JP2709384B2 - 能動マトリクスのデイスプレイスクリーンおよびその製造方法 - Google Patents
能動マトリクスのデイスプレイスクリーンおよびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はとくにドレイン抵抗による能動マトリクスの
ディスプレイスクリーンおよびその製造方法に関するも
のである。 能動マトリクスのディスプレイスクリーンは一般に、
液晶のごとき光電材料がそれらの間に挿入される２枚の
プレートからなる。これらのプレートの一方には、透明
な導電性底部（ブロツク）のマトリクス、薄層トランジ
スタ、１群の導電性アドレツシング行および１群の導電
性アドレツシング列がある。各トランジスタは１本の行
に接続されたグリツド、１つの底部に接続されたソース
および１本の列に接続されたドレインを有する。第２の
プレートには対向電極がある。 かかる構造は第１図に示してある。図は簡略化された
方法で、導電性列12および導電性行12、トランジスタ2
0、導電性底部22を支持する下方プレート10、および対
向電極26で覆われた上方プレート24を示している。 かかる構造を得るために、その主要な段階が第２図に
示される方法が実施される。この方法は以下の作業、す
なわち、 物理的−化学的清掃によりガラス基板30を調製し； 例えばスズおよびインジウム酸化物（ITO）からなる
透明な導電性材料層32を堆積し（ａ）； 該層（32）に、列34および矩形突起38を備えた底部36
の形状を付与するために第１の写真製版（フオトグラビ
ア）を行ない（ｂ）； 水素と化合したアモルフアスケイ素層40、二酸化ケイ
素層42およびアルミニウム層44を堆積し、各堆積は約25
0℃で行なわれ（ｃ）； 突起38に重なり合いかつ列に交差してそしてトランジ
スタを画成する行46を画成するために第２の写真製版を
行ない（ｄ）； SiO2層（図示せず）の堆積により全体的にパツシベー
シヨンする作業が行なわれる。 ２つのレベルのマスキングによるこのような方法はフ
ランス特許出願第2,533,072号に記載されている。 その簡単化に反して、この方法は以下の欠点を呈す
る。 まず最初に、トランジスタのドレイン−グリツド短絡
の場合に、１本の列全体が１本の行との短絡にある。 次いで、行が列に交差する領域における行の幅はトラ
ンジスタのチヤンネルの幅によつて決定され、したがつ
て行一列短絡の危険を減じるために任意にその幅を減少
することができない。 最後に、行および列を分離する絶縁体の厚さは、同じ
構造により、トランジスタのグリツドの下に置かれる絶
縁体の厚さと同じであり、したがつてそこでまた、短絡
の危険を減じるためにこの厚さを自由にすることができ
ない。 本発明の目的はこれらの不都合を改善することにあ
る。このために、本発明は一定の抵抗性を呈する導電性
材料からなる補助テープの利用を勧め、このテープは各
底部の側部に配置されている。そのとき各トランジスタ
はこのテープおよび底部に結合された突起との行の重な
り合いの領域に形成される。さらに、各テープは１本の
列に接続される。そこで上記で列挙されたすべての不都
合は除去される。 すなわち、ドレイン−グリツド短絡の場合に、テープ
によつて呈される抵抗が行と列との間の自由な短絡を回
避する。 トランジスタのドレインはまた列によつて形成され
ず、したがつてトランジスタと行一列交差領域との間に
独立性が存する。 トランジスタのグリツドのレベルでその幅を有するた
めに減じることなく列の上方のその通路に対して行の幅
を減じることができる。また行および列を分離する絶縁
体の厚さにトランジスタのグリツドの下の絶縁体の厚さ
より大きい値を付与することができる。 上記以外の利点を付加することができる。本出願と同
日出願の本出願人によつて出願された特許出願におい
て、行および／または列がそれらの間で抵抗により接続
される能動マトリクスのディスプレイスクリーンが記載
されている。この配置は行および列の切断に結合された
