JP2895438B2 - 標準片の製造方法 - Google Patents
標準片の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高品質のバリアフ
ィルム（Ｂａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）をシリコンウエハ
ーの標準片上に堆積し、標準片上のホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（Ｐ
ＳＧ）フィルムのリン不純物濃度の安定度を維持する、
一種の、標準片（Ｇｏｌｄｅｎ Ｗａｆｅｒ）の製造方
法に関する。
ィルム（Ｂａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）をシリコンウエハ
ーの標準片上に堆積し、標準片上のホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（Ｐ
ＳＧ）フィルムのリン不純物濃度の安定度を維持する、
一種の、標準片（Ｇｏｌｄｅｎ Ｗａｆｅｒ）の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の高度集積化の結果、半導体ウ
エハーの表面に、起伏の平らでない地勢（Ｓｅｖｅｒｅ
Ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）が非常に形成されやすくな
り、特に、多層金属集積回路を製造する場合には、多層
の金属と絶縁層とを交互に堆積し、エッチングするた
め、嘴状の地勢が形成されるのを免れない。このような
地勢の形成は後続の製造工程に影響して不良な結果を発
生し、例えば、微影露出の焦点深度が深すぎて、フォト
レジスト影像を歪ませたり、或いはエッチング残留物
（Ｒｅｓｉｄｕｅｓ）を形成して金属線短絡（ｓｈｏｒ
ｔ）を発生する問題を招く。起伏の平らでない地形、地
勢を解決するのに使用される平坦化技術で現在あるもの
として、二酸化ケイ素フロー（ｆｌｏｗ）法或いはバイ
アススパタード二酸化ケイ素（Ｂｉａｓ Ｓｐｕｔｔｅ
ｒｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｄｉｏｘｉｄｅ）法などがあ
る。その中、二酸化ケイ素フロー法は、二酸化ケイ素中
にホウリン不純物或いはりん不純物を混合し、その後、
化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で、シリコン結晶上にホウ
リン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ：Ｂｏｒｏｎｐｈｏｓｐｈｏ
ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）或いはリンケイ酸塩ガ
ラス（ＰＳＧ：Ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌ
ａｓｓ）の絶縁層を形成し、この絶縁層の高温（約９０
０℃〜９３０℃）時に流動する性質により、地形、地勢
の平坦化の効果を達成するものである。このことから分
かるように、二酸化ケイ素フロー法を応用して地形、地
勢の平坦化を効果的に達成するには、ホウリン酸塩ガラ
ス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）の
不純物濃度を安定して維持しなければならず、言い換え
ると、それが不安定でり時間と共に濃度が下降すると平
坦化に不利となる。さらに、効果的に側壁子（Ｓｉｄｅ
Ｗａｌｌ Ｓｐａｃｅｒ）或いはその他の二酸化ケイ
素フローを必要としない製造工程時のエッチレート（Ｅ
ｔｃｈ ｒａｔｅ）を制御するためにも、ホウリン酸塩
ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）の不純物濃度を安定させることが要求される。
エハーの表面に、起伏の平らでない地勢（Ｓｅｖｅｒｅ
Ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）が非常に形成されやすくな
り、特に、多層金属集積回路を製造する場合には、多層
の金属と絶縁層とを交互に堆積し、エッチングするた
め、嘴状の地勢が形成されるのを免れない。このような
地勢の形成は後続の製造工程に影響して不良な結果を発
生し、例えば、微影露出の焦点深度が深すぎて、フォト
レジスト影像を歪ませたり、或いはエッチング残留物
（Ｒｅｓｉｄｕｅｓ）を形成して金属線短絡（ｓｈｏｒ
ｔ）を発生する問題を招く。起伏の平らでない地形、地
勢を解決するのに使用される平坦化技術で現在あるもの
として、二酸化ケイ素フロー（ｆｌｏｗ）法或いはバイ
アススパタード二酸化ケイ素（Ｂｉａｓ Ｓｐｕｔｔｅ
ｒｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｄｉｏｘｉｄｅ）法などがあ
る。その中、二酸化ケイ素フロー法は、二酸化ケイ素中
にホウリン不純物或いはりん不純物を混合し、その後、
化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で、シリコン結晶上にホウ
リン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ：Ｂｏｒｏｎｐｈｏｓｐｈｏ
ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）或いはリンケイ酸塩ガ
ラス（ＰＳＧ：Ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌ
ａｓｓ）の絶縁層を形成し、この絶縁層の高温（約９０
０℃〜９３０℃）時に流動する性質により、地形、地勢
の平坦化の効果を達成するものである。このことから分
かるように、二酸化ケイ素フロー法を応用して地形、地
勢の平坦化を効果的に達成するには、ホウリン酸塩ガラ
ス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）の
不純物濃度を安定して維持しなければならず、言い換え
ると、それが不安定でり時間と共に濃度が下降すると平
坦化に不利となる。さらに、効果的に側壁子（Ｓｉｄｅ
Ｗａｌｌ Ｓｐａｃｅｒ）或いはその他の二酸化ケイ
素フローを必要としない製造工程時のエッチレート（Ｅ
ｔｃｈ ｒａｔｅ）を制御するためにも、ホウリン酸塩
ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）の不純物濃度を安定させることが要求される。
【０００３】ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリ
ンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）濃度の安定性の高度集積化
した集積回路の地形、地勢平坦化に対する重要性を鑑
み、一般には、先ず標準片を製造し、その後にホウリン
酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（Ｐ
ＳＧ）の濃度測定を進行している。
ンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）濃度の安定性の高度集積化
した集積回路の地形、地勢平坦化に対する重要性を鑑
み、一般には、先ず標準片を製造し、その後にホウリン
酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（Ｐ
ＳＧ）の濃度測定を進行している。
【０００４】伝統的な標準片の製造工程は図１に示され
るように、（Ａ）まず、一つのシリコンウエハーを準備
