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JP2882963B2 - Steam generator for substrate processing - Google Patents
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JP2882963B2 - Steam generator for substrate processing - Google Patents

Steam generator for substrate processing

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Publication number
JP2882963B2
JP2882963B2 JP1836693A JP1836693A JP2882963B2 JP 2882963 B2 JP2882963 B2 JP 2882963B2 JP 1836693 A JP1836693 A JP 1836693A JP 1836693 A JP1836693 A JP 1836693A JP 2882963 B2 JP2882963 B2 JP 2882963B2
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JP
Japan
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processing liquid
substrate
vapor
steam
processing
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JP1836693A
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久雄 西澤
篤郎 永徳
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、蒸気発生装置、特に、
半導体基板やフォトマスク用ガラス基板や液晶表示素子
用ガラス基板等の各種基板を処理する基板処理液の蒸気
を発生する基板処理用蒸気発生装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a steam generator,
The present invention relates to a substrate processing vapor generator that generates vapor of a substrate processing liquid for processing various substrates such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a photomask, and a glass substrate for a liquid crystal display element.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば特開平3−284842号公報
には、エッチングや金属不純物の溶解や除去といった基
板処理を行うための基板処理装置が開示されている。こ
の基板処理装置は、例えば弗化水素等の基板処理液を貯
溜する基板処理液貯溜部と、基板処理液の蒸気を発生さ
せる基板処理用蒸気発生部と、処理すべき基板を保持す
る基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に基
板処理用蒸気発生部からの基板処理用蒸気を供給する蒸
気供給部とを備えている。基板処理液貯留部には、基板
処理液を一定温度に加熱温調して基板処理液の蒸気を発
生させるための温水ヒータが設けられ、基板処理用蒸気
発生部には、発生した蒸気を圧送するための窒素ガス供
給口が設けられている。
2. Description of the Related Art For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-284842 discloses a substrate processing apparatus for performing a substrate processing such as etching or dissolving or removing metal impurities. The substrate processing apparatus includes a substrate processing liquid storage unit that stores a substrate processing liquid such as hydrogen fluoride, a substrate processing vapor generating unit that generates vapor of the substrate processing liquid, and a substrate holding unit that holds a substrate to be processed. Means, and a steam supply unit for supplying substrate processing steam from the substrate processing steam generation unit to the substrate held by the substrate holding means. The substrate processing liquid storage unit is provided with a hot water heater for heating the substrate processing liquid to a constant temperature and generating vapor of the substrate processing liquid, and the generated vapor is fed to the substrate processing vapor generation unit. For supplying nitrogen gas.

【0003】この基板処理装置では、処理液貯溜部に貯
溜された基板処理液が温水ヒータによる加熱によって蒸
発し、基板処理用蒸気発生部において基板処理液の蒸気
が発生する。この蒸気は、窒素ガスにより蒸気供給部を
介して基板上に供給される。基板上に蒸気が供給される
と、基板表面の酸化膜が溶解して除去される。
In this substrate processing apparatus, the substrate processing liquid stored in the processing liquid storage section is evaporated by heating by a hot water heater, and the vapor of the substrate processing liquid is generated in the substrate processing vapor generating section. This vapor is supplied onto the substrate by a nitrogen gas through a vapor supply unit. When the vapor is supplied onto the substrate, the oxide film on the substrate surface is dissolved and removed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この種の基板処理装置
では、処理時には大量に気化する処理液が大量の気化熱
を奪うが、非処理時には処理液の気化量が小さいため処
理液の温度は低下しにくい。したがって、処理時と非処
理時とで温水ヒータからの熱負荷を変える必要がある。
また、処理液の貯溜面積が制約されているために、温水
ヒータの熱交換面積が制約される。このため、前記従来
の構成では、基板処理を開始してから数分〜数十分は処
理時の処理液温度が安定せず、蒸気の発生量がばらつい
て基板処理の再現性が悪くなる。また、処理液の蒸発に
より貯溜部における液面が低下することによっても、蒸
気の発生量が変化し、処理の再現性が低下する。
In this type of substrate processing apparatus, a large amount of processing liquid which vaporizes during processing takes a large amount of heat of vaporization during processing, but the temperature of the processing liquid is low during non-processing because the amount of processing liquid vaporized is small. Hard to drop. Therefore, it is necessary to change the heat load from the hot water heater between processing and non-processing.
Further, since the storage area of the processing liquid is restricted, the heat exchange area of the hot water heater is restricted. For this reason, in the conventional configuration, the processing liquid temperature during the processing is not stable for several minutes to several tens of minutes after the substrate processing is started, the amount of generated steam varies, and the reproducibility of the substrate processing is deteriorated. Also, when the liquid level in the storage section is reduced due to the evaporation of the processing liquid, the amount of generated steam changes, and the reproducibility of the processing is reduced.

【0005】本発明の目的は、処理中の処理液の温度を
安定させて基板処理の再現性を向上させることにある。
An object of the present invention is to improve the reproducibility of substrate processing by stabilizing the temperature of a processing solution during processing.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る蒸気発生装
置は、基板処理液を貯溜する処理液貯溜部と供給経路と
蒸気発生部と処理液温度調整手段と還流経路とを備えて
いる。供給経路は、処理液貯溜部に貯溜された基板処理
液を蒸気発生部へ供給するものである。蒸気発生部は、
供給経路により供給された基板処理液を溢れさせながら
蒸発させて基板処理液の蒸気を発生させるものである。
処理液温度調整手段は、供給経路の途中に設けられ、処
理液の温度を調整するものである。還流経路は、蒸気発
生部で溢れた基板処理液を供給経路における処理液温度
調整手段の上流側または処理液貯溜部に還流するもので
ある。
According to the present invention, there is provided a vapor generating apparatus including a processing liquid storing section for storing a substrate processing liquid, a supply path, a vapor generating section, a processing liquid temperature adjusting means, and a reflux path. The supply path is for supplying the substrate processing liquid stored in the processing liquid storage unit to the vapor generation unit. The steam generator is
This is to vaporize the substrate processing liquid supplied by the supply path while overflowing the substrate processing liquid to generate vapor of the substrate processing liquid.
The processing liquid temperature adjusting means is provided in the middle of the supply path and adjusts the temperature of the processing liquid. The return path is for returning the substrate processing liquid overflowing in the vapor generating section to the processing liquid upstream of the processing liquid temperature adjusting means in the supply path or to the processing liquid storage section.

