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JP2861807B2 - Method for manufacturing magneto-optical recording medium - Google Patents
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JP2861807B2 - Method for manufacturing magneto-optical recording medium - Google Patents

Method for manufacturing magneto-optical recording medium

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JP2861807B2
JP2861807B2 JP12552994A JP12552994A JP2861807B2 JP 2861807 B2 JP2861807 B2 JP 2861807B2 JP 12552994 A JP12552994 A JP 12552994A JP 12552994 A JP12552994 A JP 12552994A JP 2861807 B2 JP2861807 B2 JP 2861807B2
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optical recording
underlayer
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体の製造
方法に関し、特に書換可能な光磁気ディスク等に用いら
れ、磁気カー効果あるいは磁気ファラデー効果等の磁気
光学効果を読み出すことの出来る光磁気記録媒体の製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magneto-optical recording medium, and more particularly to a method for reading a magneto-optical effect such as a magnetic Kerr effect or a magnetic Faraday effect, which is used for a rewritable magneto-optical disk or the like. The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】光磁気記録媒体の材料とは、主として以
下の条件が要求される。 (a)垂直磁化膜であること。 (b)大きな保磁力を有していること。 (c)カー回転角が大きいこと。
2. Description of the Related Art The material of a magneto-optical recording medium mainly requires the following conditions. (A) A perpendicular magnetization film. (B) have a large coercive force; (C) The car rotation angle is large.

【0003】Fe,Co等にTb,Gd等の重希土類を
添加した場合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜になるこ
とが知られている。こうしたことから、光磁気記録媒体
の材料としてGdTbFe,DyFe,GdCo,Gd
Co,TbCo,TbFeCo等の重希土類−3d遷移
金属非晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、かつ量産に
適し、読み出しノイズが小さいことから有望とされてい
る。特にTbFeCoは、有望視され実用材料となって
いる。
It is known that when heavy rare earth elements such as Tb, Gd, etc. are added to Fe, Co, etc., the magnetic anisotropy increases to form a perpendicular magnetization film. From these facts, GdTbFe, DyFe, GdCo, Gd
A heavy rare earth-3d transition metal amorphous alloy thin film of Co, TbCo, TbFeCo, or the like satisfies the above conditions, is suitable for mass production, and is considered to be promising because of its low readout noise. In particular, TbFeCo is promising and has become a practical material.

【0004】光磁気記録の高密度化の手段として、レー
ザーのビーム径を絞ることによる記録領域の微小化があ
る。記録再生ヘッドの対物レンズのN.A.を変えずに
ビーム径を絞るためには、レーザー光源の短波長化が必
要となる。このために、非線形光学素子を用いた短波長
光源や短波長LDの開発が進んでいる。しかし、現在実
用化されている重希土類−3d遷移金属非晶質合金薄膜
は、波長が短くなるにしたがいカー回転角が小さくなる
ことが知られている。また、フォトディテクタの量子変
換効率も、波長の低下により減少する。したがって、短
波長レーザーにより再生した場合、再生出力が大幅に低
下してしまい、高記録密度を達成することは困難であ
る。このため、短波長域でカー回転角の大きな新たな光
磁気記録材料が必要になる。
As a means for increasing the density of magneto-optical recording, there is a method of miniaturizing a recording area by narrowing a laser beam diameter. N.P. of the objective lens of the recording / reproducing head A. In order to narrow the beam diameter without changing the wavelength, it is necessary to shorten the wavelength of the laser light source. For this reason, short-wavelength light sources and short-wavelength LDs using nonlinear optical elements have been developed. However, it is known that a heavy rare earth-3d transition metal amorphous alloy thin film currently in practical use has a smaller Kerr rotation angle as the wavelength becomes shorter. Further, the quantum conversion efficiency of the photodetector also decreases due to the decrease in wavelength. Therefore, when reproduction is performed using a short-wavelength laser, the reproduction output is greatly reduced, and it is difficult to achieve a high recording density. Therefore, a new magneto-optical recording material having a large Kerr rotation angle in a short wavelength region is required.

【0005】短波長用光磁気記録材料として、これまで
にガーネット、Pt/Co、軽希土類−3d遷移金属非
晶質合金薄膜が検討されている。しかし、これらの材料
には以下のような欠点がある。
[0005] Garnet, Pt / Co, and light rare earth-3d transition metal amorphous alloy thin films have been studied as magneto-optical recording materials for short wavelengths. However, these materials have the following disadvantages.

【0006】ガーネットはファラデー回転角が大きいた
め大きな再生出力を得ることができるが、成膜中もしく
は成膜後に結晶を成長させるためには600℃以上の加
熱が必要とされ通常のガラス基板上に作製することは困
難である。従って、基板として高価な耐熱ガラスを使用
する必要があり、媒体が高価になるという欠点がある。
[0006] Garnet has a large Faraday rotation angle so that a large reproduction output can be obtained. However, in order to grow a crystal during or after film formation, heating at 600 ° C or higher is required, and a garnet must be heated on a normal glass substrate. It is difficult to make. Therefore, it is necessary to use expensive heat-resistant glass as the substrate, and there is a disadvantage that the medium becomes expensive.

【0007】Pt/Coは、短波長域で重希土類−3d
遷移金属非晶質合金よりも大きなカー回転角を有する
が、フォトディテクタの変換効率の低下を補うほどの大
きな値ではない。また、結晶質であるため媒体雑音が大
きく、短波長域における再生出力は低下するという欠点
がある(特開平3−162739号公報)。
Pt / Co is heavy rare earth-3d in a short wavelength region.
It has a Kerr rotation angle larger than that of the transition metal amorphous alloy, but is not large enough to compensate for a decrease in the conversion efficiency of the photodetector. In addition, since it is crystalline, medium noise is large, and there is a disadvantage that the reproduction output in a short wavelength range is reduced (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 3-162739).

