JP2793666B2 - Stepper alignment accuracy monitoring method and apparatus - Google Patents
Stepper alignment accuracy monitoring method and apparatusInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路製造方法および設備に係り、
特に半導体集積回路のパターンを形成する縮小投影露光
装置(ステッパと略称する)による露光工程での下地と
の合わせパターン重ね合わせ精度を向上させて安定した
素子特性の集積回路を形成するに好適なステッパの合わ
せ精度モニタ方法およびその装置に関する。The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor integrated circuit,
Particularly, a stepper suitable for forming an integrated circuit having stable element characteristics by improving the accuracy of pattern superposition with a base in an exposure step by a reduction projection exposure apparatus (abbreviated as a stepper) for forming a pattern of a semiconductor integrated circuit. The present invention relates to a method and an apparatus for monitoring the accuracy of alignment.
従来より半導体集積回路の製造方法および設備におい
ては、シリコンウエハ上に回路素子の回路パターンを順
次に形成してその断面では多層構造となっており、また
平面的には素子間の干渉配線の接続が製造上の重要なポ
イントとされているが、特に微細化が進んで1チップ上
に数100万個以上の素子を形成するには、下層に形成さ
れた素子と接続される上層の配線の位置合わせが製造上
の重要なポイントになっている。この回路パターンの位
置合わせ方法は、半導体製造設備の露光装置とくに縮小
投影露光装置(ステッパ)のアライメント技術として開
発されてきた。しかしステッパ自体のアライメントでは
装置の故障や装置全体の精度劣化があった場合に、実際
には不正確なアライメントをしても装置自体ではそれが
わからず、製造後の素子特性の不良等で初めてわかると
いう問題も多く発生していた。このためステッパとは別
個の検査装置としてアライメント精度を判定する合わせ
検査装置が開発されて実用化されており、このような製
造設備とその加工結果を判定する検査装置との組合せに
より、加工精度の判定を行い半導体を製造している。な
おこの種の方法および装置として関連するものには、例
えば「サブミクロン・リソグラフィ総合技術資料」(昭
和60年、サイエンスフオーラム社刊)の第403頁から第4
12頁に寸法検査等について論じられているものが挙げら
れる。2. Description of the Related Art Conventionally, in a method and equipment for manufacturing a semiconductor integrated circuit, circuit patterns of circuit elements are sequentially formed on a silicon wafer, and the cross section has a multi-layer structure. Is an important point in manufacturing, but in order to form several million elements or more on one chip, especially with the advancement of miniaturization, the wiring of the upper layer connected to the element formed in the lower layer is required. Alignment is an important manufacturing point. This circuit pattern alignment method has been developed as an alignment technique for an exposure apparatus of a semiconductor manufacturing facility, particularly for a reduction projection exposure apparatus (stepper). However, if the alignment of the stepper itself causes a failure of the device or the accuracy of the entire device is degraded, the device itself does not know even if an inaccurate alignment is actually performed, and for the first time due to defective element characteristics after manufacturing, etc. There were many problems of understanding. For this reason, an alignment inspection device that determines alignment accuracy has been developed and put into practical use as an inspection device separate from a stepper. By combining such a manufacturing facility and an inspection device that determines the processing result, the alignment accuracy can be improved. Judgments are made to manufacture semiconductors. Related methods and apparatuses of this type include, for example, “Submicron Lithography General Technical Data” (Showa 60, Science Forum, pp.403 to 404).
On page 12 there are those that discuss dimensional inspections and the like.
