JP2732609B2 - Magnetoelectric conversion element - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁電変換素子、特に、高透磁率強磁性材料
層を具えて磁束の集束効果を大きくし、高感度にした磁
電変換素子に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoelectric conversion element, and more particularly to a magnetoelectric conversion element having a high permeability ferromagnetic material layer to increase the magnetic flux focusing effect and to increase the sensitivity. Things.
［従来の技術］ 第10図にGaAs基板を用いた従来のホール素子の一例を
示す。基板１にホール素子２が形成され、その入出力電
極３はボンディングワイヤ７によってリード6a,6bに接
続されている。このようなホール素子の感度を上げるた
めに、図示するようにホール素子が形成された基板１の
下部にフェライト等の強磁性材料４を接着剤７を用いて
接合する方法が用いられていた。また第11図に示すよう
にホール素子２が形成された基板１の下部に、フェライ
ト等の強磁性材料の粉末を含んだエポキシ樹脂層10を塗
付する方法が用いられていた。[Prior Art] FIG. 10 shows an example of a conventional Hall element using a GaAs substrate. A hall element 2 is formed on a substrate 1, and its input / output electrodes 3 are connected to leads 6 a and 6 b by bonding wires 7. In order to increase the sensitivity of such a Hall element, a method has been used in which a ferromagnetic material 4 such as ferrite is bonded to a lower portion of the substrate 1 on which the Hall element is formed, using an adhesive 7, as shown in the figure. As shown in FIG. 11, a method of applying an epoxy resin layer 10 containing a powder of a ferromagnetic material such as ferrite to a lower portion of the substrate 1 on which the Hall element 2 is formed has been used.
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、これらの方法では強磁性材料層または
強磁性材料を含有する層の厚さが十分でなく、反磁場の
効果も大きくなるため、十分な磁気増幅をすることが難
しかった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in these methods, the thickness of the ferromagnetic material layer or the layer containing the ferromagnetic material is not sufficient, and the effect of the demagnetizing field increases, so that sufficient magnetic amplification is performed. It was difficult.
また、このため強磁性材料層を厚くするとホール素子
の厚さが厚くなりすぎ、使用面から見て好ましくない問
題を生じていた。In addition, when the ferromagnetic material layer is thickened, the thickness of the Hall element becomes too thick, which causes an unfavorable problem from the viewpoint of use.
さらにこの場合、リード面からホール素子表面までの
高さが非常に高くなり、ワイヤボンディング時のボンデ
ィングの歩留まりと信頼性を低下させるというような問
題をも引き起こしており、量産技術的には大きな問題と
なっていた。Furthermore, in this case, the height from the lead surface to the Hall element surface becomes extremely high, which causes a problem that the bonding yield and reliability at the time of wire bonding are reduced, which is a major problem in mass production technology. Had become.
本発明の目的はこれらの問題点を解決した高感度の磁
電変換素子を提供することにある。An object of the present invention is to provide a high-sensitivity magnetoelectric conversion device that solves these problems.
［課題を解決するための手段］ 本発明の磁電変換素子は、表面に感磁部が形成された
磁電変換素子基板が、その表面と反対側の面が感磁部の
入出力電極がボンディングワイヤを介して電気的に接続
されるリードと対向するように、リード上に担持された
磁電変換素子において、リードの基板と対向する部分に
第１の高透磁率磁性材料層が形成され、基板と第１の高
透磁率磁性材料層の間に第２の高透磁率磁性材料層が形
成されていることを特徴とする。[Means for Solving the Problems] In the magnetoelectric conversion element of the present invention, a magnetoelectric conversion element substrate having a magnetically sensitive portion formed on the surface has a surface opposite to the surface on which the input / output electrodes of the magnetically sensitive portion are bonded wires. A first high-permeability magnetic material layer is formed on a portion of the magneto-electric conversion element carried on the lead facing the substrate so as to face the lead electrically connected to the substrate via the substrate. A second high-permeability magnetic material layer is formed between the first high-permeability magnetic material layers.
