Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP2882382B2 - Control method of buffer memory - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP2882382B2 - Control method of buffer memory - Google Patents

Control method of buffer memory

Info

Publication number
JP2882382B2
JP2882382B2 JP24321196A JP24321196A JP2882382B2 JP 2882382 B2 JP2882382 B2 JP 2882382B2 JP 24321196 A JP24321196 A JP 24321196A JP 24321196 A JP24321196 A JP 24321196A JP 2882382 B2 JP2882382 B2 JP 2882382B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
buffer memory
bank
class
discard
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP24321196A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH1093572A (en
Inventor
康仁 入江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP24321196A priority Critical patent/JP2882382B2/en
Publication of JPH1093572A publication Critical patent/JPH1093572A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2882382B2 publication Critical patent/JP2882382B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はバッファメモリの制
御方法に係り、特に非同期転送モード(ATM)交換機
のセルを蓄積するバーストメモリを用いたバッファメモ
リの制御方法に関する。
The present invention relates to a method for controlling a buffer memory, and more particularly to a method for controlling a buffer memory using a burst memory for storing cells of an asynchronous transfer mode (ATM) switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】ATM交換機では、音声のような遅延に
厳しい情報や、データのような廃棄に厳しい情報が一元
的にセルとして伝送される。また、セルを蓄積するバッ
ファメモリとして、ATMセル特有の遅延クラス、廃棄
クラスに応じた論理的なキューを構成するために、大容
量で高速アクセスのできるメモリデバイスが必要とされ
る。そのため、従来はスタティック・ランダム・アクセ
ス・メモリ(SRAM)が上記のバッファメモリとして
用いられ、このバッファメモリをセルに付加されている
遅延クラス、廃棄クラス情報に基づいて制御する方法が
知られている(例えば、特開平4−207543号公
報)。
2. Description of the Related Art In an ATM exchange, information such as voice which is strict in delay and information which is strict in discard such as data are transmitted as cells in a centralized manner. Further, as a buffer memory for accumulating cells, a large-capacity, high-speed memory device is required in order to configure a logical queue according to a delay class and a discard class peculiar to an ATM cell. Therefore, conventionally, a method is known in which a static random access memory (SRAM) is used as the above-mentioned buffer memory, and the buffer memory is controlled based on delay class and discard class information added to the cell. (For example, JP-A-4-207543).

【0003】図4は従来のバッファメモリの制御方法の
一例のブロック図を示す。廃棄クラス別の廃棄手段1−
1〜1−nに対応してバッファメモリ内の各領域2−1
〜2−nが設けられている。また、バッファメモリ内の
各領域2−1〜2−nは、物理的には一つのバッファメ
モリを論理的にn個の廃棄クラスに分割して使用され、
各領域は遅延クラスに対応して更にm個に分割されてお
り、入力セルに付加された廃棄特性と遅延特性に対応し
た品質クラスCL(m,n)別の論理的なキューを構成
している。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a conventional buffer memory control method. Disposal means 1 for each disposal class
Each area 2-1 in the buffer memory corresponding to 1-1-n
To 2-n. Further, each of the areas 2-1 to 2-n in the buffer memory is used by physically dividing one buffer memory into n discard classes logically,
Each region is further divided into m according to the delay class, and constitutes a logical queue for each quality class CL (m, n) corresponding to the discard characteristic added to the input cell and the delay characteristic. I have.

【0004】また、廃棄手段1−1〜1−nは廃棄制御
部4からの指示により入力セルを廃棄するか否か決定す
る。遅延制御部5は所定の遅延特性に基づいてセレクタ
6を制御する。セレクタ6はバッファメモリ内の各領域
2−1〜2−nのうちのいずれかの出力セルを選択出力
する。
The discarding means 1-1 to 1-n determine whether to discard the input cell according to an instruction from the discard control unit 4. The delay control unit 5 controls the selector 6 based on a predetermined delay characteristic. The selector 6 selects and outputs one of the output cells in each of the areas 2-1 to 2-n in the buffer memory.

【0005】次に、この従来のバッファメモリ制御方法
の動作について説明するに、入力HW(ハイウェイ)か
ら入力したセルは、廃棄クラスに応じて廃棄手段1−1
〜1−nに供給される。この入力セルには廃棄特性と遅
延特性に応じた品質クラスCL(m,n)が付加されて
いる。ここで、mは遅延品質を表す遅延クラスで、値が
小さいほど優先度が高く(遅延が小さく)、nは廃棄品
質を表す廃棄クラスで、値が小さいほど優先度が高い
(廃棄が少ない)ことを示している。
Next, the operation of this conventional buffer memory control method will be described. A cell input from an input HW (highway) is discarded according to a discard class by discarding means 1-1.
To 1-n. The quality class CL (m, n) according to the discard characteristic and the delay characteristic is added to this input cell. Here, m is a delay class representing the delay quality, the smaller the value, the higher the priority (smaller the delay), and n is the discard class representing the discard quality, and the smaller the value, the higher the priority (the less the discard). It is shown that.

