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JP2901311B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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JP2901311B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP2901311B2
JP2901311B2 JP2116588A JP11658890A JP2901311B2 JP 2901311 B2 JP2901311 B2 JP 2901311B2 JP 2116588 A JP2116588 A JP 2116588A JP 11658890 A JP11658890 A JP 11658890A JP 2901311 B2 JP2901311 B2 JP 2901311B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に利用され、特に、チップの
一部機能を実現する半導体集積回路の構成法を改善した
半導体集積回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit which is used in a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an improved semiconductor integrated circuit which realizes a partial function of a chip.

〔概要〕〔Overview〕

本発明は、半導体チップ上に形成された複数の回路ブ
ロックを備えた半導体集積回路において、 回路ブロックに、自回路ブロックの内部回路と他回路
ブロックとを接続する位置にスルーホールを設けること
により、 チップの小型化を図ったものである。
The present invention provides a semiconductor integrated circuit having a plurality of circuit blocks formed on a semiconductor chip, wherein a through hole is provided in the circuit block at a position connecting the internal circuit of the own circuit block to another circuit block. This is to reduce the size of the chip.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年のLSI(大規模集積回路)の設計の主流の一つに
セルベース設計方式がある。本方式を第3図のチップの
レイアウト図を用いて説明する。全体回路機能の一部機
能を実現する部分的な回路ブロック(以下、セルとい
う。)11をあらかじめ設計しておく。そして、このセル
11とセル外とを接続するセル内部配線のセル外形との接
点をセル端子14とする。全体回路を構成するために必要
なセル12および13をチップ10上に配置した後、セル端子
14と15との間に必要なセル間配線16を施す。
One of the mainstream designs of LSIs (large-scale integrated circuits) in recent years is a cell-based design method. This method will be described with reference to the chip layout diagram of FIG. A partial circuit block (hereinafter, referred to as a cell) 11 that realizes a part of the entire circuit function is designed in advance. And this cell
The contact between the cell outer wiring of the cell internal wiring connecting the cell 11 and the outside of the cell is referred to as a cell terminal 14. After arranging the cells 12 and 13 necessary for forming the entire circuit on the chip 10, the cell terminals
A necessary inter-cell wiring 16 is provided between 14 and 15.

従来のセルの実現方法は人手によるか、計算機による
かを問わず、セル端子14の層(マスク層に対応)は可能
な層のうちの一層に限られていた。例えば、2層配線の
場合、セル端子14の層は第一配線層か第二配線層のいず
れか一方に限られていた。
Regardless of whether a conventional cell is realized by a manual method or a computer, the layer of the cell terminal 14 (corresponding to the mask layer) is limited to one of the possible layers. For example, in the case of a two-layer wiring, the layer of the cell terminal 14 is limited to either the first wiring layer or the second wiring layer.

ところで、チップ寸法を最小にするために、セル間配
線16を最も効率よく行うためには、チップ全面で、例え
ば第一層は横方向、第二層は縦方向に配線することが望
ましいと言われている。特に、計算機による自動設計を
行う際にはその効果は顕著である。従って、第4図
(a)に示すように、セル21の上下辺に置かれるセル端
子24は第二層、左右辺に置かれるセル端子25は第一層と
なるように従来のセル設計は行われてきた。
By the way, in order to perform the inter-cell wiring 16 most efficiently in order to minimize the chip size, it is preferable that the first layer be wired in the horizontal direction and the second layer be wired in the vertical direction, for example, over the entire surface of the chip. Have been done. In particular, the effect is remarkable when performing automatic design by a computer. Therefore, as shown in FIG. 4A, the conventional cell design is such that the cell terminals 24 placed on the upper and lower sides of the cell 21 are the second layer, and the cell terminals 25 placed on the left and right sides are the first layer. Has been done.

しかし、チップ設計時にセルの向きを90度回転した方
がチップ寸法を大幅に縮小可能となることが非常に多
い。この場合、第4図(b)に示すように、セル端子24
および25の位置からそれぞれ配線26aおよび27aを引き出
し、かつスルーホール35および36を設置し、スルーホー
ル34および33を介しそれぞれ第二層配線32および第一層
配線31と接続することが必要となり、配線に必要な面積
を増大させ、結果としてチップ面積を増加させる。
However, in many cases, rotating the direction of the cell by 90 degrees at the time of chip design can significantly reduce the chip size. In this case, as shown in FIG.
It is necessary to draw out the wirings 26a and 27a from the positions of and 25, and install through holes 35 and 36, respectively, and connect with the second layer wiring 32 and the first layer wiring 31 through the through holes 34 and 33, respectively. The area required for wiring is increased, and as a result, the chip area is increased.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

前述した従来の半導体集積回路におけるセル設計法
は、セルの端子層をただ1層に限っているため、チップ
寸法を縮小するためにセルを回転して配置するとかえっ
てチップ寸法が増加する欠点がある。
In the above-described conventional cell design method for a semiconductor integrated circuit, since the terminal layer of the cell is limited to only one layer, there is a disadvantage that the chip size is increased rather than rotating the cell to reduce the chip size. .

