JP2902872B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、貴金属と遷移金属との
交互積層膜を基板上に成膜して成る書換え可能な光磁気
ディスク（光磁気記録媒体）に関し、詳しくは、信号再
生時に於けるＣ／Ｎの改良に関する。
交互積層膜を基板上に成膜して成る書換え可能な光磁気
ディスク（光磁気記録媒体）に関し、詳しくは、信号再
生時に於けるＣ／Ｎの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２のように、繰り返して記録・再生の
可能な光磁気ディスク（光磁気記録媒体）用の記録層
（垂直磁化膜）として、ＰｔとＣｏとを、各々数Åづつ
交互に積層して成る交互積層膜１が提案されている。こ
の交互積層膜１は、総膜厚が数１００Å以下の超薄膜領
域で垂直磁化膜になり、積層周期或いは膜厚等の条件を
変えることにより、保磁力やカ−回転角の特性を変える
ことができる。また、上記交互積層膜１と基板３との間
に、保磁力やカ−効果を改善する目的で、アモルファス
ＳｉＮ等の誘電体膜２０を下地層として成膜したものも
あり、さらに、その表面に、平滑化のために、エッチン
グ処理２１を施したものもある（第１４回日本応用磁気
学会講演概要集Ｐ６５）。
可能な光磁気ディスク（光磁気記録媒体）用の記録層
（垂直磁化膜）として、ＰｔとＣｏとを、各々数Åづつ
交互に積層して成る交互積層膜１が提案されている。こ
の交互積層膜１は、総膜厚が数１００Å以下の超薄膜領
域で垂直磁化膜になり、積層周期或いは膜厚等の条件を
変えることにより、保磁力やカ−回転角の特性を変える
ことができる。また、上記交互積層膜１と基板３との間
に、保磁力やカ−効果を改善する目的で、アモルファス
ＳｉＮ等の誘電体膜２０を下地層として成膜したものも
あり、さらに、その表面に、平滑化のために、エッチン
グ処理２１を施したものもある（第１４回日本応用磁気
学会講演概要集Ｐ６５）。
【０００３】かかる光磁気記録媒体の情報は、磁気光学
カ−効果を利用して再生される。即ち、直線偏光が磁化
を有する媒体の表面で反射されるときに、磁化が上向き
であるか下向きであるかによって、偏光面がθK 又は−
θK 回転される現象を利用して、これを検光子で検出す
ることにより、再生される。
カ−効果を利用して再生される。即ち、直線偏光が磁化
を有する媒体の表面で反射されるときに、磁化が上向き
であるか下向きであるかによって、偏光面がθK 又は−
θK 回転される現象を利用して、これを検光子で検出す
ることにより、再生される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気光学カ−効果での
回転角θK ，−θK の値は極めて小さく、略０．３°〜
１°程度である。このため、反射光に、ゆらぎ、或い
は、バラツキがあると、誤検出が生じて信号のノイズと
なり、再生信号のＣ／Ｎが低下する。
回転角θK ，−θK の値は極めて小さく、略０．３°〜
１°程度である。このため、反射光に、ゆらぎ、或い
は、バラツキがあると、誤検出が生じて信号のノイズと
なり、再生信号のＣ／Ｎが低下する。
【０００５】しかるに、図２の光磁気記録媒体では、ア
モルファス状態のＳｉＮ層２０の上にＰｔ／Ｃｏの交互
積層膜１が形成されているため、ＳｉＮ層２０の上のＰ
ｔ層も、当初は〔１１１〕方向に綺麗に積層されない。
その結果、上記交互積層膜１の成長方向も図４のように
乱れて、反射光に、ゆらぎ、或いは、バラツキが発生す
る。即ち、再生信号のＣ／Ｎが低下する。本発明は上記
の事情に鑑みたものであり、情報再生時の反射光のゆら
ぎ，バラツキを低減して、再生信号のＣ／Ｎを改良する
ことを目的とする。
モルファス状態のＳｉＮ層２０の上にＰｔ／Ｃｏの交互
積層膜１が形成されているため、ＳｉＮ層２０の上のＰ
ｔ層も、当初は〔１１１〕方向に綺麗に積層されない。
その結果、上記交互積層膜１の成長方向も図４のように
乱れて、反射光に、ゆらぎ、或いは、バラツキが発生す
る。即ち、再生信号のＣ／Ｎが低下する。本発明は上記
の事情に鑑みたものであり、情報再生時の反射光のゆら