【0006】上記の入力セルは後述のバッファメモリの
各領域2−1〜2−nを介してそれらに対応して設けら
れたバッファ量測定手段3−1〜3−nに供給されて各
バッファメモリの使用量が測定される。廃棄制御部4
は、バッファ量測定手段3−1〜3−nから各バッファ
メモリの使用量が入力されることによりバッファメモリ
全体の使用量を検出する。また、廃棄制御部4は論理的
なキューに書き込む際、バッファメモリ全体の使用量に
対応して廃棄品質クラス毎に独立して予め設定された閾
値と比較し、超過する場合、当該セルを廃棄するように
廃棄手段1−1〜1−nの制御を行う。
The above-mentioned input cells are supplied to buffer amount measuring means 3-1 to 3-n provided corresponding thereto through respective areas 2-1 to 2-n of a buffer memory, which will be described later. The memory usage is measured. Discard control unit 4
Detects the used amount of each buffer memory from the buffer amount measuring means 3-1 to 3-n to detect the used amount of the entire buffer memory. Also, when writing to the logical queue, the discarding control unit 4 compares the threshold value with a preset threshold value independently for each discarding quality class corresponding to the usage amount of the entire buffer memory. The control of the discarding units 1-1 to 1-n is performed in such a manner.

【0007】廃棄されない場合、入力セルは対応するバ
ッファメモリの領域2−1〜2−nの一つに格納され
る。遅延制御部5は、バッファメモリの各領域2−1〜
2−nの中の遅延クラス(1〜m)に分割された領域の
うち高優先クラスを優先するようにセレクタ6を制御
し、遅延クラスに対応して読み出し順序の優先制御を行
う。このようにして、バッファメモリの各領域2−1〜
2−nに入力セルをクラス別に格納し、そのときのバッ
ファメモリの全体の使用量に応じて廃棄すべきセルの廃
棄クラスを変更することにより、廃棄クラスの高いセル
を保護し、遅延クラスの高いセルを優先して読み出す。
If not discarded, the input cell is stored in one of the areas 2-1 to 2-n of the corresponding buffer memory. The delay control unit 5 controls each of the areas 2-1 to 2-1 of the buffer memory.
The selector 6 is controlled so as to give priority to the high-priority class among the areas divided into the delay classes (1 to m) in 2-n, and priority control of the reading order is performed in accordance with the delay class. Thus, each area 2-1 to buffer memory
2-n, input cells are stored for each class, and the discard class of the cells to be discarded is changed according to the total usage of the buffer memory at that time, thereby protecting the cells having a high discard class and protecting the delay class. Higher cells are read with priority.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
のバッファメモリの制御方法では、バッファメモリ2−
1〜2−nがバースト性メモリで構成されており、その
アクセスタイムがバースト性メモリに内蔵されるキャッ
シュの状態に依存するため、バッファメモリのように決
められた時間内に一定の処理を行う必要があるアプリケ
ーションでは、アクセスタイムの最悪値を基準に設計せ
ざるを得ないため、バースト性メモリの性能を十分に生
かせないという問題がある。
However, in the above-described conventional method of controlling a buffer memory, the buffer memory 2-
1 to 2-n are composed of a burst memory, and their access time depends on the state of a cache incorporated in the burst memory, so that a fixed process is performed within a predetermined time like a buffer memory. In applications that need to be used, the design must be made based on the worst value of the access time, and there is a problem that the performance of the burst memory cannot be fully utilized.

【0009】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
バッファメモリにバースト性メモリを適用する際の伝送
効率を向上し得るバッファメモリの制御方法を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to provide a buffer memory control method that can improve transmission efficiency when a burst memory is applied to a buffer memory.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、入力セルの蓄積及び読出しをバッファメモ
リが内部に有するキャッシュをヒットさせてから行うバ
ッファメモリの制御方法において、バッファメモリの複
数の論理キューのいずれかへの入力セルの書込み要求
と、複数の論理キューのうちのいずれかの蓄積セルの読
出し要求とが同時にあったときは、複数の論理キューの
うち一の論理キューから前記蓄積セルを読み出した後、
きバンクキューをバイパスし、その読み出したセルの
空きバンクに入力セルを書き込むことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a method for controlling a buffer memory, which stores and reads input cells after hitting a cache inside the buffer memory. When a write request of an input cell to any of the plurality of logical queues and a read request of a storage cell of any of the plurality of logical queues are simultaneously made, the plurality of logical queues
After reading the storage cell from one of the logical queues ,
To bypass the sky-out bank queue, the cell that the read-out
It is characterized in that an input cell is written in an empty bank .

