JP2905331B2 - 両面基板 - Google Patents
両面基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は両面基板に関し、詳しく
は両面に形成された導電層と絶縁性フィルムとの界面で
の接着強度に優れた両面基板に関するものである。
は両面に形成された導電層と絶縁性フィルムとの界面で
の接着強度に優れた両面基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器が軽量化や薄型化、小型
化するのに伴い、半導体素子や半導体装置を搭載する回
路基板の薄型化や高密度化が要望されている。このよう
な要望に応えるために、フレキシブルな配線基板も高性
能化が図られ、銅箔と絶縁性フィルムとの接着に接着剤
を用いない２層構造の片面基板や両面基板が数多く上市
されている。また、両面基板においては絶縁性フィルム
の厚み方向にスルーホールメッキによる導通路を形成
し、さらに高性能化するために両面の銅箔を導通させる
ことも行われている。
化するのに伴い、半導体素子や半導体装置を搭載する回
路基板の薄型化や高密度化が要望されている。このよう
な要望に応えるために、フレキシブルな配線基板も高性
能化が図られ、銅箔と絶縁性フィルムとの接着に接着剤
を用いない２層構造の片面基板や両面基板が数多く上市
されている。また、両面基板においては絶縁性フィルム
の厚み方向にスルーホールメッキによる導通路を形成
し、さらに高性能化するために両面の銅箔を導通させる
ことも行われている。
【０００３】このような両面基板を両面に導通させるた
めには、一般的にまず絶縁性フィルムの両面に銅箔を加
熱圧着などの手段によって積層して両面基板を作製した
のち、ドリルなどを用いた機械的方法や、薬液によるウ
エットエッチングや感光性樹脂のフォトリソグラフィー
などを用いた化学的方法などによって絶縁性フィルムに
スルーホールを形成している。そして、形成したスルー
ホール内壁面に無電解メッキや蒸着などの手法によって
薄膜層（種層）を形成したのち、さらに電解メッキなど
によってこの薄膜層を厚膜化して導通路を形成するとい
う煩雑な方法が採用されている。
めには、一般的にまず絶縁性フィルムの両面に銅箔を加
熱圧着などの手段によって積層して両面基板を作製した
のち、ドリルなどを用いた機械的方法や、薬液によるウ
エットエッチングや感光性樹脂のフォトリソグラフィー
などを用いた化学的方法などによって絶縁性フィルムに
スルーホールを形成している。そして、形成したスルー
ホール内壁面に無電解メッキや蒸着などの手法によって
薄膜層（種層）を形成したのち、さらに電解メッキなど
によってこの薄膜層を厚膜化して導通路を形成するとい
う煩雑な方法が採用されている。
【０００４】このような方法ではスルーホールの孔径が
小さい場合、スルーホール内壁面への薄膜形成不良が生
じたり、また製造工程も煩雑となる。特に、スルーホー
ルの孔径があまりに微細であると、導通路形成時に用い
るメッキ液が充分にスルーホール内に浸透せず、導通が
確実にとれないだけでなく、スルーホール内壁面とメッ
キによって形成される金属の薄膜層との界面での密着性
が充分でなかったり、導通路の電気抵抗値が大きくなる
傾向を示す。さらに、スルーホールの形成を両面基板の
作製後に行うために、スルーホールの形成精度の確認検
査が全製造工程の後半となるため、不良品チェックが遅
くなり製造効率の点でも決して良好なものとは云えな
い。
小さい場合、スルーホール内壁面への薄膜形成不良が生
じたり、また製造工程も煩雑となる。特に、スルーホー
ルの孔径があまりに微細であると、導通路形成時に用い
るメッキ液が充分にスルーホール内に浸透せず、導通が
確実にとれないだけでなく、スルーホール内壁面とメッ
キによって形成される金属の薄膜層との界面での密着性
が充分でなかったり、導通路の電気抵抗値が大きくなる
傾向を示す。さらに、スルーホールの形成を両面基板の
作製後に行うために、スルーホールの形成精度の確認検
査が全製造工程の後半となるため、不良品チェックが遅
くなり製造効率の点でも決して良好なものとは云えな
い。
【０００５】また、上記スルーホールメッキ法を用いた
場合、両面に形成された銅箔と絶縁性フィルムとの界面
での接着強度をさらに向上させることがあまり期待でき
ず、両面基板作製時の加熱圧着条件によっては界面剥離
を生じることもある。
場合、両面に形成された銅箔と絶縁性フィルムとの界面
での接着強度をさらに向上させることがあまり期待でき
ず、両面基板作製時の加熱圧着条件によっては界面剥離
を生じることもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題に鑑みてなされたものであって、両面に導体層を有す
る両面基板に導通路を形成するに当たり、絶縁性フィル
ムにのみ金属物質を充填した導通路を形成して電気抵抗
値を小さくし、さらに導通路端部には絶縁性フィルム表
面から突出させた金属突出を形成して、この突出部を導
電層内に埋設接触する構造とすることによって、上記従
来の両面基板が有する問題点を一挙に解決するに至っ
た。
題に鑑みてなされたものであって、両面に導体層を有す
る両面基板に導通路を形成するに当たり、絶縁性フィル
ムにのみ金属物質を充填した導通路を形成して電気抵抗