上記従来技術は製造設備の加工精度の判定とくにステ
ッパの合わせ誤差量が製造上の誤差規格と比べて規格内
か否かを判定するのみで、合わせ誤差が規格外の場合に
ステッパの加工条件を変更して最適の加工条件とする方
法については配慮がされておらず、規格外の合わせ誤差
の場合にはステッパを止めて新たに加工条件を設定する
実験を行わなければならないため、その期間の1日ない
し2日間は半導体集積回路製造設備での製造ができずに
生産性を低下させるという問題があった。The above prior art only determines the processing accuracy of the manufacturing equipment, in particular, only determines whether the alignment error amount of the stepper is within the standard compared to the manufacturing error standard.If the alignment error is out of the standard, the processing condition of the stepper is determined. No consideration has been given to the method of changing to the optimum processing conditions, and in the case of a non-standard alignment error, it is necessary to stop the stepper and perform experiments to set new processing conditions. For one or two days, there is a problem in that productivity cannot be reduced because the semiconductor integrated circuit manufacturing facility cannot be used.
本発明は検査装置で特定された合わせ誤差をもとに合
わせ誤差要因を分析し、ステッパの加工条件の変更項目
とその変更量を算出して、その値をステッパに再設定す
ることを目的としており、さらにステッパの加工条件以
外にも、ステッパ自体を加工可能状態に維持するために
必要な項目の時系列変動や変動量を算出するとともに、
その変更項目を特定するステッパの合わせ精度モニタ方
法およびその装置を提供することを目的とする。The present invention analyzes a matching error factor based on a matching error specified by an inspection device, calculates a change item of a processing condition of a stepper and a change amount thereof, and resets the value to the stepper. In addition to the processing conditions of the stepper, in addition to calculating the time-series fluctuation and the amount of fluctuation of items necessary for maintaining the stepper itself in a processable state,
It is an object of the present invention to provide a stepper alignment accuracy monitoring method and apparatus for specifying the change item.
上記目的を達成するために、本発明によるステッパの
終わせ精度モニタ方法およびその装置は、合わせ精度検
査装置の合わせ誤差測定データとステッパの加工条件デ
ータを各々の設備から通信により計算機上に転送するこ
とにより、ステッパの加工条件と合わせ誤差測定データ
を計算機上で取り扱え、ここで合わせ誤差測定データの
誤差要因としてのウエハのオフセットとウエハ回転とウ
エハ上のピッチずれと、さらにチップ(ショット)単位
の歪みと縮小率とチップ回転率に分析し、この分析した
各値よりウエハに関連した値とくにウエハ上でのパター
ンずれの主要因であるオフセット量をステッパの加工条
件のオフセット量に変換して、これをステッパの加工条
件の補正値として自動設定できるようにしたものであ
る。In order to achieve the above object, a method and an apparatus for monitoring the end accuracy of a stepper according to the present invention transfer alignment error measurement data of an alignment accuracy inspection device and processing condition data of a stepper to a computer by communication from each facility. This allows the computer to handle the processing conditions of the stepper and the alignment error measurement data on a computer. Here, the offset of the wafer, the wafer rotation, the pitch deviation on the wafer, and the chip (shot) unit as the error factors of the alignment error measurement data. Analyzing the distortion, reduction rate and chip rotation rate, converting the values related to the wafer from the analyzed values, in particular, the offset amount, which is the main factor of the pattern shift on the wafer, into the offset amount of the processing condition of the stepper, This can be automatically set as a correction value of the processing condition of the stepper.
さらに設備自体を加工可能状態に維持する項目とし
て、縮小率や回転等の誤差要因データの来歴を計算機上
で蓄積し、その時系列の変動を出力させることから設備
の状態が如何なる方向に推移しているか、たとえば縮小
率が小さい方向に推移しているのか大きい方向に推移し
ているのかを判定して、設備の調整を行う時期や調整の
項目を決定することを支援できるようにしたものであ
る。In addition, as an item that keeps the equipment itself in a workable state, the history of error factor data such as reduction rate and rotation is accumulated on a computer, and the time series fluctuation is output, so the state of the equipment changes in any direction. Or, for example, whether the reduction rate is moving in a small direction or in a large direction, so that it is possible to assist in deciding when to adjust equipment and items to be adjusted. .
