JP3133443B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP3133443B2 JP3133443B2 JP03359982A JP35998291A JP3133443B2 JP 3133443 B2 JP3133443 B2 JP 3133443B2 JP 03359982 A JP03359982 A JP 03359982A JP 35998291 A JP35998291 A JP 35998291A JP 3133443 B2 JP3133443 B2 JP 3133443B2
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- recording medium
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書換え可能な光磁気記
録媒体に関する。詳しくは、数〜数十原子層の白金族の
金属と、数原子層の遷移金属とが交互に積層された交互
積層膜を、透光性の下地層を介して基板上に成膜して成
る光磁気記録媒体に関する。
録媒体に関する。詳しくは、数〜数十原子層の白金族の
金属と、数原子層の遷移金属とが交互に積層された交互
積層膜を、透光性の下地層を介して基板上に成膜して成
る光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】繰り返して記録・再生の可能な光磁気記
録媒体用の記録膜（垂直磁化膜）として、ＰｔとＣｏを
交互に積層して成る交互積層膜が提案されている。これ
は、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜の短波長領域での感度が良
好であり、高密度記録媒体として有望なためである（Di
electric enhancement layers for a Pt/Co multilayer
magneto-optical recording medium ; Applied Physics
Letters 58 , 191(1991)) 。なお、上記交互積層膜の
総膜厚は、数百Å以下の超薄膜領域にある。
録媒体用の記録膜（垂直磁化膜）として、ＰｔとＣｏを
交互に積層して成る交互積層膜が提案されている。これ
は、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜の短波長領域での感度が良
好であり、高密度記録媒体として有望なためである（Di
electric enhancement layers for a Pt/Co multilayer
magneto-optical recording medium ; Applied Physics
Letters 58 , 191(1991)) 。なお、上記交互積層膜の
総膜厚は、数百Å以下の超薄膜領域にある。
【０００３】また、上記の交互積層膜と基板との間に、
カ−効果を増大させるために、アモルファスのＳｉＮ等
の誘電体膜を下地層として成膜したものもあり、その表
面には、平滑化のために、エッチング処理が施されてい
る（第14回日本応用磁気学会講演概要集Ｐ65）。
カ−効果を増大させるために、アモルファスのＳｉＮ等
の誘電体膜を下地層として成膜したものもあり、その表
面には、平滑化のために、エッチング処理が施されてい
る（第14回日本応用磁気学会講演概要集Ｐ65）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】基板上にＳｉＮ等の誘
電体膜を下地層として形成し、その上に、Ｐｔ／Ｃｏの
交互積層膜から成る垂直磁化膜を成膜する上記の構成で
は、ＳｉＮがアモルファス状態である。このため、該Ｓ
ｉＮ膜の上に形成されるＰｔ層も、当初は〔１１１〕方
向に綺麗に積層されず、垂直磁気異方性が小さい。した
がって、高密度記録に必要な保磁力も、１〔ｋＯｅ〕程
度と、それほど大きくない。
電体膜を下地層として形成し、その上に、Ｐｔ／Ｃｏの
交互積層膜から成る垂直磁化膜を成膜する上記の構成で
は、ＳｉＮがアモルファス状態である。このため、該Ｓ
ｉＮ膜の上に形成されるＰｔ層も、当初は〔１１１〕方
向に綺麗に積層されず、垂直磁気異方性が小さい。した
がって、高密度記録に必要な保磁力も、１〔ｋＯｅ〕程
度と、それほど大きくない。
【０００５】本出願人は、上記の問題に鑑み、先に、下
地層としてＺｎＯ等を用いた光磁気記録媒体を考案し
て、出願している（平成３年特許願第126087号）。上記
出願の光磁気記録媒体では、下地層が、〔１１１〕方向
から見たＰｔと同様に、密に並ぶ。このため、下地層の
上に形成されるＰｔ層も〔１１１〕方向に並び易く、高
密度記録に必要な保磁力も、アモルファスのＳｉＮの下
地層を用いる従来の場合より向上している。
地層としてＺｎＯ等を用いた光磁気記録媒体を考案し
て、出願している（平成３年特許願第126087号）。上記
出願の光磁気記録媒体では、下地層が、〔１１１〕方向
から見たＰｔと同様に、密に並ぶ。このため、下地層の