不都合を回避せしめる。実際に、切断の場合において、
絶縁された部分は隣接する行または列の電位の合計の半
分に等しい電位に支持される。しかしかかる配置は列が
高過ぎない抵抗を有するものとし、それは残念ながら列
を構成する材料が底部を構成する材料、すなわち実際に
はITOと同一である従来の方法による場合ではない。本
発明によれば、より大きな範囲が列の実現のために残さ
れ、それはより少ない抵抗の材料の利用を許容する。そ
の技術はより少ない抵抗の材料を縁取りする。そこで当
該技術が利用可能である。 より正確には、それゆえ本発明は、導電性底部、薄層
トランジスタ、１群の導電性アドレツシング行および１
群の導電性アドレツシング列のマトリクスで覆われた第
１プレートおよびまた対向電極およびプレート間に挿入
され光電材料を含む第２プレートからなり、トランジス
タが１つの行に接続されたグリツド、１つの底部に接続
される突起によつて形成されるソースおよび１つの列に
接続されるドレインを有し、各ドレイン列接続が一定の
抵抗を呈する導電材料のテープによつて行なわれ、各ト
ランジスタのドレインは１本の行がこのテープに重なり
合う領域に置かれた前記テープの一部によつて形成され
そして各行がトランジスタが形成される領域において一
定の幅およびアドレツシング列に交差する領域において
第１の幅より小さい他の幅を有する能動マトリクスのデ
ィスプレイスクリーンを目的とする。 本発明は同様に定義されるようなスクリーンの製造方
法を目的とする。 いずれにせよ、本発明の特徴は、例として示されかつ
制限されない実施例の添付図面を参照する以下の説明を
読むことにより明らかとなる。 説明される第３図および第４図において、左方部は上
面図をかつ右方部はそれぞれAA,BBおよびCCによる断面
図を示す。 第３図には、本発明による方法の第１の実施例の３つ
の段階（a,b,c）を示す。 行なわれる作業は以下の通りである。 すなわち、例えばガラスからなる絶縁基板50上に、例
えばスズおよびインジウム酸化物ITOからなる透明な導
電材料層52および場合によつては、n+ドーピングしたア
モルフアスケイ素層54を堆積する。 突起53を有する底部51および底部および突起側に沿う
長手方向部分55lおよびテープの基部に対して直角（部
分ａ）の横方向部分55tを有するテープを形成するため
に１またはそれ以上の層を写真製版（フオトグラビア）
する。 第１金属層56および第１絶縁層58を堆積する。 テープの横方向部分に重なり合う列を設計するために
２つの層を写真製版し、それは列をテープに接続し（部
分（部分ｂ）、第２の写真製版はSin+およびITO層を元
のままに残す。 水素と化合したアモルフツスケイ素aSi:H層60、第２
絶縁層62および第２金属層64から形成される積層を堆積
する。 底部の突起およびテープの上方端に重なり合う行を形
成するために前記積層に第３の写真製版する。これはト
ランジスタ61が形成される重なり合いの領域にある。こ
の第３の写真製版は第１絶縁体を元のまま残す。行の幅
は列との交差領域（部分ｃ上で見るように）におけるよ
りもトランジスタの領域においてより大きくすることが
できる。 実用上、第１および第２絶縁体は両方とも二酸化炭素
ケイ素SiO2でかつ第１および第２金属はアルミニウムに
することができる。 この実施例によつて、本発明により追求されるすべて
の目的が達成されることが理解できる。 すなわち、テープ55はトランジスタが破壊する場合に
列を保護する抵抗を構成する。ITOが正方形で104Ωをな
しかつテープが10個の方形（５μｍ×50μｍ）をなすな
らばその場合にこの抵抗は100KΩからなり、この抵抗は
トランジスタが通電されるとき0.1Vより大きい電位の降
下を形成しない。 行はトランジスタ上より列上でより小さい幅からな
る。 グリツドの絶縁体および交差の絶縁体は異なる厚さお
よび場合によつては異なる性質からなる。 さらに、トランジスタはそれから生じるすべての特性
を有する既に引用されたフランス特許出願第2,533,072