【0011】 また、本発明は、少なくとも遅延クラス
及び廃棄クラスの情報が付加された入力セルから遅延ク
ラス及び廃棄クラスを抽出し、バースト性メモリで構成
されたバッファメモリの複数の論理キューのうち、抽出
した遅延クラスの情報から対応する遅延クラスの論理キ
ュー群の現在のセル蓄積量と、予め廃棄クラス毎に設定
されている廃棄閾値を比較し、廃棄閾値超過の場合は入
力セルを廃棄し、現在のセル蓄積量が廃棄閾値以下の場
合は、抽出した廃棄クラスに応じた論理キューに入力セ
ルを格納させ、読出し時は予め遅延クラス毎に設定され
た優先順位に各遅延クラスの蓄積量を加味し、読み出し
順序の優先制御を行い、セルの読出し完了によりバンク
アドレスポインタを空きバンクのキューに移動させるバ
ッファメモリの制御方法であって、セルの書込み要求と
蓄積セルの読出し要求とが同時にあったときは、蓄積セ
ルを読出した後、空きバンクキューをバイパスし、
の読み出したセルの空きバンクに入力セルを書き込むこ
とを特徴とする。
Further, the present invention extracts a delay class and a discard class from at least an input cell to which information of the delay class and the discard class is added, and extracts a plurality of logical queues of a buffer memory composed of a bursty memory. Compare the current cell accumulation amount of the logical queue group of the corresponding delay class from the extracted delay class information with the discard threshold set in advance for each discard class.If the discard threshold is exceeded, discard the input cell. If the current cell storage amount is equal to or less than the discard threshold, the input cells are stored in the logical queue corresponding to the extracted discard class, and at the time of reading, the storage amount of each delay class is set to the priority set in advance for each delay class. In addition, buffer memory control that performs priority control of the reading order and moves the bank address pointer to the queue of an empty bank when cell reading is completed A method, when a write request and a read request of the storage cells of the cell was at the same time, after which began to read the storage cell, bypassing the sky-out bank queue, its
And writing an input cell into an empty bank of the read cell .

【0012】また、本発明はバッファメモリをアクセス
する際に用いられるバンクアドレスを管理することによ
り、バッファメモリ内の廃棄クラスに応じた論理的なキ
ューと、空きバンクの論理的なキューと、各論理的キュ
ーの蓄積量を管理するバンク管理テーブルを用いてバッ
ファメモリの論理キューへの書込みと読出し制御を行う
と共に、セルの書込み要求と蓄積セルの読出し要求とが
同時にあったときは、蓄積セルを読出した後、空きバン
クの論理的なキューを介さずに読出したバンクに入力セ
ルを書き込むことを特徴とする。
Further, the present invention manages a bank address used when accessing the buffer memory, thereby enabling a logical queue corresponding to a discard class in the buffer memory, a logical queue of empty banks, Using a bank management table for managing the storage amount of the logical queue, writing and reading control to the logical queue of the buffer memory are performed, and when a cell write request and a storage cell read request are simultaneously made, the storage cell Is read, and the input cells are written to the read bank without going through the logical queue of the empty bank.

【0013】本発明では、図2の原理説明図に示すよう
に、バッファメモリ13内に複数の論理キュー301
30kからなる論理キュー群31があり、複数の論理キ
ュー301〜30kのいずれかへの入力セルの書込み要求
と、蓄積セルの読出し要求とが同時にあったときは、蓄
積セルをセル読出し部14により例えば論理キュー30
1から読み出し、その読み出したセルの論理キュー301
のバンクを82で示すようにバイパスし、そのバンクに
入力セルをセル書込み部12により書込む。
[0013] In the present invention, as shown in the principle diagram of Figure 2, a plurality of logical queues 30 1 to the buffer memory 13
30 has a logical queue group 31 consisting of k, and write requests of the input cell to one of a plurality of logical queues 30 1 to 30 k, when a read request of the storage cell was at the same time, the cell reads storage cell For example, the logical queue 30
1 and the logical queue 30 1 of the read cell.
Is bypassed as indicated by 82, and the input cells are written into the bank by the cell writing unit 12.

【0014】すなわち、バッファメモリ13の書込み及
び読出し制御をする制御部と、バッファメモリ13内の
廃棄クラスに応じた論理的なキュー30〜30と、
空きバンクの論理的なキュー81と、各論理的キューの
蓄積量を管理するバンク管理テーブル18は、バッファ
メモリ13の論理キュー群31への書込みと読出し制御
を行うと共に、セルの書込み要求と蓄積セルの読出し要
求とが同時にあったときは、セル読出し部14により蓄
積セルを論理キューのバンクから読出した後、空きバン
クの論理的なキュー81を介さずに82で示すようにバ
イパスし、直前に読出したバンクに入力セルをセル書込
み部12により書込ませる。
That is, a control unit for controlling writing and reading of the buffer memory 13, logical queues 30 1 to 30 k in the buffer memory 13 according to the discard class,
The logical queue 81 of the empty bank and the bank management table 18 for managing the storage amount of each logical queue control writing and reading to and from the logical queue group 31 in the buffer memory 13 and write and store cells. When there is a cell read request at the same time, the storage cell is read from the bank of the logical queue by the cell read unit 14, and then bypassed as indicated by 82 without passing through the logical queue 81 of the empty bank. The input cell is written by the cell writing unit 12 into the read bank.