上に形成されるＰｔ層も〔１１１〕方向に並び易く、高
密度記録に必要な保磁力も、アモルファスのＳｉＮの下
地層を用いる従来の場合より向上している。
【０００６】本発明は、上記出願（平成３年特許願第12
6087号）の延長上にある。即ち、白金族の金属と遷移金
属との交互積層膜を透光性の下地層を介して基板上に成
膜して成る光磁気記録媒体について、下地層の結晶粒径
が垂直磁化膜の膜特性に影響することを見出し、その関
係に着目することによって、特性の良い光磁気記録媒体
を得ることを目的とする。
6087号）の延長上にある。即ち、白金族の金属と遷移金
属との交互積層膜を透光性の下地層を介して基板上に成
膜して成る光磁気記録媒体について、下地層の結晶粒径
が垂直磁化膜の膜特性に影響することを見出し、その関
係に着目することによって、特性の良い光磁気記録媒体
を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、白金族の金属
層と遷移金属層とが交互に積層された超薄膜の交互積層
膜を、透光性の下地層を介して基板上に成膜して成る光
磁気記録媒体に於いて、前記透光性下地層は、ＺｎＯか
ら成り、且つ１００〜１０００Åの範囲の結晶粒径を有
し、さらに前記白金族の金属層が〔１１１〕方向に配向
するような結晶構造を有することを特徴とする光磁気記
録媒体である。
層と遷移金属層とが交互に積層された超薄膜の交互積層
膜を、透光性の下地層を介して基板上に成膜して成る光
磁気記録媒体に於いて、前記透光性下地層は、ＺｎＯか
ら成り、且つ１００〜１０００Åの範囲の結晶粒径を有
し、さらに前記白金族の金属層が〔１１１〕方向に配向
するような結晶構造を有することを特徴とする光磁気記
録媒体である。
【０００８】上記に於いて、結晶粒径を１００〜１００
０Åの範囲に制御するためには、成膜時に、基板温度，
スパッタレ−ト，スパッタガス圧力等のパラメ−タを妥
当な値に制御すればよい。また、白金族の金属としては
Ｐｔ，Ｐｄ，ＰｔＰｄ，ＰｔＮｉ，ＰｔＦｅ，ＰｔＣｏ
から選ばれる金属を、遷移金属としてはＣｏ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，ＦｅＣｏ，ＣｏＮｉから選ばれる金属を、それぞれ
用いることができる。
０Åの範囲に制御するためには、成膜時に、基板温度，
スパッタレ−ト，スパッタガス圧力等のパラメ−タを妥
当な値に制御すればよい。また、白金族の金属としては
Ｐｔ，Ｐｄ，ＰｔＰｄ，ＰｔＮｉ，ＰｔＦｅ，ＰｔＣｏ
から選ばれる金属を、遷移金属としてはＣｏ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，ＦｅＣｏ，ＣｏＮｉから選ばれる金属を、それぞれ
用いることができる。
【０００９】なお、本発明の光磁気記録媒体に、従来の
他の構成、例えば、保護膜としての誘電体層、或いは、
多重反射によりカ−効果にファラデ−効果を相乗させる
ための反射層等、従来の他の構成を付加してもよいこと
は、従来と同様である。さらに、基板としても、従来と
同様に、ガラス、ポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）、ポリメチ
ルメタクリレ−ト、エポキシ樹脂等を用いることができ
る。
他の構成、例えば、保護膜としての誘電体層、或いは、
多重反射によりカ−効果にファラデ−効果を相乗させる
ための反射層等、従来の他の構成を付加してもよいこと
は、従来と同様である。さらに、基板としても、従来と
同様に、ガラス、ポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）、ポリメチ
ルメタクリレ−ト、エポキシ樹脂等を用いることができ
る。
【００１０】
【作用】ＺｎＯから成る透光性の下地層の成膜時、その
結晶粒径が１００〜１０００Åの範囲となるように、基
板温度等の成膜条件が制御される。次に、上記のように
成膜された下地層の上に、Ｐｔ／Ｃｏ等の超薄膜の交互
積層膜が成膜される。該交互積層膜は、上記の下地層の
結晶方位に従い、且つ、略同程度の結晶粒径で、膜厚方
向にコラム状に成長する。即ち、交互積層膜の膜構造
は、下地層の結晶粒径によって制御される。
結晶粒径が１００〜１０００Åの範囲となるように、基
板温度等の成膜条件が制御される。次に、上記のように
成膜された下地層の上に、Ｐｔ／Ｃｏ等の超薄膜の交互
積層膜が成膜される。該交互積層膜は、上記の下地層の
結晶方位に従い、且つ、略同程度の結晶粒径で、膜厚方
向にコラム状に成長する。即ち、交互積層膜の膜構造
は、下地層の結晶粒径によって制御される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は実
施例の光磁気ディスクの断面の一部を模式的に示し、図
２は上記光磁気ディスクの作成に用いるスパッタリング
装置の構成を示す。また、図３及び図４は、実施例の光
磁気ディスクの特性を示すグラフである。
施例の光磁気ディスクの断面の一部を模式的に示し、図
２は上記光磁気ディスクの作成に用いるスパッタリング