し、（Ｂ）さらに化学気相成長法（ＣＶＤ）で一層のホ
ウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラ
ス（ＰＳＧ）絶縁層を上記シリコンウエハー上に堆積
し、その後、高温の加熱炉中でアニーリングを進行し、
（Ｃ）その後、その標準片を窒素ガス箱中に置き、ホウ
リン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス
（ＰＳＧ）の不純物濃度が時間と共に下降するのを防
ぐ、以上のステップを包括する。
るように、（Ａ）まず、一つのシリコンウエハーを準備
し、（Ｂ）さらに化学気相成長法（ＣＶＤ）で一層のホ
ウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラ
ス（ＰＳＧ）絶縁層を上記シリコンウエハー上に堆積
し、その後、高温の加熱炉中でアニーリングを進行し、
（Ｃ）その後、その標準片を窒素ガス箱中に置き、ホウ
リン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス
（ＰＳＧ）の不純物濃度が時間と共に下降するのを防
ぐ、以上のステップを包括する。
【０００５】伝統的な標準片の製造では、ホウリン酸塩
ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルムの不純物濃度を一定とするために標準片を
窒素ガス箱中に置いて必要があり、経済的ではなく、ま
た人為的なミスにより窒素ガス箱に入れるのを忘れたり
窒素ガスや水蒸気を注意深く窒素ガス箱内に入れないと
標準片を破壊する場合があった（即ち、標準片上のホウ
リン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス
（ＰＳＧ）絶縁層のキャリア濃度の下降を形成した）。
そのため人為的なミスを避けるためには、使用する標準
片を常に窒素ガス箱より取り出して大気中に露出しなけ
ればならず、そのためホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）
或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中の不純
物濃度の下降は免れなかった。
ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルムの不純物濃度を一定とするために標準片を
窒素ガス箱中に置いて必要があり、経済的ではなく、ま
た人為的なミスにより窒素ガス箱に入れるのを忘れたり
窒素ガスや水蒸気を注意深く窒素ガス箱内に入れないと
標準片を破壊する場合があった（即ち、標準片上のホウ
リン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス
（ＰＳＧ）絶縁層のキャリア濃度の下降を形成した）。
そのため人為的なミスを避けるためには、使用する標準
片を常に窒素ガス箱より取り出して大気中に露出しなけ
ればならず、そのためホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）
或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中の不純
物濃度の下降は免れなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の伝統的な標準片
の製造方法の有していた欠点を解決するために、本発明
は一種の経済的で、便利な標準片の製造方法を提供する
ことを課題とし、その方法は、高品質のバリアフィルム
（Ｂａｒｒｉｅｒ Ｆｉｌｍ）を標準片上に堆積して標
準片上のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）不純物濃度の安定性を維持する
のに用い、標準片を窒素ガス中に放置する必要をなく
し、即ち大気中に放置したままで標準片の品質を維持可
能とするものとする。
の製造方法の有していた欠点を解決するために、本発明
は一種の経済的で、便利な標準片の製造方法を提供する
ことを課題とし、その方法は、高品質のバリアフィルム
（Ｂａｒｒｉｅｒ Ｆｉｌｍ）を標準片上に堆積して標
準片上のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）不純物濃度の安定性を維持する
のに用い、標準片を窒素ガス中に放置する必要をなく
し、即ち大気中に放置したままで標準片の品質を維持可
能とするものとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、先
に、シリコンウエハーを準備し、その後、化学気相成長
法 （ＣＶＤ）を用いホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）
或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）をシリコンウエハ
ー上に堆積し、最後に、プラズマを利用して化学気相成
長法（ＣＶＤ）を補助して四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）フィルムをホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上に堆積し
てバリアフィルムとなし、標準片を完成する、標準片の
製造方法としている。
に、シリコンウエハーを準備し、その後、化学気相成長
法 （ＣＶＤ）を用いホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）
或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）をシリコンウエハ
ー上に堆積し、最後に、プラズマを利用して化学気相成
長法（ＣＶＤ）を補助して四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）フィルムをホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上に堆積し
てバリアフィルムとなし、標準片を完成する、標準片の
製造方法としている。
【０００８】請求項２の発明では、四窒化三ケイ素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）のバリアフィルムをプラズマを利用して化学
気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を補助して堆積している。
ｉ３Ｎ４）のバリアフィルムをプラズマを利用して化学
気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を補助して堆積している。
【０００９】請求項３の発明では、バリアフィルム堆積
時の反応温度を３００℃から５００℃程度としている。
時の反応温度を３００℃から５００℃程度としている。
【００１０】請求項４の発明では、バリアフィルム堆積
時の反応圧力を２から８ｔｏｒｒ程度としている。
時の反応圧力を２から８ｔｏｒｒ程度としている。
【００１１】請求項５の発明では、バリアフィルム堆積
時の反応気体をシラン（ＳｉＨ４）ガスを含むものと
し、このシランガスの気体流量は、２０〜６０ｓｃｃｍ
とし、さらにアンモニア（ＮＨ３）ガスを含むものと
し、このアンモニアガスの気体流量は、０〜８０ｓｃｃ
ｍとし、及び窒素（Ｎ２）ガスを含むものとし、この窒
素ガスの気体流量は、１０００〜３０００ｓｃｃｍとし
ている。
時の反応気体をシラン（ＳｉＨ４）ガスを含むものと
し、このシランガスの気体流量は、２０〜６０ｓｃｃｍ
とし、さらにアンモニア（ＮＨ３）ガスを含むものと