値を小さくし、さらに導通路端部には絶縁性フィルム表
面から突出させた金属突出を形成して、この突出部を導
電層内に埋設接触する構造とすることによって、上記従
来の両面基板が有する問題点を一挙に解決するに至っ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は絶縁性フ
ィルムとその両面に形成された導電層からなる両面基板
であって、絶縁性フィルムには厚み方向に独立する貫通
孔内に金属物質を充填してなる導通路が電解メッキによ
り形成されていると共に、該導通路の少なくとも片端部
には上記導電層内に埋設して接触し、貫通孔径よりも大
きな突起径を有する金属突起が形成されていることを特
徴とする両面基板を提供するものである。
ィルムとその両面に形成された導電層からなる両面基板
であって、絶縁性フィルムには厚み方向に独立する貫通
孔内に金属物質を充填してなる導通路が電解メッキによ
り形成されていると共に、該導通路の少なくとも片端部
には上記導電層内に埋設して接触し、貫通孔径よりも大
きな突起径を有する金属突起が形成されていることを特
徴とする両面基板を提供するものである。
【０００８】本発明の両面基板に用いる絶縁性フィルム
としては実質的に電気絶縁性を有するものであればよい
が、耐熱性や加熱による寸法安定性、機械的強度などの
点からはポリイミド樹脂から形成することが好ましく、
特に両面に形成する導電層との密着性の点から加熱圧着
によって加熱流動して確実に接着できる熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁性フィル
ムの厚みは通常、５〜２００μｍ程度に設定する。な
お、本発明における「熱可塑性」とは、ガラス転移温度
が２００℃以上であって、しかもガラス転移温度よりも
１００℃高い温度での溶融粘度が１×１０8 ポイズ以下
の値を有するものと定義される。
としては実質的に電気絶縁性を有するものであればよい
が、耐熱性や加熱による寸法安定性、機械的強度などの
点からはポリイミド樹脂から形成することが好ましく、
特に両面に形成する導電層との密着性の点から加熱圧着
によって加熱流動して確実に接着できる熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁性フィル
ムの厚みは通常、５〜２００μｍ程度に設定する。な
お、本発明における「熱可塑性」とは、ガラス転移温度
が２００℃以上であって、しかもガラス転移温度よりも
１００℃高い温度での溶融粘度が１×１０8 ポイズ以下
の値を有するものと定義される。
【０００９】上記熱可塑性ポリイミド樹脂は、例えば下
記のテトラカルボン酸二無水物またはその誘導体と、下
記ジアミン成分との縮重合反応によって得られるポリア
ミド酸をイミド化することによって得ることができる。
記のテトラカルボン酸二無水物またはその誘導体と、下
記ジアミン成分との縮重合反応によって得られるポリア
ミド酸をイミド化することによって得ることができる。
【００１０】テトラカルボン酸二無水物またはその誘導
体としては、具体的にはビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物など、およびこれら
の誘導体のうち少なくとも一種を用いることができる。
体としては、具体的にはビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフルオロメタン二無水物など、およびこれら
の誘導体のうち少なくとも一種を用いることができる。
【００１１】一方、ジアミン成分としてはビス〔４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルスル
ホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，
４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス〔４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’
−ジアミノベンゾフェノンなどのうち少なくとも一種を
用いることができる。
（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルスル
ホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，
４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス〔４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’
−ジアミノベンゾフェノンなどのうち少なくとも一種を
用いることができる。
【００１２】また、本発明における上記絶縁性フィルム
は、上記熱可塑性ポリイミド樹脂層を両面外層に有し、
内層には例えば低線膨張性ポリイミド樹脂層などの絶縁
性樹脂層を積層して３層以上の多層構造としておくこと
もできる。このように低線膨張性を有する層を内層に形
成することによって、銅箔などの導電層との積層工程に
おいて導電層と絶縁性フィルムとの線膨張係数が近似す
るので、得られる両面基板がカールや反りを起こすこと