装置の構成を示す。また、図３及び図４は、実施例の光
磁気ディスクの特性を示すグラフである。
【００１２】図示の光磁気ディスクは、プリグル−ブ付
のポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）基板３の表面に、ＺｎＯの
下地層１を1000〔Å〕の厚さに成膜し、その上に、Ｐｔ
とＣｏとを交互に、合計９層に成膜して、交互積層膜２
としたものである。なお、各層について、Ｐｔ＝17
〔Å〕，Ｃｏ＝5 〔Å〕の厚さとした。下地層１の成膜
は、図２に示す装置を用い、反応性スパッタリングによ
って行った。成膜条件は、タ−ゲットをＺｎＯとし、ガ
スとしてＡｒ＋Ｏ2 を用い、混合ガスの圧力比をＡｒ：
Ｏ2 ＝１：０．２、投入電力を５００〔Ｗ〕とした。ま
た、結晶粒径の制御は、全ガス圧を調整することにより
行った。
のポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）基板３の表面に、ＺｎＯの
下地層１を1000〔Å〕の厚さに成膜し、その上に、Ｐｔ
とＣｏとを交互に、合計９層に成膜して、交互積層膜２
としたものである。なお、各層について、Ｐｔ＝17
〔Å〕，Ｃｏ＝5 〔Å〕の厚さとした。下地層１の成膜
は、図２に示す装置を用い、反応性スパッタリングによ
って行った。成膜条件は、タ−ゲットをＺｎＯとし、ガ
スとしてＡｒ＋Ｏ2 を用い、混合ガスの圧力比をＡｒ：
Ｏ2 ＝１：０．２、投入電力を５００〔Ｗ〕とした。ま
た、結晶粒径の制御は、全ガス圧を調整することにより
行った。
【００１３】一方、交互積層膜２の成膜は、上記と同じ
装置を用い、スパッタリングによって行った。タ−ゲッ
トを、Ｐｔ(6a)、Ｃｏ(6b)とし、基板ホルダ７を回転さ
せることにより、順次、上記の厚さに積層した。図２に
示す装置は、ポンプＰで排気される真空槽４と、該真空
槽４内の上方に回転可能に配設された基板ホルダ７と、
上記真空槽４内を区分する遮蔽板５とを備え、電源より
供給されるＲＦ又はＤＣの電力により、スパッタリング
を行う装置である。なお、基板ホルダ７の回転速度はモ
−タＭにより制御可能であり、また、上記の基板３は、
基板ホルダ７の下面に、回転の軸心から偏心するように
して保持されている。
装置を用い、スパッタリングによって行った。タ−ゲッ
トを、Ｐｔ(6a)、Ｃｏ(6b)とし、基板ホルダ７を回転さ
せることにより、順次、上記の厚さに積層した。図２に
示す装置は、ポンプＰで排気される真空槽４と、該真空
槽４内の上方に回転可能に配設された基板ホルダ７と、
上記真空槽４内を区分する遮蔽板５とを備え、電源より
供給されるＲＦ又はＤＣの電力により、スパッタリング
を行う装置である。なお、基板ホルダ７の回転速度はモ
−タＭにより制御可能であり、また、上記の基板３は、
基板ホルダ７の下面に、回転の軸心から偏心するように
して保持されている。
【００１４】また、スパッタリングのタ−ゲットは、真
空槽４内に於いて上記遮蔽板５により区分される各空間
内下方の各保持板6a,6b に各々保持され、また、スパッ
タリングのガスは、ボンベＢからバルブ９を介して供給
される。上記の装置により、上記の如く作成した本光磁
気ディスクは、ＺｎＯの下地層１の結晶粒径に関して、
図３及び図４に示す特性を有する。
空槽４内に於いて上記遮蔽板５により区分される各空間
内下方の各保持板6a,6b に各々保持され、また、スパッ
タリングのガスは、ボンベＢからバルブ９を介して供給
される。上記の装置により、上記の如く作成した本光磁
気ディスクは、ＺｎＯの下地層１の結晶粒径に関して、
図３及び図４に示す特性を有する。
【００１５】即ち、垂直磁気異方性エネルギ−は、図３
のように、結晶粒径が大きくなるに従って大きくなる。
これは、交互積層膜２が、成膜の当初から、ＺｎＯの結
晶方位に従って、略同程度の結晶粒径で成長するためで
ある。また、ＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio) は、図
４に示すように、結晶粒径が100 〜1000Åの範囲で大き
く、その範囲を外れると、低下している。これは、結晶
粒径が100 Å以下の範囲では垂直磁気異方性エネルギ−
が小さいため、キャリアの低下とノイズの増大を引起
し、一方、結晶粒径が1000Åを越えると、結晶粒界の光
散乱によってノイズが増大するためである。
のように、結晶粒径が大きくなるに従って大きくなる。
これは、交互積層膜２が、成膜の当初から、ＺｎＯの結
晶方位に従って、略同程度の結晶粒径で成長するためで
ある。また、ＣＮＲ（Carrier to Noise Ratio) は、図
４に示すように、結晶粒径が100 〜1000Åの範囲で大き
く、その範囲を外れると、低下している。これは、結晶
粒径が100 Å以下の範囲では垂直磁気異方性エネルギ−
が小さいため、キャリアの低下とノイズの増大を引起
し、一方、結晶粒径が1000Åを越えると、結晶粒界の光
散乱によってノイズが増大するためである。