ぎ，バラツキを低減して、再生信号のＣ／Ｎを改良する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、貴金属を有す
る層と遷移金属を有する層が交互に積層されて成る交互
積層膜を基板上に成膜して成る光磁気記録媒体に於い
て、前記交互積層膜の貴金属のＸ線回折のロッキングカ
−ブの半値幅を１８ｄｅｇ以下とした光磁気記録媒体で
ある。
る層と遷移金属を有する層が交互に積層されて成る交互
積層膜を基板上に成膜して成る光磁気記録媒体に於い
て、前記交互積層膜の貴金属のＸ線回折のロッキングカ
−ブの半値幅を１８ｄｅｇ以下とした光磁気記録媒体で
ある。
【０００７】また、本発明は、貴金属を有する層と遷移
金属を有する層が交互に積層されて成る交互積層膜を透
光性の下地層を介して基板上に成膜して成る光磁気記録
媒体に於いて、前記下地層を、Ｘ線回折を行ったとき結
晶の或る面のピ−クが現れる化合物により形成して成る
光磁気記録媒体である。前記化合物としては、下地層ロ
ッキングカ−ブの半値幅が２０ｄｅｇ以下であるＺｎ
Ｏ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＢｅＯ，ＣｏＳ等の
何れかを用いることができる。
金属を有する層が交互に積層されて成る交互積層膜を透
光性の下地層を介して基板上に成膜して成る光磁気記録
媒体に於いて、前記下地層を、Ｘ線回折を行ったとき結
晶の或る面のピ−クが現れる化合物により形成して成る
光磁気記録媒体である。前記化合物としては、下地層ロ
ッキングカ−ブの半値幅が２０ｄｅｇ以下であるＺｎ
Ｏ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＢｅＯ，ＣｏＳ等の
何れかを用いることができる。
【０００８】
【作用】交互積層膜の貴金属の配向性を向上させて、そ
のＸ線回折のロッキングカ−ブの半値幅を１８ｄｅｇ以
下にすると、情報再生時に於ける反射光のゆらぎ，バラ
ツキが低減され、再生信号のノイズが減少して、Ｃ／Ｎ
が向上する。貴金属の配向性の向上は、例えば、基板と
交互積層膜との間に、Ｘ線回折により結晶の或る面のピ
−クが現れる化合物を下地層として挟み込むことでも実
現できる。また、下地層として、上記の如き化合物を挟
み込むと、該下地層からの反射光のゆらぎ，バラツキも
低減される。この効果は、下地層のＸ線回折のロッキン
グカ−ブの半値幅を２０ｄｅｇ以下としたときに顕著で
ある。
のＸ線回折のロッキングカ−ブの半値幅を１８ｄｅｇ以
下にすると、情報再生時に於ける反射光のゆらぎ，バラ
ツキが低減され、再生信号のノイズが減少して、Ｃ／Ｎ
が向上する。貴金属の配向性の向上は、例えば、基板と
交互積層膜との間に、Ｘ線回折により結晶の或る面のピ
−クが現れる化合物を下地層として挟み込むことでも実
現できる。また、下地層として、上記の如き化合物を挟
み込むと、該下地層からの反射光のゆらぎ，バラツキも
低減される。この効果は、下地層のＸ線回折のロッキン
グカ−ブの半値幅を２０ｄｅｇ以下としたときに顕著で
ある。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
実施例の光磁気記録媒体の断面を模式的に示す。図示の
ように、本光磁気記録媒体では、基板３の上に、ＺｎＯ
の下地層２が成膜され、その上に、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層
膜１が成膜されている。ＺｎＯの下地層２の膜厚は、２
００〜３０００Å程度である。また、Ｐｔ層の一層当た
りの膜厚は５〜２０Å程度、Ｃｏ層一層当たりの膜厚は
１０Å以下であり、交互積層膜１の総膜厚は５０〜４０
０Å程度である。
実施例の光磁気記録媒体の断面を模式的に示す。図示の
ように、本光磁気記録媒体では、基板３の上に、ＺｎＯ
の下地層２が成膜され、その上に、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層
膜１が成膜されている。ＺｎＯの下地層２の膜厚は、２
００〜３０００Å程度である。また、Ｐｔ層の一層当た
りの膜厚は５〜２０Å程度、Ｃｏ層一層当たりの膜厚は
１０Å以下であり、交互積層膜１の総膜厚は５０〜４０
０Å程度である。