【0015】従って、本発明では、バイパス82により
同じバンクにセル読出しと入力セルの書込みが行えるた
め、バッファメモリ13を構成するバースト性メモリが
持つキャッシュをヒットさせる動作を1回省略すること
ができる。
Therefore, in the present invention, cell reading and input cell writing can be performed in the same bank by the bypass 82, so that the operation of hitting the cache of the burst memory constituting the buffer memory 13 can be omitted once. .

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0017】図1は本発明の一実施の形態のブロック図
を示す。同図において、制御情報抽出部11は入力AT
Mセルに付加されている、遅延品質を表す遅延クラスと
廃棄品質を表す廃棄クラスの情報を抽出し、抽出した情
報を制御部16へ送出する。セル書込み部12は、制御
部16の要求に従い、制御部16の示したバンクに制御
情報抽出部11を通ってきたセルを書き込む。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, the control information extraction unit 11 has an input AT
The information of the delay class indicating the delay quality and the discard class indicating the discard quality added to the M cell is extracted, and the extracted information is transmitted to the control unit 16. The cell writing unit 12 writes the cells that have passed through the control information extraction unit 11 into the bank indicated by the control unit 16 according to a request from the control unit 16.

【0018】バッファメモリ13は、ATMセルを蓄積
するメモリで、バースト性メモリで構成されており、バ
ンク単位にアクセスできるようになっている。1バンク
には1セル分のデータが格納できる。バッファメモリ1
3は、また図2に示したように、廃棄クラスに応じて複
数の論理キュー301〜30kからなる論理キュー群31
を有している。また、図2では図示を省略したが、バッ
ファメモリ13は遅延クラスに応じた数の論理キュー群
を有している。また、図2では、各論理キュー301
30kの中の各楕円が一つのバンクに蓄積された一つの
セルを示している。
The buffer memory 13 is a memory for storing ATM cells and is constituted by a burst memory, and can be accessed on a bank basis. One bank can store data for one cell. Buffer memory 1
3, and as shown in FIG. 2, the logical queue group composed of a plurality of logical queues 30 1 to 30 k in response to the discard class 31
have. Although not shown in FIG. 2, the buffer memory 13 has a number of logical queue groups according to the delay class. Further, in FIG. 2, each logical queue 30 1 -
Each ellipse in 30 k indicates one cell stored in one bank.

【0019】なお、図2では、説明の便宜上セル読出し
部14から制御部及びバンク管理テーブル18に信号が
出力されるように図示してあるが、実際には存在しな
い。図2では、読出しにより空きバンクキュー81のバ
ンクアドレスポインタはセルの書込み、読出し時に各キ
ュー間を移動することを示している。図1のセル読出し
部14は制御部16の要求により、制御部16の示した
バンクからセルを読出す。
In FIG. 2, signals are output from the cell reading section 14 to the control section and the bank management table 18 for convenience of explanation, but they are not actually present. FIG. 2 shows that the bank address pointer of the empty bank queue 81 moves between the queues when writing or reading a cell by reading. 1 reads a cell from a bank indicated by the control unit 16 in response to a request from the control unit 16.

【0020】バンク管理テーブル15は、制御部16に
よって、バッファメモリ13をアクセスする際に用いら
れるバンクアドレスを管理するメモリとして使用され、
ATMセルの廃棄クラスに応じた論理的なキューと、空
きバンクの論理的なキューと、各キューの蓄積量が管理
される。
The bank management table 15 is used by the control unit 16 as a memory for managing a bank address used when accessing the buffer memory 13.
A logical queue corresponding to a discard class of the ATM cell, a logical queue of an empty bank, and a storage amount of each queue are managed.

【0021】制御部16は、バンク管理テーブル15で
管理されている各キューの蓄積量を計算する手段を有
し、バッファメモリ13内の複数の論理キューのいずれ
かへの入力セルをセル書込み部12により書込ませ、ま
た、バッファメモリ13内の複数の論理キューのうちの
いずれからの蓄積セルをセル読出し部14により読出さ
せる制御を行う。
The control unit 16 has means for calculating the accumulation amount of each queue managed by the bank management table 15, and stores an input cell to one of a plurality of logical queues in the buffer memory 13 as a cell writing unit. 12, and controls the cell reading unit 14 to read the storage cells from any of the plurality of logical queues in the buffer memory 13.