【００１６】このように、下地層１の結晶粒径が100 〜
1000Åの範囲では、垂直磁気異方性エネルギ−が大き
く、且つ、ＣＮＲの大きい光磁気ディスクを得る。即
ち、高密度記録が可能となる。
1000Åの範囲では、垂直磁気異方性エネルギ−が大き
く、且つ、ＣＮＲの大きい光磁気ディスクを得る。即
ち、高密度記録が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、透光性の下地層は、その膜
厚が２００〜２０００Åの範囲に、結晶粒径が１００〜
１０００Åの範囲に、それぞれ在る。このため、上記下
地層の上に形成される交互積層膜が、該下地層の結晶方
位に従って、且つ、結晶粒径が略同程度に、膜厚方向に
コラム状に成長する。
厚が２００〜２０００Åの範囲に、結晶粒径が１００〜
１０００Åの範囲に、それぞれ在る。このため、上記下
地層の上に形成される交互積層膜が、該下地層の結晶方
位に従って、且つ、結晶粒径が略同程度に、膜厚方向に
コラム状に成長する。
【００１８】これにより、交互積層膜の結晶性及び配向
性が向上して垂直磁気異方性が大きくなり、カ−回転角
も増大し、また、ノイズも低減される。
性が向上して垂直磁気異方性が大きくなり、カ−回転角
も増大し、また、ノイズも低減される。
【図１】実施例の光磁気ディスクの断面構造を模式的に
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】上記光磁気ディスクを作成するためのスパッタ
リング装置の説明図である。
リング装置の説明図である。
【図３】上記光磁気ディスクの下地層の結晶粒径と垂直
磁気異方性エネルギ−との関係を示す特性図である。
磁気異方性エネルギ−との関係を示す特性図である。
【図４】上記光磁気ディスクの下地層の結晶粒径とＣＮ
Ｒ（Carrier to Noise Ratio）との関係を示す特性図で
ある。
Ｒ（Carrier to Noise Ratio）との関係を示す特性図で
ある。
１ 下地層（ＺｎＯ） ２ Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜 ３ 基板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−351733（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (1)
- 【請求項１】 白金族の金属層と遷移金属層とが交互に
積層された超薄膜の交互積層膜を、透光性の下地層を介
して基板上に成膜して成る光磁気記録媒体に於いて、前記透光性下地層は、ＺｎＯから成り 、且つ１００〜１
０００Åの範囲の結晶粒径を有し、さらに前記白金族の
金属層が〔１１１〕方向に配向するような結晶構造を有
することを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03359982A JP3133443B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03359982A JP3133443B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182262A JPH05182262A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3133443B2 true JP3133443B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=18467294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03359982A Expired - Fee Related JP3133443B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133443B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06139637A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| WO2004068485A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP4647241B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | 光記録媒体原盤の製造方法、光記録媒体スタンパの製造方法、及び光記録媒体の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP03359982A patent/JP3133443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05182262A (ja) | 1993-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |