JP2864992B2 - 混成集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
混成集積回路装置及びその製造方法Info
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- JP2864992B2 JP2864992B2 JP6176648A JP17664894A JP2864992B2 JP 2864992 B2 JP2864992 B2 JP 2864992B2 JP 6176648 A JP6176648 A JP 6176648A JP 17664894 A JP17664894 A JP 17664894A JP 2864992 B2 JP2864992 B2 JP 2864992B2
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- circuit device
- hybrid integrated
- heat sink
- insulating plate
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大電力半導体素子を回
路上の一構成素子とする混成集積回路装置に関する。
路上の一構成素子とする混成集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の大電力半導体素子を回路上の一構
成素子とする集積回路装置としては、例えば日本電装公
開技報：整理番号２４−０９５に示されるようなものが
ある。この回路装置は、金属製ケースに放熱特性を良好
にするようにして大電力半導体素子を固着する構造をも
っている。
成素子とする集積回路装置としては、例えば日本電装公
開技報：整理番号２４−０９５に示されるようなものが
ある。この回路装置は、金属製ケースに放熱特性を良好
にするようにして大電力半導体素子を固着する構造をも
っている。
【０００３】この混成集積回路装置を図に示すと、図５
に示すように、大電力半導体素子１と台座２、台座２と
アルミナ基板３、アルミナ基板３と金属性外囲器４をそ
れぞれ半田付けでき、熱伝導性、放熱特性の良好なもの
になっている。また、アルミナ基板３と金属性外囲器４
は接着剤により接着する構造のものもある。ここで、台
座２は良好な熱伝導性を有する金属（例えば銅）からな
り、アルミナ基板３はその両面または片面に厚膜導体印
刷法またはメタライズ法等によって半田付け可能な金属
被膜が施してある。金属性外囲器４は、混成集積回路装
置の取付性および熱伝導性を考慮してアルミダイキャス
ト等からなる。
に示すように、大電力半導体素子１と台座２、台座２と
アルミナ基板３、アルミナ基板３と金属性外囲器４をそ
れぞれ半田付けでき、熱伝導性、放熱特性の良好なもの
になっている。また、アルミナ基板３と金属性外囲器４
は接着剤により接着する構造のものもある。ここで、台
座２は良好な熱伝導性を有する金属（例えば銅）からな
り、アルミナ基板３はその両面または片面に厚膜導体印
刷法またはメタライズ法等によって半田付け可能な金属
被膜が施してある。金属性外囲器４は、混成集積回路装
置の取付性および熱伝導性を考慮してアルミダイキャス
ト等からなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、大電力半導
体素子を含む半導体装置のアルミナ基板等の絶縁板に
は、従来より、一般に、Ａｇ導体を膜形成した厚膜の
絶縁基板が用いられてきた。また、この種の公知の他の
絶縁基板としては、タングステンメタライズした絶縁
基板がある。
体素子を含む半導体装置のアルミナ基板等の絶縁板に
は、従来より、一般に、Ａｇ導体を膜形成した厚膜の
絶縁基板が用いられてきた。また、この種の公知の他の
絶縁基板としては、タングステンメタライズした絶縁
基板がある。
【０００５】しかし、前記のＡｇ導体を印刷焼成した
厚膜基板では、組付けのさいの半田付け時にＡｇは半田
中に含まれるＳｎ等との合金層の成長が速いため、大電
力半導体素子の接合側面の高温半田をリフロー組付する
２６０℃以上の温度では、前述のＡｇとＳｎとの合金層
の成長が著しく速くなるために安定した半田付け状態が
確保できない。このため製造工程を大電力半導体素子の
接合面側の半田付けとＡｇ厚膜絶縁基板の半田付けとの
２回に半田付け工程を分けなければならない。しかも、
半導体装置の使用環境により前述の合金層の成長がさら
に進むことが懸念される。
厚膜基板では、組付けのさいの半田付け時にＡｇは半田
中に含まれるＳｎ等との合金層の成長が速いため、大電
力半導体素子の接合側面の高温半田をリフロー組付する
２６０℃以上の温度では、前述のＡｇとＳｎとの合金層
の成長が著しく速くなるために安定した半田付け状態が
確保できない。このため製造工程を大電力半導体素子の
接合面側の半田付けとＡｇ厚膜絶縁基板の半田付けとの