【0022】次に、この実施の形態の書込み時の動作に
ついて説明する。少なくともその遅延クラス及び廃棄ク
ラスの情報が付加された入力セルは、制御情報抽出部1
1に入力されて遅延クラス及び廃棄クラスの情報が抽出
されて制御部16に入力される一方、セル書込み部12
に入力される。制御部16はセル書込み部12を制御し
て、バッファメモリ13内の論理キュー群のうち、入力
遅延クラスに応じた論理キュー群の、入力廃棄クラスに
応じた論理キューに入力セルを格納させる。
Next, the writing operation of this embodiment will be described. The input cell to which at least the information of the delay class and the discard class is added is a control information extracting unit 1
1, the delay class and discard class information is extracted and input to the control unit 16, while the cell writing unit 12
Is input to The control unit 16 controls the cell writing unit 12 to store the input cells in the logical queues according to the input discard class in the logical queues according to the input delay class among the logical queues in the buffer memory 13.

【0023】このとき、制御部16は制御情報抽出部1
1から得た入力セルの遅延クラスの情報から対応する遅
延クラスの論理キュー群の現在のセル蓄積量と、予め廃
棄クラス毎に設定されている廃棄閾値を比較し、廃棄閾
値超過の場合は入力セルを廃棄する。一方、現在のセル
蓄積量が廃棄閾値以下の場合は、バンク管理テーブル1
5にアクセスして選択論理キューの空きバンクのバンク
アドレスポインタを取得し、セル書込み部12にセル書
込み要求を出して書込ませる。セルのバッファメモリ1
3への書込みが完了すると、そのバンクはセルが入って
いることになるので、バンクアドレスポインタをその書
込んだセルに対応する遅延クラスの論理キューに移動す
る。
At this time, the control unit 16 controls the control information extraction unit 1
Compare the current cell storage amount of the logical queue group of the corresponding delay class with the discard threshold set in advance for each discard class from the information of the delay class of the input cell obtained from 1 and input the discard threshold if the discard threshold is exceeded. Discard the cell. On the other hand, if the current cell storage amount is equal to or smaller than the discard threshold, the bank management table 1
5 is accessed to obtain a bank address pointer of an empty bank of the selected logical queue, and a cell write request is issued to the cell write unit 12 to be written. Cell buffer memory 1
When the writing to 3 is completed, since the bank contains cells, the bank address pointer is moved to the logic queue of the delay class corresponding to the cell in which the writing has been performed.

【0024】次に、この実施の形態の読出し時の動作に
ついて説明する。制御部16はバンク管理テーブル15
で管理されている各キューの蓄積量(具体的には制御部
16内に各論理キュー毎に設けられているリードポイン
タ、ライトポインタの差分)から、バッファメモリ13
にセルが蓄積されているかを判断し、セルが蓄積されて
いると判断した場合は、予め遅延クラス毎に設定された
優先順位に各遅延クラスの蓄積量を加味し、読出し順序
の優先制御を行う。
Next, the operation of this embodiment at the time of reading will be described. The control unit 16 controls the bank management table 15
From the accumulated amount of each queue (specifically, the difference between the read pointer and the write pointer provided for each logical queue in the control unit 16) managed by the buffer memory 13
It is determined whether or not cells are stored.If it is determined that cells are stored, priority control of the reading order is performed in consideration of the storage amount of each delay class in addition to the priority set in advance for each delay class. Do.

【0025】この優先制御によって選ばれたキューの先
頭にあるバンクアドレスを調べるために、制御部16は
バンク管理テーブル15にアクセスしてバンクアドレス
ポインタを取得し、セル読出し部14にセル読出し要求
を出す。セルの読出しが完了すると、そのバンクは空に
なるので、バンクアドレスポインタを空きバンクのキュ
ーに移動させる。
In order to check the bank address at the head of the queue selected by the priority control, the control unit 16 accesses the bank management table 15 to obtain a bank address pointer, and issues a cell read request to the cell read unit 14. put out. When the cell reading is completed, the bank becomes empty, and the bank address pointer is moved to the queue of the empty bank.

【0026】ところで、以上はセルの書込み要求と読出
し要求のどちらかがあった場合の動作であり、図1の制
御部16とバンク管理テーブル15からなる図2の制御
部及びバンク管理テーブル18においては、空きバンク
キュー81のバンクアドレスポインタはセルの書込み、
読出し時に各キュー間を移動している。しかし、セルの
書込み要求と読出し要求が同時にあった場合は、この実
施の形態では空きバンクキュー81をバイパス82によ
り不使用として、処理を行う。すなわち、先にセルの読
出しを行い、空きになったバンクアドレスにセルの書込
みを行う。
The above operation is performed when either a write request or a read request for a cell is made. In the control unit 16 and the bank management table 18 shown in FIG. Means that the bank address pointer of the empty bank queue 81 is a cell write,
It moves between the queues at the time of reading. However, when a cell write request and a cell read request are made at the same time, in this embodiment, processing is performed with the empty bank queue 81 being unused by the bypass 82. That is, the cell is read first, and the cell is written to the vacant bank address.