上記ステッパの合わせ精度モニタ方法およびその装置
は、合わせ誤差の分析には先ず第3図に示すように例え
ば設計上の同心矩形のn層とn−1層の原点からの各矩
形端の点の位置ベクトルを算出し、それぞれのX,Y方向
のn層と下地n−1層とのずれ量をX2,Y2の長さの中点
とX1,Y2の点との差ΔX,ΔYとして算出する。このずれ
量は単にX,Y方向の同心矩形中心のずれであって、この
ずれ誤差の要因については分析されていない。そのため
次に第4図(a)〜(d)に示すようにX,Y方向の各チ
ップのもつ同一成分のずれ量であるオフセットと、Xま
たはY方向への規則性のあるピッチずれと、ウエハ回転
によるチップのずれと、ステッパのレンズによる縮小率
の差という成分に分析できる。これには第3図で求めた
ずれ量を用いて各成分のずれ量を定式化し、最小2乗法
で各ずれ成分を算出することができる。The method and the apparatus for monitoring the alignment accuracy of the stepper are described below. First, for example, as shown in FIG. 3, for the analysis of the alignment error, the point of each rectangular end from the origin of the n-layer and the (n-1) -th concentric rectangle is designed. calculating a position vector, each of X, Y direction of the n layer and the underlying n-1 layer and the deviation amount X 2, Y midpoint and X 1 of a length of 2, the difference ΔX between the point Y 2 of It is calculated as ΔY. This shift amount is simply a shift between the centers of the concentric rectangles in the X and Y directions, and the cause of this shift error has not been analyzed. Therefore, next, as shown in FIGS. 4 (a) to 4 (d), an offset which is a shift amount of the same component of each chip in the X and Y directions, a regular pitch shift in the X or Y direction, and It can be analyzed into a component that is a difference between a chip displacement due to wafer rotation and a reduction ratio due to a stepper lens. For this purpose, the shift amount of each component is formulated using the shift amount obtained in FIG. 3, and each shift component can be calculated by the least square method.
以下に本発明の実施例を第1図から第7図により説明
する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
第1図は本発明によるステッパの合わせ精度モニタ方
法およびその装置の一実施例を示す構成図である。第1
図において、ステッパ201と合わせ検査装置202はそれぞ
れのステッパ加工条件データ転送ユニット205と検査デ
ータ転送ユニット204に検査データ・加工条件データ転
送信号線206を介して接続され、さらに加工条件データ
転送ユニット205と検査データ転送ユニット204はデータ
転送線207を介して計算機101に接続される。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a stepper alignment accuracy monitoring method and apparatus according to the present invention. First
In the figure, a stepper 201 and an alignment inspection device 202 are connected to respective stepper processing condition data transfer units 205 and 204 via an inspection data / processing condition data transfer signal line 206, and further processed by a processing condition data transfer unit 205. The test data transfer unit 204 is connected to the computer 101 via the data transfer line 207.
上記構成で、半導体集積回路の製造設備において製造
するウエハがステッパ201に着いた場合に、その第1の
ウエハの露光作業を行い、その後に現像・ベーク工程を
経て、合わせ検査装置202でステッパ201による加工状態
すなわち下地との合わせ精度が製造上の規格内であるか
否かを判定する。その判定においてそのウエハでの合わ
せ誤差が規格誤差より小さければ、従来はそのまま製造
を続けるのみであった。これは次の第2図に示した判定
処理の項目の内容に相当する。しかし本発明によれば次
の第2図に示すように判定して合わせ誤差が規格誤差よ
り大きい場合には、合わせ誤差要因の分析によりステッ
パ201の加工条件として変更する値を算出して再設定で
きる。In the above configuration, when a wafer to be manufactured in the semiconductor integrated circuit manufacturing facility arrives at the stepper 201, the first wafer is exposed, and after the development and baking process, the alignment inspection apparatus 202 performs the stepper 201 exposure. It is determined whether or not the processing state, that is, the alignment accuracy with the base is within the manufacturing standard. In the determination, if the alignment error on the wafer is smaller than the standard error, conventionally, the manufacturing has only been continued. This corresponds to the content of the item of the determination process shown in FIG. However, according to the present invention, if the alignment error is larger than the standard error as determined in the following FIG. 2, a value to be changed as the processing condition of the stepper 201 is calculated and reset by analyzing the factors of the alignment error. it can.