【0008】軽希土類−3d遷移金属非晶質合金薄膜の
場合もPt/Coの場合と同様に、十分大きなカー回転
角を、記録再生が可能な組成範囲では得ることができな
いという欠点を有する。従って、これらの記録材料に変
わる新しい材料の利用が必要となる。
In the case of the light rare earth-3d transition metal amorphous alloy thin film, similarly to the case of Pt / Co, there is a drawback that a sufficiently large Kerr rotation angle cannot be obtained in a composition range where recording and reproduction are possible. Therefore, it is necessary to use a new material instead of these recording materials.

【0009】MnBi化合物は、基板上にBiとMnを
順次成膜したMn−Bi積層膜を加熱し反応させると,
BiのC軸配向性が保存されて、C軸配向のMnBi化
合物となる。このMnBi化合物は、C軸に強い磁気異
方性を有するために垂直磁化膜となる。さらに、MnB
i化合物は、波長400nmから900nmにおいてカー回
転角が1度以上と大きいため短波長用光磁気記録材料と
して有望である。
The MnBi compound is formed by heating and reacting a Mn—Bi laminated film in which Bi and Mn are sequentially formed on a substrate.
The C-axis orientation of Bi is preserved, resulting in a C-axis oriented MnBi compound. Since this MnBi compound has strong magnetic anisotropy in the C axis, it becomes a perpendicular magnetization film. Further, MnB
The i-compound is promising as a short-wavelength magneto-optical recording material because the Kerr rotation angle is as large as 1 degree or more between 400 nm and 900 nm.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】MnBi光磁気記録媒
体の製造方法及びノイズレベルについて図を参照して説
明する。図15は従来例のMnBi光磁気記録媒体の熱
処理前の構成断面図である。ガラス基板1上に、下地層
(スパッタ法による窒化珪素膜)2を100nmの厚さ
に、Bi層3をイオンクラスタービーム法で20nmの厚
さに、Mn層4をイオンクラスタービーム法で8nmの厚
さに、干渉層(スパッタ法によるSiN)5を300nm
の厚さに、反射層(スパッタ法によるAl膜)6を20
nmの厚さに順次成膜した。Mnの成膜速度は0.05nm
/s,成膜中の真空度は3×10-6torrである。B
iの成膜速度は0.1nm/s,成膜中の真空度は3×1
0-7torrである。Biの成膜中の基板温度は室温で
ある。ランド部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度が1
1.7度の基板を用いた。
A method of manufacturing a MnBi magneto-optical recording medium and a noise level will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a sectional view showing the configuration of a conventional MnBi magneto-optical recording medium before heat treatment. On a glass substrate 1, an underlayer (silicon nitride film by sputtering) 2 has a thickness of 100 nm, a Bi layer 3 has a thickness of 20 nm by an ion cluster beam method, and a Mn layer 4 has a thickness of 8 nm by an ion cluster beam method. The thickness of the interference layer (SiN by sputtering) 5 is set to 300 nm.
The reflective layer (Al film by sputtering) 6 to a thickness of 20
Films were sequentially formed to a thickness of nm. Mn deposition rate is 0.05nm
/ S, and the degree of vacuum during film formation is 3.times.10@-6 torr. B
The film formation speed of i is 0.1 nm / s, and the degree of vacuum during film formation is 3 × 1
0-7 torr. The substrate temperature during the formation of Bi is room temperature. The slope angle between the land and groove boundary slope is 1
A 1.7 degree substrate was used.

【0011】図16はMnBi光磁気記録媒体のディス
クのノイズスペクトル(a)を一般的な光磁気ディスク
媒体であるTbFeCoディスクのノイズスペクトル
(b)とともに示したものである。測定波長830nm、
対物レンズのNAは0.55、線速6m/s、再生光量
一定の条件で測定している。MnBiディスクのノイズ
レベルは、TbFeCoディスクよりも大きく、1MH
z付近では20dBの差になっていることが認められ
る。又、再生信号雑音比(C/N)が小さいという欠点
もある。
FIG. 16 shows a noise spectrum (a) of a disk of a MnBi magneto-optical recording medium together with a noise spectrum (b) of a TbFeCo disk which is a general magneto-optical disk medium. Measurement wavelength 830nm,
The NA of the objective lens is 0.55, the linear velocity is 6 m / s, and the measurement is performed under the condition that the reproduction light amount is constant. The noise level of the MnBi disk is larger than that of the TbFeCo disk and 1 MHZ.
It is recognized that there is a difference of 20 dB near z. There is also a disadvantage that the reproduction signal noise ratio (C / N) is small.

【0012】本発明の目的は、媒体ノイズが低く実用に
供されるMnBi光磁気記録媒体の簡便なる製造方法を
提供することである。
An object of the present invention is to provide a simple method for producing a MnBi magneto-optical recording medium which has low medium noise and is practically used.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に誘電
体からなる下地層、Bi層、Mn層、誘電体からなる干
渉層を順次成膜し、熱処理によりMnBi化合物を合成
する光磁気記録媒体の製造方法であって、特にBi層に
関しての考察より成されたものである。
According to the present invention, there is provided a magneto-optical device in which a base layer made of a dielectric material, a Bi layer, an Mn layer, and an interference layer made of a dielectric material are sequentially formed on a substrate, and a MnBi compound is synthesized by heat treatment. This is a method for manufacturing a recording medium, and is particularly made by considering a Bi layer.