号明細書に記載された方法によつて得られる構造のトラ
ンジスタと同一である。 上記で言及された同一発明者の同時出願において保護
された配置と本発明を組み合わす場合には、第１レベル
のマスキングのときに、プレートを巡回するITOからな
る矩形を加えそして第３レベルのマスキングで、接触が
第２金属となされることができるように、前記矩形の左
右端上にaSi:HおよびSiO2の堆積を妨げるのに十分であ
る。行および列はそのときそれらの間でITOのテープに
より装置の周部に接続される。 第４図は以下の作業を含む僅かに異なる方法を示す。 すなわち、絶縁基板50上には、透明な導電材料（例え
ばITOからなる）層52および場合によつてはn+ドーピン
グしたアモルフアスケイ素層54を堆積する。 突起53を備えた底部51、列57および該列に接続された
テープ55をデザインするために第１の写真製版を行な
う。 第１の絶縁体層58を堆積する。 導電性列を被覆する絶縁列を形成するためにSin+にも
ITOにも接触しない第１絶縁体に第２写真製版を行な
い、絶縁体の幅は好ましくは列の金属の幅より大きく、
したがつて絶縁体は列をはみ出しかつ該列を完全に絶縁
する。 aSi:Hの層60、第２絶縁体層62および第２金属層64か
ら構成される積層を堆積する。 突起の上方およびテープの上方部の上方を通る行をデ
ザインするためにITOおよび場合によつては第１絶縁体
を残すことにより前記積層を第３の写真製版する。前述
した変形例におけるように、行の幅は好ましくはトラン
ジスタ上でより列の交差においてより狭い。 この解決の不都合は列を構成する材料がITOであると
いうとであり、それゆえその抵抗は大きく、これは上述
した出願によつて保護されかつ本出願によつて出願され
た配置と両立しない。その代りに、列の絶縁は優れてい
る。 記載された２つの方法において、トランジスタのジオ
メトリは、トランジスタを画成する行が細長くされた２
つのテープ（突起および列への接続のテープの上方端）
に重なり合うために、第３の写真製版のために利用され
るマスクのアラインメントに僅かに感知し得ることを観
察し、それはマスクの位置についての不安定を許容す
る。 第４図に示した第２の方法変形例において、ITO上
に、Sin+の前に第３の写真製版のときにSin+と同時に製
版される追加の金属層を堆積することができる。この変
形例の利点は二重の導電層（ITOおよび金属の列を導入
できることであり、これはその抵抗を減少する。 従来の方法においては、各底部が単一の突起を備えか
つ単一のトランジスタによつて制御される。しかし本発
明は各底部が、第５図に示されるように、２つの突起を
備えかつ２つのトランジスタによつて制御される場合に
非常に良好に適用されることができる。底部Pjは行Liお
よび列cjに接続されたトランジスタTijによつてかつ行L
i＋１および列Cj＋１に接続されたTij＊によつて制御さ
れる。かくしてトランジスタのレベルの欠点の場合に役
立つことができる冗長性を得る。２つのトランジスタが
作動するならば、表示される像は最終的に左方および高
方に向つて１ステツプずつされる。 最後に、本発明は本出願と同日に出願された他の特許
出願の目的をなしてかつトランジスタのグリツドの下の
抵抗層の利用を勧める他の配置と組み合わされることが
できることを教示できる。これら２つの配置が組み合わ
されるならば、それゆえグリツド−ドレイン短絡に対し
てスクリーンを有効に保護する２つの直列の保護抵抗を
得る。
ディスプレイスクリーンおよびその製造方法に関するも
のである。 能動マトリクスのディスプレイスクリーンは一般に、
液晶のごとき光電材料がそれらの間に挿入される２枚の
プレートからなる。これらのプレートの一方には、透明
な導電性底部（ブロツク）のマトリクス、薄層トランジ
スタ、１群の導電性アドレツシング行および１群の導電
性アドレツシング列がある。各トランジスタは１本の行
に接続されたグリツド、１つの底部に接続されたソース
および１本の列に接続されたドレインを有する。第２の
プレートには対向電極がある。 かかる構造は第１図に示してある。図は簡略化された
方法で、導電性列12および導電性行12、トランジスタ2
0、導電性底部22を支持する下方プレート10、および対
向電極26で覆われた上方プレート24を示している。 かかる構造を得るために、その主要な段階が第２図に
示される方法が実施される。この方法は以下の作業、す
なわち、 物理的−化学的清掃によりガラス基板30を調製し； 例えばスズおよびインジウム酸化物（ITO）からなる
透明な導電性材料層32を堆積し（ａ）； 該層（32）に、列34および矩形突起38を備えた底部36
の形状を付与するために第１の写真製版（フオトグラビ
ア）を行ない（ｂ）； 水素と化合したアモルフアスケイ素層40、二酸化ケイ
素層42およびアルミニウム層44を堆積し、各堆積は約25
0℃で行なわれ（ｃ）； 突起38に重なり合いかつ列に交差してそしてトランジ
スタを画成する行46を画成するために第２の写真製版を
行ない（ｄ）； SiO2層（図示せず）の堆積により全体的にパツシベー
シヨンする作業が行なわれる。 ２つのレベルのマスキングによるこのような方法はフ
ランス特許出願第2,533,072号に記載されている。 その簡単化に反して、この方法は以下の欠点を呈す
る。 まず最初に、トランジスタのドレイン−グリツド短絡
の場合に、１本の列全体が１本の行との短絡にある。 次いで、行が列に交差する領域における行の幅はトラ
ンジスタのチヤンネルの幅によつて決定され、したがつ
て行一列短絡の危険を減じるために任意にその幅を減少
することができない。 最後に、行および列を分離する絶縁体の厚さは、同じ
構造により、トランジスタのグリツドの下に置かれる絶
縁体の厚さと同じであり、したがつてそこでまた、短絡
の危険を減じるためにこの厚さを自由にすることができ
ない。 本発明の目的はこれらの不都合を改善することにあ
る。このために、本発明は一定の抵抗性を呈する導電性
材料からなる補助テープの利用を勧め、このテープは各
底部の側部に配置されている。そのとき各トランジスタ
はこのテープおよび底部に結合された突起との行の重な
り合いの領域に形成される。さらに、各テープは１本の
列に接続される。そこで上記で列挙されたすべての不都
合は除去される。 すなわち、ドレイン−グリツド短絡の場合に、テープ
によつて呈される抵抗が行と列との間の自由な短絡を回
避する。 トランジスタのドレインはまた列によつて形成され
ず、したがつてトランジスタと行一列交差領域との間に
独立性が存する。 トランジスタのグリツドのレベルでその幅を有するた
めに減じることなく列の上方のその通路に対して行の幅
を減じることができる。また行および列を分離する絶縁
体の厚さにトランジスタのグリツドの下の絶縁体の厚さ
より大きい値を付与することができる。 上記以外の利点を付加することができる。本出願と同
日出願の本出願人によつて出願された特許出願におい
て、行および／または列がそれらの間で抵抗により接続
される能動マトリクスのディスプレイスクリーンが記載
されている。この配置は行および列の切断に結合された
不都合を回避せしめる。実際に、切断の場合において、
絶縁された部分は隣接する行または列の電位の合計の半
分に等しい電位に支持される。しかしかかる配置は列が
高過ぎない抵抗を有するものとし、それは残念ながら列
を構成する材料が底部を構成する材料、すなわち実際に
はITOと同一である従来の方法による場合ではない。本
発明によれば、より大きな範囲が列の実現のために残さ
れ、それはより少ない抵抗の材料の利用を許容する。そ
の技術はより少ない抵抗の材料を縁取りする。そこで当
該技術が利用可能である。 より正確には、それゆえ本発明は、導電性底部、薄層
トランジスタ、１群の導電性アドレツシング行および１
群の導電性アドレツシング列のマトリクスで覆われた第
１プレートおよびまた対向電極およびプレート間に挿入
され光電材料を含む第２プレートからなり、トランジス
タが１つの行に接続されたグリツド、１つの底部に接続
される突起によつて形成されるソースおよび１つの列に
接続されるドレインを有し、各ドレイン列接続が一定の
抵抗を呈する導電材料のテープによつて行なわれ、各ト
ランジスタのドレインは１本の行がこのテープに重なり
合う領域に置かれた前記テープの一部によつて形成され
そして各行がトランジスタが形成される領域において一
定の幅およびアドレツシング列に交差する領域において
第１の幅より小さい他の幅を有する能動マトリクスのデ
ィスプレイスクリーンを目的とする。 本発明は同様に定義されるようなスクリーンの製造方
法を目的とする。 いずれにせよ、本発明の特徴は、例として示されかつ
制限されない実施例の添付図面を参照する以下の説明を
読むことにより明らかとなる。 説明される第３図および第４図において、左方部は上
面図をかつ右方部はそれぞれAA,BBおよびCCによる断面
図を示す。 第３図には、本発明による方法の第１の実施例の３つ
の段階（a,b,c）を示す。 行なわれる作業は以下の通りである。 すなわち、例えばガラスからなる絶縁基板50上に、例
えばスズおよびインジウム酸化物ITOからなる透明な導
電材料層52および場合によつては、n+ドーピングしたア
モルフアスケイ素層54を堆積する。 突起53を有する底部51および底部および突起側に沿う
長手方向部分55lおよびテープの基部に対して直角（部
分ａ）の横方向部分55tを有するテープを形成するため
に１またはそれ以上の層を写真製版（フオトグラビア）
する。 第１金属層56および第１絶縁層58を堆積する。 テープの横方向部分に重なり合う列を設計するために
２つの層を写真製版し、それは列をテープに接続し（部
分（部分ｂ）、第２の写真製版はSin+およびITO層を元
のままに残す。 水素と化合したアモルフツスケイ素aSi:H層60、第２
絶縁層62および第２金属層64から形成される積層を堆積
する。 底部の突起およびテープの上方端に重なり合う行を形
成するために前記積層に第３の写真製版する。これはト
ランジスタ61が形成される重なり合いの領域にある。こ
の第３の写真製版は第１絶縁体を元のまま残す。行の幅
は列との交差領域（部分ｃ上で見るように）におけるよ
りもトランジスタの領域においてより大きくすることが
できる。 実用上、第１および第２絶縁体は両方とも二酸化炭素
ケイ素SiO2でかつ第１および第２金属はアルミニウムに
することができる。 この実施例によつて、本発明により追求されるすべて
の目的が達成されることが理解できる。 すなわち、テープ55はトランジスタが破壊する場合に
列を保護する抵抗を構成する。ITOが正方形で104Ωをな
しかつテープが10個の方形（５μｍ×50μｍ）をなすな
らばその場合にこの抵抗は100KΩからなり、この抵抗は
トランジスタが通電されるとき0.1Vより大きい電位の降
下を形成しない。 行はトランジスタ上より列上でより小さい幅からな
る。 グリツドの絶縁体および交差の絶縁体は異なる厚さお
よび場合によつては異なる性質からなる。 さらに、トランジスタはそれから生じるすべての特性
を有する既に引用されたフランス特許出願第2,533,072
号明細書に記載された方法によつて得られる構造のトラ
ンジスタと同一である。 上記で言及された同一発明者の同時出願において保護
された配置と本発明を組み合わす場合には、第１レベル
のマスキングのときに、プレートを巡回するITOからな
る矩形を加えそして第３レベルのマスキングで、接触が
第２金属となされることができるように、前記矩形の左
右端上にaSi:HおよびSiO2の堆積を妨げるのに十分であ
る。行および列はそのときそれらの間でITOのテープに
より装置の周部に接続される。 第４図は以下の作業を含む僅かに異なる方法を示す。 すなわち、絶縁基板50上には、透明な導電材料（例え
ばITOからなる）層52および場合によつてはn+ドーピン
グしたアモルフアスケイ素層54を堆積する。 突起53を備えた底部51、列57および該列に接続された
テープ55をデザインするために第１の写真製版を行な
う。 第１の絶縁体層58を堆積する。 導電性列を被覆する絶縁列を形成するためにSin+にも
ITOにも接触しない第１絶縁体に第２写真製版を行な
い、絶縁体の幅は好ましくは列の金属の幅より大きく、
したがつて絶縁体は列をはみ出しかつ該列を完全に絶縁
する。 aSi:Hの層60、第２絶縁体層62および第２金属層64か
ら構成される積層を堆積する。 突起の上方およびテープの上方部の上方を通る行をデ
ザインするためにITOおよび場合によつては第１絶縁体
を残すことにより前記積層を第３の写真製版する。前述
した変形例におけるように、行の幅は好ましくはトラン
ジスタ上でより列の交差においてより狭い。 この解決の不都合は列を構成する材料がITOであると
いうとであり、それゆえその抵抗は大きく、これは上述
した出願によつて保護されかつ本出願によつて出願され
た配置と両立しない。その代りに、列の絶縁は優れてい
る。 記載された２つの方法において、トランジスタのジオ
メトリは、トランジスタを画成する行が細長くされた２
つのテープ（突起および列への接続のテープの上方端）
に重なり合うために、第３の写真製版のために利用され
るマスクのアラインメントに僅かに感知し得ることを観
察し、それはマスクの位置についての不安定を許容す
る。 第４図に示した第２の方法変形例において、ITO上
に、Sin+の前に第３の写真製版のときにSin+と同時に製
版される追加の金属層を堆積することができる。この変
形例の利点は二重の導電層（ITOおよび金属の列を導入
できることであり、これはその抵抗を減少する。 従来の方法においては、各底部が単一の突起を備えか
つ単一のトランジスタによつて制御される。しかし本発
明は各底部が、第５図に示されるように、２つの突起を
備えかつ２つのトランジスタによつて制御される場合に
非常に良好に適用されることができる。底部Pjは行Liお
よび列cjに接続されたトランジスタTijによつてかつ行L
i＋１および列Cj＋１に接続されたTij＊によつて制御さ
れる。かくしてトランジスタのレベルの欠点の場合に役
立つことができる冗長性を得る。２つのトランジスタが
作動するならば、表示される像は最終的に左方および高
方に向つて１ステツプずつされる。 最後に、本発明は本出願と同日に出願された他の特許
出願の目的をなしてかつトランジスタのグリツドの下の
抵抗層の利用を勧める他の配置と組み合わされることが
できることを教示できる。これら２つの配置が組み合わ
されるならば、それゆえグリツド−ドレイン短絡に対し
てスクリーンを有効に保護する２つの直列の保護抵抗を
得る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による能動マトリクスのディスプレイ
スクリーンの構造を示す概略図、 第２図は能動マトリクスのディスプレイスクリーンを製
造するのに利用される公知の製造方法の主要段階を示す
断面図、 第３図は本発明の方法を実施する第１の態様を示す概略
図、 第４図は本発明の方法を実施する第２の態様を示す概略
図、 第５図は二重制御トランジスタの変形例を示す概略図で
ある。 図中、符号10は下方プレート（下方壁）、12は導電性ア
ドレツシング列、14は導電性アドレツシング行、20は薄
層トランジスタ、22はコンデンサの第１極板、24は上方
プレート（上方壁）、26は対向電極、50は絶縁基板、51
は底部、52,54は第１導電材料層、53は突起、55はテー
プ、55lはテープの長手方向部分、55tは横方向部分、56
は第２導電材料層、57は列、58は第１絶縁材料層、60は
水素と化合したアモルフアスケイ素層、62は第２絶縁材
料層、64は第３導電材料層である。
スクリーンの構造を示す概略図、 第２図は能動マトリクスのディスプレイスクリーンを製
造するのに利用される公知の製造方法の主要段階を示す
断面図、 第３図は本発明の方法を実施する第１の態様を示す概略
図、 第４図は本発明の方法を実施する第２の態様を示す概略
図、 第５図は二重制御トランジスタの変形例を示す概略図で
ある。 図中、符号10は下方プレート（下方壁）、12は導電性ア
ドレツシング列、14は導電性アドレツシング行、20は薄
層トランジスタ、22はコンデンサの第１極板、24は上方
プレート（上方壁）、26は対向電極、50は絶縁基板、51
は底部、52,54は第１導電材料層、53は突起、55はテー
プ、55lはテープの長手方向部分、55tは横方向部分、56
は第２導電材料層、57は列、58は第１絶縁材料層、60は
水素と化合したアモルフアスケイ素層、62は第２絶縁材
料層、64は第３導電材料層である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．第１プレート（10）と第２プレート（24）とを包含
する能動マトリクス用ディスプレイスクリーンであっ
て、 前記第１プレート（10）は、次のマトリクスすなわち、 導電性底部（22）と、 複数の薄層トランジスタ（20）と、 １群の導電性アドレッシング行（14）と、 １群の導電性アドレッシング列（12）と、から成るマト
リクスで、 覆われ、 この場合、 前記各薄層トランジスタ（20）は、 行に接続されたグリッドと、 底部に接続される突起によって形成されるソースと、 列に接続されるドレインと、 を有しており、 前記第２プレート（24）は、 対向電極（26）と、 前記２つのプレート間へ挿入された光電材料と、 を包含している ようなタイプの上記能動マトリクス用ディスプレイスク
リーンにおいて、 各ドレイン−列の接続が、一定の抵抗を呈する導電材料
製テープ（55）によって行なわれ、 各薄層トランジスタのドレインが、当該テープと行が重
なり合う領域に位置する当該テープ部分によって形成さ
れ、 各行が、トランジスタが形成される領域において一定の
幅を有し、しかも行がアドレッシング列と交差する領域
においては前記幅より狭い幅を有し、 かつ、一定の抵抗を呈する前記導電材料製テープ（55）
が前記導電性底部を構成するのと同じ材料（52）で構成
されること を特徴とする能動マトリクス用ディスプレイスクリー
ン。 ２．前記材料はスズ−インジウム酸化物で（ITO）ある
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の能動マ
トリクスのディスプレイスクリーン。 ３．能動マトリクスのディスプレイスクリーンの製造方
法であって、該方法は、コンデンサの第１極板（22）
と、薄層トランジスタ（20）と、導電性アドレッシング
の行（14）および列（12）と、を支持する下方プレート
（10）を実現すると共に前記コンデンサの第２極板を形
成する対向電極（26）で覆われた上方プレート（24）を
実現することからなる能動マトリクスのディスプレイス
クリーンの製造方法において、前記下方プレートを実現
するために、以下の作業すなわち、 絶縁基板（50）上に一定の抵抗を呈する第１の導電材料
層（52、54）を堆積する作業、 該第１の導電材料層に第１の写真製版を行なって、前記
複数の底部（51）がのちのコンデンサの極板の一方を形
成し、各底部が突起（53）を有するように構成し、さら
に、前記第１の写真製版によって、テープ（55）が、前
記底部とおよびその突起とに沿って延びる長手方向部分
（55l）を有してかつ横方向部分（55t）を有するように
存在せしめられる作業、 第２導電材料層（56）および第１絶縁材料層（58）を堆
積する作業、 これら２つの層に第２の写真製版を行なって、列が、前
記テープの長手方向部分（55l）に対して平行でかつ前
記テープの横方向部分（55t）と接触するように存在せ
しめられる作業、 前記集合体上に水素と化合したアモルファスケイ素の層
（60）と、第２絶縁材料の層（62）と、第３導電材料の
層（64）、とから構成される積層を堆積する作業、 該積層に第３の写真製版を行なって前記行が次のように
存在せしめられる作業、すなわち、これらの行は前記底
部の突起（53）の上方をかつ前記テープ（55）の端部の
上方を通り、そしてそこにトランジスタを形成してトラ
ンジスタのドレインが前記テープと接触し、前記行の幅