【００１０】上記の光磁気記録媒体は、図３に示すスパ
ッタリング装置を用いて、基板３の表面にＺｎＯの下地
層２を成膜した後、該下地層２の表面に、ＰｔとＣｏを
交互に成膜することで作成される。
ッタリング装置を用いて、基板３の表面にＺｎＯの下地
層２を成膜した後、該下地層２の表面に、ＰｔとＣｏを
交互に成膜することで作成される。
【００１１】図３の装置は、真空槽４と、真空槽４内の
上方に回転可能に配設された基板ホルダ７と、真空槽４
内を区分する遮蔽板５とを備えており、電源８から供給
されるＲＦ又はＤＣの電力により、スパッタリングを行
う。基板ホルダ７の回転速度は制御可能である。また、
基板３は、基板ホルダ７の下面側に、回転の軸心から偏
心するようにして保持される。
上方に回転可能に配設された基板ホルダ７と、真空槽４
内を区分する遮蔽板５とを備えており、電源８から供給
されるＲＦ又はＤＣの電力により、スパッタリングを行
う。基板ホルダ７の回転速度は制御可能である。また、
基板３は、基板ホルダ７の下面側に、回転の軸心から偏
心するようにして保持される。
【００１２】スパッタリングのタ−ゲット６は、遮蔽板
５で区分される真空槽４内の各空間下方の各保持板に各
々保持される。タ−ゲットとしては、下地層２の成膜時
にはＺｎ又はＺｎＯが用いられ、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜
の成膜時にはＰｔとＣｏとが用いられる。また、スパッ
タリングのガスとしては、Ａｒ＋Ｏ2 又はＡｒが用いら
れ、これは、ボンベ９から弁及び配管等を介して供給さ
れる。
５で区分される真空槽４内の各空間下方の各保持板に各
々保持される。タ−ゲットとしては、下地層２の成膜時
にはＺｎ又はＺｎＯが用いられ、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜
の成膜時にはＰｔとＣｏとが用いられる。また、スパッ
タリングのガスとしては、Ａｒ＋Ｏ2 又はＡｒが用いら
れ、これは、ボンベ９から弁及び配管等を介して供給さ
れる。
【００１３】ＺｎＯの下地層２は、Ｘ線回折で（０００
２）面のピ−クが現れるように、結晶性良く成膜され
る。このＺｎＯは六方晶であり、その（０００１）面
は、Ｐｔの（１１１）面と同じ並び方をしている。即
ち、Ｐｔ結晶は、図５に示すように面心立方格子であ
り、〔１１１〕方向から見ると、図６に示すように最密
な積み重ねの構造を成す。このため、下地層２が上記の
如く成膜されると、Ｐｔ層の結晶性・配向性も向上し
て、反射光のゆらぎ・バラツキが低減され、その結果、
情報再生時のノイズが減少して、Ｃ／Ｎが向上する。
２）面のピ−クが現れるように、結晶性良く成膜され
る。このＺｎＯは六方晶であり、その（０００１）面
は、Ｐｔの（１１１）面と同じ並び方をしている。即
ち、Ｐｔ結晶は、図５に示すように面心立方格子であ
り、〔１１１〕方向から見ると、図６に示すように最密
な積み重ねの構造を成す。このため、下地層２が上記の
如く成膜されると、Ｐｔ層の結晶性・配向性も向上し
て、反射光のゆらぎ・バラツキが低減され、その結果、
情報再生時のノイズが減少して、Ｃ／Ｎが向上する。
【００１４】かかる下地層２の成膜条件は、例えば、タ
−ゲットへの投入電力３００Ｗ，Ａｒガス圧力７mTorr
である。また、交互積層膜１の成膜条件は、例えば、タ
−ゲットへの投入電力１００Ｗ以下である。なお、成膜
条件は、上記投入電力・ガス圧力の他、基板の加熱温度
によっても調整可能である。
−ゲットへの投入電力３００Ｗ，Ａｒガス圧力７mTorr
である。また、交互積層膜１の成膜条件は、例えば、タ
−ゲットへの投入電力１００Ｗ以下である。なお、成膜
条件は、上記投入電力・ガス圧力の他、基板の加熱温度
によっても調整可能である。
【００１５】このようにして作成した下地層と、図２に
示す従来の光磁気記録媒体の下地層とについて、Ｘ線回
折像を測定した。その結果を、図７（本実施例）、図８
（従来例）に示す。図示のように、実施例の光磁気記録
媒体では、ＺｎＯの（０００２）面のピ−クが現れてい
る。また、ＺｎＯのロッキングカ−ブの半値幅は１１de
g であり、良好な配向性を示した。
示す従来の光磁気記録媒体の下地層とについて、Ｘ線回