第2図は第1図のステッパの合わせ精度モニタ方法の
第1の実施例のフロー図である。第2図において、ウエ
ハのステッパ201と合わせ検査装置202での加工作業と合
わせ検査後に、計算機101はステッパ201の加工条件デー
タと合わせ検査装置202の加工結果データすなわち合わ
せ検査データを受信して取り込み(ステップ2a)、ここ
で合わせ検査データに対し合わせ誤差上での要因に分析
を行ない(ステップ2b)、合わせずれ誤差と製造規格誤
差の判定を行なう(ステップ2c)。この判定で合わせず
れ誤差が製造規格誤差より小さい場合には製品製造を続
けるが、合わせずれ誤差が製造規格誤差より大きい場合
には合わせずれ誤差要因のオフセットの変更量を算出し
て(ステップ2d)、そのオフセット量をステッパ201の
加工条件として再度ステッパ201に設定する(ステップ2
e)。これによりステッパ201の再設定が行なわれて、そ
の加工条件で加工される第2のウエハの合わせ精度は製
造規格内になることになる。FIG. 2 is a flow chart of a first embodiment of the stepper alignment accuracy monitoring method of FIG. In FIG. 2, after the wafer is processed by the stepper 201 and the alignment inspection device 202 and the alignment inspection, the computer 101 receives and captures the processing condition data of the stepper 201 and the processing result data of the alignment inspection device 202, that is, the alignment inspection data. (Step 2a) Here, the cause of the alignment error is analyzed for the alignment inspection data (Step 2b), and the alignment error and the manufacturing standard error are determined (Step 2c). In this determination, if the misalignment error is smaller than the manufacturing standard error, product production is continued. If the misalignment error is larger than the manufacturing standard error, the amount of change in the offset of the misalignment error factor is calculated (step 2d). Then, the offset amount is set in the stepper 201 again as the processing condition of the stepper 201 (step 2).
e). As a result, the stepper 201 is reset, and the alignment accuracy of the second wafer processed under the processing conditions falls within the manufacturing standard.
第3図は第2図の合わせずれ量の算出原理図である。
第3図において、ウエハのステッパ201での加工結果の
合わせずれ量の算出方法は、例えば設計上では同心矩形
パターンのn層とn−1層の原点0からの各矩形端の点
の位置ベクトルを算出し、それぞれのX方向とY方向の
単純なn層と下地(n−1)層の合わせずれ量をX2の長
さの中点とX1の長さの中点の差ΔXとY2の長さの中点と
Y1の長さの中点の差ΔYとして算出する。これは単なる
X,Y方向のみのずれ量であるが、本発明によればこの合
わせずれ誤差の要因について第4図のような分析を行な
う。FIG. 3 is a diagram illustrating the principle of calculating the amount of misalignment in FIG.
In FIG. 3, a method of calculating the amount of misalignment of the processing result of the wafer with the stepper 201 is, for example, a design in which the position vector of each rectangular end point from the origin 0 of the n-layer and the (n-1) -th layer of the concentric rectangular pattern is designed. It is calculated, and difference ΔX of each X and Y directions of a simple n-layer and the underlying (n-1) layers of the misalignment amount of the length of the center point and X 1 of the length of X 2 midpoint With the midpoint of the length of Y 2
It is calculated as the difference ΔY at the midpoint of the length of Y 1. This is just
Although the shift amount is only in the X and Y directions, according to the present invention, the cause of the misalignment error is analyzed as shown in FIG.