【0007】[0007]

【作用】本発明に係る蒸気発生装置では、処理液貯溜部
に貯溜された基板処理液が供給経路を介して蒸気発生部
に供給される。この供給経路の途中には処理液温度調整
手段が設けられており、処理液温度調整手段によりそこ
を通過する処理液が一定温度に温度調整される。また蒸
気発生部では、一定温度に温度調整された処理液が溢れ
ながら蒸発する。そして溢れた処理液は直接、または処
理液貯溜部を介して、再度供給経路に供給され循環す
る。
In the steam generating apparatus according to the present invention, the substrate processing liquid stored in the processing liquid storing section is supplied to the steam generating section via the supply path. A processing liquid temperature adjusting unit is provided in the middle of the supply path, and the processing liquid passing therethrough is adjusted to a constant temperature by the processing liquid temperature adjusting unit. In the steam generating section, the processing liquid whose temperature has been adjusted to a certain temperature evaporates while overflowing. Then, the overflowing processing liquid is supplied to the supply path again or circulates directly or via the processing liquid storage unit.

【0008】ここでは、基板処理液を循環させながら、
処理液温度調整手段で処理液を加熱または冷却すること
により温度調整し、蒸気発生部で処理液を蒸発させるの
で、処理時、非処理時にかかわらず処理液の液温が安定
する。この結果、基板処理の再現性が向上する。
Here, while circulating the substrate processing liquid,
The temperature of the processing liquid is adjusted by heating or cooling the processing liquid by the processing liquid temperature adjusting means, and the processing liquid is evaporated in the steam generating section, so that the temperature of the processing liquid is stabilized regardless of whether the processing is performed or not. As a result, the reproducibility of the substrate processing is improved.

【0009】[0009]

【実施例】図1において、本発明の一実施例を採用した
基板処理装置は、第1蒸気発生部9よりたとえば弗化水
素(HF)の蒸気を発生して基板を処理するための基板
処理部1と、たとえばメチルアルコールの蒸気を発生さ
せるための第2蒸気発生部2と、基板処理部1で用いる
処理液を貯溜する第1処理液貯溜部3と、第2蒸気発生
部2で用いる処理液を貯溜する第2処理液貯溜部4と、
第1処理液貯溜部3に貯溜された処理液を基板処理部1
に供給するための第1処理液供給部5と、第2処理液貯
溜部4に貯溜された処理液を第2蒸気発生部2に供給す
る第2処理液供給部6とを備えている。さらにこの装置
は、基板処理部1及び第2蒸気発生部2に窒素ガスを供
給するとともに、基板処理部1及び第2蒸気発生部2で
発生した蒸気を供給するためのガス供給部7を備えてい
る。
1, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate processing apparatus for processing a substrate by generating a vapor of, for example, hydrogen fluoride (HF) from a first vapor generator 9. Unit 1, a second vapor generation unit 2 for generating, for example, methyl alcohol vapor, a first processing liquid storage unit 3 for storing a processing liquid used in the substrate processing unit 1, and a second vapor generation unit 2 A second processing liquid storage unit 4 for storing the processing liquid,
The processing liquid stored in the first processing liquid storage unit 3 is transferred to the substrate processing unit 1.
And a second processing liquid supply unit 6 for supplying the processing liquid stored in the second processing liquid storage unit 4 to the second vapor generation unit 2. The apparatus further includes a gas supply unit 7 for supplying nitrogen gas to the substrate processing unit 1 and the second steam generation unit 2 and for supplying the steam generated in the substrate processing unit 1 and the second steam generation unit 2. ing.

【0010】基板処理部1は、ハウジング8と、ハウジ
ング8内に配置された第1蒸気発生部9と、第1蒸気発
生部9の下面に密接して配置された内側ハウジング10
と、内側ハウジング10内に回動自在に配置された基板
保持部11とを有している。基板保持部11は、基板W
を保持する試料台12と、試料台12を回転自在に支持
する回転軸13と、回転軸13をベルト式伝達機構13
aを介して駆動するモータM1とを有している。この試
料台12は、基板Wを真空吸着して保持する真空吸着機
構(図示せず)を有している。また試料台12には、ヒ
ータ(図示せず)が埋め込まれており、基板Wを雰囲気
温度と同一またはそれより高い温度に維持し得るように
なっている。
The substrate processing section 1 includes a housing 8, a first steam generating section 9 disposed in the housing 8, and an inner housing 10 disposed in close contact with the lower surface of the first steam generating section 9.
And a substrate holding portion 11 rotatably arranged in the inner housing 10. The substrate holding unit 11 is provided with a substrate W
Stage 12 for holding the sample stage, a rotating shaft 13 for rotatably supporting the sample stage 12, and a belt-type transmission mechanism 13
and a motor M1 that is driven via the control signal a. The sample table 12 has a vacuum suction mechanism (not shown) for holding the substrate W by vacuum suction. Further, a heater (not shown) is embedded in the sample stage 12, so that the substrate W can be maintained at the same temperature or higher than the ambient temperature.