【0027】次に、バッファメモリ13のアクセス動作
について図3と共に説明する。バッファメモリ13は前
述したように、バースト性メモリで構成される。バース
ト性メモリは、内部にキャッシュを持ち、外部とのデー
タのやり取りはすべてこのキャッシュを通して行われ
る。キャッシュがヒットしている場合、すぐにアクセス
できるが、ヒットしていない場合、ヒットさせてからで
ないとアクセスできない。このヒットさせる動作を予備
動作と呼び、図3に21で示す。
Next, an access operation of the buffer memory 13 will be described with reference to FIG. As described above, the buffer memory 13 is constituted by a burst memory. The burst memory has an internal cache, and all data exchange with the outside is performed through this cache. If the cache hits, it can be accessed immediately, but if it does not hit, it cannot be accessed until after the hit. This operation for hitting is called a preliminary operation, and is indicated by 21 in FIG.

【0028】図3(A)はバッファメモリ13への読み
出しのアクセスを模式的に示す。バッファメモリ13は
基本的に同じセルを何回も読み出すという動作はないの
で、セルを読み出す際に、キャッシュが既にヒットして
いるという状態はあり得ない。従って、セルを読み出す
際には、図3(A)に示すようにセル読み出し動作22
の前に必ず予備動作21が必要となる。
FIG. 3A schematically shows a read access to the buffer memory 13. Since the buffer memory 13 basically does not perform the operation of reading the same cell many times, it is unlikely that the cache has already hit when reading the cell. Therefore, when reading a cell, as shown in FIG.
, The preliminary operation 21 is always required.

【0029】図3(B)はバッファメモリ13への書き
込みのアクセスを模式的に示す。必ずしも前回のアクセ
ス時と同じアドレスに書き込むという保証はないため、
予備動作21を行ってから書き込み動作23を行う。
FIG. 3B schematically shows write access to the buffer memory 13. Because there is no guarantee that the data will be written to the same address as the previous access,
After performing the preliminary operation 21, the write operation 23 is performed.

【0030】図3(C)は従来の技術でバッファメモリ
13へ読み出しと書き込みを同時に行ったアクセスを模
式的に示す。予備動作21の後まずセルの読み出し動作
22を行い、続いて予備動作21の後セルの書き込み動
作23を行う。従って、アクセスにかかる時間は、単純
に図3(A)と(B)に示した各アクセスタイムを加算
したものである。
FIG. 3C schematically shows an access in which reading and writing are simultaneously performed to the buffer memory 13 by the conventional technique. After the preliminary operation 21, a cell read operation 22 is performed first, and then, after the preliminary operation 21, a cell write operation 23 is performed. Therefore, the time required for the access is simply the sum of the access times shown in FIGS. 3A and 3B.

【0031】図3(D)は本発明の実施の形態によるバ
ッファメモリ13への読み出しと書き込みとを同時に行
ったアクセスを模式的に示す。予備動作21に続いてセ
ルの読み出し動作22を行う点は従来と同じであるが、
本発明の実施の形態では、前述したように、セル書込み
要求とセル読出し要求が同時にあった場合は、読み出し
したセルのバンクにセルの書き込みを行うため、セルの
読み出しを行った時点でキャッシュがヒットしているの
で、セル書き込み直前の予備動作を省略することがで
き、直ちにセル書き込み動作23が行われる。従って、
この場合のアクセスにかかる時間は、図3(C)に示し
た従来のアクセス時間よりも短くできる。
FIG. 3D schematically shows an access in which reading and writing to the buffer memory 13 are simultaneously performed according to the embodiment of the present invention. The point that the cell read operation 22 is performed following the preliminary operation 21 is the same as in the related art.
In the embodiment of the present invention, as described above, when a cell write request and a cell read request are made at the same time, the cell is written to the bank of the read cell. Since there is a hit, the preliminary operation immediately before cell writing can be omitted, and the cell writing operation 23 is immediately performed. Therefore,
The time required for the access in this case can be shorter than the conventional access time shown in FIG.

【0032】従って、本発明方法により制御されるバー
スト性メモリをATM交換機のセルを蓄積するバッファ
メモリとして用いて好適であり、また、従来はキャッシ
ュの状態によりアクセスタイムが変化するため、それに
応じてアクセスパターンを変化させる必要があり回路が
複雑でまた高価であったが、この実施の形態では図3
(A)、(B)及び(D)のアクセスを周期的に行うこ
とで回路を簡略化、かつ低コストにできる。
Therefore, the bursty memory controlled by the method of the present invention is suitable for use as a buffer memory for storing cells of an ATM switch, and since the access time conventionally changes depending on the state of the cache, it is correspondingly used. Although the access pattern had to be changed, the circuit was complicated and expensive, but in this embodiment, FIG.
By periodically performing the accesses (A), (B) and (D), the circuit can be simplified and the cost can be reduced.