が防止できて好ましいものである。
は、上記熱可塑性ポリイミド樹脂層を両面外層に有し、
内層には例えば低線膨張性ポリイミド樹脂層などの絶縁
性樹脂層を積層して３層以上の多層構造としておくこと
もできる。このように低線膨張性を有する層を内層に形
成することによって、銅箔などの導電層との積層工程に
おいて導電層と絶縁性フィルムとの線膨張係数が近似す
るので、得られる両面基板がカールや反りを起こすこと
が防止できて好ましいものである。
【００１３】このような低線膨張性ポリイミド樹脂と
は、線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下の
値を有するポリイミド樹脂であって、具体的にはテトラ
カルボン酸成分として３，３’，４，４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、２，２’３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物の少なくとも一種を用い、ジアミン成
分としてはｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、３，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノビフェニル
の少なくとも一種を用いて重合反応させたものを用いる
ことが好ましい。
は、線膨張係数が２．０×１０-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下の
値を有するポリイミド樹脂であって、具体的にはテトラ
カルボン酸成分として３，３’，４，４’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、２，２’３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物の少なくとも一種を用い、ジアミン成
分としてはｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、３，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノビフェニル
の少なくとも一種を用いて重合反応させたものを用いる
ことが好ましい。
【００１４】本発明の両面基板は上記絶縁性フィルムの
両面に銅箔などの導電層が形成され、絶縁性フィルム内
には厚み方向に独立する導通路を有するものである。絶
縁性フィルムと導電層を積層する方法としては、銅箔な
どの導電層の片面にポリイミド樹脂の溶液もしくはその
前駆体であるポリアミド酸の溶液をロールコーターやコ
ンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレードなど
を用いて塗布、乾燥することによって絶縁性フィルムと
することができる。その他の方法としては予め作製した
絶縁性フィルムの片面もしくは両面に金属などの導電体
を蒸着法やメッキ法などによって層状に形成したり、導
電層としての銅箔などを加熱圧着する方法などが採用で
きる。
両面に銅箔などの導電層が形成され、絶縁性フィルム内
には厚み方向に独立する導通路を有するものである。絶
縁性フィルムと導電層を積層する方法としては、銅箔な
どの導電層の片面にポリイミド樹脂の溶液もしくはその
前駆体であるポリアミド酸の溶液をロールコーターやコ
ンマコーター、ナイフコーター、ドクターブレードなど
を用いて塗布、乾燥することによって絶縁性フィルムと
することができる。その他の方法としては予め作製した
絶縁性フィルムの片面もしくは両面に金属などの導電体
を蒸着法やメッキ法などによって層状に形成したり、導
電層としての銅箔などを加熱圧着する方法などが採用で
きる。
【００１５】一方、 導通路は、絶縁性フィルムの所定
の位置に通常５〜２００μｍ程度、好ましくは１０〜１
００μｍ程度の孔径の貫通孔を形成して、この貫通孔に
金属物質を充填することによって形成される。
の位置に通常５〜２００μｍ程度、好ましくは１０〜１
００μｍ程度の孔径の貫通孔を形成して、この貫通孔に
金属物質を充填することによって形成される。
【００１６】貫通孔の形成方法としては、アルカリ溶液
などによるウエットエッチング法、レーザーやプラズマ
などによるドライエッチング法、パンチングやドリルな
どによる機械的加工法などが挙げられる。これらのう
ち、加工精度や加工速度、加工形状の多様性などを考慮
すると、レーザー加工法が好ましく、特に４００ｎｍ以
下の発振波長を有する紫外光レーザーによるアブレーシ
ョンが好ましい。このような紫外光レーザーとしてはエ
キシマレーザーやＹＡＧレーザーの第３高調波などを用
いることができる。
などによるウエットエッチング法、レーザーやプラズマ
などによるドライエッチング法、パンチングやドリルな
どによる機械的加工法などが挙げられる。これらのう
ち、加工精度や加工速度、加工形状の多様性などを考慮
すると、レーザー加工法が好ましく、特に４００ｎｍ以
下の発振波長を有する紫外光レーザーによるアブレーシ
ョンが好ましい。このような紫外光レーザーとしてはエ
キシマレーザーやＹＡＧレーザーの第３高調波などを用
いることができる。
【００１７】上記のようにして形成した貫通孔に充填さ
