JP2916062B2

JP2916062B2 - Ｔｃｐ半導体装置

Info

Publication number: JP2916062B2
Application number: JP5057099A
Authority: JP
Inventors: 光昭大園
Original assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Current assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date: 1993-03-17
Filing date: 1993-03-17
Publication date: 1999-07-05
Anticipated expiration: 2014-07-05
Also published as: JPH06268104A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のパッケー
ジ形態の一つであるテープキャリアパッケージを用いた
半導体装置（以下ＴＣＰ半導体装置）、ＴＣＰ半導体装
置用キャリアテープ及びＴＣＰ半導体装置の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】図２は従来のＴＣＰ半導体装置を説明す
るための図であり、図２ａは樹脂封止後の状態を示す断
面図、図２ｂは樹脂封止前の状態を示す平面図である。
図２ａは図２ｂのＢ−Ｂ線での断面図である。

【０００３】図から分かるように、近年のＴＣＰ半導体
装置においては、装着される半導体基板の機能が複雑化
してきており、電極の配列数が相対する辺で極端に異な
ることが多くなっている。つまり、半導体基板内の各辺
における電極が以前は比較的均等に配置されていたが、
昨今は極端に不均等な配置になることも多くなってきて
いる。また、多電極化によるインナーリード相互間の間
隙幅の狭小化が進んでいる。

【０００４】この従来の半導体装置では、テープキャリ
ア４に形成されたデバイスホール５の内側に半導体基板
が装着されている。テープキャリア４に装着される半導
体基板２に形成された電極に接続される導体パターン３
の数に関係なく、テープキャリア４内に設けるデバイス
ホール５の中心７と半導体基板２の中心６とは一致させ
ていた。

【０００５】このような半導体装置において、樹脂封止
は、通常半導体基板２の表面側に軟化した封止樹脂（例
えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂
等）を滴下、又は塗布し、その流動性及び粘性を利用し
て半導体基板２の表面側から、デバイスホール間隙長
（図中に記号Ｌで示す）とリード間隙幅（図中に記号Ｗ
１，Ｗ２で示す）とで決まる樹脂流出寄与領域を介して
半導体基板２の側面のデバイスホール５に封止樹脂を供
給することにより、半導体基板２の表面及びデバイスホ
ール５全体に樹脂を充填して行う。

【０００６】封止樹脂１は半導体基板表面を保護するた
めの表面保護膜となり、他方の封止樹脂１３、１４はデ
バイスホール５を充填し、半導体基板２の裏面及び側面
からの悪影響を阻止すると共に機械的強度を維持する。

【０００７】デバイスホール５の第１辺５３から半導体
基板２の方に延在する第１辺側インナーリード３３はリ
ード間隙幅（Ｗ）が粗に形成され（Ｗ＝Ｗ１）ており、
デバイスホール５の第１辺５３に相対する第２辺５４か
ら半導体基板２の方に延在する第２辺側インナーリード
３４はリード間隙幅（Ｗ）が密に形成され（Ｗ＝Ｗ２）
ている。なお、簡単のため第１辺側インナーリード３
３、第２辺側インナーリード３４は各々均等な配列とし
ている。

【０００８】ここで、デバイスホール各辺における樹脂
流出寄与領域の面積和Ｓについて検討してみる。

【０００９】リード間隙幅をＷ、デバイスホール間隙長
をＬ、リード相互間の間隔数をＮとすれば、樹脂流出寄
与領域の面積和Ｓは、Ｓ＝Ｗ×Ｌ×Ｎで表される。な
お、簡単のため各辺が交差する部分については除外して
考える。

【００１０】デバイスホール５の第１辺５３側におい
て、第１側デバイスホール間隙長Ｌを０．２ｍｍ、第１
辺側インナーリード３３はリード間隙幅Ｗ１を３．０ｍ
ｍとすれば、リード相互間の間隔数Ｎ１は５であるか
ら、第１辺側の樹脂流出寄与領域の面積和Ｓ１は、Ｓ１
＝Ｌ１×Ｗ１×Ｎ１＝０．２×３．０×５＝３．０ｍｍ
²となる。デバイスホール５の第２辺５４側において、
第２辺側デバイスホール間隙長Ｌ２を０．２ｍｍ，第２
辺側インナーリード３４のリード間隙幅Ｗ２は０．５ｍ
ｍ、リード相互間の間隔数Ｎ２は１１であるから、第２
辺側の樹脂流出寄与領域の面積和Ｓ２は、Ｓ２＝Ｌ２×
Ｗ２×Ｎ２＝０．２×０．５×１１＝１．１ｍｍ²とな
る。