第4図(a),(b),(c),(d)は第1図の合
わせ誤差要因の分析原理図である。第4図(a),
(b),(c),(d)において、第4図(a)のウエ
ハのオフセットというX,Y方向の各チップのもつ同一成
分のずれ量と、第4図(b)のピッチずれというX方向
またはY方向への規則性のあるずれと、第4図(c)の
ウエハの回転によるチップのずれと、第4図(d)のス
テッパのレンズによる縮小率の差というような誤差成分
に分析できる。これらは第3図で算出した合わせずれ量
を用いて各成分のずれ量を定式化し、最小2乗法で各ず
れ成分を算出することにより簡単に求められる。FIGS. 4 (a), (b), (c), and (d) are diagrams illustrating the principle of analysis of the alignment error factors in FIG. FIG. 4 (a),
4 (b), (c) and (d), the offset of the same component of each chip in the X and Y directions called the wafer offset in FIG. 4 (a) and the pitch offset in FIG. 4 (b). Error components such as a regular displacement in the X direction or the Y direction, a chip displacement due to the rotation of the wafer in FIG. 4C, and a difference in reduction ratio due to the stepper lens in FIG. 4D. Can be analyzed. These can be easily obtained by formulating the shift amount of each component using the alignment shift amount calculated in FIG. 3 and calculating each shift component by the least square method.
上記のように第1図の実施例によれば、合わせ精度誤
差の要因分析により製造プロセスに起因しないでレチク
ル(マスク)の種類や寸法規格等に関係しない装置起因
の合わせ誤差要因も分析できる。なおこの要因は従来で
も単純な計算や間接的な測定等により検出することはで
き、その都度の検査において装置の稼動可能範囲の値で
あれば作業をその後もそのまま行っていたが、しかし、
この場合も装置の一時的な状態把握のみで次にどう推移
するかの判定はできなかった。本発明によれば、この装
置起因の合わせ誤差要因も分析でき、さらに計算機101
によりその装置の各合わせ誤差要因の来歴の管理をも可
能にする。As described above, according to the embodiment shown in FIG. 1, it is possible to analyze the factors of the alignment error caused by the apparatus that are not related to the type of the reticle (mask) or the dimensional standard without being caused by the manufacturing process by analyzing the factors of the alignment accuracy error. In addition, this factor can be detected by a simple calculation or indirect measurement in the past, and if the value was within the operable range of the apparatus in each inspection, the work was performed as it was thereafter, however,
Also in this case, it was not possible to judge how to make the next transition only by grasping the temporary state of the apparatus. According to the present invention, the cause of the alignment error caused by this apparatus can be analyzed, and furthermore, the computer 101
Thus, the management of the history of each alignment error factor of the apparatus can be performed.
第5図(a),(b),(c),(d),(e),
(f)は第1図の装置起因の合わせ誤差要因の分析値と
累積和の変化例のグラフである。第5図(a)〜(f)
において、第5図(a),(b),(c)はそれぞれ縮
小率(倍)-1,ピッチずれ(μm),回転(deg′)の合
わせ誤差要因の分析値の日付けによる変化を示し、第5
図(d),(e),(f)はそれぞれの合わせ誤差要因
の累積和の日付による変化を示す。第5図(a)〜
(f)に示すように通常の測定値による合わせ誤差要因
の分析値ではその値の変化方向は不明であるが、その測
定値を用いて合わせ誤差要因の累積和法等の統計処理に
よる解析をも行えるので、合わせ誤差要因の大小の変化
方向等を把握することができ、これより人手による装置
の調整も次の第6図のように可能である。5 (a), (b), (c), (d), (e),
(F) is a graph of a change example of an analysis value and a cumulative sum of an alignment error factor caused by the apparatus in FIG. FIG. 5 (a) to (f)
5 (a), 5 (b) and 5 (c) show the change of the analysis value of the factors of the alignment error of the reduction ratio (times) -1 , the pitch shift (μm) and the rotation (deg ') by date, respectively. Shown, fifth
Figures (d), (e), and (f) show the change with time of the cumulative sum of the respective alignment error factors. Fig. 5 (a)-
As shown in (f), the analysis value of the alignment error factor based on the normal measurement value does not indicate the direction of change of the value. However, using the measured value, the analysis by the statistical processing such as the cumulative sum method of the alignment error factor is performed. Therefore, it is possible to grasp the direction of the change of the cause of the alignment error and the like, so that the apparatus can be manually adjusted as shown in FIG.