し、このアンモニアガスの気体流量は、０〜８０ｓｃｃ
ｍとし、及び窒素（Ｎ２）ガスを含むものとし、この窒
素ガスの気体流量は、１０００〜３０００ｓｃｃｍとし
ている。
【００１２】請求項６の発明では、バリアフィルム堆積
時の反応気体の射出周波数効率を１００〜５００ワット
程度としている。
時の反応気体の射出周波数効率を１００〜５００ワット
程度としている。
【００１３】請求項７の発明では、バリアフィルム堆積
時の反応気体射出口からシリコンウエハーの距離を約１
５０〜７５０ミル（ｍｉｌｓ）としている。
時の反応気体射出口からシリコンウエハーの距離を約１
５０〜７５０ミル（ｍｉｌｓ）としている。
【００１４】請求項８の発明では、ホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム上に堆積する四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）或いはその他のバリアフィルムの厚さを約５０
オングストローム以上としている。
（ＢＰＳＧ）フィルム或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム上に堆積する四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）或いはその他のバリアフィルムの厚さを約５０
オングストローム以上としている。
【００１５】請求項９の発明では、四窒化三ケイ素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）バリアフィルムに代えて窒化ケイ素（Ｓｉ
Ｎ）バリアフィルムを堆積している。
ｉ３Ｎ４）バリアフィルムに代えて窒化ケイ素（Ｓｉ
Ｎ）バリアフィルムを堆積している。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の方法は、（１）先に、シ
リコンウエハーを準備し、（２）その後、化学気相成長
法（ＣＶＤ）を用いホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）をシリコンウエハー
上に堆積し、（３）最後に、プラズマを利用して化学気
相成長法（ＣＶＤ）を補助して四窒化三ケイ素（Ｓｉ３
Ｎ４）フィルムをホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上に堆積し、
以上の（１）〜（３）のステップにより標準片を完成さ
せるものである。
リコンウエハーを準備し、（２）その後、化学気相成長
法（ＣＶＤ）を用いホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）をシリコンウエハー
上に堆積し、（３）最後に、プラズマを利用して化学気
相成長法（ＣＶＤ）を補助して四窒化三ケイ素（Ｓｉ３
Ｎ４）フィルムをホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上に堆積し、
以上の（１）〜（３）のステップにより標準片を完成さ
せるものである。
【００１７】本発明では、四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）フィルムの堆積をキーポイントステップとな
し、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの堆積では
プラズマを利用して化学気相成長法（ＣＶＤ）を補助
し、その使用条件は次のようである。即ち、反応温度は
３００℃から５００℃、反応圧力は２から８ｔｏｒｒ、
反応気体はシラン（ＳｉＨ４）ガス、アンモニア（ＮＨ
３）ガス、及び窒素（Ｎ２）ガスを含むものとし、その
中、各気体の流量は、それぞれ２０〜６０ｓｃｃｍ、０
〜８０ｓｃｃｍ及び１０００〜３０００ｓｃｃｍ、反応
気体の射出周波数効率は１００〜５００ワット、及び気
体射出口からシリコンウエハーの距離は約１５０〜７５
０ミル（１ｍｉｌ＝１／１０００センチメートル）とす
る。
３Ｎ４）フィルムの堆積をキーポイントステップとな
し、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの堆積では
プラズマを利用して化学気相成長法（ＣＶＤ）を補助
し、その使用条件は次のようである。即ち、反応温度は
３００℃から５００℃、反応圧力は２から８ｔｏｒｒ、
反応気体はシラン（ＳｉＨ４）ガス、アンモニア（ＮＨ
３）ガス、及び窒素（Ｎ２）ガスを含むものとし、その
中、各気体の流量は、それぞれ２０〜６０ｓｃｃｍ、０
〜８０ｓｃｃｍ及び１０００〜３０００ｓｃｃｍ、反応
気体の射出周波数効率は１００〜５００ワット、及び気
体射出口からシリコンウエハーの距離は約１５０〜７５
０ミル（１ｍｉｌ＝１／１０００センチメートル）とす
る。
【００１８】本発明ではさらに、四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）フィルムの厚さの違いをその運用手段のキーポ
イントとなし、即ち、先に各ホウリン酸塩ガラス（ＢＰ
ＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上
に異なる厚さの四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム
を堆積し、その後、蛍光エックス線分光計（ＸＲＦ：Ｘ
−ｒａｙ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｍｅｔｒｙ）或いはフーリエ変換赤外線分光計（ＦＴＩ
Ｒ：Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａ
ｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）などの測量機器で
そのホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸
塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中のホウ不純物或いはリン
不純物の、時間、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ムの厚さに伴う不純物の濃度百分率の下降を測定して、
それに基づきその標準片の標準値を算出し、後日にその
他の標準片の不純物濃度を合わせる作業に利用する。
３Ｎ４）フィルムの厚さの違いをその運用手段のキーポ
イントとなし、即ち、先に各ホウリン酸塩ガラス（ＢＰ
ＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上
に異なる厚さの四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム
を堆積し、その後、蛍光エックス線分光計（ＸＲＦ：Ｘ
−ｒａｙ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｍｅｔｒｙ）或いはフーリエ変換赤外線分光計（ＦＴＩ
Ｒ：Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａ
ｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）などの測量機器で
そのホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸
塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中のホウ不純物或いはリン
不純物の、時間、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ムの厚さに伴う不純物の濃度百分率の下降を測定して、