【0033】なお、本発明は上記の実施の形態に限定さ
れるものではなく、1バンクを1セル分のデータが格納
できる大きさと説明したが、バンクの大きさには制限は
ない。ただし、バースト性メモリが1回に転送できるデ
ータ転送量に制限がある場合、これによってバンクの大
きさの上限が決まる。
Although the present invention is not limited to the above embodiment, one bank is described as having a size capable of storing data for one cell, but the size of the bank is not limited. However, if the amount of data that can be transferred at a time by the burst memory is limited, this determines the upper limit of the size of the bank.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
空きバンクキューのバイパスにより同じバンクにセル読
出しと入力セルの書込みを順次に行うことにより、バッ
ファメモリを構成するバースト性メモリが持つキャッシ
ュをヒットさせる動作を1回省略することができるた
め、従来に比べてバッファメモリの最大アクセスタイム
を短縮でき、よって、バースト性メモリをATM交換機
のセルを蓄積するバッファメモリに適用し易くできる。
As described above, according to the present invention,
By sequentially performing cell reading and input cell writing to the same bank by bypassing the empty bank queue, the operation of hitting the cache of the bursty memory constituting the buffer memory can be omitted once. In comparison, the maximum access time of the buffer memory can be shortened, so that the burst memory can be easily applied to the buffer memory for storing cells of the ATM switch.

【0035】また、従来は、バースト性メモリがキャッ
シュの状態によりアクセスタイムが変化するため、それ
に応じてアクセスパターンを変える必要があり、回路が
複雑であったが、本発明によれば、書き込み、読み出
し、及び先にセルの読み出しを行いそのバンクにセルの
書き込みを行うアクセスを周期的に行うことにより、回
路を簡略化できるため、回路規模を従来よりも小さくで
きる。
Further, conventionally, since the access time of the burst memory changes depending on the state of the cache, it is necessary to change the access pattern accordingly, and the circuit is complicated. The circuit can be simplified by periodically performing the read and the access for reading the cell first and writing the cell to the bank, so that the circuit scale can be made smaller than before.

【0036】更に、本発明によれば、大容量で低コスト
なバースト性メモリのキャッシュの状態によりアクセス
タイムが変化することによるデメリット(回路の複雑
化、アクセスタイムが良い)が改善されるため、大容
量、低コストのバッファメモリを提供できる。
Further, according to the present invention, the disadvantage (complication of the circuit and good access time) due to the change of the access time due to the state of the cache of the large capacity and low cost burst memory is improved. A large-capacity, low-cost buffer memory can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の原理説明図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図3】図1等のバッファメモリのアクセス動作説明図
である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an access operation of the buffer memory of FIG. 1 and the like.

【図4】従来の一例の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 制御情報抽出部 12 セル書き込み部 13 バッファメモリ 14 セル読出し部 15 バンク管理テーブル 16 制御部 18 制御部及び管理テーブル 301〜30k 論理キュー 31 論理キュー群 81 空きバンクキュー 82 バイパスReference Signs List 11 control information extracting unit 12 cell writing unit 13 buffer memory 14 cell reading unit 15 bank management table 16 control unit 18 control unit and management table 30 1 to 30 k logical queue 31 logical queue group 81 empty bank queue 82 bypass