【0014】すなわち、前記光磁気記録媒体の製造方法
において、Bi層の表面粗さを、最大粗さRmax <30
nm,中心面平均粗さRa <2.0nmとすることによって
媒体ノイズの低減された光磁気記録媒体を得られること
が見いだされた。ここで、Bi層の層厚を12nm以上1
8nm以下とすること、または溶融Biとの接触角が13
0度以上である下地層を用いることによってより好適な
光磁気記録媒体が得られる。
That is, in the above-mentioned method for manufacturing a magneto-optical recording medium, the surface roughness of the Bi layer is reduced to a maximum roughness Rmax <30.
It has been found that a magneto-optical recording medium with reduced medium noise can be obtained by setting the average roughness Ra and the center plane average Ra <2.0 nm. Here, the thickness of the Bi layer is set to 12 nm or more and 1
8 nm or less, or the contact angle with molten Bi is 13
A more suitable magneto-optical recording medium can be obtained by using an underlayer at an angle of 0 ° or more.

【0015】又、同様な光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、Bi層成膜中の基板温度を80℃以上200℃以
下とすること、もしくはBi層の成膜速度を0.1nm/
s以下とすることによっても媒体ノイズの低減された光
磁気記録媒体を得られることが見いだされた。
In a similar method for manufacturing a magneto-optical recording medium, the substrate temperature during the formation of the Bi layer is set to 80 ° C. or more and 200 ° C. or less, or the film formation rate of the Bi layer is set to 0.1 nm /
It has been found that a magneto-optical recording medium with reduced medium noise can be obtained by setting the value to s or less.

【0016】又、同様な光磁気記録媒体の製造方法にお
いて、Bi層を、Bi下地層とBi成長層の二層に分け
て成膜すること、さらに好適にはBi下地層の成膜中の
基板温度をBi成長層の成膜中の基板温度より低くする
こと、もしくはBi下地層の成膜速度をBi成長層の成
膜速度より高くすることによっても望ましい光磁気記録
媒体が得られる。
In the same method for manufacturing a magneto-optical recording medium, the Bi layer is formed by dividing the Bi layer into two layers, a Bi underlayer and a Bi growth layer. More preferably, the Bi layer is formed during the formation of the Bi underlayer. Desirable magneto-optical recording media can also be obtained by lowering the substrate temperature below the substrate temperature during the formation of the Bi growth layer, or by setting the film formation rate of the Bi underlayer higher than that of the Bi growth layer.

【0017】さらには、案内溝付き基板を用いて同様な
光磁気記録媒体を製造する場合、案内溝付き基板のラン
ド部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度を10度以下とす
ること、もしくは、Bi層をBi下地層とBi成長層の
二層に分け、Bi下地層の成膜中の基板温度をBi成長
層の成膜中の基板温度よりも高くし、かつBi下地層の
成膜速度をBi成長層の成膜速度よりも低くすることに
よっても好適な光磁気記録媒体が得られることが見いだ
された。
Furthermore, when a similar magneto-optical recording medium is manufactured using a substrate with a guide groove, the inclination angle between the land and groove boundary slope of the substrate with a guide groove is set to 10 degrees or less, or Bi. The layer is divided into two layers, a Bi underlayer and a Bi growth layer, the substrate temperature during the formation of the Bi underlayer is higher than the substrate temperature during the formation of the Bi underlayer, and the film formation rate of the Bi underlayer is reduced. It has been found that a suitable magneto-optical recording medium can be obtained by lowering the film formation rate of the Bi growth layer.

【0018】[0018]

【作用】Bi薄膜の表面形態は成膜条件(基板温度、成
膜速度)や下地層の表面エネルギーと表面粗さに非常に
敏感である。このため一般的な成膜条件ではBi層上に
は記録膜の膜厚以上の高さの島状突起が多数存在する。
光磁気記録媒体の記録情報の読み出しには、読取レーザ
光の偏光面の変化が利用されている。このBi層上にM
n層、保護層を積層した後に熱処理し記録媒体は生成さ
れるため、Bi層上に島状突起が存在する場合、記録層
内にそのまま島状突起は保存される。このため、レーザ
光の偏光面は島状突起部分で大きく乱され、高い媒体ノ
イズが発生する。従って、Bi層の平坦化によりMnB
iディスクの媒体ノイズは低減できる。
The surface morphology of the Bi thin film is very sensitive to film forming conditions (substrate temperature, film forming rate), surface energy and surface roughness of the underlayer. Therefore, under general film forming conditions, a large number of island-like protrusions having a height equal to or greater than the thickness of the recording film exist on the Bi layer.
For reading recorded information from the magneto-optical recording medium, a change in the polarization plane of the read laser light is used. M on this Bi layer
Since the recording medium is formed by heat treatment after laminating the n-layer and the protective layer, if the island-like protrusions exist on the Bi layer, the island-like protrusions are preserved in the recording layer as they are. For this reason, the polarization plane of the laser light is greatly disturbed at the island-shaped projections, and high medium noise is generated. Therefore, MnB is formed by the planarization of the Bi layer.
The medium noise of the i-disk can be reduced.