【0011】第1蒸気発生部9は、図2に示すように皿
状であり、周囲にたとえば5mm高さの堰14が形成さ
れた第1容器15と、第1容器15の周囲に配置され、
第1容器15から溢れ出た処理液を収容する第2容器1
6とを有している。第1容器15の底面は第2容器16
の底面より高く、かつ第1容器15の表面積は第2容器
16の表面積より充分大きな面積となっている。これら
の容器15,16上には蓋17が配置されており、蓋1
7により、容器15,16と蓋17とで囲まれる空間2
1が気密に封止されている。この空間21内に処理液の
蒸気が発生する。
As shown in FIG. 2, the first steam generating section 9 has a dish shape, and is provided with a first container 15 having a weir 14 having a height of, for example, 5 mm formed around the first steam generating portion 9, and disposed around the first container 15. ,
Second container 1 containing processing liquid overflowing from first container 15
6. The bottom surface of the first container 15 is the second container 16
And the surface area of the first container 15 is sufficiently larger than the surface area of the second container 16. A lid 17 is disposed on these containers 15 and 16, and the lid 1
7, the space 2 surrounded by the containers 15, 16 and the lid 17
1 is hermetically sealed. The processing liquid vapor is generated in the space 21.

【0012】また、第1蒸気発生部9には、図1に示す
ように、第2容器16内の処理液液位を検出するため、
第2容器16と連通するバイパス部91と静電容量セン
サ92とからなる液位検出器93が設けられている。第
1容器15の中央には、円柱状に凹んだ処理液供給部1
8が配置されている。この処理液供給部18の上端に
は、処理液を円滑に供給するための多数のノズルを周囲
に有するジャマ板19が配置されている。なお、第1容
器15の堰14の高さは、好ましくは15mm以下、よ
り好ましくは2mm〜5mmの範囲である。
As shown in FIG. 1, the first steam generating section 9 detects the liquid level of the processing liquid in the second container 16.
A liquid level detector 93 including a bypass part 91 and a capacitance sensor 92 communicating with the second container 16 is provided. In the center of the first container 15, a processing liquid supply unit 1 recessed in a cylindrical shape is provided.
8 are arranged. At the upper end of the processing liquid supply unit 18, a jammer plate 19 having a plurality of nozzles around the processing liquid for smoothly supplying the processing liquid is arranged. In addition, the height of the weir 14 of the first container 15 is preferably 15 mm or less, more preferably in the range of 2 mm to 5 mm.

【0013】蓋17には、第1容器15内に貯溜された
処理液の温度を測定するための温度センサTHP1の取
付孔20と、空間21に蒸気圧送用の窒素ガスを供給す
るためのガス供給口22と、空間21内に発生する処理
液の蒸気を排出するための蒸気排出口23とが形成され
ている。また第2容器16の底面には、第1容器15か
ら溢れ出た処理液を還流するための還流口24が形成さ
れている。
The lid 17 has a mounting hole 20 for a temperature sensor THP1 for measuring the temperature of the processing liquid stored in the first container 15, and a gas for supplying nitrogen gas for vapor pressure feeding to the space 21. A supply port 22 and a vapor discharge port 23 for discharging the vapor of the processing liquid generated in the space 21 are formed. In addition, on the bottom surface of the second container 16, a reflux port 24 for refluxing the processing liquid overflowing from the first container 15 is formed.

【0014】蒸気発生部9の下面には、第1蒸気発生部
9で発生した蒸気を導入するための蒸気空間25が形成
されている。蒸気空間25の側壁には、蒸気を導入する
ための蒸気導入口26が形成されている。また蒸気空間
25の下方には、蒸気を拡散するための多孔板27が配
置されている。この多孔板27は、試料台12の上方に
対向配置されている。
A steam space 25 for introducing the steam generated in the first steam generator 9 is formed on the lower surface of the steam generator 9. A steam inlet 26 for introducing steam is formed on a side wall of the steam space 25. Below the steam space 25, a perforated plate 27 for diffusing steam is arranged. The perforated plate 27 is disposed above the sample table 12 so as to face the same.

【0015】試料台12の上面とほぼ等しいレベルにお
いて、内側ハウジング10とハウジング8とには、基板
Wを出し入れするための開口28,29がそれぞれ形成
されている。この開口28,29には、それぞれシャッ
タ30,31が設けられている。このシャッタ30,3
1は、モータM2,M3により開閉され得る。開口29
の外方には、基板Wを搬入排出するための基板搬送アー
ム34(図4)が配置されている。基板搬送アーム34
は、基板Wを吸着保持して、試料台12に搬入し、また
試料台12上の基板Wを吸着保持してハウジング8外に
排出する。
Openings 28 and 29 for inserting and removing the substrate W are formed in the inner housing 10 and the housing 8 at a level substantially equal to the upper surface of the sample table 12. The openings 28 and 29 are provided with shutters 30 and 31, respectively. These shutters 30, 3
1 can be opened and closed by motors M2, M3. Opening 29
A substrate transfer arm 34 (FIG. 4) for loading / unloading the substrate W is disposed outside the box. Substrate transfer arm 34
Sucks and holds the substrate W and carries it into the sample stage 12, and sucks and holds the substrate W on the sample stage 12 and discharges the substrate W out of the housing 8.