れる金属物質としては、金、銀、銅、ニッケル、コバル
ト、錫、鉛、インジウムなどの金属、もしくはこれらを
主成分とする各種合金などが挙げられ、これらの金属物
質はメッキ法によって充填することが好ましい。
れる金属物質としては、金、銀、銅、ニッケル、コバル
ト、錫、鉛、インジウムなどの金属、もしくはこれらを
主成分とする各種合金などが挙げられ、これらの金属物
質はメッキ法によって充填することが好ましい。
【００１８】上記導通路は少なくともその片端部には上
記金属物質からなる金属突起が導電層と接するように形
成されており、しかもこの金属突起は導電層内に埋設さ
れている。埋設の程度は接する導電層の厚みの２〜５０
％程度にすることによって、確実な導通と導電層と絶縁
性フィルムとの密着性の点から好ましい。このような金
属突起は貫通孔への上記金属物質のメッキ充填において
メッキ時間を調整することによって形成することができ
る。突出高さは通常、１〜２０μｍ程度に調整し、突起
径を貫通孔径よりも大きくすることで導通路を絶縁性フ
ィルム内に確実に保持することができるので好ましい。
記金属物質からなる金属突起が導電層と接するように形
成されており、しかもこの金属突起は導電層内に埋設さ
れている。埋設の程度は接する導電層の厚みの２〜５０
％程度にすることによって、確実な導通と導電層と絶縁
性フィルムとの密着性の点から好ましい。このような金
属突起は貫通孔への上記金属物質のメッキ充填において
メッキ時間を調整することによって形成することができ
る。突出高さは通常、１〜２０μｍ程度に調整し、突起
径を貫通孔径よりも大きくすることで導通路を絶縁性フ
ィルム内に確実に保持することができるので好ましい。
【００１９】
【実施例】本発明の両面基板は上記構成からなるもので
あるが、例えば、下記実施例に示す方法によって得るこ
とができる。なお、本発明の両面基板は下記実施例に限
定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しな
い範囲で種々の変形は可能である。
あるが、例えば、下記実施例に示す方法によって得るこ
とができる。なお、本発明の両面基板は下記実施例に限
定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しな
い範囲で種々の変形は可能である。
【００２０】実施例１（図１参照） ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物とｐ−フェニレンジアミンをＮ−メチル−２−ピロ
リドン中にて重合して得たポリアミド酸溶液を銅箔上に
塗布乾燥、イミド化処理して、３０μｍ厚の絶縁性フィ
ルム１と１８μｍ厚の導電層２とからなる片面基板を作
製した。
水物とｐ−フェニレンジアミンをＮ−メチル−２−ピロ
リドン中にて重合して得たポリアミド酸溶液を銅箔上に
塗布乾燥、イミド化処理して、３０μｍ厚の絶縁性フィ
ルム１と１８μｍ厚の導電層２とからなる片面基板を作
製した。
【００２１】得られた基板の絶縁性フィルム１表面にＫ
ｒＦエキシマレーザー光を照射して絶縁性フィルム１の
みをドライエッチングして６０μｍ径、ピッチ２００μ
ｍの微細な貫通孔を２０個形成した。
ｒＦエキシマレーザー光を照射して絶縁性フィルム１の
みをドライエッチングして６０μｍ径、ピッチ２００μ
ｍの微細な貫通孔を２０個形成した。
【００２２】次いで、他面側の銅箔２表面にメッキレジ
ストを塗工し、銅箔２を陰極として銅メッキ浴中に浸漬
して銅メッキを施し、先に形成した貫通孔内に銅を充填
して導通路４を作製した。メッキ処理は充填した銅が絶
縁性フィルム１表面から５μｍ突出したときに中断して
導通路４片面に銅突起３を形成した。形成した銅突起３
の径は７２μｍであった。
ストを塗工し、銅箔２を陰極として銅メッキ浴中に浸漬
して銅メッキを施し、先に形成した貫通孔内に銅を充填
して導通路４を作製した。メッキ処理は充填した銅が絶
縁性フィルム１表面から５μｍ突出したときに中断して
導通路４片面に銅突起３を形成した。形成した銅突起３
の径は７２μｍであった。
【００２３】次に、塗工レジストを剥離し、絶縁性フィ
ルム１表面をアルカリ性薬液にて表面処理を行なったの
ち、この表面に無電解メッキにて３μｍ厚の銅を析出さ
せ、さらに銅を電解メッキすることによって、導電層２
として１５μｍ厚の銅層を形成して図１に示す本発明の
両面基板を得た。
ルム１表面をアルカリ性薬液にて表面処理を行なったの
ち、この表面に無電解メッキにて３μｍ厚の銅を析出さ
せ、さらに銅を電解メッキすることによって、導電層２
として１５μｍ厚の銅層を形成して図１に示す本発明の
両面基板を得た。
【００２４】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１ｋｇ／ｃｍであ
った。両面基板に形成された導通路２０個はすべて表裏
面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は０．
５ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１ｋｇ／ｃｍであ
った。両面基板に形成された導通路２０個はすべて表裏