【００１１】即ち、樹脂流出寄与領域の面積和の比、Ｓ
２／Ｓ１は１．１／３．０＝０．３６７となる。

【００１２】このように樹脂流出寄与領域の面積和の比
が片寄っていることから、ＴＣＰ半導体装置を生産する
樹脂封止工程において、半導体基板２に形成される電極
の配列が疎となるデバイスホール５の第１辺５３側と、
電極の配列が密となるデバイスホール５の第２辺５４側
とで樹脂供給面（半導体基板２の表面）側から半導体基
板２の側面側への樹脂供給量の差が著しく、樹脂供給面
側から半導体基板２の側面側への封止樹脂の流れを均一
にすることや、また、塗布した側の樹脂１厚を均一な平
面にすることが困難となり、設計した樹脂領域に対して
設計通りの封止形状とすることができず、安定的な生産
ができなかった。

【００１３】つまり、不均一な樹脂の流れだしにより、
薄く広がり過ぎた部分１３ができたり、逆に封止樹脂が
十分に供給されないので隙間を生じた部分１４ができ、
封止形状が左右で不均衡となり、機械的強度を十分に確
保することができず、機械的なストレスによるクラック
の発生原因となっていた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した従
来のＴＣＰ半導体装置で問題となる、半導体基板表面側
から半導体基板側面のデバイスホールに供給される封止
樹脂の不均一な流れ出しを均等化し、それにより半導体
基板表面の封止樹脂の厚さを均一にし、さらに半導体基
板側面のデバイスホールへの封止樹脂の充填を均等化す
ることを可能にしたもので、設計値に沿った封止樹脂形
状を有するＴＣＰ半導体装置、ＴＣＰ半導体装置用キャ
リアテープ及びＴＣＰ半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
テープキャリアパッケージ半導体装置は、搭載される半
導体基板は矩形であり、デバイスホールの各辺が、少な
くとも、半導体基板の各辺に対向する領域においては、
該半導体基板のと対向する各辺と平行であり、上記デバ
イスホール内側に装着された半導体基板の第１辺側に接
続される第１辺側インナーリードの間隙幅が、第１辺側
に対応する半導体基板の第２辺側に接続される第２辺側
インナーリードの間隙幅より大きく形成されたテープキ
ャリアパッケージ半導体装置において、半導体基板の第
１辺とこれに対応するデバイスホールの第１辺とにより
定まる第１辺側デバイスホールの間隙長が、半導体基板
の第２辺とこれに対応するデバイスホールの第２辺とに
より定まる第２辺側デバイスホールの間隙長より小さく
形成されたことを特徴とするものである。

【００１６】また、請求項２記載の本発明のテープキャ
リアパッケージ半導体装置は、搭載される半導体基板は
矩形であり、デバイスホールの各辺が、少なくとも、半
導体基板の各辺に対向する領域においては、該半導体基
板のと対向する各辺と平行であり、キャリアテープのデ
バイスホール内側に装着された半導体基板の第１辺側に
接続される第１辺側インナーリードの間隙幅が、第１辺
側に対応する半導体基板の第２辺側に接続される第２辺
側インナーリードの間隙幅より大きく形成されたテープ
キャリアパッケージ半導体装置において、半導体基板の
第１辺及び半導体基板の第２辺により定まる中心が、デ
バイスホールの第１辺及び第２辺により定まる中心よ
り、第１辺側にずらして形成されることにより、第１辺
側間隙長と第２辺側間隙長とを異ならせたことを特徴と
するものである。