それに基づきその標準片の標準値を算出し、後日にその
他の標準片の不純物濃度を合わせる作業に利用する。
【００１９】本発明の方法により製造した標準片は以下
のような優れた点を有する。即ち、（１）簡単に得ら
れ、（２）必要な設備を減少し、窒素ガス箱を設ける必
要がなく、（３）標準片上に一つの保護膜を形成したこ
とで、標準片上のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）の不純物濃度を安定さ
せるほか、その他の微粒子による汚染を阻止し、（４）
従来のものより便利な製造方法であり商品競争力を増加
する。
のような優れた点を有する。即ち、（１）簡単に得ら
れ、（２）必要な設備を減少し、窒素ガス箱を設ける必
要がなく、（３）標準片上に一つの保護膜を形成したこ
とで、標準片上のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）の不純物濃度を安定さ
せるほか、その他の微粒子による汚染を阻止し、（４）
従来のものより便利な製造方法であり商品競争力を増加
する。
【００２０】
【実施例】図２に示されるように、本発明では伝統的な
標準片の製造方法と同様、先に一つのシリコンウエハー
１を提供する（Ａの如く）。その後、化学気相成長法
（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）を応用してホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フ
ィルムをシリコンウエハー１上に堆積する（Ｂの如
く）。続いて、プラズマを利用して化学気相成長法によ
る堆積を補助し四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム
３或いは窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィルムをホウリン酸塩
ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラ
ス（ＰＳＧ）フィルム上に堆積する（Ｃの如く）。その
中、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム３堆積の反
応条件は次のようである。即ち、反応温度は３００℃か
ら５００℃、反応圧力は２から８ｔｏｒｒ、反応気体及
びその気体流量は、それぞれシラン（ＳｉＨ４）ガス、
その気体流量２０〜６０ｓｃｃｍ、及びアンモニア（Ｎ
Ｈ３）ガス、その気体流量０〜８０ｓｃｃｍ、及び窒素
（Ｎ２）ガス、その気体流量１０００〜３０００ｓｃｃ
ｍとし、反応気体の射出周波数効率は１００〜５００ワ
ット程度とし、気体射出口からシリコンウエハーの距離
は約１５０〜７５０ミル（ｍｉｌｓ）程度とする。以上
の反応条件により四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ム３のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上への堆積を
完成する。この四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム
３の厚さは５０オングストローム以上とする。もう一つ
の方式は窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィルムを堆積するもの
とし、その反応条件は以下のとおりである。即ち、反応
温度は３００℃から５００℃、反応圧力は２から８ｔｏ
ｒｒ、反応気体及びその気体流量は、それぞれシラン
（ＳｉＨ４）ガス、その気体流量２０〜６０ｓｃｃｍ、
及びアンモニア（ＮＨ３）ガス、その気体流量０〜８０
ｓｃｃｍ、及び窒素（Ｎ２）ガス、その気体流量１００
０〜３０００ｓｃｃｍとし、反応気体の射出周波数効率
は１００〜５００ワット程度とし、気体射出口からシリ
コンウエハーの距離は約１５０〜７５０ミル（ｍｉｌ
ｓ）程度とする。以上の反応条件により窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）フィルムのホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィ
ルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上
への堆積を完成する。この窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィル
ムの厚さは５０オングストローム以上とする。
標準片の製造方法と同様、先に一つのシリコンウエハー
１を提供する（Ａの如く）。その後、化学気相成長法
（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）を応用してホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フ
ィルムをシリコンウエハー１上に堆積する（Ｂの如
く）。続いて、プラズマを利用して化学気相成長法によ
る堆積を補助し四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム
３或いは窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィルムをホウリン酸塩
ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラ
ス（ＰＳＧ）フィルム上に堆積する（Ｃの如く）。その
中、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム３堆積の反
応条件は次のようである。即ち、反応温度は３００℃か
ら５００℃、反応圧力は２から８ｔｏｒｒ、反応気体及
びその気体流量は、それぞれシラン（ＳｉＨ４）ガス、
その気体流量２０〜６０ｓｃｃｍ、及びアンモニア（Ｎ
Ｈ３）ガス、その気体流量０〜８０ｓｃｃｍ、及び窒素
（Ｎ２）ガス、その気体流量１０００〜３０００ｓｃｃ
ｍとし、反応気体の射出周波数効率は１００〜５００ワ
ット程度とし、気体射出口からシリコンウエハーの距離
は約１５０〜７５０ミル（ｍｉｌｓ）程度とする。以上
の反応条件により四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ム３のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上への堆積を
完成する。この四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム
３の厚さは５０オングストローム以上とする。もう一つ
の方式は窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィルムを堆積するもの
とし、その反応条件は以下のとおりである。即ち、反応
温度は３００℃から５００℃、反応圧力は２から８ｔｏ
ｒｒ、反応気体及びその気体流量は、それぞれシラン
（ＳｉＨ４）ガス、その気体流量２０〜６０ｓｃｃｍ、
及びアンモニア（ＮＨ３）ガス、その気体流量０〜８０
ｓｃｃｍ、及び窒素（Ｎ２）ガス、その気体流量１００
０〜３０００ｓｃｃｍとし、反応気体の射出周波数効率
は１００〜５００ワット程度とし、気体射出口からシリ
コンウエハーの距離は約１５０〜７５０ミル（ｍｉｌ
ｓ）程度とする。以上の反応条件により窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）フィルムのホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィ
ルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上
への堆積を完成する。この窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィル
ムの厚さは５０オングストローム以上とする。
【００２１】図３は、本発明の測量機器を用いた異なる
厚さのバリアフィルムのホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フ
ィルムに対する不純物濃度測定を示す。これを簡単に説
明すると、本測量機器の有効測定深度は窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）フィルムの厚さが増加するにつれて減少し、この
ためバリアフィルム３の厚さが厚いものに対しては、ホ
ウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルムに対する不純物濃度測
定の有効深度ｄ１は比較的浅く、反対に、バリアフィル
ム３の厚さが薄いものに対しては、ホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（Ｐ
ＳＧ）フィルムに対する不純物濃度測定の有効深度ｄ２
は比較的深くなる。ゆえに、測定した不純物濃度と時間
の関数曲線図中、同一曲線（バリアフィルム厚さが一
定）より不純物濃度が安定しているか否かを比較するこ
とができるが、異なる曲線（バリアフィルムの厚さが異
なる）では、直接測定値から相互間の濃度百分率を比較
して出すことはできない。
厚さのバリアフィルムのホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳ
Ｇ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フ
ィルムに対する不純物濃度測定を示す。これを簡単に説
明すると、本測量機器の有効測定深度は窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）フィルムの厚さが増加するにつれて減少し、この
ためバリアフィルム３の厚さが厚いものに対しては、ホ
ウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルムに対する不純物濃度測
定の有効深度ｄ１は比較的浅く、反対に、バリアフィル
ム３の厚さが薄いものに対しては、ホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリンケイ酸塩ガラス（Ｐ
ＳＧ）フィルムに対する不純物濃度測定の有効深度ｄ２
は比較的深くなる。ゆえに、測定した不純物濃度と時間
の関数曲線図中、同一曲線（バリアフィルム厚さが一
定）より不純物濃度が安定しているか否かを比較するこ
とができるが、異なる曲線（バリアフィルムの厚さが異
なる）では、直接測定値から相互間の濃度百分率を比較
して出すことはできない。
【００２２】図４は、異なる厚さの四窒化三ケイ素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム３）を堆積した標
準片と、堆積していないものとの、リン不純物の濃度の
時間に伴う下降の変化を比較して表した図である。図４
中の横軸は時間軸（単位は時間）で、標準片の製造完成
から測定までの時間の変化値を表示し、縦軸はリン不純
物濃度軸（単位は任意）で、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム中のリン不純物濃度の変化値を示す。この
ほか、図中の、異なる記号はそれぞれバリアフィルム
（例えば四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４））が異なる厚さ
の場合の値を示す。例えば、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム上に堆積した四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）の厚さを、５０オングストローム、１００オン
グストローム、１５０オングストローム、２００オング
ストローム、２５０オングストローム、或いは四窒化三
ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムを堆積しないもの（即ち
四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の厚さが０オングストロ
ーム）とし、その中、図中の‘○’記号はリンケイ酸塩
ガラス（ＰＳＧ）フィルム上の四窒化三ケイ素（Ｓｉ３
Ｎ４）フィルムの厚さが５０オングストローム、‘△’
記号は四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さが
１００オングストローム、‘◆’記号は四窒化三ケイ素
（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さが１５０オングストロー
ム、‘★’記号は四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ムの厚さが２００オングストローム、‘□’記号は四窒
化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さが２５０オン
グストローム、‘●’記号は四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ
４）フィルムの厚さが０オングストロームである場合を
代表し、図より分かるように、標準片の最も上層に四窒
化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のバリアフィルムがない場
合、即ち四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さ
が０である場合には、空気中に放置した標準片のリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物濃度は、時間の経
過と共に不断に下降する。これに対し、標準片上に一層
のバリアフィルムを堆積したものでは、リン不純物濃度
は非常に安定し、時間の経過に伴い変化しない。図５
は、標準片上に堆積した四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）
フィルム（バリアフィルム）の厚さと標準片中のリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物の下降程度の関係
図であり、図５に示されるように、その不純物濃度下降
程度とバリアフィルム厚度の関係は、一つの略線性の関
係を呈し、即ち、バリアフィルムの厚さが増すほど、リ
ンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物濃度の有効測
定深度は浅くなり、相対的に測定して得られる濃度は小
さくなる。反対に、バリアフィルムが薄くなるほど、リ
ンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物濃度の有効測
定深度は深くなり、相対的に測定して得られる濃度は大
きくなる。且つその関係式は一つの線性となる。ゆえ
に、図４と図５から、以下の結論が導かれる。 （１）本発明のバリアフィルムを堆積する方法により、
標準片のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中の不純物