２回に半田付け工程を分けなければならない。しかも、
半導体装置の使用環境により前述の合金層の成長がさら
に進むことが懸念される。
【０００６】この例を図６に基づいて説明すると、アル
ミナ基板３の一方の面３ａにＡｇペーストを印刷し焼成
し、アルミナ基板３の面３ａにＡｇ導体１０を形成す
る。このＡｇ導体１０の表面に半田Ｐｂ−Ｓｎ系合金を
置いて温度２６０℃以上で高温リフローするとき、半田
Ｐｂ−Ｓｎ中のＳｎ合金層が成長してしまい、この合金
層が半田付けを阻害するという問題がある。
ミナ基板３の一方の面３ａにＡｇペーストを印刷し焼成
し、アルミナ基板３の面３ａにＡｇ導体１０を形成す
る。このＡｇ導体１０の表面に半田Ｐｂ−Ｓｎ系合金を
置いて温度２６０℃以上で高温リフローするとき、半田
Ｐｂ−Ｓｎ中のＳｎ合金層が成長してしまい、この合金
層が半田付けを阻害するという問題がある。
【０００７】一方、前記のタングステンメタライズさ
れた絶縁基板は、前記の高温半田リフローする場合の
半田付け状態の不安定さを解消するための一手段として
考えられる。この場合、例えば図７に示すように、アル
ミナ基板３の両面３ａ、３ｂにタングステン層１１、１
２が同時焼成されて形成される。一方のタングステン層
１１の表面にはＮｉめっき層１３が形成され、他方のタ
ングステン層１２の表面には絶縁膜１４が形成される。
Ｎｉめっき層１３が形成されるのは半田付けを可能にす
るためであり、絶縁膜１４が形成されるのは金属製ケー
スとの接着性を高めるためである。しかし、こののタ
ングステンメタライズ基板によると、アルミナ基板３の
両面にタングステン層１１、１２、Ｎｉめっき層１３な
らびに絶縁膜１４を形成する等の複雑な表面処理した構
造になるためコストアップになるという問題がある。
れた絶縁基板は、前記の高温半田リフローする場合の
半田付け状態の不安定さを解消するための一手段として
考えられる。この場合、例えば図７に示すように、アル
ミナ基板３の両面３ａ、３ｂにタングステン層１１、１
２が同時焼成されて形成される。一方のタングステン層
１１の表面にはＮｉめっき層１３が形成され、他方のタ
ングステン層１２の表面には絶縁膜１４が形成される。
Ｎｉめっき層１３が形成されるのは半田付けを可能にす
るためであり、絶縁膜１４が形成されるのは金属製ケー
スとの接着性を高めるためである。しかし、こののタ
ングステンメタライズ基板によると、アルミナ基板３の
両面にタングステン層１１、１２、Ｎｉめっき層１３な
らびに絶縁膜１４を形成する等の複雑な表面処理した構
造になるためコストアップになるという問題がある。
【０００８】本発明は、安定した半田付けが得られ低コ
ストで製作可能な混成集積回路装置を提供することを目
的とする。
ストで製作可能な混成集積回路装置を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による内燃機関用混成集積回路装置は、請求項
１では、導電性ケースと大電力半導体素子との間に、Ｃ
ｕ厚膜を有する絶縁板を設け、該Ｃｕ厚膜に前記大電力
半導体素子を、２６０℃以上の温度で高温半田をリフロ
ー組み付けすることにより得られることを特徴とする。
請求項２の混成集積回路は、前記大電力半導体素子と前
記絶縁板との間にヒートシンクが介在しており、前記大
電力半導体素子と前記ヒートシンクとの間および前記ヒ
ートシンクと前記絶縁板との間が半田付けされてなるこ
とを特徴とする。請求項３の混成集積回路装置は、前記
Ｃｕ厚膜が、前記絶縁板の片面に形成されることを特徴
とする。
の本発明による内燃機関用混成集積回路装置は、請求項
１では、導電性ケースと大電力半導体素子との間に、Ｃ
ｕ厚膜を有する絶縁板を設け、該Ｃｕ厚膜に前記大電力
半導体素子を、２６０℃以上の温度で高温半田をリフロ
ー組み付けすることにより得られることを特徴とする。
請求項２の混成集積回路は、前記大電力半導体素子と前
記絶縁板との間にヒートシンクが介在しており、前記大
電力半導体素子と前記ヒートシンクとの間および前記ヒ
ートシンクと前記絶縁板との間が半田付けされてなるこ
とを特徴とする。請求項３の混成集積回路装置は、前記
Ｃｕ厚膜が、前記絶縁板の片面に形成されることを特徴
とする。
【００１０】請求項４の混成集積回路装置の製造方法
は、前記大電力半導体素子と前記ヒートシンクの間およ
び前記ヒートシンクと前記絶縁板との間が同時に半田付
けされることを特徴とする。
は、前記大電力半導体素子と前記ヒートシンクの間およ
び前記ヒートシンクと前記絶縁板との間が同時に半田付
けされることを特徴とする。
【００１１】
【作用および発明の効果】本発明の請求項１記載の混成
集積回路装置によると、導電性ケースと大電力半導体素
子との間に、Ｃｕ厚膜を有する絶縁板を設けた構成であ
るから、半田中に半田付けを不安定にする合金層を作り
出さないため、半田付けが安定した混成集積回路装置を