【００１７】また、請求項３記載の本発明のテープキャ
リアパッケージ半導体装置は、第１辺側デバイスホール
の間隙長と第１辺側インナーリードの間隙幅とにより定
まる第１辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和と、第２
辺側デバイスホールの間隙長と第２辺側インナーリード
の間隙幅とにより定まる第２辺側の封止樹脂流出寄与領
域の面積和とがほぼ等しいことを特徴とする、請求項１
又は請求項２に記載のテープキャリアパッケージ半導体
装置である。また、請求項４記載の本発明のテープキャ
リアパッケージ半導体装置は、デバイスホールの間隙長
とインナーリードの間隙幅とにより定まる半導体基板の
第１辺側の１つの封止樹脂流出寄与領域の面積和と、こ
れに対応する半導体基板の第２辺側の封止樹脂流出寄与
領域の面積和とはほぼ等しいことを特徴とする、請求項
１乃至請求項３のいずれに記載のテープキャリアパッケ
ージ半導体装置である。また、請求項５記載の本発明の
テープキャリアパッケージ半導体装置は、半導体基板の
第１辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和と、半導体基
板の第２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和とが単位
長さ当たりでほぼ等しいことを特徴とする、請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載のテープキャリアパッケー
ジ半導体装置である。

【００１８】また、請求項６記載の本発明のテープキャ
リアパッケージ半導体装置用キャリアテープは、搭載さ
れる半導体基板は矩形であり、デバイスホールの各辺
が、少なくとも、半導体基板の各辺に対向する領域にお
いては、該半導体基板のと対向する各辺と平行であり、
半導体基板基板を装着するためのデバイスホールの第１
辺から装着されるべき半導体基板の第１辺に延長する第
１辺側インナーリードの間隙幅が、第１辺に対応するデ
バイスホールの第２辺から半導体基板の第２辺に延長す
る第２辺側インナーリードの間隙幅より大きく形成され
たテープキャリアパッケージ半導体装置用キャリアテー
プにおいて、第１辺側インナーリードの長さが第２辺側
インナーリードの長さより短いことを特徴とするもので
ある。

【００１９】また、請求項７記載の本発明のテープキャ
リアパッケージ半導体装置用キャリアテープは、デバイ
スホールの第１辺と半導体基板の第１辺とにより定まる
第１辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和と、デバイス
ホールの第２辺と半導体基板の第２辺とにより定まる第
２辺側デバイスホールの間隙長と、第２辺側インナーリ
ードの間隙幅とにより定まる第２辺側の封止樹脂流出寄
与領域の面積和とが、ほぼ等しいことを特徴とする、請
求項６に記載のテープキャリアパッケージ半導体装置用
キャリアテープである。

【００２０】また、請求項８記載の本発明のテープキャ
リアパッケージ半導体装置用キャリアテープは、デバイ
スホールの間隙長とインナーリードの間隙幅とにより定
まる半導体基板の第１辺側の１つの封止樹脂流出寄与領
域の面積と、これに対応する半導体基板の第２辺側の封
止樹脂流出寄与領域の面積和とがほぼ等しいことを特徴
とする、請求項６又は請求項７に記載のテープキャリア
パッケージ半導体装置用キャリアテープである。また、
請求項９記載の本発明のテープキャリアパッケージ半導
体装置用キャリアテープは、半導体基板の第１辺側の封
止樹脂流出寄与領域の面積和と、半導体基板の第２辺側
の封止樹脂流出寄与領域の面積和とが単位長さ当たり
で、ほぼ等しいことを特徴とする請求項６又は請求項７
記載のテープキャリアパッケージ半導体装置用キャリア
テープである。

【００２１】さらに、請求項１０記載のテープキャリア
パッケージ半導体装置の製造方法は、搭載される半導体
基板は矩形であり、デバイスホールの各辺が、少なくと
も、半導体基板の各辺に対向する領域においては、該半
導体基板のと対向する各辺と平行であり、キャリアテー
プのデバイスホール内側に装着された半導体基板の第１
辺側に接続される第１辺側インナーリードの間隙幅が、
第１辺側に対応する半導体基板の第２辺側に接続される
第２辺側インナーリードの間隙幅より大きく形成された
テープキャリアパッケージ半導体装置の製造方法におい
て、キャリアテープのデバイスホールの第１辺と半導体
基板の第１辺との間に形成されるべき第１辺側の封止樹
脂流出寄与領域の面積和と、第１辺に相対するデバイス
ホールの第２辺と半導体基板の第２辺との間に形成され
るべき第２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和がほぼ
等しくなるように、デバイスホール内側によって第１辺
側インナーリードと第２辺側インナーリードとを形成す
る工程と、第１辺側インナーリードと第２辺側インナー
リードの先端部に半導体基板第１表面の電極を接続する
工程と、第１辺側、第２辺側の封止樹脂流出寄与領域を
介して、キャリアテープの第１表面側から、キャリアテ
ープの側面に封止樹脂を供給して半導体基板を樹脂封止
する工程と、からなることを特徴とするものである。