面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は０．
５ｍΩ以下であった。
【００２５】実施例２ 絶縁性フィルムを３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミン／４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル（６０／４０モル
比）とを重合してなる５０μｍ厚のポリイミド樹脂層か
ら形成し、実施例１と同様に導通路を作製した。導通路
作製後、イオンプレーティング法によって３μｍ厚のニ
ッケル層からなる導電層を絶縁性フィルム表面に形成し
て本発明の両面基板を得た。
ラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミン／４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル（６０／４０モル
比）とを重合してなる５０μｍ厚のポリイミド樹脂層か
ら形成し、実施例１と同様に導通路を作製した。導通路
作製後、イオンプレーティング法によって３μｍ厚のニ
ッケル層からなる導電層を絶縁性フィルム表面に形成し
て本発明の両面基板を得た。
【００２６】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．１ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
１ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．１ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
１ｍΩ以下であった。
【００２７】実施例３ 絶縁性フィルムを実施例１に用いたポリイミド樹脂層
と、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二
無水物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパンとを重合して得た熱可塑性
ポリイミド樹脂層との積層フィルム（３０μｍ厚）とし
た以外は、実施例１と同様にして本発明の両面基板を作
製した。
と、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二
無水物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパンとを重合して得た熱可塑性
ポリイミド樹脂層との積層フィルム（３０μｍ厚）とし
た以外は、実施例１と同様にして本発明の両面基板を作
製した。
【００２８】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．５ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．５ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．５ｍΩ以下であった。
【００２９】比較例１ 実施例１において貫通孔への銅の充填および銅突起の形
成を行なわない以外は、実施例１と同様にして両面基板
を得た。
成を行なわない以外は、実施例１と同様にして両面基板
を得た。
【００３０】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１ｋｇ／ｃｍであ
り、貫通孔２０個のうち１８個は導通不良であった。な
お、残りの２個はスルーホールメッキされて導通接続し
ていたが、接続抵抗値は５ｍΩであった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１ｋｇ／ｃｍであ
り、貫通孔２０個のうち１８個は導通不良であった。な
お、残りの２個はスルーホールメッキされて導通接続し
ていたが、接続抵抗値は５ｍΩであった。
【００３１】比較例２ 実施例２において貫通孔への銅の充填および銅突起の形
成を行なわない以外は、実施例２と同様にして両面基板
を得た。
成を行なわない以外は、実施例２と同様にして両面基板
を得た。
【００３２】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．１ｋｇ／ｃｍ
であり、貫通孔２０個のうち１３個は導通不良であっ
た。なお、残りの７個はスルーホールメッキされて導通
接続していたが、接続抵抗値は７ｍΩであった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．１ｋｇ／ｃｍ
であり、貫通孔２０個のうち１３個は導通不良であっ
た。なお、残りの７個はスルーホールメッキされて導通
接続していたが、接続抵抗値は７ｍΩであった。
【００３３】実施例４（図２参照） ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホンとを重合して得た熱可塑性ポリアミド酸溶液を銅
箔２上に塗布乾燥、イミド化処理して、２０μｍ厚の絶
縁性フィルム１と３５μｍ厚の導電層２とからなる片面
基板を作製した。なお、この熱可塑性ポリイミド樹脂の
ガラス転移温度は２７５℃であり、３７５℃での溶融粘
度は４×１０6 ポイズであった。