得ることができるという効果がある。大電力半導体素子
と絶縁板間の安定した半田リフローを可能にし、製造時
にも使用時にも安定した接合状態が確保できる。
集積回路装置によると、導電性ケースと大電力半導体素
子との間に、Ｃｕ厚膜を有する絶縁板を設けた構成であ
るから、半田中に半田付けを不安定にする合金層を作り
出さないため、半田付けが安定した混成集積回路装置を
得ることができるという効果がある。大電力半導体素子
と絶縁板間の安定した半田リフローを可能にし、製造時
にも使用時にも安定した接合状態が確保できる。
【００１２】請求項２の混成集積回路装置によると、前
記大電力半導体素子と前記絶縁板との間にヒートシンク
が介在している構成であるから、このヒートシンクによ
る放熱性が良好であるので、この種の大熱量を発生する
大電力半導体素子の回路装置として適している。請求項
３の混成集積回路装置によると、Ｃｕ厚膜が絶縁板の片
面に形成することで前記片面と反対面の導電性ケースと
の接合を行いやすくする。
記大電力半導体素子と前記絶縁板との間にヒートシンク
が介在している構成であるから、このヒートシンクによ
る放熱性が良好であるので、この種の大熱量を発生する
大電力半導体素子の回路装置として適している。請求項
３の混成集積回路装置によると、Ｃｕ厚膜が絶縁板の片
面に形成することで前記片面と反対面の導電性ケースと
の接合を行いやすくする。
【００１３】請求項４の混成集積回路装置の製造方法に
よると、大電力半導体素子とヒートシンクの間およびヒ
ートシンクと絶縁板との間が同時に半田付けされるた
め、一工程にして回路装置を製作することができるので
工程コストダウンが図れるという効果がある。
よると、大電力半導体素子とヒートシンクの間およびヒ
ートシンクと絶縁板との間が同時に半田付けされるた
め、一工程にして回路装置を製作することができるので
工程コストダウンが図れるという効果がある。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。本発明による大電力半導体素子を含む半導体装置
の絶縁板にはＣｕ導体を印刷焼成した厚膜基板（以下
「Ｃｕ厚膜基板」と称する）を使用している。これは、
Ｃｕ導体を絶縁板に膜形成しておくと、その後工程で半
田付けする際に半田中に含まれるＳｎ等の合金層の成長
が遅いために半田付けを不安定にする生成物が生成され
難く、半田付けを安定にするという特性を利用したもの
である。
する。本発明による大電力半導体素子を含む半導体装置
の絶縁板にはＣｕ導体を印刷焼成した厚膜基板（以下
「Ｃｕ厚膜基板」と称する）を使用している。これは、
Ｃｕ導体を絶縁板に膜形成しておくと、その後工程で半
田付けする際に半田中に含まれるＳｎ等の合金層の成長
が遅いために半田付けを不安定にする生成物が生成され
難く、半田付けを安定にするという特性を利用したもの
である。
【００１５】図１において、１は大電力半導体素子で、
例えば内燃機関用点火装置のイグナイタに用いられる大
電流を駆動する素子である。２０は良好な熱伝導性を有
する金属例えばＭｏからなるヒートシンク、２１はアル
ミナ基板で、その片面２１ａにＣｕが印刷焼成されて形
成されている。４は熱伝導姓の良好な金属、例えばＡ
ｌ、Ｃｕ等からなる導電性ケースとしての金属性ケース
である。図１において、２３、２４は半田であり、２５
はＳｉ系接着剤でなる。
例えば内燃機関用点火装置のイグナイタに用いられる大
電流を駆動する素子である。２０は良好な熱伝導性を有
する金属例えばＭｏからなるヒートシンク、２１はアル
ミナ基板で、その片面２１ａにＣｕが印刷焼成されて形
成されている。４は熱伝導姓の良好な金属、例えばＡ
ｌ、Ｃｕ等からなる導電性ケースとしての金属性ケース
である。図１において、２３、２４は半田であり、２５
はＳｉ系接着剤でなる。
【００１６】このＣｕ厚膜基板の構造については、図２
に示すようなものである。アルミナ基板２１の片面２１
ａにＣｕ導体２６が形成されている。このＣｕ導体２６
は、アルミナ基板２１の片面２１ａにＣｕペーストを印
刷し焼成して形成される。半導体装置の製造時、Ｃｕ導
体２６の表面上に半田を置いてヒートシンク２０と半田
付けされる。
に示すようなものである。アルミナ基板２１の片面２１
ａにＣｕ導体２６が形成されている。このＣｕ導体２６
は、アルミナ基板２１の片面２１ａにＣｕペーストを印
刷し焼成して形成される。半導体装置の製造時、Ｃｕ導
体２６の表面上に半田を置いてヒートシンク２０と半田
付けされる。
【００１７】次に、大電力半導体素子を含む半導体装置
の製造工程の一例(1) と他の例(2)を図３及び図４に基
づいて説明する。この図３に示す製造工程(1) は、組付
リフロー１回の場合のものである。大電力半導体素子
１、半田２３、放熱板としてのヒートシンク２０、半田
２４、絶縁板２１を組合わせて高温状態に保って半田が
溶融する温度に保持することで半田付けして半導体装置