【００２２】

【作用】半導体基板の表面側から半導体基板の側面側に
樹脂が流れ出す時に、その流出量に影響を与える主な要
因としては、デバイスホールエッジとインナーリードと
チップエッジとにより画定される隙間面積が考えられ
る。

【００２３】本発明では、半導体基板に形成される電極
の配列が疎となるデバイスホールの第１辺側と、電極の
配列が密となるデバイスホールの第２辺側とで樹脂供給
面（半導体基板の表面）側から側面側への樹脂供給量が
均等になるように隙間面積を調整することにより、デバ
イスホールよりテープキャリアの裏面に流れ出す樹脂量
を、均一にすることができる。また、封止樹脂の流れが
均等になることから半導体基板表面の樹脂の厚さもほぼ
均等にすることができる。

【００２４】

【実施例】図１は本発明のＴＣＰ半導体装置を説明する
ための図であり、図１ａは樹脂封止後の状態を示す断面
図、図１ｂは樹脂封止前の状態を示す平面図である。図
１ａは図１ｂのＡ−Ａ線での断面図である。

【００２５】図において、テープキャリア４に形成され
たデバイスホール５の内側に半導体基板２が装着されて
いる。

【００２６】このような半導体装置において、樹脂封止
は、通常半導体基板２の表面側に軟化した封止樹脂（例
えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂
等）を滴下、又は塗布し、その流動性及び粘性を利用し
て半導体基板２の表面側から、デバイスホール間隙長と
リード間隙幅とで決まる樹脂流出寄与領域を介して半導
体基板２の側面のデバイスホール５に封止樹脂を供給す
ることにより、半導体基板２の表面及びデバイスホール
５全体に樹脂を充填して行う。

【００２７】封止樹脂１は半導体基板２の表面を保護す
るための表面保護膜となり、他方の封止樹脂１１、１２
はデバイスホール５を充填し、半導体基板２の裏面側及
び側面からの悪影響を阻止すると共に機械的強度を維持
する。

【００２８】デバイスホール５の第１辺５１から半導体
基板２の方に延在する第１辺側インナーリード３１はリ
ード間隙幅（Ｗ）が粗に形成され（Ｗ＝Ｗ１）ており、
デバイスホール５の第１辺５１に相対する第２辺５２か
ら半導体基板２の方に延在する第２辺側インナーリード
３２はリード間隙幅（Ｗ）が密に形成され（Ｗ＝Ｗ２）
ている。なお、簡単のため第１辺側インナーリード３
１、第２辺側インナーリード３２は各々均等な配列とし
ているが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【００２９】半導体基板２の中心６をデバイスホール５
の中心７よりデバイスホール５の第１辺５１の方にずら
して装着できるように、第１辺側インナーリード３１の
長さを第２辺側インナーリード３２の長さより短く形成
している。これにより、半導体基板２の装着したときに
形成されるデバイスホール間隙長（Ｌ）は、デバイスホ
ール５の第１辺５１側では短くなる（Ｌ＝Ｌ１：第１辺
側デバイスホール間隙長）のに対して、デバイスホール
５の第２辺５２側では長くなる（Ｌ＝Ｌ２：第２辺側デ
バイスホール間隙長）。

【００３０】ここで、デバイスホール各辺における樹脂
流出寄与領域の面積和Ｓは、従来技術と同様に、リード
間隙幅をＷ、デバイスホール間隙長をＬ、リード相互間
の間隔数をＮとすれば、Ｓ＝Ｗ×Ｌ×Ｎで表される。な
お、簡単のため各辺が交差する部分については除外して
考える。この実施例では、樹脂流出寄与面積をデバイス
ホールの相対する辺で等しくしている。