【0016】第2蒸気発生部2は、図3に示すように、
第1容器15と同様な形状の第3容器35と、第2容器
16と同様な形状の第4容器36とを有している。第3
容器35及び第4容器36と蓋37とで形成される空間
41は、蓋37により気密に封止されている。第3容器
35の中央には、処理液供給部38が配置されている。
この処理液供給部38には、処理液を円滑に供給するた
めの多数のノズルを周囲に有するジャマ板39が配置さ
れている。
As shown in FIG. 3, the second steam generating section 2
A third container 35 having the same shape as the first container 15 and a fourth container 36 having the same shape as the second container 16 are provided. Third
A space 41 formed by the container 35 and the fourth container 36 and the lid 37 is hermetically sealed by the lid 37. At the center of the third container 35, a processing liquid supply unit 38 is arranged.
The processing liquid supply unit 38 is provided with a jammer plate 39 having a number of nozzles around the processing liquid for smoothly supplying the processing liquid.

【0017】蓋37には、第3容器35内に貯溜された
温度を測定するための温度センサTHP3の取付孔40
と、空間41に蒸気圧送用の窒素ガスを供給するための
ガス供給口42と、空間41内に発生する処理液の蒸気
を排出するための蒸気排出口43とが形成されている。
また第4容器36の底面には、第3容器35から溢れ出
た処理液を還流するための還流口44が形成されてい
る。
The cover 37 has a mounting hole 40 for a temperature sensor THP3 for measuring the temperature stored in the third container 35.
In addition, a gas supply port 42 for supplying nitrogen gas for vapor pressure feeding to the space 41 and a vapor discharge port 43 for discharging vapor of the processing liquid generated in the space 41 are formed.
On the bottom surface of the fourth container 36, a reflux port 44 for refluxing the processing liquid overflowing from the third container 35 is formed.

【0018】また、第2蒸気発生部2には、図1に示す
ように、バイパス部94と静電容量センサ95とからな
る液位検出器96が設けられている。第1処理液供給部
5は、図1に示すように、第1処理液貯溜部3に貯溜さ
れた処理液を基板処理部1の第1蒸気発生部9に供給す
るための第1供給経路45と、第1供給経路45内の処
理液を圧送するためのポンプP1と、第1供給経路45
の途中に配置された第1ヒータ46とを有している。第
1ヒータ46は蛇管式であり、蛇管内を通過する処理液
が蛇管外を流通する温水または、必要に応じ冷水によ
り、処理液の所定の蒸発量を得るのに適した所定温度に
調整される構成となっている。この第1ヒータ46の出
口には、温度センサTHP2が配置されている。第1供
給経路45の上流端は、電磁弁V1を介して第1処理液
貯溜部3の液面下に挿入されている。また、第1供給経
路45の下流端は、第1蒸気発生部9内の処理液供給部
18に接続されている。
As shown in FIG. 1, the second steam generator 2 is provided with a liquid level detector 96 comprising a bypass 94 and a capacitance sensor 95. As shown in FIG. 1, the first processing liquid supply unit 5 is configured to supply a processing liquid stored in the first processing liquid storage unit 3 to the first vapor generation unit 9 of the substrate processing unit 1. 45, a pump P1 for pumping the processing liquid in the first supply path 45, and a first supply path 45
And a first heater 46 disposed in the middle of the first heater. The first heater 46 is of a coiled tube type, and the processing liquid passing through the inside of the coiled pipe is adjusted to a predetermined temperature suitable for obtaining a predetermined evaporation amount of the processing liquid by hot water or cold water flowing outside the coiled pipe as required. Configuration. At the outlet of the first heater 46, a temperature sensor THP2 is arranged. The upstream end of the first supply path 45 is inserted below the liquid level of the first processing liquid storage unit 3 via the electromagnetic valve V1. Further, the downstream end of the first supply path 45 is connected to the processing liquid supply unit 18 in the first steam generation unit 9.

【0019】また、第1蒸気発生部9の還流口24に
は、第1還流経路47の基端が接続されている。第1還
流経路47の終端は、電磁弁V2を介して第1供給経路
45に接続されている。第2処理液供給部6は、第1処
理液供給部5と略同様な構成であり、第2供給経路5
0、ポンプP2、第2ヒータ51、温度センサTHP4
及び電磁弁V3を有している。また第2蒸気発生部2の
還流口44には、電磁弁V4を介して第2処理液供給経
路50に処理液を還流させるための第2還流経路52が
接続されている。
The base of a first return path 47 is connected to the return port 24 of the first steam generator 9. The end of the first recirculation path 47 is connected to the first supply path 45 via the solenoid valve V2. The second processing liquid supply unit 6 has substantially the same configuration as the first processing liquid supply unit 5, and includes a second supply path 5.
0, pump P2, second heater 51, temperature sensor THP4
And a solenoid valve V3. A second return path 52 for returning the processing liquid to the second processing liquid supply path 50 via a solenoid valve V4 is connected to the return port 44 of the second steam generation unit 2.

【0020】ガス供給部7は、窒素ガスボンベ等のガス
供給源(図示せず)に一括接続された3個の微小流量調
整弁MFC1〜MFC3と、5個の電磁弁SV1〜SV
5とを有している。微小流量調整弁MFC1及びMFC
3は、HF蒸気とメチルアルコール蒸気との混合比を設
定するためのものである。電磁弁SV1は、微小流量調
整弁MFC1とガス供給口22との間に配置されてお
り、ガス供給口22への窒素ガス供給をオンオフするた
めに用いられる。電磁弁SV2は、蒸気排出口23と蒸
気導入口26との間に配置されており、蒸気排出口23
から蒸気導入口26への蒸気供給をオンオフするために
用いられる。電磁弁SV3は、微小流量調節弁MFC2
と蒸気導入口26との間に配置されており、内側ハウジ
ング10内の窒素ガスのパージを行うために用いられ
る。電磁弁SV4は、蒸気排出口43と蒸気導入口26
との間に配置され、第2蒸気発生部2内で発生したメチ
ルアルコール蒸気の供給をオンオフするために用いられ
る。電磁弁SV5は、微小流量調整弁MFC3とガス供
給口42との間に配置され、発生した蒸気を圧送するた
めに用いられる。
The gas supply unit 7 includes three minute flow control valves MFC1 to MFC3 connected collectively to a gas supply source (not shown) such as a nitrogen gas cylinder and five solenoid valves SV1 to SV.
5 is provided. Micro flow regulating valve MFC1 and MFC
Reference numeral 3 is for setting the mixing ratio between HF vapor and methyl alcohol vapor. The solenoid valve SV1 is arranged between the minute flow control valve MFC1 and the gas supply port 22, and is used to turn on and off the supply of nitrogen gas to the gas supply port 22. The solenoid valve SV2 is disposed between the steam outlet 23 and the steam inlet 26, and is connected to the steam outlet 23.
It is used to turn on and off the supply of steam from the to the steam inlet 26. The solenoid valve SV3 is a minute flow control valve MFC2.
, And is used for purging nitrogen gas in the inner housing 10. The solenoid valve SV4 includes a steam outlet 43 and a steam inlet 26.
And is used to turn on and off the supply of methyl alcohol vapor generated in the second vapor generation section 2. The solenoid valve SV5 is disposed between the minute flow rate regulating valve MFC3 and the gas supply port 42, and is used to pump generated steam under pressure.

【0021】この基板処理装置は、図4に示す制御部6
0を有している。制御部60はマイクロコンピュータや
ROM、RAM等からなり、基板処理装置をシーケンス
制御する。制御部60には、電磁弁V1〜V4及びSV
1〜SV5、ポンプP1,P2、微小流量調整弁MFC
1〜MFC3、モータM1,M2,M3をそれぞれ駆動
するための駆動部61〜72及び81〜84が接続され
ている。また、制御部60には、キーボード73、温度
センサTHP1〜THP4、液位検出器93,94、表
示部74、搬送アーム34を制御するための搬送アーム
制御部75及びその他の入出力部が接続されている。
This substrate processing apparatus includes a control unit 6 shown in FIG.
It has 0. The control unit 60 includes a microcomputer, a ROM, a RAM, and the like, and controls the sequence of the substrate processing apparatus. The control unit 60 includes solenoid valves V1 to V4 and SV
1 to SV5, pumps P1 and P2, micro flow regulating valve MFC
1 to MFC3 and driving units 61 to 72 and 81 to 84 for driving the motors M1, M2, M3, respectively. In addition, a keyboard 73, temperature sensors THP1 to THP4, liquid level detectors 93 and 94, a display unit 74, a transfer arm control unit 75 for controlling the transfer arm 34, and other input / output units are connected to the control unit 60. Have been.

【0022】次に、上述のように構成された基板処理装
置の動作について、図5に示す制御フローチャートにし
たがい説明する。プログラムがスタートするとステップ
S1で初期設定を行う。この初期設定時には、温調温度
やポンプP1,P2の流量やHF蒸気とメチルアルコー
ル蒸気との混合比率等を初期値に設定する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described with reference to the control flowchart shown in FIG. When the program starts, initialization is performed in step S1. At the time of this initial setting, the temperature adjustment temperature, the flow rates of the pumps P1 and P2, the mixing ratio of HF vapor and methyl alcohol vapor, and the like are set to initial values.

【0023】ステップS2では、第1ヒータ46及び第
2ヒータ51に温水を通し温調を開始する。温調を開始
すると、第1処理液供給部5においては、電磁弁V1が
開放されるとともに電磁弁V2が閉止される。そして、
ポンプP1が起動し、第1処理液貯溜部3内に貯溜され
た処理液が第1ヒータ46を介して第1蒸気発生部9に
供給され、この処理液は第1蒸気発生部の第1容器15
から第2容器16に溢れ出す。液位検出器93が、第2
容器16内の処理液が所定の液位となったことを検出す
ると、電磁弁V2が開放されるとともに電磁弁V1が閉
止される。これにより、処理液は、第1供給経路45、
第1ヒータ46、第1蒸気発生部9及び第1処理液還流
経路47を循環する。
In step S2, hot water is passed through the first heater 46 and the second heater 51 to start temperature control. When the temperature control is started, in the first processing liquid supply unit 5, the solenoid valve V1 is opened and the solenoid valve V2 is closed. And
The pump P1 is activated, and the processing liquid stored in the first processing liquid storage section 3 is supplied to the first steam generation section 9 via the first heater 46, and the processing liquid is supplied to the first steam generation section 9 in the first steam generation section. Container 15
From the second container 16. The liquid level detector 93 is
When it is detected that the processing liquid in the container 16 has reached a predetermined liquid level, the solenoid valve V2 is opened and the solenoid valve V1 is closed. Thereby, the processing liquid is supplied to the first supply path 45,
The first heater 46, the first steam generator 9, and the first processing liquid recirculation path 47 circulate.

【0024】同様に、第2処理液供給部6においては、
温調開始時に電磁弁V3が開放されるとともに電磁弁V
4が閉止される。そして、ポンプP2が起動し、第2処
理液貯溜部4内に貯溜された処理液が第2ヒータ51を
介して第2蒸気発生部2に供給され、この処理液は第2
蒸気発生部の第3容器35から第4容器36に溢れ出
す。液位検出器96が、第4容器36内の処理液が所定
の液位となったことを検出すると、電磁弁V4が開放さ
れるとともに電磁弁V3が閉止される。これにより、処
理液は、第2供給経路50、第2ヒータ51、第2蒸気
発生部2及び第2処理液還流経路52を循環する。
Similarly, in the second processing liquid supply section 6,
At the start of temperature control, the solenoid valve V3 is opened and the solenoid valve V
4 is closed. Then, the pump P2 is started, and the processing liquid stored in the second processing liquid storage unit 4 is supplied to the second steam generation unit 2 via the second heater 51, and the processing liquid is
The water overflows from the third container 35 of the steam generator to the fourth container 36. When the liquid level detector 96 detects that the processing liquid in the fourth container 36 has reached a predetermined liquid level, the electromagnetic valve V4 is opened and the electromagnetic valve V3 is closed. Thus, the processing liquid circulates through the second supply path 50, the second heater 51, the second steam generator 2, and the second processing liquid recirculation path 52.

【0025】なお、処理に伴い、第2容器16または第
4容器36内の処理液の液位が低下した場合には、電磁
弁V1,V2またはV3,V4を切り替えることによ
り、処理液貯溜部3または4より処理液を追加供給す
る。ステップS3では、HF蒸気とメチルアルコール蒸
気との混合比率を設定変更するか否かを判断する。この
判断はキーボード73からの入力に基づいて行う。混合
比率設定を変更すると判断した場合にはステップS3か
らステップS4に移行する。ステップS4では、入力さ
れた比率に混合比率を設定する。なお、設定可能なHF
蒸気とメチルアルコール蒸気との混合比率は10:1〜
1:20の範囲内となっている。
When the liquid level of the processing liquid in the second container 16 or the fourth container 36 decreases with the processing, the solenoid valve V1, V2 or V3, V4 is switched to set the processing liquid storage section. The processing liquid is additionally supplied from 3 or 4. In step S3, it is determined whether or not to change the setting of the mixing ratio of the HF vapor and the methyl alcohol vapor. This determination is made based on the input from the keyboard 73. When it is determined that the mixing ratio setting is to be changed, the process proceeds from step S3 to step S4. In step S4, the mixture ratio is set to the input ratio. In addition, HF that can be set
The mixing ratio of steam and methyl alcohol steam is 10: 1 to 1
It is within the range of 1:20.

【0026】混合比率を設定しないと判断した場合には
ステップS5に移行する。ステップS5では、操作者に
よる開始指示を待つ。操作者が開始指示を入力をすると
ステップS6に移行する。ステップS6では温調により
処理液の出口温度(温度センサTHP2,THP4によ
り検出される温度)が一定温度に制御されるのを待つ。
出口温度が一定温度に制御されていると判断するとステ
ップS7に移行する。
If it is determined that the mixing ratio is not set, the flow shifts to step S5. In step S5, the process waits for a start instruction from the operator. When the operator inputs a start instruction, the process proceeds to step S6. In step S6, the process waits until the outlet temperature of the processing liquid (the temperature detected by the temperature sensors THP2 and THP4) is controlled to a constant temperature by temperature control.
When it is determined that the outlet temperature is controlled to a constant temperature, the process proceeds to step S7.

【0027】ステップS7では、プリスプレーを行う。
これは基板Wを保持する前に試験的に窒素ガスを蒸気発
生部2,9に流して蒸気を発生させる動作である。ステ
ップS8では、シャッタ30,31を開く。ステップS
9では、搬送アーム制御部75に対して基板Wの搬入指
令を出力する。ステップS10では、搬送アーム制御部
75からの搬入完了信号を待つ。搬入完了信号を受け取
るとステップS11に移行する。
In step S7, a pre-spray is performed.
This is an operation for generating a steam by flowing a nitrogen gas through the steam generating units 2 and 9 on a trial basis before holding the substrate W. In step S8, the shutters 30, 31 are opened. Step S
In step 9, an instruction to carry in the substrate W is output to the transfer arm control unit 75. In step S10, a carry-in completion signal from the transfer arm control unit 75 is waited for. Upon receiving the carry-in completion signal, the flow shifts to step S11.

【0028】ステップS11では、シャッタ30,31
を閉め、モータM1を回転駆動する。これにより内側ハ
ウジング10内が密閉されるとともに、試料台12が回
転する。ステップS12では、電磁弁SV1,2,4,
5を開く。すると、第1蒸気発生部9及び第2蒸気発生
部2内に圧送用の窒素ガスが供給され、発生した蒸気が
蒸気排出口23,43から排出される。排出されたHF
蒸気は、電磁弁SV2を経由して蒸気導入口26に供給
される。また、排出されたメチルアルコールの蒸気は、
電磁弁SV4を経由して蒸気導入口26に供給される。
In step S11, the shutters 30, 31
Is closed, and the motor M1 is rotationally driven. This seals the inside of the inner housing 10 and rotates the sample stage 12. In step S12, the solenoid valves SV1, SV2, SV4,
Open 5. Then, nitrogen gas for pressure feeding is supplied into the first steam generation section 9 and the second steam generation section 2, and the generated steam is discharged from the steam discharge ports 23 and 43. HF discharged
The steam is supplied to the steam inlet 26 via the solenoid valve SV2. Also, the discharged methyl alcohol vapor is
It is supplied to the steam inlet 26 via the solenoid valve SV4.

【0029】ここでは、HF蒸気と表面張力が小さいメ
チルアルコール蒸気とが同時に供給され、供給されたH
F蒸気とメチルアルコール蒸気とが混合して基板W上に
供給されるので、基板Wの濡れ性が向上する。ステップ
S13では、時間T1 の経過を待つ。この時間T1 は処
理時間である。ここで処理時間T1 には前処理時間を含
める必要はない。つまり従来では、基板Wの濡れ性を向
上させるために親水化処理が必要であるが、この実施例
ではHF蒸気とメチルアルコール蒸気とを同時に供給し
ているので、基板Wの濡れ性を容易に向上でき、濡れ性
の向上を図るための親水化処理が不要となる。このため
時間T1 が短くなる。
Here, HF vapor and methyl alcohol vapor having a small surface tension are supplied simultaneously, and the supplied H
Since the F vapor and the methyl alcohol vapor are mixed and supplied onto the substrate W, the wettability of the substrate W is improved. In the step S13, waits for the lapse of the time T 1. The time T 1 is the processing time. Here the processing time T 1 is not necessary to include the pre-treatment time. That is, conventionally, a hydrophilic treatment is required to improve the wettability of the substrate W. However, in this embodiment, since the HF vapor and the methyl alcohol vapor are supplied at the same time, the wettability of the substrate W can be easily increased. And a hydrophilic treatment for improving wettability is not required. Because of this time T 1 is shortened.

【0030】時間T1 が経過するとステップS14に移
行する。ステップS14では、電磁弁SV1,2,4,
5を閉じる。ステップS15では電磁弁SV3を開く。
これにより内側ハウジング10内に窒素ガスが充填さ
れ、処理液の蒸気が窒素ガスに置き換えられる。ステッ
プS16では時間T2 の経過を待つ。この時間T2 は、
窒素ガスによるパージを終えるのに充分な時間である。
時間T2 が経過するとステップS17に移行する。
[0030] When the time T 1 has elapsed the process proceeds to step S14. In step S14, the solenoid valves SV1, SV2, SV4,
Close 5. In step S15, the solenoid valve SV3 is opened.
As a result, the inner housing 10 is filled with nitrogen gas, and the vapor of the processing liquid is replaced with nitrogen gas. In the step S16 waits for the lapse of the time T 2. This time T 2 is
This is enough time to finish purging with nitrogen gas.
The process proceeds to step S17 when the time T 2 has elapsed.

【0031】ステップS17では電磁弁SV3を閉じ
る。続いてステップS18ではシャッタ30,31を開
き、モータM1をオフする。ステップS19では、搬送
アーム制御部75に排出指令を出力する。ステップS2
0では、搬送アーム制御部75から排出完了信号が来る
のを待つ。排出完了信号を受けるとステップS21に移
行する。
In step S17, the solenoid valve SV3 is closed. Subsequently, in step S18, the shutters 30 and 31 are opened, and the motor M1 is turned off. In step S19, a discharge command is output to the transfer arm control unit 75. Step S2
If it is 0, it waits for a discharge completion signal from the transfer arm control unit 75. Upon receiving the discharge completion signal, the flow shifts to step S21.

【0032】ステップS21では、搬送アーム制御部7
5から処理終了信号が来ているか否かを判断する。処理
終了信号がきていない場合にはステップS9に戻り、搬
送アーム制御部75に搬送指令を出力する。また処理終
了信号を受け付けた場合にはステップS22に移行す
る。ステップS22ではシャッタ30,31を閉じる。
そして、ステップS23で温調を終了する。
In step S21, the transfer arm controller 7
It is determined from step 5 whether a processing end signal has been received. If the processing end signal has not been received, the process returns to step S9, and outputs a transfer command to the transfer arm control unit 75. If a processing end signal has been received, the process proceeds to step S22. In step S22, the shutters 30 and 31 are closed.
Then, the temperature control ends in step S23.

【0033】ここでは、第1,第2ヒータ46,51を
第1,第2蒸気発生部9,2外に配置したので、熱交換
面積を大きくとることができ、効率良く温調することが
できる。このため処理時、非処理時を問わず第1,第2
ヒータ46,51の出口における処理液の温度を一定に
保持することができる。第1,第3容器15,35は、
深さが浅く貯留量が少ないので、第1容器15または第
3容器35内の処理液の熱容量は小さくなる。従って、
一定温度の処理液を定量循環供給することにより、気化
により失われる熱量と、供給する熱量との熱収支を容易
に一定に保持でき、処理中において処理液の温度を常に
一定に保つことができる。
Here, since the first and second heaters 46 and 51 are arranged outside the first and second steam generators 9 and 2, the heat exchange area can be increased and the temperature can be controlled efficiently. it can. For this reason, regardless of whether the processing is performed or not, the first and the second
The temperature of the processing liquid at the outlets of the heaters 46 and 51 can be kept constant. The first and third containers 15, 35
Since the depth is shallow and the storage amount is small, the heat capacity of the processing liquid in the first container 15 or the third container 35 is small. Therefore,
By quantitatively supplying the processing liquid at a constant temperature, the heat balance between the amount of heat lost by vaporization and the amount of heat to be supplied can be easily maintained constant, and the temperature of the processing liquid can be constantly maintained during processing. .

【0034】また、常に処理液を溢れさせているので、
処理液の液面の変動がなくなり、さらに処理中における
液温の変動が少なくなるので、蒸気の発生量が略一定と
なり、処理の連続性及び再現性の向上を図ることができ
る。さらに、2種の処理液の混合比率を任意に設定でき
るので、種々の処理内容に応じて最適な混合比率を得る
ことができる。
Further, since the processing liquid is always overflowed,
Fluctuations in the liquid level of the processing liquid are eliminated, and fluctuations in the liquid temperature during processing are reduced, so that the amount of generated steam is substantially constant, and continuity and reproducibility of the processing can be improved. Further, since the mixing ratio of the two processing solutions can be set arbitrarily, an optimum mixing ratio can be obtained according to various processing contents.

【0035】〔他の実施例〕 (a) 前記実施例では、HF蒸気とメチルアルコール
蒸気とを同時に供給して基板Wの表面における濡れ性の
向上を図ったが、第1処理液貯溜部3にHFとメチルア
ルコールとの混合液を貯溜するようにしてもよい。この
場合には、図6に示すように、空間21と蒸気空間25
とを連通する蒸気供給管79を設け、空間21に発生し
た蒸気を蒸気空間25に直接供給する構成としてもよ
い。この蒸気供給管79は、開閉弁80により自動的に
開閉される。
[Other Embodiments] (a) In the above embodiment, the HF vapor and the methyl alcohol vapor were simultaneously supplied to improve the wettability on the surface of the substrate W. May be stored in a liquid mixture of HF and methyl alcohol. In this case, as shown in FIG.
May be provided to directly supply the steam generated in the space 21 to the steam space 25. The steam supply pipe 79 is automatically opened and closed by an on-off valve 80.

【0036】このような構成においても前記実施例と同
様な効果を得ることができる。 (b) 先の実施例では、基板の処理時において、還流
経路47,52より供給経路45,50に処理液を直接
循環させているが、図7に示すように、処理液を還流経
路47,52より処理液貯溜部3,4に一旦戻し、再度
処理液貯溜部3,4より供給経路45,50に供給する
ようにしても良い。
With such a configuration, the same effect as in the above embodiment can be obtained. (B) In the above embodiment, the processing liquid is directly circulated from the return paths 47 and 52 to the supply paths 45 and 50 during the processing of the substrate. However, as shown in FIG. , 52, the processing liquid may be returned to the processing liquid storage units 3, 4, and then supplied again from the processing liquid storage units 3, 4 to the supply paths 45, 50.

【0037】このような構成とした場合には、温調を行
うべき処理液の容量は増加するが、図1に示す電磁弁V
1〜V4を省略することが可能となる。 (c) HFの代わりに他のハロゲン化水素を用いても
よい。また、メチルアルコールの代わりにエチルアルコ
ールやイソプロピルアルコール(IPA)等の表面張力
の小さな溶液を用いてもよい。 (d) HF蒸気とメチルアルコール蒸気とを同一タイ
ミングで供給する代わりに、窒素ガスの供給開始からメ
チルアルコールの温度が急激に低下を示す最初の時間
(たとえば20秒間)第2蒸気発生部2からメチルアル
コール蒸気のみを導入し、その後にメチルアルコール温
度安定時にHF蒸気とメチルアルコール蒸気とを混合し
て導入するようにしてもよい。
In such a configuration, the volume of the processing liquid to be temperature-controlled increases, but the solenoid valve V shown in FIG.
1 to V4 can be omitted. (C) Another hydrogen halide may be used instead of HF. Further, a solution having a small surface tension such as ethyl alcohol or isopropyl alcohol (IPA) may be used instead of methyl alcohol. (D) Instead of supplying the HF vapor and the methyl alcohol vapor at the same timing, the first time (for example, 20 seconds) at which the temperature of the methyl alcohol rapidly decreases from the start of the supply of the nitrogen gas (for example, 20 seconds). Only the methyl alcohol vapor may be introduced, and thereafter, when the methyl alcohol temperature is stabilized, the HF vapor and the methyl alcohol vapor may be mixed and introduced.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明に係る蒸気発生装置では、基板処
理液を循環させながら、処理液温度調整手段で処理液を
温度調整し、蒸気発生部で処理液を蒸発させるので、処
理時、非処理時にかかわらず処理液の液温が安定する。
この結果、基板処理の再現性が向上する。
In the steam generating apparatus according to the present invention, the temperature of the processing liquid is adjusted by the processing liquid temperature adjusting means while the substrate processing liquid is circulated, and the processing liquid is evaporated by the steam generating section. The temperature of the processing solution is stabilized regardless of the processing.
As a result, the reproducibility of the substrate processing is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を採用した基板処理装置の全
体ブロック図。
FIG. 1 is an overall block diagram of a substrate processing apparatus employing an embodiment of the present invention.

【図2】その基板処理部の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing unit.

【図3】その蒸気発生部の断面図。FIG. 3 is a sectional view of the steam generator.

【図4】その制御系のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of the control system.

【図5】その制御フローチャート。FIG. 5 is a control flowchart thereof.

【図6】他の実施例の図1に相当する図。FIG. 6 is a diagram corresponding to FIG. 1 of another embodiment.

【図7】他の実施例の図1に相当する図。FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 1 of another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理部 2,9 蒸気発生部 3,4 処理液貯溜部 45,50 供給経路 46,51 ヒータ 47,52 還流経路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing part 2, 9 Steam generation part 3, 4 Processing liquid storage part 45, 50 Supply path 46, 51 Heater 47, 52 Reflux path

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−348029(JP,A) 特開 平3−20735(JP,A) 特開 昭63−14433(JP,A) 特開 平3−80537(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-4-348029 (JP, A) JP-A-3-20735 (JP, A) JP-A-63-14433 (JP, A) JP-A-3-3 80537 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 21/304

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板処理液を貯溜する処理液貯溜部と、 基板処理液を溢れさせながら蒸発させて前記基板処理液
の蒸気を発生する蒸気発生部と、 前記処理液貯溜部に貯溜された基板処理液を前記蒸気発
生部へ供給する供給経路と、 前記供給経路の途中に設けられた処理液温度調整手段
と、 前記蒸気発生部で溢れた基板処理液を前記供給経路にお
ける処理液温度調整手段の上流または処理液貯溜部に還
流する還流経路と、 を備えた基板処理用蒸気発生装置。
A processing solution storage unit configured to store the substrate processing solution; a vapor generation unit configured to evaporate the substrate processing solution while overflowing the substrate processing solution to generate vapor of the substrate processing solution; A supply path for supplying the substrate processing liquid to the vapor generation section, a processing liquid temperature adjusting means provided in the middle of the supply path, and a processing liquid temperature adjustment for the substrate processing liquid overflowing in the vapor generation section in the supply path. A reflux path upstream of the means or a reflux path to a processing liquid storage section.
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