と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電極１
６１は保護絶縁膜２３上に設けた新たな電極によって構
成し、これらをスルーホールによって接続した。本実施
例ではコモン電極は引出配線１６０，コモン側駆動電極
１６１ともにソース電極１５と絶縁分離されているので
前記の実施例と同様な効果が有る。
【００２８】〔実施例１０〕前記実施例ではコモン電極
のコモン側駆動電極１６１は保護絶縁膜２３上に設けた
電極によって構成したが、コモン側駆動電極はゲート電
極１０の下層に設けても良い。図１５は本発明の第１０
の実施例の単位画素の平面図を示す。図１６は図１５中
Ｄ−Ｄ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電
極の引出配線１６０は、前記第７の実施例と同様にゲー
ト電極１０と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電
極１６１はゲート電極１０の下層に絶縁膜２４を介して
設けた新たな電極によって構成し、これらをスルーホー
ルによって接続した。本実施例ではコモン電極は引出配
線１６０，コモン側駆動電極１６１ともにソース電極１
５と絶縁分離されているので前記の実施例と同様な効果
が有る。
のコモン側駆動電極１６１は保護絶縁膜２３上に設けた
電極によって構成したが、コモン側駆動電極はゲート電
極１０の下層に設けても良い。図１５は本発明の第１０
の実施例の単位画素の平面図を示す。図１６は図１５中
Ｄ−Ｄ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電
極の引出配線１６０は、前記第７の実施例と同様にゲー
ト電極１０と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電
極１６１はゲート電極１０の下層に絶縁膜２４を介して
設けた新たな電極によって構成し、これらをスルーホー
ルによって接続した。本実施例ではコモン電極は引出配
線１６０，コモン側駆動電極１６１ともにソース電極１
５と絶縁分離されているので前記の実施例と同様な効果
が有る。
【００２９】〔実施例１１〕図１７は本発明の第１１の
実施例の単位画素の平面図を示す。図１８は図１７中Ｅ
−Ｅ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極
１６はゲート電極１０の下層に下地絶縁膜２４を介して
設けた新たな電極によって構成した。従って、コモン電
極はゲート電極１０およびソース電極１５，ドレイン電
極１４の全てと異層化される。そこで、本実施例はコモ
ン電極１６をゲート電極と平行な方向だけでなくゲート
電極と垂直な方向にも引出して網目状とすることが可能
となる。このことにより、コモン電極の抵抗値を下げら
れるのでコモン電圧の波形歪を低減しスミアの発生を防
止出来る効果が有る。
実施例の単位画素の平面図を示す。図１８は図１７中Ｅ
−Ｅ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極
１６はゲート電極１０の下層に下地絶縁膜２４を介して
設けた新たな電極によって構成した。従って、コモン電
極はゲート電極１０およびソース電極１５，ドレイン電
極１４の全てと異層化される。そこで、本実施例はコモ
ン電極１６をゲート電極と平行な方向だけでなくゲート
電極と垂直な方向にも引出して網目状とすることが可能
となる。このことにより、コモン電極の抵抗値を下げら
れるのでコモン電圧の波形歪を低減しスミアの発生を防
止出来る効果が有る。
【００３０】〔実施例１２〕図１９は本発明の第１２の
実施例の単位画素の平面図を示す。図２０は図１９中Ｆ
−Ｆ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極
１６は保護絶縁膜２３上に設けた新たな電極によって構
成した。本実施例においても、前記実施例１１と同様に
コモン電極はゲート電極１０およびソース電極１５，ド
レイン電極１４の全てと異層化されるので、コモン電極
１６をゲート電極と平行な方向だけでなくゲート電極と
垂直な方向にも引出して網目状とすることが可能となり
コモン電圧の波形歪を低減しスミアの発生を防止出来
る。
実施例の単位画素の平面図を示す。図２０は図１９中Ｆ
−Ｆ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極
１６は保護絶縁膜２３上に設けた新たな電極によって構
成した。本実施例においても、前記実施例１１と同様に
コモン電極はゲート電極１０およびソース電極１５，ド
レイン電極１４の全てと異層化されるので、コモン電極
１６をゲート電極と平行な方向だけでなくゲート電極と
垂直な方向にも引出して網目状とすることが可能となり
コモン電圧の波形歪を低減しスミアの発生を防止出来
る。
【００３１】〔実施例１３〕図２１は本発明の第１３の
実施例の単位画素の断面図を示す。本実施例の平面図は
前記実施例１と同様である。本実施例ではゲート電極１
０およびコモン電極１６はアルミニウム（Ａｌ）で構成
され、その表面はＡｌの自己酸化膜であるアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）２１によって被覆されている点に特徴がある。
このような２層絶縁膜構造を採用することによりコモン
電極１６とドレイン，ソース電極との絶縁不良が低減で
きるので画素欠陥を低減できる。
実施例の単位画素の断面図を示す。本実施例の平面図は
前記実施例１と同様である。本実施例ではゲート電極１
０およびコモン電極１６はアルミニウム（Ａｌ）で構成
され、その表面はＡｌの自己酸化膜であるアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）２１によって被覆されている点に特徴がある。
このような２層絶縁膜構造を採用することによりコモン
電極１６とドレイン，ソース電極との絶縁不良が低減で
きるので画素欠陥を低減できる。
【００３２】〔実施例１４〕図２２は本発明の第１４の
実施例の単位画素の平面図を示す。図２３は図２２のＧ
−Ｇ′断面図である。本実施例ではコモン電極１６はタ
ンタル（Ｔａ）で構成し、その表面はＴａの自己酸化膜
である五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）２２によって被覆し
た。また、コモン電極１６上のソース電極１５と対向す
る側のゲート絶縁膜２０および保護絶縁膜２３をエッチ
ング除去した点に特徴がある。比誘電率が２３と大きい
Ｔａ2Ｏ5を露出させることによりソース電極側に電束を
集中できるのでより低い印加電圧で液晶を駆動させるこ
とができる。
実施例の単位画素の平面図を示す。図２３は図２２のＧ
−Ｇ′断面図である。本実施例ではコモン電極１６はタ
ンタル（Ｔａ）で構成し、その表面はＴａの自己酸化膜
である五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）２２によって被覆し
た。また、コモン電極１６上のソース電極１５と対向す
る側のゲート絶縁膜２０および保護絶縁膜２３をエッチ
ング除去した点に特徴がある。比誘電率が２３と大きい
Ｔａ2Ｏ5を露出させることによりソース電極側に電束を
集中できるのでより低い印加電圧で液晶を駆動させるこ
とができる。
【００３３】図２４は本発明のアクティブマトリックス
基板鏡の等価回路を含む平面模式図である。ガラス基板
１上にゲート電極１０とドレイン電極１４とこれらに接
続されたＴＦＴとゲート電極１０に平行に引き出された
コモン電極１６とゲート電極ドレイン電極およびコモン
電極の引出端子１０１，１５１，１６３が形成されたも
のである。引出端子はゲート電極１０，ドレイン電極１
４およびコモン電極１６に外部回路から信号を供給する
ための端子である。
基板鏡の等価回路を含む平面模式図である。ガラス基板
１上にゲート電極１０とドレイン電極１４とこれらに接
続されたＴＦＴとゲート電極１０に平行に引き出された
コモン電極１６とゲート電極ドレイン電極およびコモン
電極の引出端子１０１，１５１，１６３が形成されたも
のである。引出端子はゲート電極１０，ドレイン電極１
４およびコモン電極１６に外部回路から信号を供給する
ための端子である。
【００３４】図２５はアクティブマトリックス部の画素
配列の平面図である。図２５では単位画素として図９に
示したものを使用した。各画素はゲート電極１０が延在
する方向と同一方向に複数配置され、画素列Ｘ１，Ｘ
２，Ｘ３…のそれぞれを構成している。各画素列Ｘ１，
Ｘ２，Ｘ３…のそれぞれの画素は薄膜トランジスタTFT
1，コモン電極１６およびソース電極１５の配置位置を
同一に構成している。ドレイン電極１４はゲート電極１
０と交差するように配置され各画素列の内の１個の画素
に接続されている。
配列の平面図である。図２５では単位画素として図９に
示したものを使用した。各画素はゲート電極１０が延在
する方向と同一方向に複数配置され、画素列Ｘ１，Ｘ
２，Ｘ３…のそれぞれを構成している。各画素列Ｘ１，
Ｘ２，Ｘ３…のそれぞれの画素は薄膜トランジスタTFT
1，コモン電極１６およびソース電極１５の配置位置を
同一に構成している。ドレイン電極１４はゲート電極１
０と交差するように配置され各画素列の内の１個の画素
に接続されている。
【００３５】図２６は本発明の液晶表示装置のセル断面
図である。下側のガラス基板１上に走査信号電極１０と
映像信号電極１４がマトリックス状に形成され、その交
点付近に形成されたＴＦＴを介してソース電極１５を駆
動する。棒状の液晶分子513を含む液晶層を挾んで対向
する対向基板５０８上にはカラーフィルタ５０７，カラ
ーフィルタ保護膜５１１，遮光用ブラックマトリックス
５１２が形成されている。図２６の中央部は単位画素の
断面図を、左側は外部接続端子の存在する部分の断面図
を、右側は外部接続端子の存在しない部分の断面図を示
している。図２６の右側、左側に示すシール材ＳＬは液
晶層を封止するように構成されており、液晶封入口(図
示せず)を除くガラス基板１，５０８の縁全体に沿って
形成されている。シール材は例えばエポキシ樹脂で形成
されている。配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，保護膜２
３，カラーフィルタ保護膜５１１の各層はシール材ＳＬ
の内側に形成される。偏光板５０５は一対のガラス基板
１，５０８の外側表面に形成されている。液晶層内の液
晶分子５１３は配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２によって
所定の方向に配向されており、バックライトＢＬからの
光をソース電極１５とコモン電極１６の間の部分の液晶
層で調節することによりカラー画像の表示が可能とな
る。
図である。下側のガラス基板１上に走査信号電極１０と
映像信号電極１４がマトリックス状に形成され、その交
点付近に形成されたＴＦＴを介してソース電極１５を駆
動する。棒状の液晶分子513を含む液晶層を挾んで対向
する対向基板５０８上にはカラーフィルタ５０７，カラ
ーフィルタ保護膜５１１，遮光用ブラックマトリックス
５１２が形成されている。図２６の中央部は単位画素の
断面図を、左側は外部接続端子の存在する部分の断面図
を、右側は外部接続端子の存在しない部分の断面図を示
している。図２６の右側、左側に示すシール材ＳＬは液
晶層を封止するように構成されており、液晶封入口(図
示せず)を除くガラス基板１，５０８の縁全体に沿って
形成されている。シール材は例えばエポキシ樹脂で形成
されている。配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２，保護膜２
３，カラーフィルタ保護膜５１１の各層はシール材ＳＬ
の内側に形成される。偏光板５０５は一対のガラス基板
１，５０８の外側表面に形成されている。液晶層内の液
晶分子５１３は配向制御膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２によって
所定の方向に配向されており、バックライトＢＬからの
光をソース電極１５とコモン電極１６の間の部分の液晶
層で調節することによりカラー画像の表示が可能とな
る。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、共通電極
と画素電極とをその一部において絶縁膜を介して互いに
重さね合わせ、この重ね合わさった部分により付加容量
を形成したことにより、高い開口率を有する明るい液晶
表示装置を実現できる。
と画素電極とをその一部において絶縁膜を介して互いに
重さね合わせ、この重ね合わさった部分により付加容量
を形成したことにより、高い開口率を有する明るい液晶
表示装置を実現できる。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例の電
界無印加時の画素平面模式図。
界無印加時の画素平面模式図。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例の電
界無印加時の画素断面模式図。
界無印加時の画素断面模式図。
【図３】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例の電
界印加時の画素平面模式図。
界印加時の画素平面模式図。
【図４】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例の電
界印加時の画素断面模式図。
界印加時の画素断面模式図。
【図５】本発明に係る液晶表示装置の第２の実施例の電
界無印加時の画素平面図。
界無印加時の画素平面図。
【図６】本発明に係る液晶表示装置の第３の実施例の電
界無印加時の画素平面図。
界無印加時の画素平面図。
【図７】本発明に係る液晶表示装置の第４の実施例の電
界無印加時の画素平面図。
界無印加時の画素平面図。
【図８】本発明に係る液晶表示装置の第５の実施例の電
界無印加時の画素平面図。
界無印加時の画素平面図。
【図９】本発明に係る液晶表示装置の第６の実施例の電
界無印加時の画素平面図。
界無印加時の画素平面図。
【図１０】本発明に係る液晶表示装置の第７の実施例の
電界無印加時の画素平面図。
電界無印加時の画素平面図。
【図１１】本発明に係る液晶表示装置の第８の実施例の
電界無印加時の画素平面図。
電界無印加時の画素平面図。
【図１２】本発明に係る液晶表示装置の第８の実施例の
電界無印加時の画素断面図。
電界無印加時の画素断面図。
【図１３】本発明に係る液晶表示装置の第９の実施例の
