JP2792550B2 - エッチング剤 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【従来の技術】本発明は、エッチング剤及び電子装置の
製造方法に係わり、特に導電体層及び半導体層からなる
多層膜を同じエッチング剤で一括してエッチングするこ
とが可能なエッチング剤、並びに該エッチング液を用い
た電子装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコン等の半導体のエッチング
処理には、フッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液が用い
られてきたが、このエッチング処理は激しい発熱を伴う
こと、窒素酸化物の気体を発生すること、さらには硝酸
によりレジストの変質・剥離等が起こることなどから、
微細なパターンの形成は難かしいとされていた。

【０００３】本発明者らは、かかる問題を解決するエッ
チング剤として、フッ化水素酸とオキソ酸またはオキソ
酸塩化合物を含有するエッチング剤を開発した（特願平
４−２８５３３８）。

【０００４】一方、例えば液晶ディスプレイの駆動用電
子装置等では、より大画素、高画素密度の要求が強まる
につれて、一層高精度、高生産性の製造方法が要求され
ている。例えば、図７に示す逆スタガ構造の薄膜トラン
ジスタを形成する場合、導電体層７０６とオーミックコ
ンタクト半導体層７０５とをエッチングする工程が必要
となるが、従来は、レジストパターン形成後、金属層用
のエッチング液で金属層７０６をエッチングし、続いて
上記エッチング液でオーミックコンタクト層７０５をエ
ッチングしていた。

【０００５】このように、従来は２種類のエッチング剤
を用いるため、しかも個々のエッチング間に洗浄等が必
要となるため、工程は長くなり、生産性を抑える原因と
なっている。また個々のエッチング、洗浄を繰り返すこ
とによりレジストの密着性が低下し、パターンに欠陥等
が生じ易くなるという問題もある。この問題は、金属層
とコンタクト層間にバリヤー層を設けた場合には、エッ
チング液種及び洗浄回数がさらに増え、より顕著にな
る。さらに、導電体層に好適に用いられるＡｌのエッチ
ングでは、エッチング液の粘度が高く、微細なパターン
になるほどエッチング残りによるショート欠陥が発生し
易いという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の状況
に鑑み、導電体層及び半導体層等からなる多層構造の微
細パターンを１種の液で連続して形成できるエッチング
剤を提供することを目的とする。さらに、製造工程を短
縮化して、且つ高い歩留まりで電子装置を製造できる電
子装置の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の要旨は、
溶液中に、フッ化水素酸及び一般式（ＸＯ_n）^p-（但
し、Ｘはハロゲン元素、ｎは３、４または６、ｐは１、
２または３）で示されるハロオキソ酸イオンをそれぞれ
０．０５〜０．５ｍｏｌ／ｌ及び０．０１ｍｏｌ／ｌ以
上、含むことを特徴とするエッチング剤に存在する。

【０００８】本発明の第２の要旨は、溶液中に、フッ化
水素酸と、一般式（ＸＯ_n）^p-（但し、Ｘはハロゲン元
素、ｎは３、４または６、ｐは１、２または３）で示さ
れるハロオキソ酸イオンと、ハロゲン析出抑制剤と、を
含むことを特徴とするエッチング剤に存在する。

【０００９】本発明の第３の要旨は、溶液中に、フッ化
水素酸及び一般式（ＸＯ_n）^p-（但し、Ｘはハロゲン元
素、ｎは３、４または６、ｐは１、２または３）で示さ
れるハロオキソ酸イオンを０．０５〜０．５ｍｏｌ／ｌ
及び０．０１ｍｏｌ／ｌ以上、含むエッチング剤によ
り、半導体層表面上に積層形成されたオーミックコンタ
クト層と導電体層を連続してエッチングすることを特徴
とする電子装置の製造方法に存在する。

【００１０】前記ハロオキソ酸イオンとしては、ヨウ素
酸イオン（ＩＯ₃ ^-1）が好ましい。また、本発明のエッ
チング剤は、ヨウ素イオンを含むのがより好ましく、該
ヨウ素イオンはＮＨ₄Ｉ，ＫＩまたはＮａＩによるもの
であるのが好ましい。また、本発明のエッチング剤は水
溶性有機溶剤を含むのが好ましく、該水溶性有機溶剤は
酢酸またはエタノールが好適であり、且つその濃度は７
０容量％以下のあることが好ましい。