折像を測定した。その結果を、図７（本実施例）、図８
（従来例）に示す。図示のように、実施例の光磁気記録
媒体では、ＺｎＯの（０００２）面のピ−クが現れてい
る。また、ＺｎＯのロッキングカ−ブの半値幅は１１de
g であり、良好な配向性を示した。
【００１６】また、上記２つの光磁気記録媒体の交互積
層膜１のＰｔについて、Ｘ線回折のロッキングカ−ブを
各々測定した。その結果を、図９（本実施例）、図１０
（従来例）に示す。図示のように、実施例の光磁気記録
媒体では、ロッキングカ−ブの半値幅は１５deg であ
り、配向性が良好であるが、従来例の光磁気記録媒体で
は、１９．５deg である。
層膜１のＰｔについて、Ｘ線回折のロッキングカ−ブを
各々測定した。その結果を、図９（本実施例）、図１０
（従来例）に示す。図示のように、実施例の光磁気記録
媒体では、ロッキングカ−ブの半値幅は１５deg であ
り、配向性が良好であるが、従来例の光磁気記録媒体で
は、１９．５deg である。
【００１７】また、上記２つの光磁気記録媒体につい
て、Ｃ／Ｎを測定した結果を、図１１に示す。図示のよ
うに、キャリアは同程度であるが、図中正方形でプロッ
トされている実施例の光磁気記録媒体では、ノイズレベ
ルが小さい。このため、良好なＣ／Ｎを得られている。
なお、上記の如く良好なＣ／Ｎは、交互積層膜１のＰｔ
のＸ線回折のロッキングカ−ブの半値幅を１８deg 以下
としたときに得られ、また、ＺｎＯのＸ線回折のロッキ
ングカ−ブの半値幅を２０deg 以下としたときにも得ら
れた。
て、Ｃ／Ｎを測定した結果を、図１１に示す。図示のよ
うに、キャリアは同程度であるが、図中正方形でプロッ
トされている実施例の光磁気記録媒体では、ノイズレベ
ルが小さい。このため、良好なＣ／Ｎを得られている。
なお、上記の如く良好なＣ／Ｎは、交互積層膜１のＰｔ
のＸ線回折のロッキングカ−ブの半値幅を１８deg 以下
としたときに得られ、また、ＺｎＯのＸ線回折のロッキ
ングカ−ブの半値幅を２０deg 以下としたときにも得ら
れた。
【００１８】上記実施例では、スパッタリング法で光磁
気記録媒体を作成しているが、他の方法、例えば、真空
蒸着法、或いは、ＭＢＥ（分子線エピタキシ−）法を用
いることによっても、本発明の光磁気記録媒体を得られ
る。また、上記実施例では、貴金属／遷移金属の交互積
層膜としてＰｔ／Ｃｏを用いた場合について述べている
が、例えば、Ｐｄ／Ｃｏ，ＰｔＰｄ／Ｃｏ，Ｐｔ／Ｆｅ
Ｃｏ，Ｐｄ／ＦｅＣｏ，Ｐｔ／Ｆｅ，等を用いた場合に
も、上記と同様の効果を得る。また、上記実施例に於い
て、交互積層膜１が基板３と接しない側の面に公知の誘
電体膜, 紫外線硬化樹脂膜, 反射膜を設けた場合も、同
様の効果を得る。
気記録媒体を作成しているが、他の方法、例えば、真空
蒸着法、或いは、ＭＢＥ（分子線エピタキシ−）法を用
いることによっても、本発明の光磁気記録媒体を得られ
る。また、上記実施例では、貴金属／遷移金属の交互積
層膜としてＰｔ／Ｃｏを用いた場合について述べている
が、例えば、Ｐｄ／Ｃｏ，ＰｔＰｄ／Ｃｏ，Ｐｔ／Ｆｅ
Ｃｏ，Ｐｄ／ＦｅＣｏ，Ｐｔ／Ｆｅ，等を用いた場合に
も、上記と同様の効果を得る。また、上記実施例に於い
て、交互積層膜１が基板３と接しない側の面に公知の誘
電体膜, 紫外線硬化樹脂膜, 反射膜を設けた場合も、同
様の効果を得る。
【００１９】
【発明の効果】以上、交互積層膜の貴金属の配向性を向
上させて、Ｘ線回折のロッキングカ−ブの半値幅を１８
ｄｅｇ以下にした本発明では、情報再生時に於ける反射
光のゆらぎ，バラツキが低減され、再生信号のＣ／Ｎが
向上する。また、Ｘ線回折により結晶の或る面のピ−ク
が現れる化合物を下地層として用いた本発明では、該下
地層からの反射光のゆらぎ，バラツキが低減されるとと
もに、交互積層膜の貴金属の配向性も向上されるため、
反射光のゆらぎ，バラツキが一層低減されて、再生信号
のＣ／Ｎが一層向上する。この効果は、下地層ロッキン
グカ−ブの半値幅が２０ｄｅｇ以下の場合に一層顕著で
ある。また、交互積層膜の結晶性・配向性が向上する
と、保磁力や垂直磁気異方性等も向上して、記録ビット
が安定する。
上させて、Ｘ線回折のロッキングカ−ブの半値幅を１８
ｄｅｇ以下にした本発明では、情報再生時に於ける反射