３０が得られる。半導体装置３０は、その後に、図１に
示すように、Ｓｉ系接着剤２５等により前記金属性ケー
ス４等に接着される。
の製造工程の一例(1) と他の例(2)を図３及び図４に基
づいて説明する。この図３に示す製造工程(1) は、組付
リフロー１回の場合のものである。大電力半導体素子
１、半田２３、放熱板としてのヒートシンク２０、半田
２４、絶縁板２１を組合わせて高温状態に保って半田が
溶融する温度に保持することで半田付けして半導体装置
３０が得られる。半導体装置３０は、その後に、図１に
示すように、Ｓｉ系接着剤２５等により前記金属性ケー
ス４等に接着される。
【００１８】この図４に示す製造工程(2) は組付リフロ
ー２回の場合の例である。まず、第１の温度Ｔ1 で大電
力半導体素子１、半田２３、ヒートシンク２０を第１回
リフローして半導体装置３２を形成し、次いでヒートシ
ンク２０の片面２０ｂに半導体２４、絶縁板２１を順に
組合わせて第２の温度Ｔ2 （Ｔ2 ＜Ｔ1 ）で第２回リフ
ローし半田付けし半導体装置３３を得る。半導体装置３
３は、図３に示す符号３０で示される半導体装置と同様
のものである。この半導体装置３３は絶縁板２１の片側
の面に接着剤によって金属性ケース等に固定される。
ー２回の場合の例である。まず、第１の温度Ｔ1 で大電
力半導体素子１、半田２３、ヒートシンク２０を第１回
リフローして半導体装置３２を形成し、次いでヒートシ
ンク２０の片面２０ｂに半導体２４、絶縁板２１を順に
組合わせて第２の温度Ｔ2 （Ｔ2 ＜Ｔ1 ）で第２回リフ
ローし半田付けし半導体装置３３を得る。半導体装置３
３は、図３に示す符号３０で示される半導体装置と同様
のものである。この半導体装置３３は絶縁板２１の片側
の面に接着剤によって金属性ケース等に固定される。
【００１９】前記(1) の製造工程では、大電力半導体素
子１、ヒートシンク２０、絶縁板２１を一工程で同時焼
成固定できるため、工程コストの低減が図れる。この
(1) の製造工程例では、製造工程例(2) の工程例に比
べ、半田付け工程を２回に分ける必要もなく焼成できる
し、また各半田を同時リフローできるため、コストダウ
ンに有効である。
子１、ヒートシンク２０、絶縁板２１を一工程で同時焼
成固定できるため、工程コストの低減が図れる。この
(1) の製造工程例では、製造工程例(2) の工程例に比
べ、半田付け工程を２回に分ける必要もなく焼成できる
し、また各半田を同時リフローできるため、コストダウ
ンに有効である。
【００２０】前記(2) の製造工程では、第１回目のリフ
ローを高温Ｔ1 で焼成し、第２回目のリフローを低温Ｔ
2 で行なうため２回操作による２回焼成による温度別の
適切な半田付け工程が行なえるという利点がある。本実
施例によると、Ｃｕ厚膜基板は半田付け特性を悪化させ
るＳｎ系合金層の成長が遅いため、使用環境に左右され
ずに安定した半田付け状態が保持できる。
ローを高温Ｔ1 で焼成し、第２回目のリフローを低温Ｔ
2 で行なうため２回操作による２回焼成による温度別の
適切な半田付け工程が行なえるという利点がある。本実
施例によると、Ｃｕ厚膜基板は半田付け特性を悪化させ
るＳｎ系合金層の成長が遅いため、使用環境に左右され
ずに安定した半田付け状態が保持できる。
【００２１】また、本実施例による大電力半導体素子
は、例えばイグナイタ等の大電流を駆動する素子等に適
用した場合、ヒートシンク２０、金属性ケース４が効果
的に放熱性を良好に保つという効果がある。またヒート
シンク２０による熱伝導性はモリブデンを使用している
ことから良好であり、また金属ケース４はアルミを使っ
ていることから、熱伝導性、放熱性も良好であるという
効果がある。
は、例えばイグナイタ等の大電流を駆動する素子等に適
用した場合、ヒートシンク２０、金属性ケース４が効果
的に放熱性を良好に保つという効果がある。またヒート
シンク２０による熱伝導性はモリブデンを使用している
ことから良好であり、また金属ケース４はアルミを使っ
ていることから、熱伝導性、放熱性も良好であるという
効果がある。
【００２２】更に本実施例では、ヒートシンク２０は例
えばイグナイタがオン状態を継続するような異常な過渡
状態の場合に効果的な放熱作用を果たす。また前記金属
性ケース４は、定常状態で効果的な放熱作用を果たす。
本発明では、絶縁板と金属性ケースの接合は、Ｓｉ系接
着剤以外の接着剤でも良く、接着剤による接着以外に半
田付けによる接合であってもよい。また本発明では、図
１における符号２０で示すヒートシンクを省略した構造
であってもよい。
えばイグナイタがオン状態を継続するような異常な過渡
状態の場合に効果的な放熱作用を果たす。また前記金属
性ケース４は、定常状態で効果的な放熱作用を果たす。
本発明では、絶縁板と金属性ケースの接合は、Ｓｉ系接
着剤以外の接着剤でも良く、接着剤による接着以外に半
田付けによる接合であってもよい。また本発明では、図
