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JP2771377B2 - Pulse generation circuit - Google Patents
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JP2771377B2 - Pulse generation circuit - Google Patents

Pulse generation circuit

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Publication number
JP2771377B2
JP2771377B2 JP4031210A JP3121092A JP2771377B2 JP 2771377 B2 JP2771377 B2 JP 2771377B2 JP 4031210 A JP4031210 A JP 4031210A JP 3121092 A JP3121092 A JP 3121092A JP 2771377 B2 JP2771377 B2 JP 2771377B2
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JP
Japan
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nmos transistor
circuit
input
signal
gate electrode
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章司 東
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NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK
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  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はパルス発生回路に関し、
特にMOS電界効果トランジスタを用いたワンショット
パルス発生回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse generation circuit,
In particular, it relates to a one-shot pulse generation circuit using a MOS field effect transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のパルス発生回路は、図2
(a)に示すように、2入力AND回路1と遅延回路2
とからなり、AND回路1の一方の入力端には入力信号
φIAを直接入力し、もう一方の入力端には入力信号φIA
を所定時間だけ遅延させて入力し、AND回路1の出力
端から出力信号φO を取り出す構成となっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a pulse generating circuit of this kind has been disclosed in FIG.
As shown in (a), a two-input AND circuit 1 and a delay circuit 2
Consists of a, to one input terminal of the AND circuit 1 receives an input signal phi IA directly input signal to the other input terminal phi IA
Is input with a delay of a predetermined time, and an output signal φ O is taken out from the output terminal of the AND circuit 1.

【0003】次に、図1(b)を用いて回路の動作を説
明する。入力信号φIAは、あるパルス幅を持った矩形波
である。入力信号φIAが入力されると、遅延回路2の出
力端の信号φD の波形は、遅延回路2で規定される時間
だけ遅れた波形となる。
Next, the operation of the circuit will be described with reference to FIG. Input signal φIA is a rectangular wave having a certain pulse width. When the input signal φ IA is input, the waveform of the signal φ D at the output terminal of the delay circuit 2 is delayed by the time specified by the delay circuit 2.

【0004】従って、入力信号φIAと遅延信号φD がA
ND回路1に入力されると、遅延信号φD の信号波形の
立上りエッジで立上り始め、入力信号φIAの信号波形の
立下りエッジで立下がり始める出力信号φO が得られ
る。
Therefore, when the input signal φ IA and the delay signal φ D
Is input to the ND circuit 1, start rising at the rising edge of the signal waveform of the delayed signal phi D, falling start output signal phi O on the falling edge of the signal waveform of the input signal phi IA is obtained.

【0005】このようにして、入力信号φIAの波形と遅
延回路2の遅らせ量を適宜に決めることにより、任意の
パルス幅のワンショットパルス波形を得ることが出来
る。
[0005] In this manner, the amount delayed waveform and the delay circuit 2 of the input signals phi IA by determining appropriately, it is possible to obtain a one-shot pulse waveform of any pulse width.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のワンシ
ョットパルス発生回路では、その回路の性質上、入力信
号波形の立上りエッジと立下りエッジの両方を使って回
路動作点の判定をしているので、信号波形のなまりによ
りトランジスタの動作点がずれると、発生するワンショ
ットパルスのパルス幅が変動するという欠点がある。
In the above-described conventional one-shot pulse generation circuit, the circuit operating point is determined using both the rising edge and the falling edge of the input signal waveform due to the nature of the circuit. Therefore, when the operating point of the transistor shifts due to the rounding of the signal waveform, the pulse width of the generated one-shot pulse varies.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のワンショットパ
ルス発生回路は、高位電源端子と低位電源端子との間に
第1のNMOSトランジスタと第2のNMOSトランジ
スタとを直列に接続し、その直列接続点を出力端子とな
し、前記第1のNMOSトランジスタのゲート電極と前
記低位電源端子との間に第3のNMOSトランジスタを
設け、前記第1のNMOSトランジスタのゲート電極に
は入力信号を直接入力し、前記第2のNMOSトランジ
スタのゲート電極および前記第3のNMOSトランジス
タのゲート電極には、前記入力信号を所定時間遅延させ
て入力することを特徴としている。
According to the one-shot pulse generation circuit of the present invention, a first NMOS transistor and a second NMOS transistor are connected in series between a high-order power supply terminal and a low-order power supply terminal, and the series connection thereof is performed. A connection point serves as an output terminal, a third NMOS transistor is provided between the gate electrode of the first NMOS transistor and the lower power supply terminal, and an input signal is directly input to the gate electrode of the first NMOS transistor. The input signal is input to the gate electrode of the second NMOS transistor and the gate electrode of the third NMOS transistor with a predetermined time delay.

【0008】[0008]

【実施例】次に本発明の最適な実施例について図面を参
照して説明する。図1(a)は本発明の一実施例の回路
図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a preferred embodiment of the present invention. FIG. 1A is a circuit diagram of one embodiment of the present invention.

【0009】図1(a)を参照すると、本実施例では、
2つのNMOSトランジスタQ1 およびQ2 を高位電源
端子(電位VDD)3とグランド端子(電位GND)4と
の間に直列に接続し、その直列の接続点から出力信号φ
O を取り出している。高位電源端子1に接続されたNM
OSトランジスタQ1 のゲート電極とグランド端子4と
の間には、NMOSトランジスタQ3 が接続されてい
る。入力信号φIAは、直接NMOSトランジスタQ1
ゲート電極に入力されると共に、遅延回路2を介してN
MOSトランジスタQ2 のゲート電極およびNMOSト
ランジスタQ3 のゲート電極に入力されている。
Referring to FIG. 1A, in this embodiment,
Two NMOS transistors Q 1 and Q 2 are connected in series between a high-level power supply terminal (potential V DD ) 3 and a ground terminal (potential GND) 4, and an output signal φ is output from the serial connection point.
O is taken out. NM connected to high power supply terminal 1
Between the OS transistor Q gate electrode and the ground terminal 4 of 1, NMOS transistor Q 3 is connected. The input signal φ IA is directly input to the gate electrode of the NMOS transistor Q 1 ,
Is input to the MOS transistor gate electrode of the gate electrode and the NMOS transistor Q 3 of Q 2.

【0010】図1(b)において、まず入力信号φIA
ロウのとき、NMOSトランジスタQ1 はオフである。
同様に遅延回路2の出力信号φD もまたロウであるか
ら、NMOSトランジスタQ2 もオフである。従って、
出力信号φO はハイインピーダンス状態となるが、入力
信号φIAが初期状態では必ず1回以上ハイになる期間が
存在するような信号であるならば、出力信号φO はロウ
である。
[0010] In FIG. 1 (b), the first when the input signal phi IA is low, NMOS transistor Q 1 is off.
Similarly, since the output signal φ D of the delay circuit 2 is also low, the NMOS transistor Q 2 is also off. Therefore,
The output signal phi O becomes high impedance state, if the input signal phi IA is a signal that there is a period in which always high at least once in an initial state, the output signal phi O is low.