濃度の安定性を保持でき、且つバリアフィルムの厚さは
ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリン
ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルムの不純物濃度の安定
性に対する敏感因子とはならない。 （２）不純物濃度の下降程度とバリアフィルムの厚さは
一つの線性の関係を呈するため、後日の標準参考数字デ
ータとなり、即ち、バリアフィルムの厚さを測定すれ
ば、対応する不純物濃度の下降程度を算出することがで
き、再度不純物濃度を測定するのにかかる時間と費用を
節約することができる。
ｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム３）を堆積した標
準片と、堆積していないものとの、リン不純物の濃度の
時間に伴う下降の変化を比較して表した図である。図４
中の横軸は時間軸（単位は時間）で、標準片の製造完成
から測定までの時間の変化値を表示し、縦軸はリン不純
物濃度軸（単位は任意）で、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム中のリン不純物濃度の変化値を示す。この
ほか、図中の、異なる記号はそれぞれバリアフィルム
（例えば四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４））が異なる厚さ
の場合の値を示す。例えば、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム上に堆積した四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）の厚さを、５０オングストローム、１００オン
グストローム、１５０オングストローム、２００オング
ストローム、２５０オングストローム、或いは四窒化三
ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムを堆積しないもの（即ち
四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の厚さが０オングストロ
ーム）とし、その中、図中の‘○’記号はリンケイ酸塩
ガラス（ＰＳＧ）フィルム上の四窒化三ケイ素（Ｓｉ３
Ｎ４）フィルムの厚さが５０オングストローム、‘△’
記号は四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さが
１００オングストローム、‘◆’記号は四窒化三ケイ素
（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さが１５０オングストロー
ム、‘★’記号は四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ムの厚さが２００オングストローム、‘□’記号は四窒
化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さが２５０オン
グストローム、‘●’記号は四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ
４）フィルムの厚さが０オングストロームである場合を
代表し、図より分かるように、標準片の最も上層に四窒
化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のバリアフィルムがない場
合、即ち四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムの厚さ
が０である場合には、空気中に放置した標準片のリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物濃度は、時間の経
過と共に不断に下降する。これに対し、標準片上に一層
のバリアフィルムを堆積したものでは、リン不純物濃度
は非常に安定し、時間の経過に伴い変化しない。図５
は、標準片上に堆積した四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）
フィルム（バリアフィルム）の厚さと標準片中のリンケ
イ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物の下降程度の関係
図であり、図５に示されるように、その不純物濃度下降
程度とバリアフィルム厚度の関係は、一つの略線性の関
係を呈し、即ち、バリアフィルムの厚さが増すほど、リ
ンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物濃度の有効測
定深度は浅くなり、相対的に測定して得られる濃度は小
さくなる。反対に、バリアフィルムが薄くなるほど、リ
ンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリン不純物濃度の有効測
定深度は深くなり、相対的に測定して得られる濃度は大
きくなる。且つその関係式は一つの線性となる。ゆえ
に、図４と図５から、以下の結論が導かれる。 （１）本発明のバリアフィルムを堆積する方法により、
標準片のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中の不純物
濃度の安定性を保持でき、且つバリアフィルムの厚さは
ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリン
ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルムの不純物濃度の安定
性に対する敏感因子とはならない。 （２）不純物濃度の下降程度とバリアフィルムの厚さは
一つの線性の関係を呈するため、後日の標準参考数字デ
ータとなり、即ち、バリアフィルムの厚さを測定すれ
ば、対応する不純物濃度の下降程度を算出することがで
き、再度不純物濃度を測定するのにかかる時間と費用を
節約することができる。
【００２３】図６は、異なる厚さの四窒化三ケイ素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム３）を堆積した標
準片と四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムを堆積し
ていない標準片中のホウ素イオン不純物濃度の時間に伴
う下降変化の関係比較図である。その中、横軸は時間軸
（単位は時間）で、縦軸はホウ素不純物濃度軸であり、
単位は任意とする。該図より分かるように、ホウリン酸
塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム上に四窒化三ケイ素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）を堆積していな
い標準片では、ホウ素イオン不純物濃度は時間の経過と
共に下降するが、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ム（バリアフィルム）を堆積したものでは、そのホウ素
イオン不純物濃度は安定を保持する。さらに図７の、異
なる厚さの四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バ
リアフィルム）を形成した標準片の、ホウリン酸塩ガラ
ス（ＢＰＳＧ）フィルム中のホウ素イオン不純物濃度下
降程度関係図に示されるように、不純物濃度の下降程度
とバリアフィルムの厚さの関係はほぼ一つの線性関係を
呈し、ゆえに、ここでも図４について上述したことが証
明され、並びに図４から得られた結論が証明される。
ｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム３）を堆積した標
準片と四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムを堆積し
ていない標準片中のホウ素イオン不純物濃度の時間に伴
う下降変化の関係比較図である。その中、横軸は時間軸
（単位は時間）で、縦軸はホウ素不純物濃度軸であり、
単位は任意とする。該図より分かるように、ホウリン酸
塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム上に四窒化三ケイ素（Ｓ
ｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）を堆積していな
い標準片では、ホウ素イオン不純物濃度は時間の経過と
共に下降するが、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィル
ム（バリアフィルム）を堆積したものでは、そのホウ素
イオン不純物濃度は安定を保持する。さらに図７の、異
なる厚さの四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バ
リアフィルム）を形成した標準片の、ホウリン酸塩ガラ
ス（ＢＰＳＧ）フィルム中のホウ素イオン不純物濃度下
降程度関係図に示されるように、不純物濃度の下降程度
とバリアフィルムの厚さの関係はほぼ一つの線性関係を
呈し、ゆえに、ここでも図４について上述したことが証
明され、並びに図４から得られた結論が証明される。
【００２４】図８は、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）中
のリン不純物の百分率濃度と、水素ホスフィン（Ｐ
Ｈ３）ガスの流量変化の関係図であり、図中の‘◆’記
号は標準片上にバリアフィルムがないもの、‘◇’記号
は標準片上にバリアフィルムがあるものを代表する。該
図より分かるように、標準片上にバリアフィルムがない
ものでは、そのリン不純物百分率濃度はホスフィン（Ｐ
Ｈ３）ガスの流量とほぼ一つの線性の関係を呈し、ホス
フィン（ＰＨ３）ガスの流量が大きくなるほど、相対的
にリン不純物百分率濃度も大きくなる。このほか、標準
片上にバリアフィルムがあるものとないものの間では、
リン不純物百分率濃度のホスフィン（ＰＨ３）ガスの流
量に対する値は、ほぼ一定値異なる。
のリン不純物の百分率濃度と、水素ホスフィン（Ｐ
Ｈ３）ガスの流量変化の関係図であり、図中の‘◆’記
号は標準片上にバリアフィルムがないもの、‘◇’記号
は標準片上にバリアフィルムがあるものを代表する。該
図より分かるように、標準片上にバリアフィルムがない
ものでは、そのリン不純物百分率濃度はホスフィン（Ｐ
Ｈ３）ガスの流量とほぼ一つの線性の関係を呈し、ホス
フィン（ＰＨ３）ガスの流量が大きくなるほど、相対的
にリン不純物百分率濃度も大きくなる。このほか、標準
片上にバリアフィルムがあるものとないものの間では、
リン不純物百分率濃度のホスフィン（ＰＨ３）ガスの流
量に対する値は、ほぼ一定値異なる。
【００２５】
【発明の効果】本発明ほ方法で製造した標準片は、
（１）簡単に得られ、（２）必要な設備を減少し、窒素
ガス箱を設ける必要がなく、（３）標準片上に一つの保
護膜を形成したことで、標準片上のホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）の不
純物濃度を安定させるほか、その他の微粒子による汚染
を阻止し、（４）従来のものより便利な製造方法であり
商品競争力を増加する、という優れた点を有し、そのほ
か、 （１）本発明のバリアフィルムを堆積する方法により、
標準片のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中の不純物
濃度の安定性を保持でき、且つバリアフィルムの厚さは
ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリン
ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルムの不純物濃度の安定
性に対する敏感要因とはならない。 （２）不純物濃度の下降程度とバリアフィルムの厚さは
一つの線性の関係を呈するため、後日の標準参考数字デ
ータとなり、即ち、バリアフィルムの厚さを測定すれ
ば、対応する不純物濃度の下降程度を算出することがで
き、再度不純物濃度を測定するのにかかる時間と費用を
節約することができる。
（１）簡単に得られ、（２）必要な設備を減少し、窒素
ガス箱を設ける必要がなく、（３）標準片上に一つの保
護膜を形成したことで、標準片上のホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）の不
純物濃度を安定させるほか、その他の微粒子による汚染
を阻止し、（４）従来のものより便利な製造方法であり
商品競争力を増加する、という優れた点を有し、そのほ
か、 （１）本発明のバリアフィルムを堆積する方法により、
標準片のホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或
いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム中の不純物
濃度の安定性を保持でき、且つバリアフィルムの厚さは
ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム２或いはリン
ケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルムの不純物濃度の安定
性に対する敏感要因とはならない。 （２）不純物濃度の下降程度とバリアフィルムの厚さは
一つの線性の関係を呈するため、後日の標準参考数字デ
ータとなり、即ち、バリアフィルムの厚さを測定すれ
ば、対応する不純物濃度の下降程度を算出することがで
き、再度不純物濃度を測定するのにかかる時間と費用を
節約することができる。
【図１】伝統的な標準片の製造工程表示図である。
【図２】本発明の標準片の製造工程表示図である。
【図３】本発明の、測量機器を用いた異なる厚さのバリ
アフィルムを有する標準片に対するホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム中の不純物濃度測定説明図である。
アフィルムを有する標準片に対するホウリン酸塩ガラス
（ＢＰＳＧ）フィルム或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳ
Ｇ）フィルム中の不純物濃度測定説明図である。
【図４】本発明の方法により製造した、異なる厚さの四
窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム
３）を堆積した標準片と、堆積していないものとの、リ
ン不純物の濃度の時間に伴う下降変化の比較図である。
窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム
３）を堆積した標準片と、堆積していないものとの、リ
ン不純物の濃度の時間に伴う下降変化の比較図である。
【図５】本発明により製造した標準片上に堆積した四窒
化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）
の厚さと標準片中のリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリ
ン不純物の下降程度の関係図である。
化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）