【００３１】デバイスホール５の第１辺５１側におい
て、第１辺側デバイスホール間隙長Ｌ１を０．２ｍｍ、
第１辺側インナーリード３１のリード間隙幅Ｗ１を３．
０ｍｍとすれば、リード相互間の間隔数Ｎ１は５である
から、第１辺側の樹脂流出寄与領域の面積和Ｓ１は、Ｓ
１＝Ｌ１×Ｗ１×Ｎ１＝０．２×３．０×５＝３．０ｍ
ｍ²となる。

【００３２】デバイスホール５の第２辺５２側におい
て、第２辺側インナーリード３２のリード間隙幅Ｗ２は
０．５ｍｍ、リード相互間の間隔数Ｎ２は１１であり、
第２辺側デバイスホール間隙長Ｌ２は、第２辺側の樹脂
流出寄与領域の面積和Ｓ２を第１辺側の樹脂流出寄与領
域の面積和Ｓ１と等しくすることから、Ｌ２＝Ｓ２／
（Ｗ２×Ｎ２）＝Ｓ１／（Ｗ２×Ｎ２）＝３．０／
（０．５×１１）＝０．５５ｍｍとなる。

【００３３】このように、デバイスホールの第１辺側と
第２辺側とにおける樹脂流出寄与領域の面積和を等しく
することにより、封止樹脂の流れをほぼ均等にできるこ
とから半導体基板２の表面の封止樹脂１の厚さを表面封
止部分の全面にわたってほぼ均一にできると共に、半導
体基板側面におけるデバイスホールへの封止樹脂の充填
を均等にすることができる。したがって、従来技術のよ
うな封止形状の不均一といったことがなくなる。

【００３４】この実施例では樹脂流出寄与領域の面積和
の比を１．０としたが、必ずしもこのように厳密に一致
させる必要はなく、例えば、Ｓ２／Ｓ１＝０．７〜１．
３程度としても、従来の場合に比べ同様な効果が得られ
る。これは、封止樹脂が、滴下、塗布時には液体状であ
り、一定の流動性、粘性を持つことから半導体基板の表
面側から半導体基板の側面側に所定量の樹脂が供給され
さえすればデバイスホールに沿って封止樹脂が十分に拡
がり、デバイスホールを十分に充填することができるた
めと思われる。

【００３５】図３は、キャリアテープのデバイスホール
５の内側に装着された半導体基板２の第１辺側に不均等
に接続される第１辺側インナーリード３５の間隙幅Ｗ１
ａ，Ｗ１ｂが、第１辺側に対応する半導体基板２の第２
辺側に不均等に接続される第２辺側インナーリード３６
の間隙幅Ｗ２ａ，Ｗ２ｂより大きく形成されたＴＣＰ半
導体装置を示す。デバイスホールの間隙長Ｌ１とインナ
ーリードの間隙幅Ｗ１ａ，Ｗ１ｂとにより定まる半導体
基板の第１辺側の任意の箇所の封止樹脂流出寄与領域の
面積Ｓ１、Ｓ２の面積和の４×Ｓ１，３×Ｓ２と、デバ
イスホールの間隙長Ｌ２とインナーリードの間隙幅Ｗ２
ａ，Ｗ２ｂとにより定まる半導体基板の第１辺側に対応
する第２辺側の任意の箇所の封止樹脂流出寄与領域の面
積Ｓ３、Ｓ４の面積和６×Ｓ３、５×Ｓ４とが均等にな
るようにしている。つまり、半導体基板の第１辺側の封
止樹脂流出寄与領域の面積和と、半導体基板の第２辺側
の封止樹脂流出寄与領域の面積和とが単位長さ当たりで
均等任意なるようにしている。

【００３６】図４は、本発明におけるインナーリードの
配列と樹脂流出寄与領域（面積）の関係を更に説明する
ための図である。

【００３７】第１辺側の１個の樹脂流出寄与領域の面積
Ｓ１と、これに対応する第２辺側の４個の樹脂流出寄与
領域の面積４×Ｓ２とが等しい場合を示している。これ
らの場合も、半導体基板２の相対する辺において、樹脂
流出の程度は第１辺側と第２辺側とで均等にできること
から、封止樹脂が均等に半導体基板表面とデバイスホー
ルとに充填することができる。