物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホンとを重合して得た熱可塑性ポリアミド酸溶液を銅
箔２上に塗布乾燥、イミド化処理して、２０μｍ厚の絶
縁性フィルム１と３５μｍ厚の導電層２とからなる片面
基板を作製した。なお、この熱可塑性ポリイミド樹脂の
ガラス転移温度は２７５℃であり、３７５℃での溶融粘
度は４×１０6 ポイズであった。
【００３４】得られた基板の絶縁性フィルム１表面にＫ
ｒＦエキシマレーザー光を照射して絶縁性フィルムのみ
をドライエッチングして６０μｍ径、ピッチ２００μｍ
の微細な貫通孔を２０個形成した。
ｒＦエキシマレーザー光を照射して絶縁性フィルムのみ
をドライエッチングして６０μｍ径、ピッチ２００μｍ
の微細な貫通孔を２０個形成した。
【００３５】次いで、他面側の銅箔２表面にメッキレジ
ストを塗工し、貫通孔底部に露出した銅箔表面を化学研
磨剤溶液にて半球状に研磨して、そののち銅箔部を陰極
として金メッキ浴中に浸漬して金メッキを施し、先に形
成した貫通孔内に金を充填して導通路４を作製した。メ
ッキ処理は充填した金が絶縁性フィルム１表面から５μ
ｍ突出したときに中断して導通路４に金突起３を形成し
た。形成した金突起３の径は７０μｍであった。
ストを塗工し、貫通孔底部に露出した銅箔表面を化学研
磨剤溶液にて半球状に研磨して、そののち銅箔部を陰極
として金メッキ浴中に浸漬して金メッキを施し、先に形
成した貫通孔内に金を充填して導通路４を作製した。メ
ッキ処理は充填した金が絶縁性フィルム１表面から５μ
ｍ突出したときに中断して導通路４に金突起３を形成し
た。形成した金突起３の径は７０μｍであった。
【００３６】次に、金突起３を形成した側の絶縁性フィ
ルム１表面に１８μｍ厚の銅箔２を加熱圧着して図２に
示す本発明の両面基板を得た。
ルム１表面に１８μｍ厚の銅箔２を加熱圧着して図２に
示す本発明の両面基板を得た。
【００３７】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．４ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．４ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
【００３８】実施例５ 絶縁性フィルムを３，３’，４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物と３，３’−ジアミノジフェニル
スルホンとを重合してなる熱可塑性ポリイミド樹脂から
形成した以外は、実施例４と同様にして本発明の両面基
板を得た。なお、この熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス
転移温度は２７５℃であり、３７５℃での溶融粘度は７
×１０6 ポイズであった。
ラカルボン酸二無水物と３，３’−ジアミノジフェニル
スルホンとを重合してなる熱可塑性ポリイミド樹脂から
形成した以外は、実施例４と同様にして本発明の両面基
板を得た。なお、この熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス
転移温度は２７５℃であり、３７５℃での溶融粘度は７
×１０6 ポイズであった。
【００３９】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は２．１ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は２．１ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
【００４０】比較例３ 実施例４において貫通孔への金の充填は行ない、金突起
の形成を行なわなかった以外は、実施例４と同様にして
両面基板を得た。
の形成を行なわなかった以外は、実施例４と同様にして
両面基板を得た。
【００４１】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．４ｋｇ／ｃｍ
であったが、導通路２０個のうち３個しか導通接続して
いなかった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．４ｋｇ／ｃｍ
であったが、導通路２０個のうち３個しか導通接続して
いなかった。
【００４２】実施例６（図３参照） 低線膨張性ポリイミド樹脂として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレン
ジアミンとの重合物（線膨張係数０．６×１０-5ｃｍ／
ｃｍ／℃）を、熱可塑性ポリイミド樹脂としてビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物と
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ンとの重合物（ガラス転移温度２５０℃、３５０℃での
溶融粘度４×１０6 ポイズ）を用いて、３５μｍ厚の銅
箔２上に熱可塑性ポリイミド樹脂層１２（１０μｍ
厚）、低線膨張性ポリイミド樹脂層１１（３０μｍ
厚）、熱可塑性ポリイミド樹脂層１２（１０μｍ厚）を
順次積層して３層構造の絶縁性フィルム１を有する片面