１における符号２０で示すヒートシンクを省略した構造
であってもよい。
【図１】本発明の実施例による混成集積回路装置の模式
的断面図である。
的断面図である。
【図２】本発明の実施例による接着前の絶縁板の構造を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図３】図１に示す混成集積回路装置を製造する製造工
程の一例を示す説明図である。
程の一例を示す説明図である。
【図４】図１に示す混成集積回路装置を製造する製造工
程の他の一例を示す説明図である。
程の他の一例を示す説明図である。
【図５】従来技術の混成集積回路装置を示す模式的断面
図である。
図である。
【図６】従来技術のアルミナ基板の一例を示す模式的断
面図である。
面図である。
【図７】従来技術のアルミナ基板の他の一例を示す模式
的断面図である。
的断面図である。
１ 大電力半導体素子 ４ 金属性ケース（導電性ケース） ２０ ヒートシンク ２１ アルミナ基板（絶縁板） ２３、２４ 半田 ２５ Ｓｉ系接着剤 ２６ Ｃｕ導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−273155（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−7454（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−150091（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 25/04
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性ケースと大電力半導体素子との間
に、Ｃｕ厚膜を有する絶縁板を設け、該Ｃｕ厚膜に前記
大電力半導体素子を、２６０℃以上の温度で高温半田を
リフロー組み付けすることにより得られる内燃機関用混
成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記大電流半導体素子と前記絶縁板との
間にヒートシンクが介在しており、前記大電力半導体素
子と前記ヒートシンクとの間および前記ヒートシンクと
前記絶縁板との間が半田付けされてなることを特徴とす
る請求項１記載の内燃機関用混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記Ｃｕ厚膜は、前記絶縁板の片面に形
成されることを特徴とする請求項２記載の内燃機関用混
成集積回路装置。 - 【請求項４】前記大電流半導体素子と前記ヒートシンク
との間が同時に半田付けされることを特徴とする請求項
２記載の内燃機関用混成集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176648A JP2864992B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6176648A JP2864992B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846080A JPH0846080A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2864992B2 true JP2864992B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=16017261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6176648A Expired - Lifetime JP2864992B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864992B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027454A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Hitachi Ltd | 電子部品実装構造 |
| JP2674336B2 (ja) * | 1991-02-27 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | パワー用混成集積回路の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP6176648A patent/JP2864992B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0846080A (ja) | 1996-02-16 |
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