本発明の磁電変換素子は、一般に言うイオン注入法を
用いて感磁部が形成されたホール素子、エピタキシャル
法により感磁部が形成されたホール素子、蒸着法により
感磁部が形成されたホール素子、磁気抵抗効果素子、磁
気トランジスタ等一般に磁気信号を入力し、電気信号出
力を取り出す素子を意味する。The magnetoelectric conversion element of the present invention includes a Hall element in which a magnetically sensitive part is formed by using an ion implantation method, a Hall element in which a magnetically sensitive part is formed by an epitaxial method, and a hole in which a magnetically sensitive part is formed by an evaporation method. It generally means an element that inputs a magnetic signal and extracts an electric signal output, such as an element, a magnetoresistive element, and a magnetic transistor.
次に本発明をホール素子を例にして説明する。 Next, the present invention will be described using a Hall element as an example.
第１図（Ａ）は本発明のホール素子の実施例の構造を
模式的に示す平面図であり、同図（Ｂ）はその側面図で
ある。FIG. 1A is a plan view schematically showing the structure of an embodiment of the Hall element of the present invention, and FIG. 1B is a side view thereof.
第１図において、１は表面にホール素子が形成された
ホール素子基板であり、２はその基板表面に形成された
ホール素子部（感磁部）であり、３はホール素子の入出
力用の電極である。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a Hall element substrate having a Hall element formed on the surface, 2 denotes a Hall element portion (magnetic sensing part) formed on the surface of the substrate, and 3 denotes an input / output of the Hall element. Electrodes.
リード6aのアイランド部6a1には第１の高透磁率強磁
性材料層５が埋め込まれ、ホール素子基板１と第１の高
透磁率強磁性材料層５との間には接着剤７を介して第２
の高透磁率強磁性材料層４が配されている。８はボンデ
ィングワイヤを示し、電極３よりリード6a,6bに延びて
いる。９はモールド用のエポキシ樹脂を示す。A first high-permeability ferromagnetic material layer 5 is embedded in the island portion 6a1 of the lead 6a, and an adhesive 7 is interposed between the Hall element substrate 1 and the first high-permeability ferromagnetic material layer 5. Second
The high magnetic permeability ferromagnetic material layer 4 is disposed. Reference numeral 8 denotes a bonding wire, which extends from the electrode 3 to the leads 6a and 6b. Reference numeral 9 denotes a mold epoxy resin.
磁気集束のために用いられる高透磁率強磁性材料４お
よび５は、一般に残留磁束密度の小さな強磁性材料が用
いられるが、フェライトやパーマロイは好ましい材料で
ある。As the high permeability ferromagnetic materials 4 and 5 used for magnetic focusing, ferromagnetic materials having a small residual magnetic flux density are generally used, and ferrite and permalloy are preferable materials.
リード6aのアイランド部に埋め込まれる第１の高透磁
率強磁性材料層５は角柱または円柱状の形状が好ましく
用いられる。The first high-permeability ferromagnetic material layer 5 embedded in the island portion of the lead 6a preferably has a prismatic or cylindrical shape.
また、これらの強磁性材料を予め粉末化し、さらにエ
ポキシ樹脂やガラス等に混入し、予めリード6aのアイラ
ンド部に形成された凹部に埋め込むことも行われる。Alternatively, these ferromagnetic materials may be powdered in advance, mixed with epoxy resin, glass, or the like, and embedded in the recesses formed in the island portions of the leads 6a in advance.
凹部の位置についてはホール素子の中心と凹部の中心
が一致することが好ましく、凹部の形状については穴、
溝等何でも良い。It is preferable that the center of the Hall element coincides with the center of the concave portion with respect to the position of the concave portion.
Anything, such as a groove, may be used.
凹部の大きさはホール素子基板１の大きさ程度で良い
が、ホール素子２の感磁部の大きさ程度であることはよ
り好ましいことである。Although the size of the concave portion may be about the size of the Hall element substrate 1, it is more preferable that it is about the size of the magnetically sensitive portion of the Hall element 2.
さらに第１の高透磁率強磁性材料層５の埋め込み深さ
はできるだけ深いことが高感度化を計る上で望ましい
が、所望の感度を得るために適当に深さを決めても良
い。Further, it is desirable that the buried depth of the first high-permeability ferromagnetic material layer 5 is as deep as possible in order to increase the sensitivity. However, the depth may be appropriately determined in order to obtain a desired sensitivity.
同様に、ホール素子基板１と第１の高透磁率強磁性材
料層５との間に接着剤７を介して配されている第２の高
透磁率強磁性材料層４の厚さはできるだけ厚いことが高
感度化を計る上で望ましいが、所望の感度と素子の薄さ
を得るために適当に厚さを決めても良い。Similarly, the thickness of the second high-permeability ferromagnetic material layer 4 provided between the Hall element substrate 1 and the first high-permeability ferromagnetic material layer 5 via the adhesive 7 is as large as possible. It is desirable to increase the sensitivity, but the thickness may be appropriately determined in order to obtain a desired sensitivity and a thin element.
第２の高透磁率強磁性材料層４として強磁性材料を予
め粉末化し、さらにエポキシ樹脂や耐熱性の樹脂、ポリ
イミド、ガラス等に混入したものを用いることも良く行
なわれるが、接着剤７に強磁性材料の粉末を混入したも
のを用いることも好ましい方法である。The second high-permeability ferromagnetic material layer 4 may be formed by pulverizing a ferromagnetic material in advance and further mixing an epoxy resin, a heat-resistant resin, polyimide, glass, or the like. It is also a preferable method to use a material mixed with a ferromagnetic material powder.
さらに、ホール素子の高感度化のために強磁性材料の
粉末を混入した樹脂層を感磁部上面に成し、ホール素子
を上下の強磁性層でサンドイッチする構造をとる事も好
ましく行なわれ、本発明の範囲内である。Further, it is also preferable to form a resin layer containing a powder of a ferromagnetic material on the upper surface of the magnetic sensing portion in order to increase the sensitivity of the Hall element, and to adopt a structure in which the Hall element is sandwiched between upper and lower ferromagnetic layers, It is within the scope of the present invention.
本発明の磁電変換素子の基板はGaAs,InP,Si等の基板
はもちろんサファイヤ、セラミック等でも、あるいはガ
ラスや樹脂等が用いられても良い。The substrate of the magnetoelectric conversion element of the present invention may be a substrate of GaAs, InP, Si or the like, or sapphire, ceramic, or glass or resin.
［作 用］ 本発明による磁電変換素子は、フェライト等の強磁性
材料がホール素子基板直下に、リード6aのアイランド部
内に埋設されている第１の高透磁率強磁性材料層５およ
び基板と第１の高透磁率強磁性材料層５の間の第２の高
透磁率強磁性材料層４として配されていることから、大
幅な高感度化を実現するとともに素子の薄型化を計るこ
とができる。[Operation] The magnetoelectric conversion element according to the present invention comprises a first high magnetic permeability ferromagnetic material layer 5 in which a ferromagnetic material such as ferrite is buried in the island portion of the lead 6a directly under the Hall element substrate, and Since the second high-permeability ferromagnetic material layer 4 is disposed between the first high-permeability ferromagnetic material layers 5, a significant increase in sensitivity can be realized and the device can be made thinner. .
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図に示した磁電変換素子以外の本発明の実施例を
第２図〜第５図に示す。Embodiments of the present invention other than the magnetoelectric conversion element shown in FIG. 1 are shown in FIGS.
第２図は本発明実施例の側面図である。予めリード6a
のアイランド部に形成された凹部に埋め込む強磁性材料
として、強磁性材料を予め粉末化してエポキシ樹脂等に
混入したもの10を用いたものである。FIG. 2 is a side view of the embodiment of the present invention. Lead 6a in advance
As a ferromagnetic material to be embedded in the concave portion formed in the island portion, a material 10 in which a ferromagnetic material is powdered in advance and mixed with an epoxy resin or the like is used.
第３図は他の実施例の側面図であり、ホール素子基板
１と第１の高透磁率強磁性材料層５の間に接着剤７を介
して配されている第２の高透磁率強磁性材料層４とし
て、強磁性材料を予め粉末化し、エポキシ樹脂等に混入
したもの10を用いたものである。FIG. 3 is a side view of another embodiment, in which a second high magnetic permeability is provided between the Hall element substrate 1 and the first high magnetic permeability ferromagnetic material layer 5 with an adhesive 7 interposed therebetween. As the magnetic material layer 4, a material 10 in which a ferromagnetic material is powdered in advance and mixed with an epoxy resin or the like is used.
第４図は第１図に示したホール素子の高感度化をさら
に図るために基板表面のホール素子感磁部に対応する基
板裏面を凹形状に加工し、その中に強磁性材料を予め粉
末化し、エポキシ樹脂等に混入したもの10を埋め込んで
第２の高透磁率強磁性材料層を凸形状に形成し、第１の
高透磁率強磁性材料層５と接着剤７によって接着したも
のである。FIG. 4 shows that in order to further increase the sensitivity of the Hall element shown in FIG. 1, the back surface of the substrate corresponding to the Hall element magnetically sensitive portion is processed into a concave shape, and a ferromagnetic material is previously powdered therein. The second high magnetic permeability ferromagnetic material layer is formed into a convex shape by embedding the material 10 mixed into an epoxy resin or the like, and is bonded to the first high magnetic permeability ferromagnetic material layer 5 with an adhesive 7. is there.
第５図は第３図に示したホール素子の高感度化をさら
に図るために、強磁性材料の粉末を混入したシリコン樹
脂等の樹脂層11を感磁部上面に形成し、ホール素子を強
磁性層でサンドイッチしたものである。FIG. 5 shows that in order to further increase the sensitivity of the Hall element shown in FIG. 3, a resin layer 11 of silicon resin or the like mixed with a powder of a ferromagnetic material is formed on the upper surface of the magneto-sensitive part to strengthen the Hall element. This is sandwiched between magnetic layers.
第６図〜第８図に第１の高透磁率強磁性材料層５が埋
め込まれたリード6aを示す。各図においてそれぞれ
（Ａ）はリードの上面図、（Ｂ）は断面図である。リー
ド6aのアイランド部6a1に凹部が設けられ、第１の高透
磁率強磁性材料層５が埋め込まれている。強磁性材料層
５の形状は第６図に示すように円柱状であっても、第７
図および第８図に示すように角柱状であってもよく、さ
らに角柱はその上面形状が正方形であっても、長方形で
あってもよい。6 to 8 show the lead 6a in which the first high-permeability ferromagnetic material layer 5 is embedded. In each figure, (A) is a top view of the lead, and (B) is a sectional view. A recess is provided in the island portion 6a1 of the lead 6a, and the first high-permeability ferromagnetic material layer 5 is embedded therein. Even if the shape of the ferromagnetic material layer 5 is cylindrical as shown in FIG.
As shown in FIG. 8 and FIG. 8, the prism may have a prism shape, and the prism may have a square or rectangular top surface.
このように、基板表面に感磁部が形成された磁電変換
素子基板と、第１の高透磁率強磁性材料層が一部に形成
されて成るリードと、その間に第２の高透磁率強磁性材
料層が配されたことを基本とした素子を第１図〜第５図
に代表例として示したが、これを基本とした構成を有す
る素子は全て本発明の範囲に入ることはもちろんであ
り、さらにこれらのいかなる変形も本発明の範囲内であ
る。As described above, the magneto-electric conversion element substrate having the magneto-sensitive portion formed on the substrate surface, the lead having the first high-permeability ferromagnetic material layer formed in part, and the second high-permeability The elements based on the arrangement of the magnetic material layer are shown as typical examples in FIGS. 1 to 5, but all the elements having the structure based on this element are naturally within the scope of the present invention. Yes, and any of these variations are within the scope of the invention.
次に第１図および第５図に示した磁電変換素子の試作
例を以下に示す。Next, a prototype of the magnetoelectric conversion element shown in FIGS. 1 and 5 will be described below.
「試作例１」 第１図に示すように直径50mm、厚さ300μｍのノンド
ープGaAs半絶縁性基板１に、Si+を150keV、４×1012cm
-2の条件でイオン注入をした後、アニールを行い、続い
てメサエッチングによりホール素子感磁部２を形成し
た。さらに続いて、入出力用オーミック電極をAu/Ni/Au
−Geの構成で形成してホール素子を多数同時に作製し
た。50mm diameter as shown in FIG. 1, "Prototype Example 1", the non-doped GaAs semi-insulating substrate 1 having a thickness of 300 [mu] m, the Si + 150keV, 4 × 10 12 cm
After ion implantation under the condition of -2 , annealing was performed, and then the Hall element magneto-sensitive portion 2 was formed by mesa etching. Subsequently, the input / output ohmic electrodes were Au / Ni / Au
A large number of Hall elements were simultaneously formed by using the composition of -Ge.
次に、この表面にホール素子が形成されたGaAs基板１
の裏面にエポキシ接着剤７を塗布した上で直径50mm、厚
さ200μｍのフェライト４を貼りつけ、これを200℃に３
時間保持して硬化させた。Next, a GaAs substrate 1 having a Hall element formed on its surface
After applying an epoxy adhesive 7 on the back surface of the above, a ferrite 4 having a diameter of 50 mm and a thickness of 200 μm is adhered, and this is heated to 200 ° C.
Hold for a time to cure.
その後ダイシングを行ない素子を個別のペレットに切
断した。Thereafter, dicing was performed to cut the element into individual pellets.
一方、リード6aのアイランド部に強磁性材料が埋め込
まれたリードを作製するために、厚さ0.5mm、縦30mm、
横150mmの銅板12を用意し、第９図（Ａ）に示すように
アイランド部に相当する位置に厚さ0.25mm、縦0.5mm、
横150mmのパーマロイを載せ、次に圧延加工することで
第９図（Ｂ）に示すように、銅板12にパーマロイ５が埋
め込まれた厚さ0.3mm、縦30mm、横150mmの圧延板を得
た。On the other hand, in order to produce a lead in which a ferromagnetic material is embedded in the island portion of the lead 6a, a thickness of 0.5 mm, a length of 30 mm,
A copper plate 12 having a width of 150 mm is prepared, and a thickness of 0.25 mm, a height of 0.5 mm, and
A permalloy of 150 mm in width was placed and then rolled to obtain a 0.3 mm thick, 30 mm in length, 150 mm in width rolled plate in which permalloy 5 was embedded in the copper plate 12 as shown in FIG. 9 (B). .
次に埋め込まれたパーマロイ５の中心とアイランド部
の中心が一致するようにこの板を打ち抜いて、第９図
（Ｃ）に示すようにリード6aのアイランド部にパーマロ
イ５が埋めこまれたリード6aおよび6bを作製した。Next, this plate is punched out so that the center of the embedded Permalloy 5 and the center of the island portion coincide with each other, and as shown in FIG. 9C, the lead 6a in which the Permalloy 5 is embedded in the island portion of the lead 6a. And 6b were made.
続いて、ダイシングにより得られた個別の素子ペレッ
トを、作製したリード6aのアイランド上に、アイランド
に埋め込まれたパーマロイ５の中心とホール素子感磁部
の中心が合うように接着剤７を介してダイボンドを行な
った。Subsequently, the individual element pellets obtained by dicing are placed on the island of the prepared lead 6a via the adhesive 7 so that the center of the permalloy 5 embedded in the island and the center of the magnetic sensing part of the Hall element are aligned. Die bonding was performed.
次に、ワイヤボンディングを行なった後に、トランス
ファーモールド法によりエポキシ樹脂９でモールドを行
ない、ホール素子を製作した。Next, after performing wire bonding, molding was performed with an epoxy resin 9 by a transfer molding method, thereby manufacturing a Hall element.
こうして製作した素子の特性を第１表に示す。 Table 1 shows the characteristics of the device thus manufactured.
Ｉは本発明によるホール素子であり、IIは参考のため
の従来法によるホール素子の特性である。I is a Hall element according to the present invention, and II is a characteristic of a conventional Hall element for reference.
この表からわかるように本発明の素子は従来のものと
比較して、1.8倍の出力が得られている。As can be seen from this table, the output of the device of the present invention is 1.8 times that of the conventional device.
「試作例２」 直径50mm、厚さ300μｍのCr−ＯドープGaAs半絶縁性
基板（100）２゜off（＜110＞方向）上に、分子線エピ
タキシャル法を用いて基板温度630℃、V/III比JAs/JGa
＝３の条件で、Siをドーパントとして厚さ１μｍ、シー
トキャリヤ濃度２×1012cm-2のGaAsエピタキシャル膜を
１時間で成長させた。 "Trial Production Example 2" On a Cr-O-doped GaAs semi-insulating substrate (100) 2 @ off (<110> direction) having a diameter of 50 mm and a thickness of 300 .mu.m, a substrate temperature of 630.degree. III ratio J As / J Ga
Under the condition of = 3, a GaAs epitaxial film having a thickness of 1 μm and a sheet carrier concentration of 2 × 10 12 cm −2 was grown in one hour using Si as a dopant.
次にメサエッチングによりホール素子感磁部を形成
し、さらに続いて、入出力用オーミック電極をAu/Ni/Au
−Geの構成で形成することでホール素子を多数同時に作
製した。Next, a Hall element magneto-sensitive part is formed by mesa etching, and subsequently, an ohmic electrode for input / output is Au / Ni / Au.
A large number of Hall elements were simultaneously manufactured by forming the Hall element with the structure of -Ge.
さらに第５図に示すように、表面にホール素子が形成
されたGaAs基板１の裏面にフェライトの粉末（平均粒径
0.5以下μｍ）を70wt％混入したエポキシ樹脂10を200μ
ｍの厚さに塗布し、これを200℃に３時間保持して硬化
させた。Further, as shown in FIG. 5, a ferrite powder (average particle size)
200μ of epoxy resin 10 containing 70wt%
m and cured at 200 ° C. for 3 hours.
その後ダイシングを行ない、素子を個別のペレットに
切断した。Thereafter, dicing was performed to cut the device into individual pellets.
次に試作例１と同様の方法で作製したリード6aのアイ
ランド上にダイシングにより得られた個別の素子ペレッ
トを、アイランド上に埋め込まれたパーマロイ５の中心
とホール素子感磁部の中心が合うようにダイボンドを行
なった。Next, the individual element pellets obtained by dicing on the island of the lead 6a manufactured in the same manner as in the prototype example 1 were placed so that the center of the permalloy 5 embedded on the island and the center of the magnetic sensing part of the Hall element were aligned. Was die-bonded.
次に、ワイヤボンディングを行なった後に、フェライ
トの粉末を混入したシリコン樹脂11を感磁部の真上に滴
下し、150℃に８時間保持して硬化させ、ホール素子を
強磁性材料層でサンドイッチした構造を形成した。Next, after performing wire bonding, a silicon resin 11 mixed with ferrite powder is dropped directly on the magnetically sensitive portion, kept at 150 ° C. for 8 hours and cured, and the Hall element is sandwiched with a ferromagnetic material layer. Formed structure.
続いて、トランスファーモールド法によりエポキシ樹
脂９でモールドを行ない、ホール素子を製作した。Subsequently, molding was performed with an epoxy resin 9 by a transfer molding method, thereby manufacturing a Hall element.
こうして製作した素子の特性を第２表に示す。 Table 2 shows the characteristics of the device thus manufactured.
Ｉは本発明によりホール素子であり、IIは参考のため
の従来法によるホール素子の特性である。I is a Hall element according to the present invention, and II is a characteristic of a conventional Hall element for reference.
この表からわかるように本発明の素子は従来のものと
比較して、3.6倍の出力が得られている。As can be seen from this table, the output of the device of the present invention is 3.6 times that of the conventional device.
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による磁電変換素子は、
フェライト等の強磁性材料がホール素子基板直下に、リ
ード6aのアイランド部内に埋設されている第１の高透磁
率強磁性材料層５および基板と第１の高透磁率強磁性材
料層の間の第２の高透磁率強磁性材料層４として配され
ていることから、大幅な高感度化を実現するとともに素
子の薄型化を計ることができた。 [Effect of the Invention] As described above, the magnetoelectric conversion element according to the present invention is
A ferromagnetic material such as ferrite is buried in the island portion of the lead 6a directly under the Hall element substrate, between the first high permeability ferromagnetic material layer 5 and the substrate and the first high permeability ferromagnetic material layer. Since the second ferromagnetic material layer 4 is provided as the second high magnetic permeability layer, it is possible to realize a significant increase in sensitivity and to reduce the thickness of the element.
さらに、本発明によればリード6aのアイランド部内に
埋設されている磁気集束用の第１の高透磁率強磁性材料
層５の大きさや深さおよび第２の高透磁率強磁性材料層
４の厚さを容易に自由に設計できることから、ホール素
子の感度設計の自由度が大きくとれ、高感度の磁電変換
素子が作れる。Further, according to the present invention, the size and depth of the first high-permeability ferromagnetic material layer 5 for magnetic focusing embedded in the island portion of the lead 6a and the second high-permeability ferromagnetic material layer 4 Since the thickness can be easily designed freely, the degree of freedom in the sensitivity design of the Hall element can be increased, and a highly sensitive magnetoelectric conversion element can be manufactured.
またリード面からボンディング電極面までの高さが低
くなることから、ワイヤボンディング時のワイヤループ
調整が容易になり、ワイヤボンディングの歩留まりが大
幅に向上するとともに従来不可能であった量産性が可能
となった。Also, since the height from the lead surface to the bonding electrode surface is reduced, it is easy to adjust the wire loop during wire bonding, greatly improving the yield of wire bonding and enabling mass productivity that was not possible before. became.
第１図は本発明による磁電変換素子の実施例を示し、図
（Ａ）は平面図、図（Ｂ）はその側面図、 第２図〜第５図は本発明による磁電変換素子の他の実施
例を示す側面図である。 第６図〜第８図はアイランド部に第１の高透磁率強磁性
材料層５が埋め込まれたリードを示す図、 第９図はリードのアイランド部にパーマロイが埋め込ま
れたリードの製作例を示す図、 第10図および第11図は従来のホール素子の側面図であ
る。 １……基板、 ２……ホール素子感磁部、 ３……入出力電極、 4,5……高透磁率強磁性材料層、 6a,6b……リード、 ７……接着剤、 ８……ボンディングワイヤ、 ９……モールドエポキシ樹脂、 10,11……高透磁率強磁性材料層を混入した樹脂層、 12……銅板。FIG. 1 shows an embodiment of a magnetoelectric conversion element according to the present invention, wherein FIG. 1 (A) is a plan view, FIG. 1 (B) is a side view thereof, and FIGS. It is a side view which shows an Example. 6 to 8 show a lead in which the first high permeability ferromagnetic material layer 5 is buried in the island portion, and FIG. 9 shows an example of manufacturing a lead in which permalloy is buried in the island portion of the lead. FIG. 10 and FIG. 11 are side views of a conventional Hall element. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... board | substrate, 2 ... Hall element magnetic sensing part, 3 ... input / output electrode, 4,5 ... high magnetic permeability ferromagnetic material layer, 6a, 6b ... lead, 7 ... adhesive, 8 ... Bonding wire, 9: Mold epoxy resin, 10, 11: Resin layer mixed with high permeability ferromagnetic material layer, 12: Copper plate.
Claims (2)
板が、前記表面と反対側の面が前記感磁部の入出力電極
がボンディングワイヤを介して電気的に接続されるリー
ドと対向するように、該リード上に担持された磁電変換
素子において、前記リードの前記基板と対向する部分に
第１の高透磁率磁性材料層が形成され、前記基板と前記
第１の高透磁率磁性材料層の間に第２の高透磁率磁性材
料層が形成されていることを特徴とする磁電変換素子。1. A magneto-electric conversion element substrate having a magnetically sensitive portion formed on a surface thereof, wherein a surface opposite to the surface has a lead to which an input / output electrode of the magnetically sensitive portion is electrically connected via a bonding wire. A first high-permeability magnetic material layer is formed on a portion of the magneto-electric conversion element carried on the lead facing the substrate so as to face the first and second magnetic permeability layers; A magnetoelectric conversion element, wherein a second high-permeability magnetic material layer is formed between magnetic material layers.
３の高透磁率磁性材料層がさらに形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の磁電変換素子。2. The magnetoelectric conversion element according to claim 1, further comprising a third high magnetic permeability magnetic material layer covering the magnetically sensitive portion formed on the substrate surface.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63242357A JP2732609B2 (en) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | Magnetoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242357A JP2732609B2 (en) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | Magnetoelectric conversion element |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH0291589A JPH0291589A (en) | 1990-03-30 |
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ID=17087986
Family Applications (1)
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-
1988
- 1988-09-29 JP JP63242357A patent/JP2732609B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| JPH0291589A (en) | 1990-03-30 |
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