【００３８】なお、使用する樹脂特性は粘度１０ポイズ
以上であり、非ニュートン流体で効果がある。硬化温度
については樹脂によって違いはあるが、低い温度例えば
８０℃）よりも、高い温度（例えば、１５０〜２００
℃）で短時間（数分〜１０分）で処理するほうがより効
果的であった。

【００３９】

【発明の効果】（１）半導体素子を保護する樹脂の量
が、その半導体素子各方向共に均一に塗布でき、その結
果、局部的なパターンの露出や一部の辺が極端に厚くな
るような外観不良の撲滅ができた。

【００４０】（２）均等に樹脂が流れる事により、均一
な樹脂厚を形成することができ、対クラック性や耐湿性
の向上ができた。

【００４１】（３）各辺に均等な樹脂量を塗布可能にで
き、塗布圧力の調整や描画速度の適正化を行う必要もな
くなり作業時間の短縮ができた。

【００４２】（４）封止樹脂の流れの不均等による、不
要な導体パターンの露出及び偏った樹脂の流れ過ぎによ
る封止不良の撲滅ができる。

【００４３】（５）半導体素子を保護する樹脂の量が均
等になり、その結果、耐湿性や熱ストレスに対しても均
等となる。

【００４４】（６）外観検査の項目を削減でき、処理工
数を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１ａ】本発明に基づくテープキャリアパッケージの
断面図である。

【図１ｂ】図１ａのテープキャリアパッケージの平面図
である。

【図２ａ】従来のテープキャリアパッケージの断面図で
ある。

【図２ｂ】図２ａのテープキャリアパッケージの平面図
である。

【図３】本発明に基づく別のテープキャリアパッケージ
のの平面図である。

【図４】本発明におけるインナーリードの配列と樹脂流
出寄与領域（面積）の関係を説明する図である。

【符号の説明】

１，１１，１２，１３，１４封止樹脂２半導体素子３，３１，３２，３３，３４，３５，３６導体パター
ン及びインナーリード４テープキャリア５，５１，５２，５３，５４テープキャリア内に設け
るデバイスホール６半導体素子の中心線７テープキャリア内に設けるデバイスホールの中心線Ｌデバイスホールサイズ（間隙長）Ｓ隙間面積Ｗインナーリード間隙幅