本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、
セルを任意の方向に配置しても配線のための余分な面積
を必要とせず、チップを小型化できる半導体集積回路を
提供することにある。
The object of the present invention is to eliminate the disadvantages mentioned above,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit which does not require an extra area for wiring even if cells are arranged in an arbitrary direction and can reduce a chip size.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

半導体チップ上に形成された複数の回路ブロックと多
層配線とを備えた半導体集積回路において、前記回路ブ
ロックは、自回路ブロックと他回路ブロックとを接続す
る端子にいずれの配線層にも接続可能なスルーホールを
有し、前記多層配線のうちのいずれかの配線は、前記端
子と対向する位置にいずれの配線層にも接続可能なスル
ーホールを有し、前記端子と前記配線とは、それぞれ前
記スルーホールを介し、かつ前記端子と前記配線との間
を横断する配線の配線層とは異なる配線層の配線によっ
て接続されたことを特徴とする。
In a semiconductor integrated circuit having a plurality of circuit blocks formed on a semiconductor chip and multilayer wiring, the circuit block can be connected to any wiring layer at a terminal connecting the own circuit block and another circuit block. Having a through hole, one of the multilayer wirings has a through hole connectable to any wiring layer at a position facing the terminal, and the terminal and the wiring are respectively The semiconductor device is characterized by being connected by a wiring of a wiring layer different from a wiring layer of a wiring traversing between the terminal and the wiring via a through hole.

〔作用〕[Action]

セルには他セルとの接続位置にスルーホールが設けら
れているので、このスルーホールを介して所望の層配線
と接続することが可能となる。
Since the cell is provided with a through hole at a connection position with another cell, it is possible to connect to a desired layer wiring through the through hole.

従って、余分なスルーホールやそのための配線が不要
となり、セルを任意の方向に配置してもセル面積の増加
を必要とせず、結果としてチップの小型化ができる。
This eliminates the need for extra through-holes and wiring for it, and does not require an increase in cell area even if cells are arranged in any direction, resulting in a smaller chip.

さらに、所望の各層配線の前記セルのスルーホールに
対向した位置にスルーホールを設けることにより、配線
は最短となり、よりチップの小型化を図ることができ
る。
Further, by providing through holes at positions of desired layer wirings facing the through holes of the cells, the wiring can be minimized, and the chip can be further downsized.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第一実施例の要部を示すチップのレ
イアウト図で、一つのセルを取り出して示したものであ
る。
FIG. 1 is a layout diagram of a chip showing a main part of a first embodiment of the present invention, in which one cell is taken out and shown.

本第一実施例のセル1は、本発明の特徴とするところ
の、セル内部回路2と他セルとを接続するセル外周上の
位置に設けられたスルーホール4および5を有してい
る。そして、スルーホール4および5はセル内部配線3
によりセル内部回路2に接続される。ここで、スルーホ
ール4および5の位置はセル内部配線3とセル外周の交
点として定められる。
The cell 1 according to the first embodiment has through-holes 4 and 5 provided at positions on the outer periphery of the cell connecting the cell internal circuit 2 and other cells, which is a feature of the present invention. The through holes 4 and 5 correspond to the cell internal wiring 3.
Is connected to the cell internal circuit 2. Here, the positions of the through holes 4 and 5 are determined as intersections between the cell internal wiring 3 and the outer periphery of the cell.

第2図(a)および(b)は、本発明の第二実施例の
要部を示すチップのレイアウト図で、前記第一実施例の
構成を有するセルを用いて実際に配線を施す場合の例を
示したものであり、第2図(a)はセルの長辺を第一層
配線と平行に配置した場合を示し、第2図(b)はセル
の長辺を第二層配線と平行に配置した場合を示す。
FIGS. 2 (a) and 2 (b) are chip layout diagrams showing main parts of a second embodiment of the present invention, in which wiring is actually performed using cells having the configuration of the first embodiment. FIG. 2 (a) shows an example in which the long side of the cell is arranged parallel to the first layer wiring, and FIG. 2 (b) shows the case where the long side of the cell is aligned with the second layer wiring. The case where they are arranged in parallel is shown.

第2図(a)においては、セル1のスルーホール4
は、スルーホール4と対向して第一層配線31上に設けら
れたスルーホール33とは配線6により接続され、スルー
ホール5は、スルーホール5と対向して第二層配線32上
に設けられたスルーホール34と接続される。
In FIG. 2A, the through hole 4 of the cell 1 is shown.
Is connected to the through hole 33 provided on the first layer wiring 31 facing the through hole 4 by the wiring 6, and the through hole 5 is provided on the second layer wiring 32 facing the through hole 5. Connected to the through hole 34 provided.