【0011】次に、入力信号φIAがロウからハイに変化
すると、それに伴いNMOSトランジスタQ1 はオフか
らオンになる。このとき、遅延回路2からの遅延信号φ
D はまだロウのままであるから、NMOSトランジスタ
2 ,Q3 はオフである。よって、出力信号φO にはハ
イのレベルが出力される。しかし、ある遅延時間後遅延
回路2からの遅延信号φD がロウからハイになるので、
NMOSトランジスタQ2 ,Q3 がオンする。NMOS
トランジスタQ3 がオンしたことによりNMOSトラン
ジスタQ1 はオフとなる。この時NMOSトランジスタ
2 はオンしているので出力信号φO はハイからロウに
変化することになる。本実施例では、入力信号φIAは遅
延信号φD により強制的にリセットされることになり、
信号φIBのように変形を受けることになる。しかし、こ
の信号φIBは前段の駆動回路とのレシオで決まる程度の
小さな駆動能力しかもたないので、出力のNMOSトラ
ンジスタQ2 の能力により出力部の駆動能力を保証して
いる。このようにして、ワンショットパルスを発生する
ことが出来る。このワンショットパルスのパルス幅は、
遅延回路2の遅延時間のみによって規定される。
[0011] Next, when the input signal φ IA is changed from low to high, NMOS transistor Q 1 along with it is turned from OFF to ON. At this time, the delay signal φ from the delay circuit 2
Since D is still low, NMOS transistors Q 2 and Q 3 are off. Therefore, the level of high is outputted to the output signal phi O. However, since the delay signal φ D from the delay circuit 2 changes from low to high after a certain delay time,
The NMOS transistors Q 2 and Q 3 turn on. NMOS
NMOS transistor Q 1 the transistor Q 3 is turned on is turned off. At this time, since the NMOS transistor Q 2 is turned on the output signal phi O will change from high to low. In this embodiment, the input signal phi IA is would be forcibly reset by the delay signal phi D,
It will be deformed like the signal φ IB . However, the signal phi IB since only have small driving ability is determined by the ratio between the pre-stage of the drive circuit, guarantees the driving capability of the output portion by the ability of the NMOS transistor Q 2 of the output. Thus, a one-shot pulse can be generated. The pulse width of this one-shot pulse is
It is defined only by the delay time of the delay circuit 2.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、入力信
号波形の立上りエッジのみによって回路の動作点が規定
しているので、ワンショットパルの信号幅の制御性に優
れるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, since the operating point of the circuit is determined only by the rising edge of the input signal waveform, the present invention has an effect that the controllability of the signal width of the one-shot pulse is excellent.

【0013】又、トランジスタ素子数が従来のものより
少なくてすむという利点を有する。
Another advantage is that the number of transistor elements can be smaller than that of a conventional transistor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】分図(a)は、本発明の一実施例の回路図であ
る。分図(b)は、分図(a)に示す回路の動作を説明
するための信号波形図である。
FIG. 1 (a) is a circuit diagram of one embodiment of the present invention. FIG. 6B is a signal waveform diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG.

【図2】分図(a)は、従来のパルス発生回路の一例の
回路図である。分図(b)は、分図(a)に示す回路の
動作を説明するための信号波形図である。
FIG. 2A is a circuit diagram of an example of a conventional pulse generation circuit. FIG. 6B is a signal waveform diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 AND回路 2 遅延回路 3 高位電源端子 4 グランド端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 AND circuit 2 Delay circuit 3 High power supply terminal 4 Ground terminal

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 高位電源端子と低位電源端子との間に第
1のNMOSトランジスタと第2のNMOSトランジス
タとを直列に接続し、その直列接続点を出力端子とな
し、 前記第1のNMOSトランジスタのゲート電極と前記低
位電源端子との間に第3のNMOSトランジスタを設
け、 前記第1のNMOSトランジスタのゲート電極には入力
信号を直接入力し、前記第2のNMOSトランジスタの
ゲート電極および前記第3のNMOSトランジスタのゲ
ート電極には、前記入力信号を所定時間遅延させて入力
することを特徴とするパルス発生回路。
A first NMOS transistor and a second NMOS transistor connected in series between a high power supply terminal and a low power supply terminal, and a connection point between the first and second NMOS transistors is used as an output terminal; A third NMOS transistor is provided between the gate electrode of the first NMOS transistor and the lower power supply terminal; an input signal is directly input to a gate electrode of the first NMOS transistor; a gate electrode of the second NMOS transistor; 3. A pulse generating circuit according to claim 3, wherein the input signal is input to the gate electrode of the NMOS transistor with a predetermined time delay.
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