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】搭載される半導体基板は矩形であり、デ
バイスホールの各辺が、少なくとも、半導体基板の各辺
に対向する領域においては、該半導体基板のと対向する
各辺と平行であり、上記デバイスホール内側に装着され
た半導体基板の第１辺側に接続される第１辺側インナー
リードの間隙幅が、第１辺側に対応する半導体基板の第
２辺側に接続される第２辺側インナーリードの間隙幅よ
り大きく形成されたテープキャリアパッケージ半導体装
置において、半導体基板の第１辺とこれに対応するデバイスホールの
第１辺とにより定まる第１辺側デバイスホールの間隙長
が、半導体基板の第２辺とこれに対応するデバイスホー
ルの第２辺とにより定まる第２辺側デバイスホールの間
隙長より小さく形成されたことを特徴とする、テープキ
ャリアパッケージ半導体装置。
【請求項２】搭載される半導体基板は矩形であり、デ
バイスホールの各辺が、少なくとも、半導体基板の各辺
に対向する領域においては、該半導体基板のと対向する
各辺と平行であり、キャリアテープのデバイスホール内
側に装着された半導体基板の第１辺側に接続される第１
辺側インナーリードの間隙幅が、第１辺側に対応する半
導体基板の第２辺側に接続される第２辺側インナーリー
ドの間隙幅より大きく形成されたテープキャリアパッケ
ージ半導体装置において、半導体基板の第１辺及び半導体基板の第２辺により定ま
る中心が、デバイスホールの第１辺及び第２辺により定
まる中心より、第１辺側にずらして形成されることによ
り、第１辺側間隙長と第２辺側間隙長とを異ならせたこ
とを特徴とするテープキャリアパッケージ半導体装置。
【請求項３】第１辺側デバイスホールの間隙長と第１
辺側インナーリードの間隙幅とにより定まる第１辺側の
封止樹脂流出寄与領域の面積和と、第２辺側デバイスホ
ールの間隙長と第２辺側インナーリードの間隙幅とによ
り定まる第２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和とが
ほぼ等しいことを特徴とする、請求項１又は請求項２に
記載のテープキャリアパッケージ半導体装置。
【請求項４】デバイスホールの間隙長とインナーリー
ドの間隙幅とにより定まる半導体基板の第１辺側の１つ
の封止樹脂流出寄与領域の面積和と、これに対応する半
導体基板の第２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和と
はほぼ等しいことを特徴とする、請求項１乃至請求項３
のいずれに記載のテープキャリアパッケージ半導体装
置。
【請求項５】半導体基板の第１辺側の封止樹脂流出寄
与領域の面積和と、半導体基板の第２辺側の封止樹脂流
出寄与領域の面積和とが単位長さ当たりでほぼ等しいこ
とを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれかに記
載のテープキャリアパッケージ半導体装置。
【請求項６】搭載される半導体基板は矩形であり、デ
バイスホールの各辺が、少なくとも、半導体基板の各辺
に対向する領域においては、該半導体基板のと対向する
各辺と平行であり、半導体基板基板を装着するためのデ
バイスホールの第１辺から装着されるべき半導体基板の
第１辺に延長する第１辺側インナーリードの間隙幅が、
第１辺に対応するデバイスホールの第２辺から半導体基
板の第２辺に延長する第２辺側インナーリードの間隙幅
より大きく形成されたテープキャリアパッケージ半導体
装置用キャリアテープにおいて、第１辺側インナーリードの長さが第２辺側インナーリー
ドの長さより短いことを特徴とするテープキャリアパッ
ケージ半導体装置用キャリアテープ。
【請求項７】デバイスホールの第１辺と半導体基板の
第１辺とにより定まる第１辺側の封止樹脂流出寄与領域
の面積和と、デバイスホールの第２辺と半導体基板の第
２辺とにより定まる第２辺側デバイスホールの間隙長
と、第２辺側インナーリードの間隙幅とにより定まる第
２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和とが、ほぼ等し
いことを特徴とする、請求項６に記載のテープキャリア
パッケージ半導体装置用キャリアテープ。
【請求項８】デバイスホールの間隙長とインナーリー
ドの間隙幅とにより定まる半導体基板の第１辺側の１つ
の封止樹脂流出寄与領域の面積と、これに対応する半導
体基板の第２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和とが
ほぼ等しいことを特徴とする、請求項６又は請求項７に
記載のテープキャリアパッケージ半導体装置用キャリア
テープ。
【請求項９】半導体基板の第１辺側の封止樹脂流出寄
与領域の面積和と、半導体基板の第２辺側の封止樹脂流
出寄与領域の面積和とが単位長さ当たりで、ほぼ等しい
ことを特徴とする請求項６又は請求項７記載のテープキ
ャリアパッケージ半導体装置用キャリアテープ。
【請求項１０】搭載される半導体基板は矩形であり、
デバイスホールの各辺が、少なくとも、半導体基板の各
辺に対向する領域においては、該半導体基板のと対向す
る各辺と平行であり、キャリアテープのデバイスホール
内側に装着された半導体基板の第１辺側に接続される第
１辺側インナーリードの間隙幅が、第１辺側に対応する
半導体基板の第２辺側に接続される第２辺側インナーリ
ードの間隙幅より大きく形成されたテープキャリアパッ
ケージ半導体装置の製造方法において、キャリアテープのデバイスホールの第１辺と半導体基板
の第１辺との間に形成されるべき第１辺側の封止樹脂流
出寄与領域の面積和と、第１辺に相対するデバイスホー
ルの第２辺と半導体基板の第２辺との間に形成されるべ
き第２辺側の封止樹脂流出寄与領域の面積和がほぼ等し
くなるように、デバイスホール内側によって第１辺側イ
ンナーリードと第２辺側インナーリードとを形成する工
程と、第１辺側インナーリードと第２辺側インナーリードの先
端部に半導体基板第１表面の電極を接続する工程と、第１辺側、第２辺側の封止樹脂流出寄与領域を介して、
キャリアテープの第１表面側から、キャリアテープの側
面に封止樹脂を供給して半導体基板を樹脂封止する工程
と、からなることを特徴とする、テープキャリアパッケ
ージ半導体装置の製造方法。