【0019】Bi層の平坦性は、結晶核生成頻度とその
成長速度に強く依存する。つまり、核生成頻度が小さく
成長速度が遅いほど、平坦性は高まり島状突起は少なく
なる。核生成頻度を小さくするためには下地層の表面エ
ネルギーを小さくすること、言い替えれば濡れ性を悪く
すること(Biとの接触角が大きいことに対応する)が
有効である。また、島状突起はある一定以上の膜厚の結
晶粒界から発生するため、Bi層の厚さを薄くすること
も有効であるが、12nm以下ではMnBiの結晶成長が
困難になる。基板温度を高くすることも核生成頻度を小
さくし、Bi層の平坦化に有効である。成膜速度を遅く
することは結晶核の成長速度を小さくすることになり、
Bi層の表面平滑性は向上する。
The flatness of the Bi layer strongly depends on the frequency of crystal nucleation and its growth rate. In other words, the lower the nucleation frequency and the lower the growth rate, the higher the flatness and the fewer the island-like protrusions. In order to reduce the nucleation frequency, it is effective to reduce the surface energy of the underlayer, in other words, to reduce the wettability (corresponding to a large contact angle with Bi). In addition, since the island-like projections are generated from crystal grain boundaries having a certain thickness or more, it is effective to reduce the thickness of the Bi layer. However, when the thickness is 12 nm or less, crystal growth of MnBi becomes difficult. Increasing the substrate temperature also reduces the frequency of nucleation and is effective in flattening the Bi layer. Slowing the film formation rate means reducing the growth rate of crystal nuclei,
The surface smoothness of the Bi layer is improved.

【0020】これとは別に、Bi層を下地層と成長層の
二層に分けて成膜することは結晶核の密度と成長速度の
制御が別々にできるため非常に有効な手段である。下地
層の成膜中の基板温度を成長層の基板温度より低くし、
下地層の成膜速度を成長層の成膜速度より高くすること
で、Bi層の表面平滑性は向上する。
Separately, it is very effective to separately form the Bi layer into the underlayer and the growth layer because the crystal nucleus density and the growth rate can be controlled separately. The substrate temperature during the formation of the underlayer is lower than the substrate temperature of the growth layer,
The surface smoothness of the Bi layer is improved by setting the film formation rate of the underlayer higher than that of the growth layer.

【0021】また、核生成頻度を小さくするためには下
地層の表面平坦性を高めることも有効である。基板に存
在する案内溝は基板表面の傾斜を大きく変えるため、結
晶核の発生頻度を高める。従って、ランド部とグルーブ
部境界斜面の傾斜角度を小さくすることにより島状突起
の発生を抑えることができる。また、薄い下地層として
平坦性の高いBi層を成膜後、厚い成長層を速い成膜速
度で成長させることも、島状突起の成長を抑制する上で
有効である。
To reduce the frequency of nucleation, it is also effective to increase the surface flatness of the underlayer. Since the guide groove existing in the substrate changes the inclination of the substrate surface greatly, the frequency of generation of crystal nuclei is increased. Therefore, the occurrence of island-like protrusions can be suppressed by reducing the inclination angle of the slope between the land and the groove. It is also effective to suppress the growth of island-like projections by growing a thick growth layer at a high deposition rate after forming a Bi layer having high flatness as a thin underlayer.

【0022】[0022]

【実施例】MnBi光磁気記録媒体の製造方法およびそ
の記録媒体について図面を参照して説明する。図1はM
nBi光磁気記録媒体の熱処理前の構成断面図である。
フォトポリマーによりグルーブを形成したガラス基板1
上に、下地層(スパッタ法による窒化珪素膜)2を10
0nmの厚さに、Bi層3をイオンクラスタービーム法で
15nmの厚さに、Mn層4をイオンクラスタービーム法
で6nmの厚さに、干渉層(イオンクラスタービーム法に
よるSiO)5を300nmの厚さに、反射層(スパッタ
法によるAl膜)6を20nmの厚さに順次成膜した。M
nの成膜速度は0.2nm/s,成膜中の真空度は1×1
-6torrである。Biの成膜速度は0.045nm/
s,成膜中の真空度は3×10-7torr、基板温度は
130℃である。熱処理を150℃10時間行い記録媒
体とした。Bi層の膜厚、成膜条件および下地層を変化
させることによりBi層の表面粗さを変化させることが
できる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a MnBi magneto-optical recording medium and the recording medium will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows M
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an nBi magneto-optical recording medium before heat treatment.
Glass substrate 1 with grooves formed by photopolymer
An underlayer (silicon nitride film formed by sputtering) 2 is
The Bi layer 3 has a thickness of 15 nm by the ion cluster beam method, the Mn layer 4 has a thickness of 6 nm by the ion cluster beam method, and the interference layer (SiO by the ion cluster beam method) 5 has a thickness of 300 nm. A reflective layer (Al film by sputtering) 6 was sequentially formed to a thickness of 20 nm. M
The deposition rate of n is 0.2 nm / s, and the degree of vacuum during deposition is 1 × 1.
0 -6 torr. The Bi deposition rate is 0.045 nm /
s, the degree of vacuum during film formation is 3 × 10 −7 torr, and the substrate temperature is 130 ° C. Heat treatment was performed at 150 ° C. for 10 hours to obtain a recording medium. The surface roughness of the Bi layer can be changed by changing the thickness of the Bi layer, the film formation conditions, and the underlayer.

【0023】図2は、Bi層のAFM像(1μm ×1μ
m )の一例である。Biの成膜速度は0.045nm/
s,成膜中の真空度は3×10-7torr、基板温度は
室温、層厚は15nmである。ガラス基板を用いている。
50nm程度大きさの島状突起が点在していることがわか
る。この島状突起が媒体ノイズを大きくする原因であ
る。このBi層のRmax =15nm,Ra =1.73であ
る。
FIG. 2 shows an AFM image (1 μm × 1 μm) of the Bi layer.
m) is an example. The Bi deposition rate is 0.045 nm /
s, the degree of vacuum during film formation is 3 × 10 −7 torr, the substrate temperature is room temperature, and the layer thickness is 15 nm. A glass substrate is used.
It can be seen that island-like protrusions having a size of about 50 nm are scattered. These island-shaped protrusions cause the medium noise to increase. The Bi layer has Rmax = 15 nm and Ra = 1.73.