光のゆらぎ，バラツキが低減され、再生信号のＣ／Ｎが
向上する。また、Ｘ線回折により結晶の或る面のピ−ク
が現れる化合物を下地層として用いた本発明では、該下
地層からの反射光のゆらぎ，バラツキが低減されるとと
もに、交互積層膜の貴金属の配向性も向上されるため、
反射光のゆらぎ，バラツキが一層低減されて、再生信号
のＣ／Ｎが一層向上する。この効果は、下地層ロッキン
グカ−ブの半値幅が２０ｄｅｇ以下の場合に一層顕著で
ある。また、交互積層膜の結晶性・配向性が向上する
と、保磁力や垂直磁気異方性等も向上して、記録ビット
が安定する。
【図１】実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図である。
図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式図
である。
である。
【図３】実施例の光磁気記録媒体を作成するための装置
の構成図である。
の構成図である。
【図４】従来の光磁気記録媒体の結晶を示す模式図であ
る。
る。
【図５】Ｐｔの結晶構造図である。
【図６】〔１１１〕方向から見た積み重ねの構造図であ
る。
る。
【図７】実施例の光磁気記録媒体下地層のＸ線回折像で
ある。
ある。
【図８】従来の光磁気記録媒体下地層のＸ線回折像であ
る。
る。
【図９】実施例の光磁気記録媒体のＸ線回折のロッキン
グカ−ブである。
グカ−ブである。
【図１０】従来の光磁気記録媒体のＸ線回折のロッキン
グカ−ブである。
グカ−ブである。
【図１１】実施例の光磁気記録媒体と従来の光磁気記録
媒体のキャリア，ノイズを示す特性図である。
媒体のキャリア，ノイズを示す特性図である。
１ Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜 ２ ＺｎＯ下地層 ２０ アモルファスＳｉＮ下地層 ３ 基板
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506
Claims (4)
- 【請求項１】 貴金属を有する層と遷移金属を有する層
が交互に積層されて成る交互積層膜を基板上に成膜して
成る光磁気記録媒体に於いて、 前記交互積層膜の貴金属のＸ線回折のロッキングカ−ブ
の半値幅を１８ｄｅｇ以下とした光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 貴金属を有する層と遷移金属を有する層
が交互に積層されて成る交互積層膜を、透光性の下地層
を介して基板上に成膜して成る光磁気記録媒体に於い
て、前記下地層を、Ｘ線回折を行ったとき結晶の或る面
のピ−クが現れる化合物により形成して成る光磁気記録
媒体。 - 【請求項３】 請求項２に於いて、 前記下地層のＸ線回折のロッキングカ−ブの半値幅が２
０ｄｅｇ以下である光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項２に於いて、 前記下地層の化合物は、ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，
ＳｉＣ，ＢｅＯ，ＣｏＳから選ばれた何れかの化合物で
ある光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25401792A JP2902872B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25401792A JP2902872B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676382A JPH0676382A (ja) | 1994-03-18 |
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1992
- 1992-08-28 JP JP25401792A patent/JP2902872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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