第6図は第1図のステッパの合わせ精度モニタ方法の
第2の実施例のフロー図である。第6図において、合わ
せ誤差要因分析後に、計算機101は合わせ誤差要因のデ
ータを蓄積し(テスップ6a)、このデータより合わせ誤
差要因の来歴の解析を行ない(ステップ6b)、この解析
から誤差要因の変化の傾向を把握して(ステップ6c)、
装置起因の誤差要因の変化の傾向が規格を越えるか否か
の判定を行なう(ステップ6d)。ここで誤差要因の変化
の傾向で規格を越えるものがなければ製品の製造を続け
るが、その傾向で規格を越える項目があっても従来は全
くどの項目か判定できなかったが、本発明により一目で
どの項目がおかしいのかを判定して装置の調整を行なう
ことができ(ステップ6e)、調整の合否判定後に(ステ
ップ6f)、製品製造を行なえる。FIG. 6 is a flow chart of a second embodiment of the stepper alignment accuracy monitoring method of FIG. In FIG. 6, after the analysis of the matching error factors, the computer 101 accumulates the data of the matching error factors (test 6a), analyzes the history of the matching error factors from the data (step 6b), and from this analysis, Understand the trends of change (Step 6c)
It is determined whether the tendency of the change of the error factor caused by the device exceeds the standard (step 6d). Here, if there is no change in the error factor that exceeds the standard, the production of the product is continued, but even if there is an item that exceeds the standard due to the tendency, it was not possible to judge any item conventionally, but according to the present invention, at a glance The device can be adjusted by judging which item is wrong (Step 6e), and after the determination of the pass / fail of the adjustment (Step 6f), the product can be manufactured.
第7図は本発明によるステッパの合わせ精度モニタ方
法およびその装置の他の実施例を示す構成図である。第
7図において、多数台のステッパについての合わせ精度
モニタ方法およびその装置の実施例を示し、第1図と同
一符号は相当部分を表わす。上記構成で、n台のステッ
パ201−1〜201−nの加工結果の検査を合わせ検査装置
202で行ない、その検査データを計算機101で管理する。
計算機101の機能は第1図の実施例について第2図ない
し第6図に示したものとほぼ同様であるが、n台の装置
を一度に管理することによって同一機種間の差や同一機
能の異機種間の差が管理できることなり、設備改良等の
別個の指示内容を算出することもできる。FIG. 7 is a block diagram showing another embodiment of the method and apparatus for monitoring the alignment accuracy of a stepper according to the present invention. FIG. 7 shows an embodiment of an alignment accuracy monitoring method and apparatus for a large number of steppers, and the same reference numerals as those in FIG. 1 denote corresponding parts. In the above configuration, an inspection apparatus for inspecting the processing results of n steppers 201-1 to 201-n.
The inspection is performed at 202, and the inspection data is managed by the computer 101.
The functions of the computer 101 are almost the same as those shown in FIGS. 2 to 6 in the embodiment of FIG. 1, but by managing n devices at once, the difference between the same models and the The difference between different models can be managed, and separate instruction contents such as equipment improvement can be calculated.
上記実施例において、ステッパの加工設定条件の補正
値などの出力により、半導体製造方法を支援することが
できる。またステッパの加工設定条件の補正値などをス
テッパに送信して設定することができる。さらに合わせ
精度誤差要因の分析手段を合わせ検査装置に組み込ん
で、そのステッパの加工設定条件の補正値などをステッ
パに出力する構成にすることもできる。In the above embodiment, the semiconductor manufacturing method can be supported by outputting the correction value of the processing setting condition of the stepper or the like. Further, a correction value or the like of the processing setting condition of the stepper can be transmitted to the stepper and set. Further, a configuration may be adopted in which a means for analyzing the cause of the alignment accuracy error is incorporated in the alignment inspection apparatus, and a correction value or the like of the processing setting condition of the stepper is output to the stepper.