【００１１】前記導電体は、Ａｌ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｔａ，
Ｐｔ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｗ，ＣｏもしくはＣｒの金属または
該金属の合金もしくは金属化合物からなることを特徴と
する。また、前記導電体は、前記金属及び／または前記
合金及び／または前記金属化合物からなる２層以上の多
層構造であることを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明者らは、電子装置の製造プロセスの高効
率化、短縮化、高歩留まり化を検討する過程で、フッ化
水素酸を０．０５〜０．５ｍｏｌ／ｌと、ハロオキソ酸
イオンを０．０１ｍｏｌ／ｌ以上とを少なくとも含むエ
ッチング液を用いることにより、半導体のみならず、種
々の金属、合金並びにシリサイドのような金属化合物等
を微細パターンにエッチングできることを見い出した。

【００１３】このエッチングのメカニズムは、ハロオキ
ソ酸イオンが強力な酸化剤として働き、半導体及び金属
等の固体表面を酸化し、次いで生成した酸化物をフッ化
水素酸が溶解するものと考えられる。従って、Ａｌ等の
ようにフッ化水素酸と反応する金属であっても、上記の
ごとく適正な組成を選ぶことによりハロオキソ酸イオン
による酸化が優先して起こり、金属とフッ化水素酸との
直接反応による気体の発生が抑えられるため、安定した
エッチングが可能となる。

【００１４】上記の組成のエッチング剤は、半導体、金
属及び金属化合物との反応において、発熱、気体の発生
がないことから、半導体及び金属等の微細パターンを形
成することが可能となる。また、レジストがエッチング
液に対して極めて安定であるため、レジストの密着性の
低下・剥離等によるサイドエッチが抑制され微細パター
ンが可能となる。また、本発明のエッチング剤は化学的
に安定であるため、他のエッチング液に比べて長期間安
定したエッチングができるとともにコスト的にも有利で
ある。

【００１５】従って、金属層、金属化合物層、半導体層
を多層に積層した構造ものに対しても、同じエッチング
剤を用いて安定した微細パターンを形成することが可能
となる。金属層及び半導体層は、本発明のエッチング液
が適用できる限り、２層以上の多層構造であっても良
い。

【００１６】本発明のエッチング剤において、フッ化水
素酸濃度が０．５ｍｏｌ／ｌを越えると、金属とフッ化
水素酸との直接反応によるエッチングのばらつきを生じ
やすくなる。このばらつきは、下地層の半導体層にまで
影響し、デバイス特性に悪影響を及ぼすことから、フッ
化水素酸濃度は０．５ｍｏｌ／ｌ以下にする必要があ
る。また、アモルファス薄膜トランジスタのように、ｉ
型Ｓｉ層上に形成された数１０ｎｍ程度のオーミックコ
ンタクト層及び数１００ｎｍ程度の金属層をエッチング
する場合には、フッ化水素酸濃度が０．５ｍｏｌ／ｌを
越える濃度では、厚さに対してエッチング速度が大きく
なりすぎるため、安定して終点を得ることができ難くな
るからである。

【００１７】本発明において、フッ化水素酸濃度のより
好ましい濃度は、オキソ酸イオン濃度により変化するも
のの、０．３３ｍｏｌ／ｌ以下が好ましく、この範囲で
フッ化水素酸と金属との直接反応による気泡の発生は一
層抑えられより均一なエッチングが可能となる。一方、
０．０５ｍｏｌ／ｌよりも低濃度では、半導体層及び導
電層のエッチング速度が著しく低下するため実用上好ま
しくない。

【００１８】本発明のエッチング剤において、ハロオキ
ソ酸イオンの濃度は、０．０１ｍｏｌ／ｌ以上が必要で
あり，０．０２ｍｏｌ／ｌ以上が好ましく０．０４ｍｏ
ｌ／ｌ以上がより好ましい。０．０１ｍｏｌ／ｌより低
濃度になると、理由は不明であるが、半導体層において
エッチング部の周辺部が極端にエッチングされてしまう
という異常エッチが発生し易くなるためである。また、
ハロオキソ酸イオンが低濃度の領域では、前述したよう
にＡｌ等の金属ではハロオキソ酸イオンによる酸化と酸
化物のフッ化水素酸による溶解という反応に対し、Ａｌ
とフッ化水素酸の直接反応が起こる割合が増加するた
め、より均一なエッチングを行うためには、ハロオキソ
酸イオンを０．０２ｍｏｌ／ｌ以上とするのが好まし
く、０．０４ｍｏｌ／ｌ以上がより好ましい。

【００１９】なお、ハロオキソ酸イオンが高濃度になる
と、エッチング速度が低下したり、またエッチング反応
によりＩ₂等のハロゲンが析出するため、ハロオキソイ
オン濃度の上限は、デバイスの設計（半導体層、導電体
層の膜厚等）により、またはハロゲンの析出を抑制する
ヨウ素イオンまたは有機溶剤の濃度との兼ね合いで適宜
決定される。

【００２０】本発明のハロオキソ酸イオンは、ハロオキ
ソ酸またはハロオキソ酸塩を水に溶解して得られる。ハ
ロオキソ酸またはハロオキソ酸塩化合物の具体例として
は、例えば臭素酸（ＨＢｒＯ₃）、臭素酸カリウム（Ｋ
ＢｒＯ₃）、臭素酸ナトリウム（ＮａＢｒＯ₃）、臭素酸
アンモニウム（ＮＨ₄ＢｒＯ₃）、臭素酸カルシウム（Ｃ
ａ（ＢｒＯ₃）₂）、臭素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＢｒＯ
₃）₂）、臭素酸アルミニウム（Ａｌ（ＢｒＯ₃）₃）、過
臭素酸（ＨＢｒＯ₄）、過臭素酸リチウム（ＬｉＢｒ
Ｏ₄）、過臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ₄）、ヨウ素酸（Ｈ
ＩＯ₃）、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ₃）、ヨウ素酸ナト
リウム（ＮａＩＯ₃）、ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ₄Ｉ
Ｏ₃）、ヨウ素酸カルシウム（Ｃａ（ＩＯ₃）₂）、ヨウ
素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＩＯ₃）₂）、ヨウ素酸アルミ
ニウム（Ａｌ（ＩＯ₃）₃）、過ヨウ素酸（ＨＩＯ₄）、
過ヨウ素酸リチウム（ＬｉＩＯ₄）、過ヨウ素酸カリウ
ム（ＫＩＯ₄）等が挙げられる。中でもヨウ素酸（ＨＩ
Ｏ₃）、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ₃）、臭素酸カリウム
（ＫＢｒＯ₃）は試薬も取扱いやすく好適である。更
に、ヨウ素酸（ＨＩＯ₃）は、半導体材料の汚染源とな
る可能性のある金属元素を含まないため、代表的な電子
装置である半導体装置のエッチング剤として最適であ
る。

【００２１】本発明のエッチング剤には、ヨウ素イオン
が好適に添加される。ヨウ素イオンを添加することによ
り、エッチングによって発生するヨウ素（Ｉ₂）はＩ₃ ^-
を形成して溶解するため、ハロゲンの析出を抑制するこ
とができる。ヨウ素イオン源としては、ＮＨ₄Ｉ，Ｋ
Ｉ，ＮａＩ等が好適に用いられる。これにより、析出部
のエッチング不良が防止でき、より均一で安定なエッチ
ングが得られる。

【００２２】また、本発明のエッチング剤には、アルコ
ール、カルボン酸等の水溶性有機溶剤が好適に添加され
る。アルコールの具体例としては、メタノール、イソプ
ロピルアルコール、プロパノール、ブタノール、エチレ
ングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、グ
リセリン等が挙げられ、また有機酸としては酢酸、プロ
ピオン酸等が挙げられる。有機溶剤を添加することによ
り、発生するヨウ素等のハロゲンを溶解し、エッチング
をより均一且つ安定して行うことができ、また、基板内
でのエッチング量分布を抑えることができる。本発明に
おいては、特に酢酸またはエタノールが好ましい。但
し、濃度が７０容量％を越えると、レジストが有機溶剤
に侵食されるため、７０容量％以下とするのが好まし
い。

【００２３】本発明のエッチング剤においては、上記組
成（フッ化水素酸０．０５〜０．５ｍｏｌ／ｌ、ハロオ
キソ酸イオン０．０１ｍｏｌ／ｌ以上）の範囲外であっ
ても、ハロゲン析出抑制剤を添加することにより、ハロ
ゲン析出による析出部のエッチング不良が防止され、エ
ッチングの均一性は向上する。

【００２４】本発明のハロゲン析出抑制剤としては、ヨ
ウ素イオン、水溶性有機溶剤が好適に用いられる。ヨウ
素イオン源としては、特に、ＮＨ₄Ｉ，ＫＩ，ＮａＩ等
が好適に用いられる。また、水溶性有機溶剤としては、
メタノール、イソプロピルアルコール、プロパノール、
ブタノール、エチレングリコール、プロパンジオール、
ブタンジオール、グリセリン等のアルコール、及び酢
酸、プロピオン酸等のカルボン酸が好適に用いられる。
これらの有機溶剤の内、特に酢酸、エタノールが好まし
い。

【００２５】本発明が適用できる導電体としては、例え
ばＡｌ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｗ，Ｃ
ｏまたはＣｒ等の金属、もしくはこれらの合金、または
これら金属と半導体との金属化合物（シリサイド等）が
挙げられる。さらには、これら金属もしくは合金もしく
は金属化合物を２層以上の多層構造としたものに適用さ
れる。

【００２６】また、本発明の半導体としては、Ｓｉ，Ｇ
ｅ，ＧａＡｓ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ等があげ
られ、その形態も非晶質、多結晶、単結晶のいずれでも
適用可能である。

【００２７】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明がこれら実施例に限定されることはな
い。

【００２８】（実施例１）本実施例では、まずガラス基
板上にＡｌまたはｉ型アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）をそれぞれスパッタ法及びプラズマＣＶＤ法で形成
し、エッチング液組成とエッチングレート及び表面状態
の関係を調べた。その結果を図１〜４及び表１に示す。

【００２９】図１は、Ａｌ及びｉ型ａ−Ｓｉのエッチン
グ速度とＨＦ濃度及びＨＩＯ₃濃度の関係を示すグラフ
である。図１（ａ）が示すように、Ａｌのエッチング速
度はＨＦ濃度と共に増加し、またＨＩＯ₃に対しては初
め増加しその後減少する傾向がみられる。また、図１
（ｂ）からは、Ｓｉのエッチング速度はＨＦ濃度及びＨ
ＩＯ₃と共に増加するが、ＨＩＯ₃に関しては、０．０４
ｍｏｌ／ｌ程度で飽和することが分かる。

【００３０】図２は、Ａｌを２００ｎｍエッチングした
ときの平均表面粗さＲａをＨＦ及びＨＩＯ₃の関数とし
て測定した結果である。図２（ａ）から、ＨＩＯ₃濃度
の増加と共に平均表面粗さは減少し、０．０４ｍｏｌ／
ｌで基板の平均表面粗さ（０．８〜１．５ｎｍ）と同程
度となることが分かる。また図２（ｂ）から分かるよう
に、ＨＦ濃度が０．３３ｍｏｌ／ｌまでは基板の平均表
面粗さと同程度であるが、その後増加し、０．５ｍｏｌ
／ｌを越えるとＲａは１０ｎｍ以上となる。

【００３１】図３は、スパッタ法でＡｌを形成したガラ
ス基板に関して、酢酸の添加による基板内でのエッチン
グ量のばらつきの変化を示したグラフである。図の各デ
ータは基板内５点におけるエッチング量の平均値（実
線）及びそのばらつき（破線）を静止エッチング、揺動
エッチングの場合について測定した結果である。なお、
バラツキは、エッチング量の最大値または最小値と平均
値の差の大きい方を平均値で割ったものである。図が示
すように、酢酸の添加により、基板内のエッチング量の
分布は抑えられることが分かる。

【００３２】表１は、エッチング中〜エッチング後のＡ
ｌ表面状態を目視観察した結果である。エタノールを添
加することにより、ヨウ素の析出を抑えることができる
ことが分かる。

【００３３】

【表１】 次に、ＳｉＮ_x膜を形成したガラス基板（１００ｍｍｘ
１００ｍｍ）上に、プラズマＣＶＤ法により、ａ−Ｓｉ
を１００ｎｍとｎ⁺型ａ−Ｓｉを２０ｎｍ堆積し、続い
てスパッタ法によりＡｌを３００ｎｍ堆積した。

【００３４】２〜２０μｍ角の凹凸パターンをそれぞれ
１２個形成するためのレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ８
００Ｙ−４）パターンを形成した後、この基板を種々の
組成のエッチング剤に浸漬し、エッチング状態の時間変
化を調べた。エッチングによるレジストの剥離等の欠陥
は凹凸パターンとも全く見られなかった。

【００３５】凹パターンの断面を走査型顕微鏡で観察し
た結果を図４の模式図に示す。本発明のエッチング剤組
成範囲内では、全てのパターンで、図４（ａ）、（ｂ）
に示すようにエッチングが進み、浸漬時間によりエッチ
ングを制御できることが分かった。また、形成されたパ
ターン形状は、例えば５μｍのパターンでは、ばらつき
は±０．１μｍ以内に納まり、極めて均一なエッチング
を行うことができることが分かった。

【００３６】また、ＨＩＯ₃濃度が０．００８ｍｏｌ／
ｌと０．０１ｍｏｌ／ｌ以下となると、図４（ｃ）に示
すように、ａ−Ｓｉの周辺部で異常エッチングが発生
し、デバイスとしては小さなオン電流しか得られなくな
ることが分かった。

【００３７】（実施例２）本発明の電子装置の製造方法
を用いて、７２０ｘ４８０画素を有する液晶ディスプレ
イ駆動用の薄膜トランジスタ基板を図５に示すようにし
て作製した。

【００３８】まず、１００ｘ１００ｍｍのガラス基板
（コーニング７０５９）５００を精密洗浄した後、透明
電極（ＩＴＯ）５０１のパターンを形成した。続いて、
Ｃｒ膜をスパッタにより１００ｎｍ形成し、エッチング
液（（ＮＨ₄）₂［Ｃｅ（ＮＯ₃）₆］：ＨＮＯ₃：Ｈ₂Ｏ＝
５００ｇ：１９００ｃｃ：１８７０ｃｃ）を用いてパタ
ーニングして、ゲート電極５０３及びゲート配線５０２
を形成した（図５（ａ））。

【００３９】次に、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ_x
５０４，ｉ型ａ−Ｓｉ５０５，ｎ⁺型ａ−Ｓｉ５０６を
それぞれ３００ｎｍ，１００ｎｍ，２０ｎｍ堆積した
（図５（ｂ））。

【００４０】続いて、エッチング液（ＨＦ：０．５４ｍ
ｏｌ／ｌ、ＨＩＯ₃：０．０４ｍｏｌ／ｌ，ＮＨ₄Ｉ：
０．００５ｍｏｌ／ｌ）を用いて、ｎ⁺型ａ−Ｓｉ層及
びｉ型ａ−Ｓｉ層を画素毎に分離した（図５（ｃ））。

【００４１】画素電極、ゲート配線のコンタクトホール
を形成した後、Ｗ５０７及びＡｌ５０８をそれぞれ５０
ｎｍ，２５０ｎｍ、スパッタにより形成した（図５
（ｄ））。

【００４２】次に、ソース・ドレイン電極及び配線並び
にチャネル部を形成するため、ＨＦ０．１ｍｏｌ／ｌと
ＨＩＯ₃０．０４ｍｏｌ／ｌを含むエッチング剤に７分
間浸漬して、Ａｌ，Ｗ，ｎ⁺型ａ−Ｓｉを連続してエッ
チングした（図５（ｅ））。

【００４３】最後に、プラズマＣＶＤ法により、パッシ
ベーション用のＳｉＮ_xを４００ｎｍ堆積し、ゲート配
線、ソース・ドレイン配線上の窓開けを行って、薄膜ト
ランジスタの作製を完了した。

【００４４】以上のようにして作製した薄膜トランジス
タのＩｄ−Ｖｇ特性を測定した結果を図６に示す。図か
ら明らかなように、オン電流Ｉ_ON は１．８〜３０μ
Ａ、オフ電流Ｉ_OFFは数ｐＡ程度となり、良好な結果が
得られた。

【００４５】以上の実施例では薄膜トランジスタのチャ
ネル部及びソース・ドレイン電極、画素分離等のエッチ
ングについて述べたが、これ以外の他の工程、例えばゲ
ート電極・配線等に用いても良いことは言うまでもな
い。また、薄膜トランジスタ以外でも、ＭＯＳのポリシ
リコンゲートや、ＣＣＤ、イメージスキャナー等への応
用、あるいは各種電子装置における種々の導電体層と半
導体層との多層構造のエッチングに好適に適用されるこ
とは言うまでもない。

【００４６】

【発明の効果】本発明により、導電体と半導体の多層構
造の微細パターニングが１種のエッチング剤で可能とな
る。しかも、パターニングの均一性が高いので、大面
積、高密度の電子素子の作製に好適に適用することがで
きる。

【００４７】また、本発明の電子装置の製造方法によ
り、従来に比べ製造プロセスが簡略化し、歩留まりが向
上する。その結果、種々の電子素子の製造コストを低減
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａｌ及びＳｉのエッチング速度とエッチング剤
組成の関係を示すグラフである。

【図２】Ａｌの平均表面粗さＲａとエッチング剤組成の
関係を示すグラフである。

【図３】酢酸濃度と基板内のエッチング量のばらつきの
関係を示すグラフである。

【図４】金属・半導体多層構造のエッチング状態を示す
模式的断面図である。

【図５】液晶ディスプレイ用薄膜トランジスタ基板の製
造工程を示す模式図である。

【図６】薄膜トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性を示すグラ
フである。

【図７】従来の薄膜トランジスタの製造方法を説明する
模式図である。

【符号の説明】

５００、７００ 基板、 ５０１ 透明電極、 ５０２、７０２ ゲート配線、 ５０３、７０１ ゲート電極、 ５０４、７０３ ゲート絶縁膜、 ５０５、７０４ ｉ型ａ−Ｓｉ、 ５０６、７０５ ｎ⁺型ａ−Ｓｉ、 ５０７ バリヤー層（Ｗ）、 ５０８ ソース・ドレイン電極・配線（Ａｌ）、 ７０６ 導電体層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｋ 29/786 (72)発明者 福井 洋文 東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 宮澤 聡 東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 岩崎 千里 東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 笠間 泰彦 東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ケ袋２の１の17の 301 (72)発明者 前野 又五郎 大阪府堺市海山町７丁227番地橋本化成 株式会社内 (72)発明者 菊山 裕久 大阪府堺市海山町７丁227番地橋本化成 株式会社内 (72)発明者 高野 順 大阪府堺市海山町７丁227番地橋本化成 株式会社内 (72)発明者 宮下 雅之 大阪府堺市海山町７丁227番地橋本化成 株式会社内 (72)発明者 薮根 辰弘 大阪府堺市海山町７丁227番地橋本化成 株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−200384（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C23F 1/16 - 1/30 H01L 21/304 341 H01L 21/308,21/336,29/786

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 溶液中に、フッ化水素酸と、一般式(X
   O_n)^p-（但し、Ｘはハロゲン元素、ｎは３，４または
   ６、ｐは１，２または３）で示されるハロオキソ酸イオ
   ンと、ハロゲン析出抑制剤と、を含むことを特徴とする
   エッチング剤。
2. 【請求項２】 前記ハロオキソ酸イオンは、ヨウ素酸イ
   オンであることを特徴とする請求項１に記載のエッチン
   グ剤。
3. 【請求項３】前記ハロゲン析出抑制剤は、ヨウ素イオン
   または／及び水溶性有機溶剤であることを特徴とする請
   求項１または２に記載のエッチング剤。
4. 【請求項４】 前記ヨウ素イオンは、ＮＨ₄Ｉ，ＫＩま
   たはＮａＩのいずれかによるものであることを特徴とす
   る請求項３に記載のエッチング剤。
5. 【請求項５】 前記水溶性有機溶剤は酢酸またはエタノ
   ールであり、その濃度は７０容量％以下であることを特
   徴とする請求項３または４に記載のエッチング剤。