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JP2732695B2 - Electronic device manufacturing process support system - Google Patents
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JP2732695B2 - Electronic device manufacturing process support system - Google Patents

Electronic device manufacturing process support system

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JP2732695B2
JP2732695B2 JP2046293A JP4629390A JP2732695B2 JP 2732695 B2 JP2732695 B2 JP 2732695B2 JP 2046293 A JP2046293 A JP 2046293A JP 4629390 A JP4629390 A JP 4629390A JP 2732695 B2 JP2732695 B2 JP 2732695B2
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体などの電子デバイス製造プロセス支援
システムなどに用いる、プロセスフロー作成手段を有す
る電子デバイス製造プロセス支援システムに関するもの
である。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an electronic device manufacturing process support system having a process flow creating means used for an electronic device manufacturing process support system for semiconductors and the like.

[従来の技術] 半導体などの電子デバイス製造プロセスは、複雑かつ
精密な工程管理を要求されるため、高度の自動管理が必
要である。以下電子デバイスの代表例として、半導体を
例に挙げて説明する。
[Prior Art] In a process of manufacturing an electronic device such as a semiconductor, complicated and precise process control is required, so that a high degree of automatic control is required. Hereinafter, a semiconductor will be described as a typical example of an electronic device.

半導体プロセス支援システムの従来例を第6図を用い
て説明する。
A conventional example of a semiconductor process support system will be described with reference to FIG.

半導体プロセス支援システムにおける半導体プロセス
フロー作成では、各々の工程に対して1つのプロセス処
理条件しか設定できず、例えば、9工程からなり工程5
(50)で2つの違ったプロセス処理条件5a(51)・5b
(82)を設定する場合には、工程1(10)から工程4
(40)までは4枚の半導体ウエハー(以下ウエハーと略
記する)から構成される1つのLot−A(21)として処
理条件を設定し、工程5(50)ではそれぞれ2枚のウエ
ハーから構成されるLot−B(22)にプロセス処理条件5
a(51)を、Lot−C(23)にプロセス処理条件5b(52)
をそれぞれ設定し、工程6(60)から工程7(70)まで
は再び4枚のウエハーから構成される1つのLot−D(2
4)として処理条件を設定し、工程8(80)ではそれぞ
れ2枚のウエハーから構成されるLot−E(25)にプロ
セス処理条件8a(81)を、Lot−F(26)にプロセス処
理条件8−b(82)をそれぞれ設定し、工程9(90)で
は再び4枚のウエハーから構成される1つのLot−G(2
7)として処理条件を設定していた。
In the creation of a semiconductor process flow in a semiconductor process support system, only one process processing condition can be set for each process.
(50) two different process conditions 5a (51) and 5b
When (82) is set, steps 1 (10) to 4
Up to (40), processing conditions are set as one Lot-A (21) composed of four semiconductor wafers (hereinafter abbreviated as wafers), and in step 5 (50), each Lot-A (21) is composed of two wafers. Lot-B (22) with processing conditions 5
a (51) is converted to Lot-C (23) by the processing condition 5b (52).
Are respectively set, and from Step 6 (60) to Step 7 (70), one Lot-D (2
The processing conditions are set as 4), and in step 8 (80), the processing conditions 8a (81) are applied to Lot-E (25) composed of two wafers, and the processing conditions are applied to Lot-F (26). 8-b (82) are set respectively, and in step 9 (90), one Lot-G (2
The processing conditions were set as 7).

すなわち、2つの工程で2つずつのプロセス処理条件
を設定するために7つのロットを必要としていた。
That is, seven lots are required to set two process processing conditions in two steps.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前記従来技術は、工程で複数のプロセ
ス処理条件を設定するためには、複数のロットが必要に
なり、ロット数が増大するという課題を有していた。
[Problem to be Solved by the Invention] However, the conventional technique has a problem that a plurality of lots are required to set a plurality of process processing conditions in a process, and the number of lots increases. .

本発明は、前記従来技術の課題を解決するため、ウエ
ハー毎に半導体プロセス処理条件を設定し、複数のプロ
セス処理条件を設定する場合でも1つのロットで製造で
きるようにし、ロット数を減少することを目的とする。
In order to solve the problems of the prior art, the present invention sets semiconductor processing conditions for each wafer, and enables manufacturing in one lot even when a plurality of processing conditions are set, thereby reducing the number of lots. With the goal.

[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するため、本発明における半導体プロ
セス支援システムは、リソグラフィープロセスを用いて
電子デバイスを製造するプロセス支援システムであっ
て、条件分け表ファイルから条件分け表レコード抽出手
段により1レコードを抽出し、基本プロセスフローファ
イルからマスク名レコード検索手段により合致する工程
名アイテム値を含むレコードを検索し、基本プロセスフ
ローファイルの工程名アイテム値を比較し、基本プロセ
スフローファイルから基本プロセスフローレコード検索
手段により合致する工程名アイテム値を含むレコードを
検索し、条件分けプロセスフロー登録手段により条件分
け表レコード抽出手段で抽出したアイテム値群を基本プ
ロセスフローファイルに登録する手段を備えたことを特
徴とする。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a semiconductor process support system according to the present invention is a process support system for manufacturing an electronic device using a lithography process. One record is extracted by the record extracting means, a record including the matching process name item value is searched from the basic process flow file by the mask name record searching means, and the process name item value of the basic process flow file is compared. Means for retrieving a record containing a matching process name item value from a file by a basic process flow record search means, and registering, in a basic process flow file, an item value group extracted by a condition classification table record extraction means by a condition classification process flow registration means With It is characterized by the following.

[作用] 前記した本発明の構成によれば、条件分け表ファイル
から条件分け表レコード抽出手段により1レコードを抽
出し、基本プロセスフローファイルからマスク名レコー
ド検索手段により合致する工程名アイテム値を含むレコ
ードを検索し、基本プロセスフローファイルの工程名ア
イテム値を比較し、基本プロセスフローファイルから基
本プロセスフローレコード検索手段により合致する工程
名アイテム値を含むレコードを検索し、条件分けプロセ
スフロー登録手段により条件分け表レコード抽出手段で
抽出したアイテム値群を基本プロセスフローファイルに
登録することにより、ウエハー毎に異なる条件を指定し
たレコードを含む半導体プロセスフローファイルを作成
することができる。
[Operation] According to the configuration of the present invention described above, one record is extracted from the condition dividing table file by the condition dividing table record extracting means, and the matching process name item value is included from the basic process flow file by the mask name record searching means. Search records, compare the process name item values in the basic process flow file, search the basic process flow file for records containing matching process name item values by the basic process flow record search means, By registering the group of item values extracted by the condition dividing table record extracting means in the basic process flow file, a semiconductor process flow file including records specifying different conditions for each wafer can be created.

従ってウエハー毎に半導体プロセス処理条件を設定す
ることができ、複数のプロセス処理条件を設定する場合
でも1つのロットとすることができ、ロット数を減少さ
せることができる。
Therefore, semiconductor processing conditions can be set for each wafer, and even when a plurality of processing conditions are set, one lot can be used, and the number of lots can be reduced.

[実施例] 本発明における一実施例を、第1図、第2図、第3
図、第4図および第5図を用いて説明する。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. 4, FIG. 4 and FIG.

条件分け表ファイル登録手段(1)は、バイポーラ半
導体デバイスを作成するためのプロセスの条件分けを登
録する。例えば、工程名(110)、リソグラフィープロ
セスに用いるリソグラフィマスク名(120)、パラメー
タ名(130)、パラメータ値(140)、単位(150)、4
枚のウエハー番号[wf1(160)、wf2(170)、wf3(18
0)、wf4(190)]、をデータアイテムとして持つバイ
ポーラ条件分け表ファイル(100)に、ウエハー番号
[(wf1(160)、wf2(170)、wf3(180)、wf4(19
0)]を除くすべてのアイテム値群が同じ場合は、1レ
コード(101)として、また、データアイテム値群、た
とえば半導体として必要な成膜成分であるSi3N4の膜厚
堆積、EB、膜厚50nmなどといった条件データを登録す
る。
The condition dividing table file registration means (1) registers the condition dividing of a process for producing a bipolar semiconductor device. For example, process name (110), lithography mask name (120) used for lithography process, parameter name (130), parameter value (140), unit (150), 4
Wafer number [wf1 (160), wf2 (170), wf3 (18
0), wf4 (190)] as a data item, and a wafer number [(wf1 (160), wf2 (170), wf3 (180), wf4 (19)
0)], when all the item value groups are the same except for one record (101), or as a data item value group, for example, film thickness deposition of Si 3 N 4 which is a film forming component required as a semiconductor, EB, Register condition data such as a film thickness of 50 nm.

前記の手順でレコード毎の登録処理をウエハーの条件
分けを行なう条件数だけ繰り返す。
In the above-described procedure, the registration process for each record is repeated by the number of conditions for dividing the conditions of the wafer.

Si3N4膜厚堆積工程では、Si3N4膜をwf1(160)とwf2
(170)に50nm堆積し、wf3(180)とwf4(190)に75nm
堆積する事を示す。
In the Si 3 N 4 film thickness deposition step, the Si 3 N 4 film is separated into wf1 (160) and wf2
50nm deposited on (170), 75nm on wf3 (180) and wf4 (190)
Indicates that it will be deposited.

基本プロセスフローファイル登録手段(3)は、工程
番号(310)、工程名(320)、パラメータ名(330)、
パラメータ値(340)、単位(350)、処理ウエハー番号
(360)、そのレコードの状態を示すレコードフラグ(3
70)をデータアイテムとして持つ基本バイポーラプロセ
スフローファイル(300)に、バイポーラ半導体デバイ
スを作成するための基本プロセスフローを登録する。例
えば、9つの工程の情報を登録する。特に工程番号(31
0)および工程名(320)のアイテム項の一部としてそれ
ぞれ、3・5・7・8およびEB・Si3N4・BP・PNP P+
埋め込みを登録する。
The basic process flow file registration means (3) includes a process number (310), a process name (320), a parameter name (330),
Parameter value (340), unit (350), processing wafer number (360), record flag (3
A basic process flow for creating a bipolar semiconductor device is registered in the basic bipolar process flow file (300) having the data item (70) as a data item. For example, information on nine steps is registered. In particular, the process number (31
3.5, 7.8, and EB, Si 3 N 4 , BP, and PNP P + as part of the item items of 0) and the process name (320), respectively.
Register the embedding.

条件分け表レコード抽出手段(4)は、バイポーラ条
件分け表ファイル(100)の第1レコード(101)を抽出
する。
The condition dividing table record extracting means (4) extracts the first record (101) of the bipolar condition dividing table file (100).

マスタ名レコード検査手段(7)は、条件分け表レコ
ード抽出手段(4)で抽出したレコード(101)のリソ
グラフィマスク名(120)のアイテム値であるEBとバイ
ポーラ基本プロセスフローファイル(300)の工程名(3
20)のアイテム値を第1レコードよりレコード毎に比較
し、バイポーラ基本プロセスフローファイル(300)よ
り合致したアイテム値を含むレコード(301)を検索す
る。
The master name record inspection means (7) is an EB which is an item value of the lithography mask name (120) of the record (101) extracted by the condition division table record extraction means (4) and a process of the bipolar basic process flow file (300). First name (3
The item value of (20) is compared for each record from the first record, and a record (301) including the matched item value is searched from the bipolar basic process flow file (300).

基本プロセスフローレコード検索手段(8)は、条件
分け表レコード抽出手段(4)で抽出した工程名(11
0)のアイテム値であるSi3N4膜厚堆積と、基本バイポー
ラプロセスフローファイル(300)の工程名(320)のア
イテム値を、マスク名レコード検索手段(7)で検索し
たレコード(301)の次レコードから順にレコード毎に
比較し、合致した工程名アイテム値を含み、しかもレコ
ードフラグ(370)アイテム値がNでないレコード(30
2)を検索する。
The basic process flow record retrieving means (8) retrieves the process name (11
The record (301) obtained by searching the Si 3 N 4 film thickness deposition as the item value of (0) and the item value of the process name (320) of the basic bipolar process flow file (300) by the mask name record search means (7) Are compared for each record in order from the next record, and the record flag (370) has a record flag (370) whose item value is not N (30).
2) Search.

条件分けプロセスフロー登録手段(9)は、基本プロ
セスフローレコード検索手段(8)で検索したレコード
(302)のレコードフラグ(370)のアイテム値がYでな
い場合は条件分け表レコード抽出手段(4)で抽出した
レコード(101)のアイテム値群を、検索したレコード
(302)の対応したアイテム群、工程番号(410)、工程
名(420)、パラメータ名(430)、パラメータ値(44
0)、単位(450)、処理ウエハー番号(460)に、それ
ぞれ5−1・Si3N4膜厚堆積、膜厚、50、nm、1、2
を、レコードフラグ(470)アイテムに、基本プロセス
フローファイルの最終更新レコードであることを示すY
をそれぞれ登録する。レコードフラグ(370)アイテム
値がYである場合は検索したレコードの(302)のレコ
ードフラグアイテムに、基本プロセスフローファイルの
更新確定レコードであることを示すNを登録し、検索し
たレコード(302)の直後に新たなレコード(401)に挿
入しそのレコード(401)の対応したアイテム群、工程
番号(410)・工程名(420)・パラメータ名(430)・
パラメータ値(440)・単位(450)・処理ウエハー番号
(460)に、それぞれ5−2・Si3N4膜厚堆積、膜厚、7
5、nm、3、4を、レコードフラグ(470)アイテムにY
をそれぞれ登録する。
If the item value of the record flag (370) of the record (302) retrieved by the basic process flow record retrieval means (8) is not Y, the condition classification process flow registration means (9) The item value group of the record (101) extracted in step (1) is converted into the corresponding item group, process number (410), process name (420), parameter name (430), and parameter value (44) of the retrieved record (302).
0), unit (450), and processed wafer number (460) are as follows: 5-1 · Si 3 N 4 film thickness deposition, film thickness, 50, nm, 1, 2
Is added to the record flag (470) item to indicate that this is the last updated record of the basic process flow file.
Is registered respectively. If the record flag (370) item value is Y, N indicating that it is an update confirmed record of the basic process flow file is registered in the record flag item of (302) of the searched record, and the searched record (302) Immediately after, insert a new record (401) into the corresponding item group of the record (401), process number (410), process name (420), parameter name (430),
The parameter value (440), a unit (450) and processing wafer number (460), each 5-2-Si 3 N 4 film thickness deposition, thickness, 7
5, nm, 3, 4 are set to Y for the record flag (470) item.
Is registered respectively.

バイポーラ条件分け表ファイル(100)の最終レコー
ド(102)まで、上述の手段、(4)・(7)・(8)
・(9)を繰り返す。
Up to the last record (102) of the bipolar condition division table file (100), the above means, (4), (7), (8)
・ Repeat (9).

前記の手段により、ウエハー毎に異なる条件を指定し
たレコードを含む変換後バイポーラプロセスファイル
(400)の第1レコードより1レコードずつ抽出するこ
とにより、ウエハー毎に半導体プロセス処理条件を設定
することができ、複数のプロセス処理条件、条件5a(5
1)・条件5b(52)・条件8a(81)・条件8b(82)を設
定する場合でも4枚のウエハーから構成される1つのLo
t−A(20)とすることができる。
By means of the above-mentioned means, semiconductor record processing conditions can be set for each wafer by extracting one record at a time from the first record of the converted bipolar process file (400) including records specifying different conditions for each wafer. , Multiple processing conditions, condition 5a (5
1) Even when setting conditions 5b (52), conditions 8a (81), and conditions 8b (82), one Lo composed of four wafers
tA (20).

なお、前記の手段(1)・(3)の順序は問わない。 The order of the means (1) and (3) does not matter.

以上説明した本発明の一実施例によれば、少なくとも
電子デバイスを作成するための工程名、リソグラフィー
プロセスに用いるマスク名、パラメータ名、パラメータ
値、単位、任意の数の電子部品番号をデータアイテムと
して持つ条件分け表ファイルに、前記電子部品番号を除
くアイテム値群が同じ場合は1レコードとして、前記デ
ータアイテム値群を登録する条件分け表ファイル登録手
段と、少なくとも前記工程名、前記パラメータ名、前記
パラメータ値、前記単位、処理する電子部品番号、レコ
ードの状態を示すレコードフラグをデータアイテムとし
て持つ基本プロセスフローファイルに、少なくとも工程
名アイテム値を登録する基本プロセスフローファイル登
録手段と、前記条件分け表ファイルより1レコードを抽
出する条件分け表レコード抽出手段と、前記条件分け表
レコード抽出手段で抽出したレコードの前記マスク名ア
イテム値と前記基本プロセスフローファイルの前記工程
名アイテム値を比較し、前記基本プロセスフローファイ
ルより合致したアイテム値を含むレコードを検索するマ
スク名レコード検索手段と、前記条件分け表レコード抽
出手段で抽出した前記工程名アイテム値と前記基本プロ
セスフローファイルの前記工程名アイテム値を、前記マ
スク名レコード検索手段で検索したレコードの次レコー
ドから順に比較し、前記基本プロセスフローファイルよ
り合致した前記工程名アイテム値を含み、しかも前記レ
コードフラグアイテム値がNでないレコードを検索する
基本プロセスフローレコード検索手段と、前記基本プロ
セスフローレコード検索手段で検索したレコードのレコ
ードフラグアイテム値がYでない場合は検索したレコー
ドの対応したアイテム群に、前記条件分け表レコード抽
出手段で抽出したレコードのアイテム値群、レコードフ
ラグアイテム値に基本プロセスフローファイルの更新最
終レコードであることを示すYをそれぞれ登録し、レコ
ードフラグアイテム値がYである場合は検索したレコー
ドのレコードフラグアイテム値に、基本プロセスフロー
ファイルの更新確定レコードであることを示すNを登録
し、検索したレコードの直後に、新たなレコードを挿入
しそのレコードの対応したアイテム群に、前記条件分け
表レコード抽出手段で抽出したレコードのアイテム値
群、レコードフラグアイテム値にはYをそれぞれ登録す
る条件分けプロセスフロー登録手段を備えたので、ウエ
ハー毎に半導体プロセス処理条件を設定し、複数のプロ
セス処理条件を設定する場合でも1つのロットで製造で
きるようにし、ロット数を減少することができ、ロット
の情報を格納するデータベースの容量を減少させること
ができる。
According to one embodiment of the present invention described above, at least a process name for creating an electronic device, a mask name used for a lithography process, a parameter name, a parameter value, a unit, and an arbitrary number of electronic part numbers are used as data items. When the item value group excluding the electronic part number is the same in the condition division table file, the condition division table file registration unit that registers the data item value group as one record, and at least the process name, the parameter name, A basic process flow file registering means for registering at least a process name item value in a basic process flow file having, as a data item, a parameter value, the unit, an electronic component number to be processed, and a record flag indicating a state of a record; Conditional table for extracting one record from a file And comparing the mask name item value of the record extracted by the condition division table record extraction means with the step name item value of the basic process flow file, and determining an item value that matches from the basic process flow file. A mask name record search unit that searches for a record including the process name item value extracted by the condition division table record extraction unit and the process name item value of the basic process flow file are searched by the mask name record search unit A basic process flow record retrieving means for comparing records starting from the next record and searching for a record that includes the matched process name item value from the basic process flow file and has a record flag item value other than N; Search by record search means If the record flag item value of the record is not Y, the corresponding item group of the retrieved record is the item value group of the record extracted by the condition division table record extraction means, and the record flag item value is the last record updated in the basic process flow file. Is registered, and if the record flag item value is Y, the record flag item value of the retrieved record is registered with N indicating that the record is an update confirmed record of the basic process flow file. Immediately after the selected record, a new record is inserted, and in the corresponding item group of the record, the item value group of the record extracted by the condition dividing table record extracting means and Y are registered in the record flag item value, respectively. Since a process flow registration unit is provided, Semiconductor processing conditions are set for each process, so that even if a plurality of processing conditions are set, one lot can be manufactured, the number of lots can be reduced, and the capacity of a database storing lot information is reduced. be able to.

また、前記本発明の一実施例は半導体製造プロセスを
例にとって説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、他の電子デバイスの製造にも広く応用
できるものである。
Although the embodiment of the present invention has been described by taking a semiconductor manufacturing process as an example, the present invention is not limited to the embodiment and can be widely applied to the manufacture of other electronic devices.

[発明の効果] 以上説明した通り本発明によれば、ウエハー毎に半導
体プロセス処理条件を設定することができ、複数のプロ
セス処理条件を設定する場合でも1つのロットで製造で
きるという優れた効果を達成することができる。また、
ロットの情報を格納するデータベースの容量を減少させ
ることもできる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, semiconductor processing conditions can be set for each wafer, and even when a plurality of processing conditions are set, an excellent effect can be obtained in one lot. Can be achieved. Also,
The capacity of the database for storing lot information can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例における半導体プロセス支援
システムの半導体プロセスフロー作成手段のフローチャ
ート図、第2図は本発明の一実施例におけるバイポーラ
条件分け表ファイルの構成図、第3図は本発明の一実施
例におけるバイポーラプロセスフローファイルの構成
図、第4図は本発明の一実施例における変換後バイポー
ラプロセスフローファイルの構成図、第5図は本発明の
一実施例における半導体プロセス支援システムのロット
構成図、第6図は従来例における半導体プロセス支援シ
ステムのロット構成図を示す。 1……条件分け表ファイル登録手段、3……基本プロセ
スフローファイル登録手段、4……条件分け表レコード
抽出手段、7……マスク名レコード検索手段、8……基
本プロセスフローレコード検索手段、9……条件分けプ
ロセスフロー登録手段、10……工程1、11……条件1、
20……Lot−A、1……Lot−A、22……Lot−B、23…
…Lot−C、24……Lot−D、25……Lot−E、26……Lot
−F、27……Lot−G、40……工程4、41……条件4、5
0……工程5、51……条件5a、52……条件5b、60……工
程6、61……条件6、70……工程7、71……条件7、80
……工程8、81……条件8a、82……条件8b、90……工程
9、91……条件9、100……バイポーラ条件分け表ファ
イル、101……レコード、102……レコード、110……工
程名、120……リソグラフィマスク名、130……パラメー
タ名、140……パラメータ値、150……単位、160……wf
1、170……wf2、180……wf3、190……wf4、300……基本
バイポーラプロセスフローファイル、301……レコー
ド、302……レコード、310……工程番号、320……工程
名、330……パラメータ名、340……パラメータ値、350
……単位、360……処理ウエハー番号、370……レコード
フラグ、400……変換後バイポーラプロセスフローファ
イル、401……レコード、410……工程番号、420……工
程名、430……パラメータ名、440……パラメータ値、45
0……単位、460……処理ウエハー番号、470……レコー
ドフラグ。
FIG. 1 is a flowchart of a semiconductor process flow creating means of a semiconductor process support system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a bipolar condition classification table file according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a configuration diagram of a bipolar process flow file in one embodiment of the present invention, FIG. 4 is a configuration diagram of a converted bipolar process flow file in one embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a semiconductor process support system in one embodiment of the present invention. FIG. 6 shows a lot configuration diagram of a conventional semiconductor process support system. 1 ... Conditioning table file registration means, 3 ... Basic process flow file registration means, 4 ... Conditioning table record extraction means, 7 ... Mask name record search means, 8 ... Basic process flow record search means, 9 ... Conditionalized process flow registration means, 10.
20 ... Lot-A, 1 ... Lot-A, 22 ... Lot-B, 23 ...
... Lot-C, 24 ... Lot-D, 25 ... Lot-E, 26 ... Lot
-F, 27 ... Lot-G, 40 ... Step 4, 41 ... Conditions 4, 5
0: Step 5, 51: Condition 5a, 52: Condition 5b, 60: Step 6, 61: Condition 6, 70: Step 7, 71: Condition 7, 80
… Steps 8, 81… Conditions 8a, 82… Condition 8b, 90… Steps 9, 91… Conditions 9, 100… Bipolar condition classification table file, 101… records, 102… records, 110… ... Process name, 120 ... Lithography mask name, 130 ... Parameter name, 140 ... Parameter value, 150 ... Unit, 160 ... Wf
1, 170… wf2, 180… wf3, 190… wf4, 300… Basic bipolar process flow file, 301… record, 302… record, 310… process number, 320… process name, 330… … Parameter name, 340 …… parameter value, 350
…… Unit, 360 …… Processed wafer number, 370 …… Record flag, 400 …… Converted bipolar process flow file, 401 …… Record, 410 …… Process number, 420 …… Process name, 430 …… Parameter name, 440 …… Parameter value, 45
0: unit, 460: processed wafer number, 470: record flag.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】リソグラフィープロセスを用いて電子デバ
イスを製造するプロセス支援システムであって、条件分
け表ファイルから条件分け表レコード抽出手段により1
レコードを抽出し、基本プロセスフローファイルからマ
スク名レコード検索手段により合致する工程名アイテム
値を含むレコードを検索し、基本プロセスフローファイ
ルの工程名アイテム値を比較し、基本プロセスフローフ
ァイルから基本プロセスフローレコード検索手段により
合致する工程名アイテム値を含むレコードを検索し、条
件分けプロセスフロー登録手段により条件分け表レコー
ド抽出手段で抽出したアイテム値群を基本プロセスフロ
ーファイルに登録する手段を備えたことを特徴とする電
子デバイス製造プロセス支援システム。
1. A process support system for manufacturing an electronic device using a lithography process, comprising:
A record is extracted, a record including a matching process name item value is searched from a basic process flow file by a mask name record search unit, a process name item value in the basic process flow file is compared, and a basic process flow is read from the basic process flow file. Means for retrieving a record including a matching process name item value by a record retrieving means, and registering, in a basic process flow file, an item value group extracted by a condition dividing table record extracting means by a condition dividing process flow registering means. Characteristic electronic device manufacturing process support system.
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