基板を得た。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレン
ジアミンとの重合物（線膨張係数０．６×１０-5ｃｍ／
ｃｍ／℃）を、熱可塑性ポリイミド樹脂としてビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物と
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ンとの重合物（ガラス転移温度２５０℃、３５０℃での
溶融粘度４×１０6 ポイズ）を用いて、３５μｍ厚の銅
箔２上に熱可塑性ポリイミド樹脂層１２（１０μｍ
厚）、低線膨張性ポリイミド樹脂層１１（３０μｍ
厚）、熱可塑性ポリイミド樹脂層１２（１０μｍ厚）を
順次積層して３層構造の絶縁性フィルム１を有する片面
基板を得た。
【００４３】得られた基板の絶縁性フィルム１表面にＫ
ｒＦエキシマレーザー光を照射して絶縁性フィルム１の
みをドライエッチングして６０μｍ径、ピッチ２００μ
ｍの微細な貫通孔を２０個形成した。
ｒＦエキシマレーザー光を照射して絶縁性フィルム１の
みをドライエッチングして６０μｍ径、ピッチ２００μ
ｍの微細な貫通孔を２０個形成した。
【００４４】次いで、他面側の銅箔２表面にメッキレジ
ストを塗工し、貫通孔底部に露出した銅箔２表面を化学
研磨剤溶液にて半球状に研磨して、そののち銅箔２を陰
極として金メッキ浴中に浸漬して金メッキを施し、先に
形成した貫通孔内に金を充填して導通路４を作製した。
メッキ処理は充填した金が絶縁性フィルム表面から５μ
ｍ突出したときに中断して導通路４に金突起３を形成し
た。形成した金突起３の径は６８μｍであった。
ストを塗工し、貫通孔底部に露出した銅箔２表面を化学
研磨剤溶液にて半球状に研磨して、そののち銅箔２を陰
極として金メッキ浴中に浸漬して金メッキを施し、先に
形成した貫通孔内に金を充填して導通路４を作製した。
メッキ処理は充填した金が絶縁性フィルム表面から５μ
ｍ突出したときに中断して導通路４に金突起３を形成し
た。形成した金突起３の径は６８μｍであった。
【００４５】次に、金突起３を形成した側の絶縁性フィ
ルム１表面に１８μｍ厚の銅箔２を加熱圧着して図３に
示す本発明の両面基板を得た。
ルム１表面に１８μｍ厚の銅箔２を加熱圧着して図３に
示す本発明の両面基板を得た。
【００４６】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．４ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は１．４ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
【００４７】実施例７ 低線膨張性ポリイミド樹脂として３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレン
ジアミン／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（６
０／４０モル比）との重合物（線膨張係数１．７×１０
-5ｃｍ／ｃｍ／℃）を、熱可塑性ポリイミド樹脂として
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホンとの重合物（ガラス転移温度２５０℃、３５０℃
での溶融粘度５×１０6 ポイズ）を用いて、３５μｍ厚
の銅箔上に熱可塑性ポリイミド樹脂層（２０μｍ厚）、
低線膨張性ポリイミド樹脂層（５０μｍ厚）、熱可塑性
ポリイミド樹脂層（２０μｍ厚）を順次積層して３層構
造の絶縁性フィルムを有する片面基板を用いた以外は、
実施例６と同様にして本発明の両面基板を得た。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレン
ジアミン／４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（６
０／４０モル比）との重合物（線膨張係数１．７×１０
-5ｃｍ／ｃｍ／℃）を、熱可塑性ポリイミド樹脂として
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物とビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホンとの重合物（ガラス転移温度２５０℃、３５０℃
での溶融粘度５×１０6 ポイズ）を用いて、３５μｍ厚
の銅箔上に熱可塑性ポリイミド樹脂層（２０μｍ厚）、
低線膨張性ポリイミド樹脂層（５０μｍ厚）、熱可塑性
ポリイミド樹脂層（２０μｍ厚）を順次積層して３層構
造の絶縁性フィルムを有する片面基板を用いた以外は、
実施例６と同様にして本発明の両面基板を得た。
【００４８】得られた両面基板における銅箔と絶縁性フ
ィルムとの界面での引き剥がし強度は２．１ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
ィルムとの界面での引き剥がし強度は２．１ｋｇ／ｃｍ
であった。両面基板に形成された導通路２０個はすべて
表裏面に導通接続しており、導通路１個の接続抵抗値は
０．１ｍΩ以下であった。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、本発明の両面基板は絶縁