本発明によれば、半導体製造設備におけるステッパの
加工条件と加工状態検査結果を把握することができるの
で、ステッパでレチクル換えの都度に行っていた試行回
数を半減することができ、ステッパの稼動率を15%程度
向上できるとともに、スループットが向上できて製品の
完成までの期間を短縮できる効果がある。According to the present invention, since the processing conditions and processing state inspection results of the stepper in the semiconductor manufacturing equipment can be grasped, the number of trials performed each time a reticle is changed by the stepper can be halved, and the operation rate of the stepper can be reduced. In addition, it is possible to improve the throughput by about 15%, to improve the throughput, and to shorten the time until the product is completed.
第1図は本発明によるステッパの合わせ精度モニタ方法
およびその装置の一実施例を示す構成図、第2図は第1
図のステッパの合わせ精度モニタ方法の第1の実施例の
フロー図、第3図は第1図の合わせずれ量の算出原理
図、第4図(a)〜(d)は第1図の合わせ誤差要因の
分析原理図、第5図(a)〜(f)は第1図の合わせ誤
差要因の分析値を累積和のグラフ、第6図は第1図のス
テッパの合わせ精度モニタ方法の第2の実施例のフロー
図、第7図は本発明によるステッパの合わせ精度モニタ
方法およびその装置の他の実施例を示す構成図である。 101……計算機、201,201−f〜201−n……ステッパ、2
02……合わせ検査装置、204……検査データ転送ユニッ
ト、205……ステッパ加工条件データ転送ユニット、206
……検査データ・加工条件データ転送信号線、207……
データ転送線。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a stepper alignment accuracy monitoring method and apparatus according to the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a flowchart of a first embodiment of the method of monitoring the alignment accuracy of the stepper, FIG. 3 is a diagram illustrating the principle of calculating the amount of alignment deviation in FIG. 1, and FIGS. 4 (a) to (d) are alignment diagrams in FIG. 5 (a) to 5 (f) are graphs of the cumulative sum of the analysis values of the alignment error factors shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a graph of the stepper alignment accuracy monitoring method of FIG. FIG. 7 is a flow chart of the second embodiment, and FIG. 7 is a block diagram showing another embodiment of the method and apparatus for monitoring the alignment accuracy of a stepper according to the present invention. 101: Computer, 201, 201-f to 201-n: Stepper, 2
02… Alignment inspection device, 204… Inspection data transfer unit, 205 …… Stepper processing condition data transfer unit, 206
…… Inspection data / processing condition data transfer signal line, 207 ……
Data transfer line.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡部 勉 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株式会社日立製作所武蔵工場内 (56)参考文献 特開 平3−185807(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Tsutomu Okabe 5-20-1, Kamisumihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside Musashi Plant of Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-3-185807 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/027
Claims (7)
ステッパの加工設定条件と、ステッパで加工した半導体
集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装
置言の検査結果とを受託する計算機により、上記検査結
果の合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設
定条件の補正値を出力するとともに、上記合わせ精度誤
差要因を分析した結果のステッパに起因する合わせ精度
誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回
路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差要因の推移
を出力することを特徴とするステッパの会わせ精度モニ
タ方法。A computer for receiving processing setting conditions of a stepper, which is a reduced projection exposure apparatus of a semiconductor manufacturing facility, and an inspection result of an alignment inspection apparatus for inspecting alignment accuracy of a semiconductor integrated circuit pattern processed by the stepper. Analyzing the alignment accuracy error factor of the inspection result, outputting a correction value of the processing setting condition of the stepper, and accumulating the alignment accuracy error factor caused by the stepper as a result of analyzing the alignment accuracy error factor, And outputting a change in an error factor of the alignment accuracy of the state of the stepper at the time of processing the semiconductor integrated circuit processed by the step (c).
わせ精度誤差要因の推移を個別ステッパ間で比較して、
個別ステッパ固有の加工特性を出力することを特徴とす
る請求項1記載のステッパの会わせ精度モニタ方法。2. The method according to claim 1, wherein a plurality of steppers are used, and a transition of an alignment accuracy error factor of the individual steppers is compared between the individual steppers.