電界無印加時の画素平面図。
電界無印加時の画素平面図。
【図１４】本発明に係る液晶表示装置の第９の実施例の
電界無印加時の画素断面図。
電界無印加時の画素断面図。
【図１５】本発明に係る液晶表示装置の第１０の実施例
の電界無印加時の画素平面図。
の電界無印加時の画素平面図。
【図１６】本発明に係る液晶表示装置の第１０の実施例
の電界無印加時の画素断面図。
の電界無印加時の画素断面図。
【図１７】本発明に係る液晶表示装置の第１１の実施例
の電界無印加時の画素平面図。
の電界無印加時の画素平面図。
【図１８】本発明に係る液晶表示装置の第１１の実施例
の電界無印加時の画素断面図。
の電界無印加時の画素断面図。
【図１９】本発明に係る液晶表示装置の第１２の実施例
の電界無印加時の画素平面図。
の電界無印加時の画素平面図。
【図２０】本発明に係る液晶表示装置の第１２の実施例
の電界無印加時の画素断面図。
の電界無印加時の画素断面図。
【図２１】本発明に係る液晶表示装置の第１３の実施例
の電界無印加時の画素断面図。
の電界無印加時の画素断面図。
【図２２】本発明に係る液晶表示装置の第１４の実施例
の電界無印加時の画素平面図。
の電界無印加時の画素平面図。
【図２３】本発明に係る液晶表示装置の第１４の実施例
の電界無印加時の画素断面図。
の電界無印加時の画素断面図。
【図２４】本発明に係る液晶表示装置の等価回路を示す
平面図。
平面図。
【図２５】本発明に係る液晶表示装置の表示部ＴＦＴマ
トリックス部の平面図。
トリックス部の平面図。
【図２６】本発明に係る液晶表示装置のセル断面図。
１…ガラス基板、１０…ゲート電極、１４…ドレイン電
極、１５…ソース電極、１６…コモン電極、２０…ゲー
ト絶縁膜、２１…アルミナ膜、２２…五酸化タンタル
膜、２３…保護絶縁膜、２４…下地絶縁膜、３０…非晶
質シリコン膜、１０１…ゲート電極の引出し端子、１４
１…ドレイン電極の引出し端子、１６０…コモン電極の
引き出し配線、１６１…コモン側駆動電極、５０５…偏
光板、５０７…カラーフィルタ、５０８…対向基板、５
１１…カラーフィルタ保護膜、５１２…遮光用ブラック
マトリックス、５１３…液晶分子、ＯＲＩ１，ＯＲＩ２
…配向膜、ＳＬ…シール材、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，
Ｃｓｔ…付加容量、ＴＨ…スルーホール、Ｅ１…液晶駆
動電界。
極、１５…ソース電極、１６…コモン電極、２０…ゲー
ト絶縁膜、２１…アルミナ膜、２２…五酸化タンタル
膜、２３…保護絶縁膜、２４…下地絶縁膜、３０…非晶
質シリコン膜、１０１…ゲート電極の引出し端子、１４
１…ドレイン電極の引出し端子、１６０…コモン電極の
引き出し配線、１６１…コモン側駆動電極、５０５…偏
光板、５０７…カラーフィルタ、５０８…対向基板、５
１１…カラーフィルタ保護膜、５１２…遮光用ブラック
マトリックス、５１３…液晶分子、ＯＲＩ１，ＯＲＩ２
…配向膜、ＳＬ…シール材、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，
Ｃｓｔ…付加容量、ＴＨ…スルーホール、Ｅ１…液晶駆
動電界。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−57882（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−138682（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−21907（ＪＰ，Ｂ２) 特表 平５−505247（ＪＰ，Ａ) ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥ Ｄ ＰＨＹＳＩＣＳ，ＶＯＬ．45 Ｎ Ｏ．12 （1974） Ｐ．5466−5468
Claims (15)
- 【請求項１】一対の基板と、この一対の基板に挟持され
た液晶層とを有する液晶表示装置において、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査信号電極
と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電
極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ
れた複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそ
れぞれの領域で少なくとも一つの画素が構成され、それ
ぞれの画素には複数の画素に渡って接続された共通電極
と、対応する薄膜トランジスタに接続された画素電極と
を有し、 前記共通電極と画素電極とはその一部において絶縁膜を
介して重ね合わさり、この重ね合わさった部分により容
量が形成され、 前記共通電極と前記画素電極間に印加される電圧によ
り、前記液晶層には前記一方の基板に対し支配的に平行
な成分を持った電界が発生することを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記共通電極上に前記
絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】請求項２において、前記絶縁膜上に前記画
素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記共通
電極はその表面が自己酸化膜または自己窒化膜で被覆さ
れた金属電極によって構成されていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、前記
共通電極または前記画素電極は、リング状，十字型，Ｔ
字型，Π字型，Ι字型，梯子型のいずれかの形状を有す
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】一対の基板と、この一対の基板に挟持され
た液晶層とを有する液晶表示装置において、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査信号電極
と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電
極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ
れた複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそ
れぞれの領域で少なくとも一つの画素が構成され、 それぞれの画素には前記走査信号電極と同一方向に延び
た少なくとも一つの部分と前記映像信号電極と同一方向
に延びた少なくとも一つの部分とを有する共通電極と、
対応する薄膜トランジスタに接続され前記走査信号電極
と同一方向に延びた少なくとも一つの部分と前記映像信
号電極と同一方向に延びた少なくとも一つの部分とを有
する画素電極とを有し、 前記共通電極の前記走査信号電極と同一方向に延びた少
なくとも一つの部分と画素電極の前記走査信号電極と同
一方向に延びた少なくとも一つの部分とは絶縁膜を介し
てオーバラップしていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項７】請求項６において、前記共通電極と前記画
素電極間に印加される電圧により、前記液晶層には前記
一方の基板に対し支配的に平行な成分を持った電界が発
生することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】請求項７において、前記共通電極上に前記
絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項９】請求項８において、前記絶縁膜上に前記画
素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項１０】請求項６，７，８または９において、前
記共通電極はその表面が自己酸化膜または自己窒化膜で
被覆された金属電極によって構成されていることを特徴
とする 液晶表示装置。 - 【請求項１１】一対の基板と、この一対の基板に挟持さ
れた液晶層とを有する液晶表示装置において、 前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査信号電極
と、それらにマトリクス状に交差する複数の映像信号電
極と、これらの電極のそれぞれの交点に対応して形成さ
れた複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の走査信号電極及び映像信号電極で囲まれるそ
れぞれの領域で少なくとも一つの画素が構成され、 それぞれの画素には、前記映像信号電極と同一方向に延
びた少なくとも一つの部分と複数の画素に渡って前記走
査信号電極と同一方向に延び前記少なくとも一つの部分
と接続される接続部とを有する共通電極と、対応する薄
膜トランジスタに接続され前記映像信号電極と同一方向
に延びた第１の部分とこの部分に接続された第２の部分
とを少なくとも有する画素電極とを有し、 前記共通電極の接続部と画素電極の第２の部分とは絶縁
膜を介してオーバーラップしていることを特徴とする液
晶表示装置 。 - 【請求項１２】請求項１１において、前記共通電極と前
記画素電極間に印加される電圧により、前記液晶層には
前記一方の基板に対し支配的に平行な成分を持った電界
が発生することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１３】請求項１２において、前記共通電極上に
前記絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１４】請求項１３において、前記絶縁膜上に前
記画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項１５】請求項１１，１２，１３または１４にお
いて、前記共通電極はその表面が自己酸化膜または自己
窒化膜で被覆された金属電極によって構成されているこ
とを特 徴とする液晶表示装置。
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|---|---|
| JP (1) | JP2701698B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7173609B2 (en) | 2000-06-08 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus and image display method |
| US7248324B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-07-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266117B1 (en) * | 1995-09-14 | 2001-07-24 | Hiatchi, Ltd | Active-matrix liquid crystal display |
| US5959599A (en) | 1995-11-07 | 1999-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type liquid-crystal display unit and method of driving the same |
| TW329500B (en) | 1995-11-14 | 1998-04-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Electro-optical device |
| JPH09146108A (ja) | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
| JP3963974B2 (ja) | 1995-12-20 | 2007-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
| US6697129B1 (en) | 1996-02-14 | 2004-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Guest-host mode liquid crystal display device of lateral electric field driving type |
| US5852485A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| JP3708620B2 (ja) * | 1996-03-01 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型液晶電気光学装置 |
| JP3597305B2 (ja) | 1996-03-05 | 2004-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
| US6911962B1 (en) | 1996-03-26 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of active matrix display device |
| KR100225910B1 (ko) | 1996-04-04 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치(liquid crystal display device) |
| JP3396130B2 (ja) * | 1996-06-03 | 2003-04-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2776376B2 (ja) * | 1996-06-21 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示パネル |
| KR100209531B1 (ko) | 1996-06-22 | 1999-07-15 | 구자홍 | 액정표시장치 |
| JP2973934B2 (ja) * | 1996-07-11 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置、及び液晶表示装置を搭載した電子機器 |
| JP3148129B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2001-03-19 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス基板とその製法および液晶表示装置 |
| JP3567183B2 (ja) * | 1996-08-19 | 2004-09-22 | 大林精工株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100218697B1 (ko) * | 1996-09-23 | 1999-09-01 | 구자홍 | 액정표시소자 |
| KR100236518B1 (ko) * | 1996-09-21 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정표시장치 |
| KR100241286B1 (ko) * | 1996-09-23 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시소자 |
| US6812985B1 (en) | 1996-09-23 | 2004-11-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| TW396289B (en) * | 1996-10-29 | 2000-07-01 | Nippon Electric Co | Liquid crystal display device |
| JPH10142635A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示装置 |
| JP3788649B2 (ja) | 1996-11-22 | 2006-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| WO1998023995A1 (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-04 | Hitachi, Ltd. | Active matrix liquid crystal display |
| JPH10186405A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-14 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| TW531686B (en) | 1997-04-11 | 2003-05-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| KR100257370B1 (ko) | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시장치 |
| KR100257369B1 (ko) | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시장치 |
| US6972818B1 (en) | 1997-05-19 | 2005-12-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
| US6184961B1 (en) | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
| KR100251512B1 (ko) | 1997-07-12 | 2000-04-15 | 구본준 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| US20010055074A1 (en) | 1997-07-22 | 2001-12-27 | Hiroshi Komatsu | In-plane switching mode lcd with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode |
| US6697140B2 (en) | 1997-07-29 | 2004-02-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode |
| KR100255931B1 (ko) | 1997-08-14 | 2000-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식 액정표시소자 |
| US6549258B1 (en) | 1997-09-04 | 2003-04-15 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Hybrid switching mode liquid crystal display device |
| KR100293434B1 (ko) | 1997-09-08 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시소자 |
| JP4130490B2 (ja) | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6215541B1 (en) | 1997-11-20 | 2001-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| KR100482458B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터액정표시소자및그제조방법 |
| KR100293436B1 (ko) | 1998-01-23 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시장치 |
| JP4364332B2 (ja) | 1998-06-23 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100344844B1 (ko) | 1998-07-07 | 2002-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법 |
| JP3099812B2 (ja) | 1998-07-30 | 2000-10-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3129293B2 (ja) | 1998-08-13 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100320416B1 (ko) | 1998-08-26 | 2002-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식액정표시소자 |
| JP3132483B2 (ja) | 1998-09-17 | 2001-02-05 | 日本電気株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
| JP2000147511A (ja) | 1998-11-13 | 2000-05-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR100679520B1 (ko) * | 1999-11-23 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100595294B1 (ko) | 1999-12-14 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 칼라필터 기판의 제조방법 |
| KR100504531B1 (ko) | 1999-12-15 | 2005-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| JP2002139737A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP3712637B2 (ja) | 2000-08-11 | 2005-11-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
| JP2002148623A (ja) | 2000-08-31 | 2002-05-22 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2002323706A (ja) | 2001-02-23 | 2002-11-08 | Nec Corp | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4718712B2 (ja) | 2001-04-17 | 2011-07-06 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP4647843B2 (ja) | 2001-06-28 | 2011-03-09 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2003140188A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4019697B2 (ja) | 2001-11-15 | 2007-12-12 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP3881248B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-02-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置および画像表示装置 |
| JP3586674B2 (ja) | 2002-01-30 | 2004-11-10 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4338511B2 (ja) | 2003-12-24 | 2009-10-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100680103B1 (ko) | 2004-02-02 | 2007-02-28 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
| US7425940B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-09-16 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Liquid crystal pixel memory, liquid crystal display, and methods of driving the same |
| US7468719B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-12-23 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Liquid crystal pixel memory, liquid crystal display, and methods of driving the same |
| JP4863102B2 (ja) | 2005-06-24 | 2012-01-25 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶駆動電極、液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2008102479A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-05-01 | Konica Minolta Opto Inc | 液晶表示装置 |
| WO2008044452A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | Lateral electric field switching mode type liquid crystal display |
| JP5224237B2 (ja) | 2007-10-23 | 2013-07-03 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式のアクティブマトリックス型液晶表示装置 |
| JP2008170987A (ja) * | 2007-12-21 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 面内スイッチング型液晶表示装置 |
| JP5239495B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-07-17 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
| JP5266578B2 (ja) | 2008-07-22 | 2013-08-21 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
| WO2012137541A1 (ja) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 液晶表示装置 |
| JP5707487B2 (ja) | 2011-04-08 | 2015-04-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| KR101878482B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2018-07-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체 영상 표시장치 |
| JP2012234212A (ja) * | 2012-09-03 | 2012-11-29 | Nlt Technologies Ltd | アクティブマトリクス基板及び液晶パネル |
| WO2014097979A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US9612490B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| JP6974963B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2021-12-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5557882A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 | Fujitsu Ltd | Display unit |
| FI74871B (fi) * | 1986-06-26 | 1987-12-31 | Sinisalo Sport Oy | Skyddsklaede. |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP17882593A patent/JP2701698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ，ＶＯＬ．４５ ＮＯ．１２ （１９７４） Ｐ．５４６６−５４６８ |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7936429B2 (en) | 1999-09-07 | 2011-05-03 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9632370B2 (en) | 1999-09-07 | 2017-04-25 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US7251005B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-07-31 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device comprising two counter voltage signal lines having two branches in each pixel region |
| US7251006B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-07-31 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7253863B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7256854B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-08-14 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7271869B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7456924B2 (en) | 1999-09-07 | 2008-11-25 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7683996B2 (en) | 1999-09-07 | 2010-03-23 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7697100B2 (en) * | 1999-09-07 | 2010-04-13 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7705949B2 (en) | 1999-09-07 | 2010-04-27 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7733455B2 (en) | 1999-09-07 | 2010-06-08 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7248324B2 (en) | 1999-09-07 | 2007-07-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US10634961B2 (en) | 1999-09-07 | 2020-04-28 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US8493537B2 (en) | 1999-09-07 | 2013-07-23 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8218118B2 (en) | 1999-09-07 | 2012-07-10 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8218119B2 (en) | 1999-09-07 | 2012-07-10 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8345205B2 (en) | 1999-09-07 | 2013-01-01 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid Crystal display device |
| US8045116B2 (en) | 1999-09-07 | 2011-10-25 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8564752B2 (en) | 1999-09-07 | 2013-10-22 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8964155B2 (en) | 1999-09-07 | 2015-02-24 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US9488883B2 (en) | 1999-09-07 | 2016-11-08 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US8035786B2 (en) | 1999-09-07 | 2011-10-11 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9857643B2 (en) | 1999-09-07 | 2018-01-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US10139687B2 (en) | 1999-09-07 | 2018-11-27 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US7173609B2 (en) | 2000-06-08 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus and image display method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736058A (ja) | 1995-02-07 |
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