セル1を第2図(a)の設計時の位置から時計回りに
90度回転した第2図(b)の場合は、セル1のスルーホ
ール4は、スルーホール4と対向して第二層配線32上に
設けられたスルーホール34aと配線6aにより接続され、
スルーホール5は、スルーホール5と対向して第一配線
上31とに設けられたスルーホール33aと配線7aにより接
続される。
Cell 1 is moved clockwise from the designed position in FIG. 2 (a).
In the case of FIG. 2B rotated by 90 degrees, the through hole 4 of the cell 1 is connected to the through hole 34a provided on the second layer wiring 32 by the wiring 6a, facing the through hole 4,
The through-hole 5 is connected to the through-hole 33a provided in the first wiring 31 opposite to the through-hole 5 by a wiring 7a.

第2図(a)および(b)において、本発明の特徴と
するところは、セル1にスルーホール4および5を設け
たほかに、スルーホール4および5と対向する第一層配
線31および第二層配線32上にスルーホール33、33a、34
および34aを設けたことにある。
2 (a) and 2 (b), the feature of the present invention is that, in addition to the provision of the through holes 4 and 5 in the cell 1, the first layer wiring 31 facing the through holes 4 and 5 and the Through holes 33, 33a, 34 on double layer wiring 32
And 34a.

本第二実施例によると、セル1上のスルーホール4お
よび5が、配置方向によって最適な層の端子として任意
に扱うことができる。
According to the second embodiment, the through-holes 4 and 5 on the cell 1 can be arbitrarily treated as terminals of an optimum layer depending on the arrangement direction.

なお、セルの端子位置にスルーホールを設置すること
により、セルそのものの寸法が大きくならないようにす
ることは、セル内部回路部分とセル外形の間には一般に
空き領域が多いため容易に解決できる。
It is easy to solve the problem that the dimensions of the cell itself are not increased by providing through holes at the terminal positions of the cell, since there are generally many empty areas between the cell internal circuit portion and the cell outer shape.

また、前述の説明においては、多層配線として二層の
場合を取り上げたけれども、三層以上の場合にも同様に
適用される。
Further, in the above description, although the case of two layers is taken as the multilayer wiring, it is similarly applied to the case of three or more layers.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、セルの端子位置にス
ルーホールを設置することにより、セルを任意の方向に
配置しても、不必要な配線領域の増大を防止しチップを
小型化できる効果がある。
As described above, according to the present invention, by providing a through hole at a terminal position of a cell, even if the cell is arranged in an arbitrary direction, it is possible to prevent an unnecessary increase in a wiring area and to reduce the size of a chip. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の第一実施例の要部を示すチップのレイ
アウト図。 第2図(a)および(b)は本発明の第二実施例の要部
を示すチップのレイアウト図。 第3図はセルベース設計方式によるチップの一例を示す
レイアウト図。 第4図(a)および(b)は従来例の要部を示すチップ
のレイアウト図。 1、11、12、13、21……セル、2……セル内部回路、3
……セル内部配線、4、5、33、33a、34、34a、35、36
……スルーホール、6、6a、7、7a、26、26a、27、27a
……配線、10……チップ、14、15、24、25……セル端
子、16……セル間配線、31……第一層配線、32……第二
層配線。
FIG. 1 is a layout diagram of a chip showing a main part of a first embodiment of the present invention. FIGS. 2 (a) and 2 (b) are chip layout diagrams showing main parts of a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a layout diagram showing an example of a chip based on the cell-based design method. 4 (a) and 4 (b) are layout diagrams of a chip showing main parts of a conventional example. 1, 11, 12, 13, 21 ... cell 2, ... cell internal circuit, 3
.... Cell internal wiring, 4, 5, 33, 33a, 34, 34a, 35, 36
…… Through hole, 6, 6a, 7, 7a, 26, 26a, 27, 27a
... wiring, 10 ... chip, 14, 15, 24, 25 ... cell terminals, 16 ... inter-cell wiring, 31 ... first layer wiring, 32 ... second layer wiring.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体チップ上に形成された複数の回路ブ
ロックと多層配線とを備えた半導体集積回路において、 前記回路ブロックは、自回路ブロックと他回路ブロック
とを接続する端子にいずれの配線層にも接続可能なスル
ーホールを有し、 前記多層配線のうちのいずれかの配線は、前記端子と対
向する位置にいずれの配線層にも接続可能なスルーホー
ルを有し、 前記端子と前記配線とは、それぞれ前記スルーホールを
介し、かつ前記端子と前記配線との間を横断する配線の
配線層とは異なる配線層の配線によって接続された ことを特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit comprising a plurality of circuit blocks formed on a semiconductor chip and a multi-layer wiring, wherein the circuit block has a wiring layer connected to a terminal connecting its own circuit block and another circuit block. The terminal has a through hole that can be connected to any of the wiring layers at a position facing the terminal. The semiconductor integrated circuit is connected to each other by a wiring of a wiring layer different from a wiring layer of a wiring traversing the terminal and the wiring via the through hole.
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