2. The method according to claim 1, wherein the processing characteristics unique to the individual stepper are output.
加工設定条件の補正値の出力によって、半導体集積回路
の製造を支援することを特徴とする請求項1,2の何れか
に記載のステッパの会わせ精度モニタ方法。3. The stepper assembly according to claim 1, wherein at the time of manufacturing the semiconductor integrated circuit, manufacturing of the semiconductor integrated circuit is supported at least by outputting a correction value of a processing setting condition. Accuracy monitoring method.
加工設定条件で下層の加工を行い、次の上層の加工工程
での露光の際に上記下層との合わせ精度誤差要因を分析
して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力すること
によって、上記上層のステッパの加工条件の設定を支援
するとともに、上記合わせ精度誤差要因を分析した結果
のステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、
ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ
状態の合わせ精度誤差要因の推移を出力することを特徴
とするステッパの会わせ精度モニタ方法。4. When manufacturing a semiconductor integrated circuit, processing of a lower layer is performed under processing setting conditions of a stepper, and a factor of an alignment accuracy error with the lower layer is analyzed at the time of exposure in a next upper layer processing step. By outputting the correction value of the processing setting condition of the above, while supporting the setting of the processing conditions of the upper layer stepper, accumulating the alignment accuracy error factor caused by the stepper as a result of analyzing the alignment accuracy error factor,
What is claimed is: 1. A method for monitoring the accuracy of a stepper, comprising: outputting a transition of an error factor of accuracy of alignment of a stepper at the time of processing a semiconductor integrated circuit processed by the stepper.
ステッパの加工設定条件を送信する送信手段と、ステッ
パで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検
査する合わせ検査装置の検査結果を送信する送信手段
と、上記2つの送信手段からの送信データを受信する受
信手段を有する計算機とから成り、上記計算機では受信
データとしての上記検査結果の合わせ精度誤差要因を分
析し、その分析結果に基づいてステッパの加工設定条件
の補正値を算出し出力する構成であることを特徴とする
ステッパ合わせ精度モニタ装置。5. A transmitting means for transmitting processing setting conditions of a stepper, which is a reduction projection exposure apparatus of a semiconductor manufacturing facility, and transmitting an inspection result of an alignment inspection apparatus for inspecting alignment accuracy of a semiconductor integrated circuit pattern processed by the stepper. The computer includes a transmission unit and a computer having a reception unit that receives transmission data from the two transmission units. The computer analyzes a cause of an error in the alignment accuracy of the inspection result as reception data, and based on the analysis result, A stepper alignment accuracy monitoring device, wherein a correction value of a processing setting condition of a stepper is calculated and output.
よりステッパに送信する送信手段と、ステッパが該送信
データを受信する受信手段と、該受信データをステッパ
に設定する手段とを有することを特徴とする請求項5記
載のステッパの合わせ精度モニタ装置。6. A transmission device for transmitting a correction value of a processing setting condition of a stepper from a computer to a stepper, a reception device for receiving the transmission data by the stepper, and a device for setting the reception data to the stepper. The alignment accuracy monitoring device for a stepper according to claim 5, wherein:
能を合わせ検査装置に組み込み、合わせ精度誤差要因に
基づくステッパの加工設定条件の補正値をステッパに出
力する機能を有することを特徴とする請求項5記載のス
テッパの合わせ精度モニタ装置。7. A computer which incorporates a function of analyzing a cause of alignment error of a computer into an alignment inspection apparatus and outputs a correction value of a processing setting condition of a stepper to the stepper based on the cause of alignment error. Item 5. A stepper alignment accuracy monitoring device according to Item 5.
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|---|---|---|---|
| JP1331372A JP2793666B2 (en) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Stepper alignment accuracy monitoring method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331372A JP2793666B2 (en) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | Stepper alignment accuracy monitoring method and apparatus |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH03194914A JPH03194914A (en) | 1991-08-26 |
| JP2793666B2 true JP2793666B2 (en) | 1998-09-03 |
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ID=18242949
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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-
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