【0024】図3は、Bi層の膜厚、成膜条件および下
地層を変えBi層の表面粗さを変化させたMnBi光磁
気ディスクの媒体ノイズとRmax ,Ra の関係である。
媒体構成はBi層の膜厚を除き図1と同様である。測定
波長830nm、対物レンズのNAは0.55、線速6m
/s、再生光量一定の条件で測定した。1MHzにおけ
るノイズレベルの値である。媒体ノイズは、Rmax <3
0nm,Ra <2.0nmの範囲で−35dB以下となり、
図9に示した従来例よりもノイズは低下する。このこと
は、Bi層の表面粗さをRmax <30nm,Ra <2.0
nmとすることで、媒体ノイズを低減できることを示して
いる。
FIG. 3 shows the relationship between Rmax and Ra in the MnBi magneto-optical disk in which the surface roughness of the Bi layer is changed by changing the thickness of the Bi layer, the film forming conditions and the underlayer.
The medium configuration is the same as that of FIG. 1 except for the thickness of the Bi layer. Measurement wavelength 830nm, objective lens NA 0.55, linear velocity 6m
/ S and a constant reproduction light amount. This is the value of the noise level at 1 MHz. The medium noise is Rmax <3
0-35 dB or less in the range of 0 nm and Ra <2.0 nm,
Noise is lower than in the conventional example shown in FIG. This means that the surface roughness of the Bi layer is reduced to Rmax <30 nm and Ra <2.0.
This indicates that the medium noise can be reduced by setting nm.

【0025】図4に、Biの成膜速度を0.1nm/s、
基板温度を室温としたときの層厚とBi表面のRmax 、
Ra の関係を示す。ガラス基板を用いている。層厚が1
8nm以下ではRmax <30nm,Ra <2.0nmとなり、
MnBiディスクの媒体ノイズは低減する事が可能であ
る。一方、Bi層が12nm以下では、熱処理によりBi
とMnの均一な化学反応が進行せずMnBiディスクは
作製できなかった。従って、媒体ノイズを低減し、かつ
MnBiディスクを作製するためにはBi層の層厚を1
2nm以上18nm以下とする必要がある。
FIG. 4 shows that the deposition rate of Bi is 0.1 nm / s,
The layer thickness and Rmax of the Bi surface when the substrate temperature is room temperature,
The relationship of Ra is shown. A glass substrate is used. 1 layer thickness
Below 8 nm, Rmax <30 nm and Ra <2.0 nm.
The medium noise of the MnBi disk can be reduced. On the other hand, when the Bi layer has a thickness of 12 nm or less, Bi
And Mn did not proceed uniformly, and a MnBi disk could not be produced. Therefore, in order to reduce the medium noise and manufacture the MnBi disk, the thickness of the Bi layer is set to 1
It is necessary to be 2 nm or more and 18 nm or less.

【0026】図5に、溶融Biと下地層及び基板の接触
角θとRa ,Rmax の関係を示す。成膜速度を0.05
nm/s,基板温度を130℃ととした。膜厚は20nmで
ある。横軸は表面エネルギに比例する1+cosθで示
している。Ra とRmax は、1+cosθの増加ととも
に増加する。1+cosθが、0.4以下ではRmax<
30nm,Ra <2.0nmとなり、MnBiディスクの媒
体ノイズは低減する事が可能である。これは接触角θ
が、130度以上であることに対応する。
FIG. 5 shows the relationship between the contact angle θ between the molten Bi, the underlayer and the substrate, and Ra and Rmax. Deposition rate of 0.05
nm / s and the substrate temperature was 130 ° C. The thickness is 20 nm. The horizontal axis indicates 1 + cos θ which is proportional to the surface energy. Ra and Rmax increase with increasing 1 + cos θ. If 1 + cos θ is 0.4 or less, Rmax <
30 nm, Ra <2.0 nm, and the medium noise of the MnBi disk can be reduced. This is the contact angle θ
Corresponds to 130 degrees or more.

【0027】図6に、Bi成膜中の基板温度とRmax の
関係を示す。成膜速度は0.05nm/s、膜厚は20nm
である。Rmax は、基板温度の増加とともに減少する。
基板温度が、80℃以下ではRmax <30nmとなり、M
nBiディスクの媒体ノイズは低減する事が可能であ
る。一方、基板温度を200℃以上にした場合、Biの
融点に近くなるためBi層のC軸配向性が失われてしま
い、MnBiディスクの作製には用いることはできなか
った。
FIG. 6 shows the relationship between the substrate temperature and Rmax during Bi film formation. The deposition rate is 0.05 nm / s, and the film thickness is 20 nm.
It is. Rmax decreases with increasing substrate temperature.
When the substrate temperature is 80 ° C. or less, Rmax <30 nm and M
The medium noise of the nBi disk can be reduced. On the other hand, when the substrate temperature was 200 ° C. or higher, the melting point of Bi was close to that, so the C-axis orientation of the Bi layer was lost, and it could not be used for producing a MnBi disk.

【0028】図7に、Biの成膜速度とRmax の関係を
示す。基板温度130℃、膜厚は20nmである。Rmax
は、成膜速度の増加とともに増加る。成膜速度が、0.
1nm/s以下ではRmax <30nmとなり、MnBiディ
スクの媒体ノイズは低減する事が可能である。
FIG. 7 shows the relationship between the Bi deposition rate and Rmax. The substrate temperature is 130 ° C., and the film thickness is 20 nm. Rmax
Increases with an increase in the deposition rate. When the deposition rate is 0.
At 1 nm / s or less, Rmax <30 nm, and the medium noise of the MnBi disk can be reduced.

【0029】図8に、下地層と成長層の二層に分けて成
膜したBi層のAFM像(1μm ×1μm )を示す。図
9には、通常の連続成膜のBi層のAFM像(1μm ×
1μm )を示す。下地層の成膜条件は、成膜速度:0.
19nm/s、基板温度:室温、層厚:5nmである。成長
層の成膜条件は、成膜速度:0.045nm/s、基板温
度:130℃、層厚:15nmである。通常の連続成膜の
Bi層の成膜条件は、成膜速度:0.045nm/s、基
板温度:130℃、層厚:20nmである。ガラス基板を
用いた。AFM像から判るように下地層と成長層の二層
に分けて成膜することにより、通常の連続成膜よりもB
i層の表面平滑性は増加し、MnBiディスクの媒体ノ
イズは低減する事が可能である。
FIG. 8 shows an AFM image (1 .mu.m.times.1 .mu.m) of a Bi layer formed into two layers, an underlayer and a growth layer. FIG. 9 shows an AFM image (1 μm × Bi) of a Bi layer formed by normal continuous film formation.
1 μm). The conditions for forming the underlayer are as follows.
19 nm / s, substrate temperature: room temperature, layer thickness: 5 nm. The growth conditions for the growth layer are as follows: film formation rate: 0.045 nm / s, substrate temperature: 130 ° C., and layer thickness: 15 nm. The film formation conditions for the normal continuous film formation of the Bi layer are a film formation rate: 0.045 nm / s, a substrate temperature: 130 ° C., and a layer thickness: 20 nm. A glass substrate was used. As can be seen from the AFM image, the film is divided into two layers, ie, the underlayer and the growth layer.
The surface smoothness of the i-layer increases, and the medium noise of the MnBi disk can be reduced.

【0030】図10に、下地層と成長層の成膜条件を逆
転させたBi層のAFM像(1μm×1μm )を示す。
この場合の下地層の成膜条件は、成膜速度:0.045
nm/s、基板温度:130℃、層厚:5nmである。成長
層の成膜条件は、成膜速度:0.19nm/s、基板温
度:室温、層厚:15nmである。ガラス基板を用いた。
AFM像から判るように、この成膜条件では、通常の連
続成膜よりもBi層の表面平滑性は悪化し、MnBiデ
ィスクの媒体ノイズは低減することはできない。従っ
て、下地層の成膜中の基板温度を成長層の基板温度より
低く、下地層の成膜速度をを成長層の成膜速度より高く
することが、下地層と成長層の二層に分けて成膜したB
i層の表面平滑性を向上させるためには必要である。
FIG. 10 shows an AFM image (1 μm × 1 μm) of the Bi layer in which the conditions for forming the underlayer and the growth layer are reversed.
The conditions for forming the underlayer in this case are as follows:
nm / s, substrate temperature: 130 ° C., layer thickness: 5 nm. The deposition conditions for the growth layer are as follows: deposition rate: 0.19 nm / s, substrate temperature: room temperature, and layer thickness: 15 nm. A glass substrate was used.
As can be seen from the AFM image, under these film forming conditions, the surface smoothness of the Bi layer is worse than in the normal continuous film formation, and the medium noise of the MnBi disk cannot be reduced. Therefore, the substrate temperature during the formation of the underlayer is set lower than the substrate temperature of the growth layer, and the formation rate of the underlayer is set higher than the formation rate of the growth layer. B formed
It is necessary to improve the surface smoothness of the i-layer.

【0031】図11は、ランド部とグルーブ部境界斜面
の傾斜角度が9.5度の基板上に成長させたBi層のA
FM像(10μm ×10μm )である。Biの成膜速度
は0.045nm/s,成膜中の真空度は3×10-7to
rr、基板温度は100℃、層厚は20nmである。ポリ
カーボネイト基板を用いている。Bi層の表面平坦性は
高く、ランド部とグルーブ部境界に島状突起は存在しな
い。
FIG. 11 shows the A layer of a Bi layer grown on a substrate having a slope of 9.5 degrees between the land and the groove.
It is an FM image (10 μm × 10 μm). The film formation speed of Bi is 0.045 nm / s, and the degree of vacuum during film formation is 3 × 10 −7 to.
rr, the substrate temperature is 100 ° C., and the layer thickness is 20 nm. A polycarbonate substrate is used. The surface flatness of the Bi layer is high, and there is no island-like projection at the boundary between the land and the groove.

【0032】図12は、ランド部とグルーブ部境界斜面
の傾斜角度が11.7度の基板上に成長させたBi層の
AFM像(10μm ×10μm )の一例である。Biの
成膜速度は0.045nm/s,成膜中の真空度は3×1
-7torr、基板温度は100℃、層厚は20nmであ
る。フォトポリマーにより案内溝を形成したガラス基板
を用いている。ランド部とグルーブ部境界に島状突起が
成長していることが判る。平坦部からの島状突起の高さ
は、64nmである。
FIG. 12 is an example of an AFM image (10 μm × 10 μm) of a Bi layer grown on a substrate having an inclination angle of 11.7 degrees between the land and the groove. The film formation speed of Bi is 0.045 nm / s, and the degree of vacuum during film formation is 3 × 1.
0 -7 torr, the substrate temperature is 100 ° C., and the layer thickness is 20 nm. A glass substrate having a guide groove made of photopolymer is used. It can be seen that island-like protrusions have grown at the boundary between the land and the groove. The height of the island-shaped protrusion from the flat portion is 64 nm.

【0033】図13は、ランド部とグルーブ部境界斜面
の傾斜角度と平坦部からのBiの島状突起の高さの関係
である。傾斜角度の増加とともにBiの島状突起の高さ
は増加する。傾斜角度を10度以下にすることで、島状
突起高さは30nm以下となり、MnBiディスクの媒体
ノイズは低減する事が可能である。
FIG. 13 shows the relationship between the inclination angle of the slope between the land and the groove and the height of the Bi island-like projection from the flat portion. As the inclination angle increases, the height of the Bi island-shaped protrusions increases. By setting the inclination angle to 10 degrees or less , the height of the island-shaped protrusions becomes 30 nm or less, and the medium noise of the MnBi disk can be reduced.

【0034】図14は、ランド部とグルーブ部境界斜面
の傾斜角度が11.7度の基板上に下地層と成長層の二
層で成長させたBi層のAFM像(10μm ×10μm
)の一例である。下地層の成膜条件は、成膜速度:
0.045nm/s、基板温度:130℃、層厚:5nmで
ある。成長層の成膜条件は、成膜速度:0.19nm/
s、基板温度:室温、層厚:15nmである。成膜中の真
空度は3×10-7torrである。フォトポリマーによ
り案内溝を形成したガラス基板を用いている。Bi層の
表面平坦性は高く、ランド部とグルーブ部境界に島状突
起は存在しない。
FIG. 14 shows an AFM image (10 μm × 10 μm) of a Bi layer grown on an underlayer and a growth layer on a substrate having an inclination angle of 11.7 degrees between the land and the groove.
) Is an example. The conditions for forming the underlayer are as follows:
0.045 nm / s, substrate temperature: 130 ° C., layer thickness: 5 nm. The growth conditions for the growth layer were as follows: deposition rate: 0.19 nm /
s, substrate temperature: room temperature, layer thickness: 15 nm. The degree of vacuum during the film formation is 3 × 10 −7 torr. A glass substrate having a guide groove made of photopolymer is used. The surface flatness of the Bi layer is high, and there is no island-like projection at the boundary between the land and the groove.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、MnBi記録層を利用した高性能光磁気記録
媒体において、媒体ノイズの低減により再生信号雑音比
の向上が可能となった。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, in the high-performance magneto-optical recording medium using the MnBi recording layer, the reproduction signal noise ratio can be improved by reducing the medium noise. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光磁気記録媒体の熱処理前の部分断面
図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a magneto-optical recording medium according to the present invention before heat treatment.

【図2】Bi層のAFM像(1μm ×1μm )の一例を
示した図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of an AFM image (1 μm × 1 μm) of a Bi layer.

【図3】MnBi光磁気ディスクの媒体ノイズとRmax
,Ra の関係を示す図である。
FIG. 3 shows medium noise and Rmax of a MnBi magneto-optical disk.
, Ra. FIG.

【図4】Bi層厚とBi層表面のRmax 、Ra の関係を
示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the Bi layer thickness and Rmax and Ra of the Bi layer surface.

【図5】Biと下地層及び基板の接触角θとBi層表面
のRa ,Rmax の関係を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the relationship between Bi, the contact angle θ between the underlayer and the substrate, and Ra and Rmax on the surface of the Bi layer.

【図6】Bi成膜中の基板温度とBi層表面Rmax の関
係である。
FIG. 6 shows the relationship between the substrate temperature during Bi film formation and the Bi layer surface Rmax.

【図7】Biの成膜速度とBi層表面Rmax の関係であ
る。
FIG. 7 is a graph showing a relationship between a Bi film forming speed and a Bi layer surface Rmax.

【図8】二層に分けて成膜したBi層のAFM像(1μ
m ×1μm )である。
FIG. 8 is an AFM image (1 μm) of a Bi layer formed into two layers.
m × 1 μm).

【図9】通常の連続成膜のBi層のAFM像(1μm ×
1μm )である。
FIG. 9 is an AFM image (1 μm × Bi image) of a normal continuous film-forming Bi layer.
1 μm).

【図10】下地層と成長層の成膜条件を図8と逆転させ
たBi層のAFM像(1μm ×1μm )である。
FIG. 10 is an AFM image (1 μm × 1 μm) of a Bi layer in which the film forming conditions of the underlayer and the growth layer are reversed from those of FIG.

【図11】ランド部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度が
9.5度の基板上Bi層のAFM像(10μm ×10μ
m )である。
FIG. 11 is an AFM image (10 μm × 10 μm) of a Bi layer on a substrate in which the inclination angle of the land and groove boundary slope is 9.5 degrees.
m).

【図12】ランド部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度が
11.7度の基板上Bi層のAFM像(10μm ×10
μm )である。
FIG. 12 is an AFM image (10 μm × 10 μm) of a Bi layer on a substrate having an inclination angle of 11.7 degrees between the land and the groove boundary slope.
μm).

【図13】ランド部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度と
平坦部からのBiの島状突起の高さの関係である。
FIG. 13 shows the relationship between the inclination angle of the slope between the land portion and the groove portion and the height of the Bi island-like protrusion from the flat portion.

【図14】ランド部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度が
11.7度の基板上に下地層と成長層の二層で成長させ
たBi層のAFM像(10μm ×10μm )である。
FIG. 14 is an AFM image (10 μm × 10 μm) of a Bi layer grown on an underlayer and a growth layer on a substrate having an inclination angle of 11.7 degrees between a land portion and a groove portion.

【図15】従来例の光磁気記録媒体の熱処理前の部分断
面図である。
FIG. 15 is a partial cross-sectional view of a conventional magneto-optical recording medium before heat treatment.