は該行が前記列に交差する領域におけるより前記トラン
ジスタの領域において大きくすることができるような作
業、 を行なうこと、を特徴とする能動マトリクスのデイスプ
レイスクリーンの製造方法。 ４．能動マトリクスのディスプレイスクリーンの製造方
法であって、該方法は、コンデンサの第１極板（22）
と、薄層トランジスタ（20）と、導電性アドレッシング
の行（14）および列（12）と、を支持する下方プレート
（10）を実現すると共に前記コンデンサの第２極板を形
成する対向電極（26）で覆われた上方プレート（24）を
実現することからなる能動マトリクスのディスプレイス
クリーンの製造方法において、 前記下方プレートを実現するために、以下の作業すなわ
ち、 絶縁基板（50）上に一定の抵抗を呈する第１の導電材料
層（52、54）を堆積する作業、 該第１の導電材料層に第１の写真製版を行なって、前記
複数の底部（51）がのちのコンデンサの極板の一方を形
成し、各底部が突起（53）を有するように構成し、さら
に、前記第１の写真製版によって、テープ（55）が、前
記底部とおよびその突起とに沿って延びる長手方向部分
（55l）を有してかつ横方向部分（55t）を有するよう
に、さらに、列（57）が、前記テープの横方向部分（55
t）と接触するように存在せしめられる作業、 第１絶縁材料層（58）を堆積する作業、 該絶縁材料層に第２の写真製版を行なって、前記列の上
に当該絶縁材料を残留させる作業、 前記集合体上に水素と化合したアモルファスケイ素の層
（60）と、第２絶縁材料の層（62）と、第３導電材料の
層（64）、とから構成される積層を堆積する作業、 該積層に第３の写真製版を行なって前記行が次のように
存在せしめられる作業、すなわち、これらの行は前記底
部の突起（53）の上方をかつ前記テープ（55）の端部の
上方を通り、そしてそこにトランジスタを形成してトラ
ンジスタのドレインが前記テープと接触し、前記行の幅
は該行が前記列に交差する領域におけるより前記トラン
ジスタの領域において大きくすることができるような作
業、 を行なうこと、を特徴とする能動マトリクスのディスプ
レイスクリーンの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8601082A FR2593630B1 (fr) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de drain et procedes de fabrication de cet ecran |
| FR8601082 | 1986-01-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222285A JPS62222285A (ja) | 1987-09-30 |
| JP2709384B2 true JP2709384B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=9331496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62015307A Expired - Fee Related JP2709384B2 (ja) | 1986-01-27 | 1987-01-27 | 能動マトリクスのデイスプレイスクリーンおよびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4790630A (ja) |
| EP (1) | EP0234994B1 (ja) |
| JP (1) | JP2709384B2 (ja) |
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| DE (1) | DE3773227D1 (ja) |
| FR (1) | FR2593630B1 (ja) |
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