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力セルの蓄積及び読出しをバッファメ
モリが内部に有するキャッシュをヒットさせてから行う
バッファメモリの制御方法において、 前記バッファメモリの複数の論理キューのいずれかへの
入力セルの書込み要求と、該複数の論理キューのうちの
いずれかの蓄積セルの読出し要求とが同時にあったとき
は、前記複数の論理キューのうち一の論理キューから
記蓄積セルを読み出した後、空きバンクキューをバイパ
スし、その読み出したセルの空きバンクに前記入力セル
を書き込むことを特徴とするバッファメモリの制御方
法。
1. A buffer memory control method in which input cells are stored and read after hitting a cache included in the buffer memory, wherein a request to write an input cell to any one of a plurality of logical queues of the buffer memory is provided. And at the same time a read request for any one of the storage cells of the plurality of logical queues is made, after reading the storage cell from one of the plurality of logical queues, , bypassing the air-out bank queue control method for a buffer memory and writes the input cell in the empty bank of the readout cell.
【請求項2】 少なくとも遅延クラス及び廃棄クラスの
情報が付加された入力セルから該遅延クラス及び廃棄ク
ラスを抽出し、バースト性メモリで構成されたバッファ
メモリの複数の論理キューのうち、抽出した遅延クラス
の情報から対応する遅延クラスの論理キュー群の現在の
セル蓄積量と、予め廃棄クラス毎に設定されている廃棄
閾値を比較し、該廃棄閾値超過の場合は前記入力セルを
廃棄し、現在のセル蓄積量が前記廃棄閾値以下の場合
は、抽出した廃棄クラスに応じた論理キューに入力セル
を格納させ、読出し時は予め前記遅延クラス毎に設定さ
れた優先順位に各遅延クラスの蓄積量を加味し、読み出
し順序の優先制御を行い、セルの読出し完了によりバン
クアドレスポインタを空きバンクのキューに移動させる
バッファメモリの制御方法であって、 前記セルの書込み要求と蓄積セルの読出し要求とが同時
にあったときは、前記蓄積セルを読出した後、空きバ
ンクキューをバイパスし、その読み出したセルの空きバ
ンクに前記入力セルを書き込むことを特徴とするバッフ
ァメモリの制御方法。
2. A delay class and a discard class are extracted from an input cell to which at least information of the delay class and the discard class are added, and the extracted delay is extracted from a plurality of logical queues of a buffer memory composed of a bursty memory. The current cell storage amount of the logical queue group of the corresponding delay class is compared with the discard threshold set in advance for each discard class from the class information, and when the discard threshold is exceeded, the input cell is discarded. If the cell storage amount of the delay class is equal to or less than the discard threshold, the input cell is stored in a logical queue corresponding to the extracted discard class. At the time of reading, the storage amount of each delay class is set to the priority set in advance for each of the delay classes. Control of the buffer memory that performs priority control of the read order and moves the bank address pointer to the queue of the empty bank when the cell read is completed. A method, when a read request of the write requests to the storage cell of the cell had at the same time, after the out read the storage cell, bypassing the air-out bank queue empty bar of the readout cell
A method of controlling the buffer memory , wherein the input cell is written to the link .
【請求項3】 前記バッファメモリをアクセスする際に
用いられるバンクアドレスを管理することにより、前記
バッファメモリ内の前記廃棄クラスに応じた論理的なキ
ューと、空きバンクの論理的なキューと、各論理的キュ
ーの蓄積量を管理するバンク管理テーブルを用いて前記
バッファメモリの論理キューへの書込みと読出し制御を
行うと共に、前記セルの書込み要求と蓄積セルの読出し
要求とが同時にあったときは、前記蓄積セルを読出した
後、空きバンクの論理的なキューを介さずに読出したバ
ンクに入力セルを書き込むことを特徴とする請求項2記
載のバッファメモリの制御方法。
3. A logical queue according to the discard class in the buffer memory and a logical queue of empty banks in the buffer memory by managing a bank address used when accessing the buffer memory. Using the bank management table that manages the storage amount of the logical queue, writing and reading control to the logical queue of the buffer memory are performed, and when the cell write request and the storage cell read request are simultaneously performed, 3. The method according to claim 2, wherein after reading the storage cell, the input cell is written to the read bank without going through the logical queue of the empty bank.
JP24321196A 1996-09-13 1996-09-13 Control method of buffer memory Expired - Lifetime JP2882382B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24321196A JP2882382B2 (en) 1996-09-13 1996-09-13 Control method of buffer memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24321196A JP2882382B2 (en) 1996-09-13 1996-09-13 Control method of buffer memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1093572A JPH1093572A (en) 1998-04-10
JP2882382B2 true JP2882382B2 (en) 1999-04-12

Family

ID=17100486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24321196A Expired - Lifetime JP2882382B2 (en) 1996-09-13 1996-09-13 Control method of buffer memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2882382B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4505575B2 (en) * 1999-07-16 2010-07-21 独立行政法人情報通信研究機構 COMMUNICATION SYSTEM, GATEWAY TRANSMISSION DEVICE, GATEWAY RECEPTION DEVICE, TRANSMISSION METHOD, RECEPTION METHOD, AND INFORMATION RECORDING MEDIUM
US6910087B2 (en) * 2002-06-10 2005-06-21 Lsi Logic Corporation Dynamic command buffer for a slave device on a data bus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1093572A (en) 1998-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103150136B (en) Implementation method of least recently used (LRU) policy in solid state drive (SSD)-based high-capacity cache
US7930451B2 (en) Buffer controller and management method thereof
US7733892B2 (en) Buffer management method based on a bitmap table
WO2009111971A1 (en) System and method for writing cache data and system and method for reading cache data
US20200259766A1 (en) Packet processing
US20030174699A1 (en) High-speed packet memory
CN103116555A (en) Data access method based on multi-body parallel cache structure
WO2024001414A1 (en) Message buffering method and apparatus, electronic device and storage medium
WO2024072725A1 (en) Directed refresh management for dram
JP2882382B2 (en) Control method of buffer memory
JPH08137754A (en) Disk cache device
CN101021783A (en) Stream data-oriented resequencing access storage buffering method and device
CA1116756A (en) Cache memory command circuit
JP2002140232A (en) Multiprocessor system and method for controlling cache
JPH02114313A (en) High speed external storage device
TWI779944B (en) Memory system for maintaining data consistency and operation method thereof
TWI721660B (en) Device and method for controlling data reading and writing
JP2636470B2 (en) Data transfer path selection method
JPS6020255A (en) Buffer memory control system
JP2002007178A (en) Buffer size setting device and buffer size setting method
CN121996429A (en) A pointer allocation device for a linked list, a linked list structure, and a chip.
JPH07210446A (en) Priority determination device
JP2982771B2 (en) Shared buffer type ATM switch
JP2000259488A (en) Queue management system
JPH1051469A (en) Atm switch