【図16】光磁気記録媒体のノイズスペクトルを示す図
である。
FIG. 16 is a diagram showing a noise spectrum of a magneto-optical recording medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 1′ フォトポリマーによりグルーブを形成したガラス
基板 2 下地層 3 Bi層 4 Mn層 5 干渉層 6 反射膜
REFERENCE SIGNS LIST 1 glass substrate 1 ′ glass substrate having grooves formed by photopolymer 2 underlayer 3 Bi layer 4 Mn layer 5 interference layer 6 reflective film

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に誘電体からなる下地層、Bi層、
Mn層、誘電体からなる干渉層を順次成膜し、熱処理に
よりMnBi化合物を合成する光磁気記録媒体の製造方
法であって、Bi層の表面粗さを、最大粗さRmax <3
0nm,中心面平均粗さRa <2.0nmとすることを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法。
An underlayer made of a dielectric material, a Bi layer,
A method for manufacturing a magneto-optical recording medium in which a Mn layer and an interference layer made of a dielectric are sequentially formed and a MnBi compound is synthesized by heat treatment, wherein the surface roughness of the Bi layer is set to a maximum roughness Rmax <3.
A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, wherein 0 nm and center plane average roughness Ra <2.0 nm.
【請求項2】Bi層の層厚を12nm以上18nm以下とす
ることを特徴とする請求項1記載の光磁気記録媒体の製
造方法。
2. The method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the thickness of the Bi layer is 12 nm or more and 18 nm or less.
【請求項3】溶融Biとの接触角が130度以上である
下地層を用いることを特徴とする請求項1記載の光磁気
記録媒体の製造方法。
3. The method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein an underlayer having a contact angle with molten Bi of 130 degrees or more is used.
【請求項4】基板上に誘電体からなる下地層、Bi層、
Mn層、誘電体からなる干渉層を順次成膜し、熱処理に
よりMnBi化合物を合成する光磁気記録媒体の製造方
法であって、Bi層成膜中の基板温度を80℃以上20
0℃以下とすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。
4. An underlayer comprising a dielectric, a Bi layer,
A method for manufacturing a magneto-optical recording medium in which a Mn layer and an interference layer made of a dielectric material are sequentially formed and a MnBi compound is synthesized by heat treatment, wherein the substrate temperature during the formation of the Bi layer is 80 ° C.
A method for producing a magneto-optical recording medium, wherein the temperature is set to 0 ° C. or lower.
【請求項5】基板上に誘電体からなる下地層、Bi層、
Mn層、誘電体からなる干渉層を順次成膜し、熱処理に
よりMnBi化合物を合成する光磁気記録媒体の製造方
法であって、Bi層の成膜速度を0.1nm/s以下とす
ることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
5. An underlayer made of a dielectric material, a Bi layer,
A method for manufacturing a magneto-optical recording medium in which an Mn layer and an interference layer made of a dielectric material are sequentially formed and a MnBi compound is synthesized by heat treatment, wherein the film formation rate of the Bi layer is set to 0.1 nm / s or less. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium.
【請求項6】基板上に誘電体からなる下地層、Bi層、
Mn層、誘電体からなる干渉層を順次成膜し、熱処理に
よりMnBi化合物を合成する光磁気記録媒体の製造方
法であって、Bi層を、Bi下地層とBi成長層の二層
に分けて成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製
造方法。
6. An underlayer made of a dielectric, a Bi layer,
A method for manufacturing a magneto-optical recording medium in which an Mn layer and an interference layer made of a dielectric material are sequentially formed and a MnBi compound is synthesized by heat treatment, wherein the Bi layer is divided into two layers, a Bi underlayer and a Bi growth layer. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, comprising forming a film.
【請求項7】Bi下地層の成膜中の基板温度をBi成長
層の成膜中の基板温度より低くすることを特徴とする請
求項6記載の光磁気記録媒体の製造方法。
7. The method according to claim 6, wherein the substrate temperature during the formation of the Bi underlayer is lower than the substrate temperature during the formation of the Bi growth layer.
【請求項8】Bi下地層の成膜速度をBi成長層の成膜
速度より高くすることを特徴とする請求項6記載の光磁
気記録媒体の製造方法。
8. The method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to claim 6, wherein the film formation rate of the Bi underlayer is higher than that of the Bi growth layer.
【請求項9】案内溝付き基板上に誘電体からなる下地
層、Bi層、Mn層、誘電体からなる干渉層を順次成膜
し、熱処理によりMnBi化合物を合成する光磁気記録
媒体の製造方法であって、前記案内溝付き基板のランド
部とグルーブ部境界斜面の傾斜角度が10度以下である
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
9. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium in which a base layer made of a dielectric, a Bi layer, an Mn layer, and an interference layer made of a dielectric are sequentially formed on a substrate having a guide groove, and a MnBi compound is synthesized by heat treatment. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium, wherein an inclination angle of a boundary slope between a land portion and a groove portion of the substrate with a guide groove is 10 degrees or less.
【請求項10】案内溝付き基板上に誘電体からなる下地
層、Bi層、Mn層、誘電体からなる干渉層を順次成膜
し、熱処理によりMnBi化合物を合成する光磁気記録
媒体であって、Bi層をBi下地層とBi成長層の二層
に分け、Bi下地層の成膜中の基板温度をBi成長層の
成膜中の基板温度よりも高くし、かつBi下地層の成膜
速度をBi成長層の成膜速度よりも低くすることを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法。
10. A magneto-optical recording medium wherein a base layer made of a dielectric, a Bi layer, an Mn layer, and an interference layer made of a dielectric are sequentially formed on a substrate having a guide groove, and a MnBi compound is synthesized by heat treatment. , The Bi layer is divided into two layers, a Bi underlayer and a Bi growth layer, the substrate temperature during the formation of the Bi underlayer is higher than the substrate temperature during the formation of the Bi growth layer, and the Bi underlayer is formed. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, wherein the speed is lower than the film forming speed of a Bi growth layer.
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