性フィルム内の導通路が金属物質の充填によって形成さ
れているので電気抵抗値が小さく、しかも導通路端部に
は金属突起を形成し、この金属突起が両面の導電層内に
埋設接続しているので、導電層と絶縁性フィルムとの界
面での密着性（接着性）に優れ、確実な導通もとれると
いう効果を発揮するものである。
性フィルム内の導通路が金属物質の充填によって形成さ
れているので電気抵抗値が小さく、しかも導通路端部に
は金属突起を形成し、この金属突起が両面の導電層内に
埋設接続しているので、導電層と絶縁性フィルムとの界
面での密着性（接着性）に優れ、確実な導通もとれると
いう効果を発揮するものである。
【図１】 本発明の両面基板の部分拡大断面図である。
【図２】 本発明の両面基板の部分拡大断面図である。
【図３】 本発明の両面基板の部分拡大断面図である。
１ 絶縁性フィルム １１ 低線膨張性ポリイミド層 １２ 熱可塑性ポリイミド樹脂 ２ 導電層 ３ 金属突起 ４ 導通路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−261193（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−152163（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−104185（ＪＰ，Ａ) 実開 昭48−52059（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/11
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性フィルムとその両面に形成された
導電層からなる両面基板であって、絶縁性フィルムには
厚み方向に独立する貫通孔内に金属物質を充填してなる
導通路が電解メッキにより形成されていると共に、該導
通路の少なくとも片端部には上記導電層内に埋設して接
触し、貫通孔径よりも大きな突起径を有する金属突起が
形成されていることを特徴とする両面基板。 - 【請求項２】 絶縁性フィルムが熱可塑性ポリイミド樹
脂から形成される請求項１記載の両面基板。 - 【請求項３】 絶縁性フィルムが３層以上の構造を有
し、導電層に接する層が熱可塑性ポリイミド樹脂層であ
る請求項１記載の両面基板。 - 【請求項４】 金属突起を埋設する側の導電層が、無電
解メッキ層または無電解メッキ法と電解メッキ法の併用
によって形成されている請求項１記載の両面基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10928592A JP2905331B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 両面基板 |
| US07/945,929 US5374469A (en) | 1991-09-19 | 1992-09-17 | Flexible printed substrate |
| EP19920116025 EP0533198A3 (en) | 1991-09-19 | 1992-09-18 | Flexible printed substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10928592A JP2905331B2 (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 両面基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283835A JPH05283835A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2905331B2 true JP2905331B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=14506301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10928592A Expired - Fee Related JP2905331B2 (ja) | 1991-09-19 | 1992-04-01 | 両面基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2905331B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014045721A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 株式会社村田製作所 | 配線基板、および、配線基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP10928592A patent/JP2905331B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05283835A (ja) | 1993-10-29 |
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