の厚さと標準片中のリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）のリ
ン不純物の下降程度の関係図である。
【図６】本発明の方法による異なる厚さの四窒化三ケイ
素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）を堆積し
た標準片と四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムを堆
積していない標準片中のホウ素イオン不純物濃度の時間
に伴う下降変化の関係比較図である。
素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）を堆積し
た標準片と四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムを堆
積していない標準片中のホウ素イオン不純物濃度の時間
に伴う下降変化の関係比較図である。
【図７】本発明の方法による異なる厚さの四窒化三ケイ
素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）を形成し
た標準片と、ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム
中のホウ素イオン不純物濃度下降程度との関係表示図で
ある。
素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルム（バリアフィルム）を形成し
た標準片と、ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム
中のホウ素イオン不純物濃度下降程度との関係表示図で
ある。
【図８】本発明の方法による標準片の、リンケイ酸塩ガ
ラス（ＰＳＧ）中のリン不純物の百分率濃度と、水素ホ
スフィン（ＰＨ３）ガスの流量との関係図である。
ラス（ＰＳＧ）中のリン不純物の百分率濃度と、水素ホ
スフィン（ＰＨ３）ガスの流量との関係図である。
１・・・シリコンウエハー ２・・・ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィルム或い
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム ３・・・バリアフィルム（四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）フィルム或いは窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィル
ム）
はリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム ３・・・バリアフィルム（四窒化三ケイ素（Ｓｉ
３Ｎ４）フィルム或いは窒化ケイ素（ＳｉＮ）フィル
ム）
Claims (8)
- 【請求項１】 先に、シリコンウエハーを準備し、その
後、化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いホウリン酸塩ガラ
ス（ＢＰＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）を
シリコンウエハー上に堆積し、最後に、プラズマを利用
して化学気相成長法（ＣＶＤ）を補助して四窒化三ケイ
素（Ｓｉ３Ｎ４）フィルムをホウリン酸塩ガラス（ＢＰ
ＳＧ）或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上
に堆積してバリアフィルムとなして標準片（Ｇｏｌｄｅ
ｎ Ｗａｆｅｒ）を完成する、標準片の製造方法。 - 【請求項２】 バリアフィルム堆積時の反応温度は３０
０℃から５００℃程度とする、請求項１に記載の標準片
の製造方法。 - 【請求項３】 バリアフィルム堆積時の反応圧力は２か
ら８ｔｏｒｒ程度とする、請求項１に記載の標準片の製
造方法。 - 【請求項４】 バリアフィルム堆積時の反応気体はシラ
ン（ＳｉＨ４）ガスを含むものとし、このシランガスの
気体流量は、２０〜６０ｓｃｃｍとし、さらにアンモニ
ア（ＮＨ３）ガスを含むものとし、このアンモニアガス
の気体流量は、０〜８０ｓｃｃｍとし、及び窒素
（Ｎ２）ガスを含むものとし、この窒素ガスの気体流量
は、１０００〜３０００ｓｃｃｍとする、請求項１に記
載の標準片の製造方法。 - 【請求項５】 バリアフィルム堆積時の反応気体の射出
周波数効率は１００〜５００ワット程度とする、請求項
１に記載の標準片の製造方法。 - 【請求項６】 バリアフィルム堆積時の反応気体射出口
からシリコンウエハーの距離は約１５０〜７５０ミル
（ｍｉｌｓ）とする、請求項１に記載の標準片の製造方
法。 - 【請求項７】 ホウリン酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）フィル
ム或いはリンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）フィルム上に堆
積する四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の厚さは約５０オ
ングストローム以上とする、請求項１に記載の標準片の
製造方法。 - 【請求項８】 四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）バリアフ
ィルムに代えて窒化ケイ素（ＳｉＮ）バリアフィルムを
堆積する、請求項１に記載の標準片の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9458796A JP2895438B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 標準片の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9458796A JP2895438B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 標準片の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246338A JPH09246338A (ja) | 1997-09-19 |
| JP2895438B2 true JP2895438B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=14114418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9458796A Expired - Fee Related JP2895438B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 標準片の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2895438B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115513313B (zh) * | 2022-09-27 | 2025-10-21 | 英利能源发展有限公司 | 一种单面制绒的单晶硅片和TOPCon电池片的制备方法 |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP9458796A patent/JP2895438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246338A (ja) | 1997-09-19 |
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