JP2925403B2 - Plating equipment for semiconductor products - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に際
して使用され、樹脂封止型半導体装置の外部リードに対
してメッキを施すためのメッキ装置に係り、特に噴射メ
ッキ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating apparatus used for manufacturing a semiconductor device and for plating external leads of a resin-encapsulated semiconductor device, and more particularly to an injection plating apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、樹脂封止型半導体装置の製造に
際して、モールド成型(樹脂封止)後の半導体装置に対
して、外部リードの表面保護、実装時の半田付けの容易
化を図るために外装メッキ(外部リードに対するメッ
キ)を行っている。2. Description of the Related Art In general, in manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, it is necessary to protect the surface of external leads and to facilitate soldering during mounting of the semiconductor device after molding (resin encapsulation). Exterior plating (plating for external leads) is performed.
【0003】従来、樹脂封止型半導体装置の外装メッキ
工程においては、樹脂封止後の多連リードフレームの状
態のままでラックに引っ掛けて半田メッキ液中に浸漬す
る方法、または、樹脂封止後の多連リードフレーム状態
あるいはこれから単体に分離された状態の半導体装置に
対してバレルを用いて行う方法を採用していた。Conventionally, in an external plating process of a resin-encapsulated semiconductor device, a method in which a multiple lead frame after resin encapsulation is hooked on a rack and immersed in a solder plating solution or resin encapsulation is used. A method of using a barrel for a semiconductor device in a state of a multiple lead frame to be later or separated from the semiconductor device in a single state has been adopted.
【0004】上記したような方法は、メッキ時間(メッ
キを施すための所要時間)が長いので、一度に処理でき
る数を増やす(例えば数十フレームに対して同時に処理
する)ことにより生産能力を高める必要があった。In the above-described method, since the plating time (the time required for plating) is long, the number of pieces that can be processed at a time is increased (for example, several tens of frames are processed simultaneously) to increase the production capacity. Needed.
【0005】しかし、これに伴って、メッキの品質(メ
ッキ膜厚のばらつき等)が悪くなり、メッキ装置が大型
化するので半導体装置の組立ラインをインライン化する
ことが困難であった。[0005] However, the quality of plating (variation in plating film thickness, etc.) is deteriorated and the size of a plating apparatus is increased, which makes it difficult to inline a semiconductor device assembly line.
【0006】一方、樹脂封止前のリードフレームのアイ
ランド部の片面およびその周辺のインナーリードの片面
に対して、銀メッキ(あるいは金メッキ)を施す方法が
知られている。この方法は、図5に示すように、リード
フレームのアイランド部51の片面およびその周辺のイ
ンナーリード52の片面を残して、それ以外の部分をマ
スク部50によりマスクした状態で、噴射メッキ装置の
ノズル53から前記アイランド部51に向けて銀メッキ
液(あるいは金メッキ液)54を噴射してメッキを施
す。この場合、ノズル53から噴射された銀メッキ液5
4は、ノズル53の回りの排出口55から排出される。
この方法は、メッキを施すための所要時間が短くて済む
ので、前記したような樹脂封止後の半導体装置の外装メ
ッキ工程に適用することが考えられる。On the other hand, a method is known in which silver plating (or gold plating) is applied to one surface of an island portion of a lead frame before resin sealing and one surface of inner leads around the island portion. As shown in FIG. 5, this method uses an injection plating apparatus in a state where one surface of the island portion 51 of the lead frame and one surface of the inner lead 52 around the island portion are left and the other portions are masked by the mask portion 50. A silver plating solution (or gold plating solution) 54 is sprayed from the nozzle 53 toward the island portion 51 to perform plating. In this case, the silver plating solution 5 sprayed from the nozzle 53
4 is discharged from a discharge port 55 around the nozzle 53.
Since this method requires only a short time for plating, it is conceivable that the method is applied to the above-described exterior plating process of a semiconductor device after resin sealing.
【0007】しかし、前記したような樹脂封止後の半導
体装置の外装メッキ工程のように凹凸面を有するメッキ
対象物に対して、前記したようにリードフレーム面のよ
うな平坦面をメッキ対象とする従来の噴射メッキ装置を
使用して半田メッキを施した場合、外部リード全体に均
一なメッキ膜厚を得ることはできない。However, as described above, a flat surface such as a lead frame surface is used as a plating object for a plating object having an uneven surface as in the exterior plating process of a semiconductor device after resin sealing. When a conventional spray plating apparatus is used to perform solder plating, it is not possible to obtain a uniform plating film thickness on the entire external lead.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
噴射メッキ装置は樹脂封止後の半導体装置の外部リード
に半田メッキを施す場合にそのまま使用すると、メッキ
の品質が十分には得られないという問題があった。As described above, if the conventional spray plating apparatus is used as it is when solder plating is applied to external leads of a semiconductor device after resin encapsulation, sufficient plating quality cannot be obtained. There was a problem.
【0009】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、多連リードフレーム上の樹脂封止後の半導体
装置の外部リードに対して、短時間で良好な品質の半田
メッキを施すことが可能になる半導体製品用メッキ装置
を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides good quality solder plating in a short time to external leads of a semiconductor device after resin sealing on a multiple lead frame. It is an object of the present invention to provide a plating apparatus for a semiconductor product which enables the plating.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製品用メ
ッキ装置は、多連リードフレーム上の長さ方向に所定間
隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成されて
なる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケー
ジの片面および外部リード周辺のリードフレーム部の片
面にそれぞれ対応して対接してマスクするための凸状の
第1のマスク部および第2のマスク部を正面に有し、上
記2個のマスク部相互間の筐体部に半田メッキ液流入用
スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設けられた第1
の筐体と、この第1の筐体と同様な構造を正面に有する
と共に上記第1の筐体の正面に対して接近・離反方向に
移動可能に設けられ、上記第1の筐体に接近して第1の
筐体と共に前記半導体装置の樹脂パッケージの両面およ
び外部リード周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半
導体製品を保持した場合に外部リードを囲む中空部を形
成する第2の筐体と、上記各筐体の前記外部リードに離
れて対向する内壁面に形成された電極と、この電極に正
電圧を印加すると共に前記外部リードに負電圧を印加す
る電源装置と、前記各筐体の外部から前記半田メッキ液
流入用スリットに対して半田メッキ液を供給する半田メ
ッキ液供給装置とを具備し、前記第1のマスク部は、先
端へ向かうほど広がるテーパ状の側面を有し、前記半田
メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の外部リー
ド群の各基端部を横切る方向に沿うと共に前記第1のマ
スク部の側面に連なる開口部を有し、前記半田メッキ液
排出用溝は、前記半導体装置の外部リード群の各先端部
を横切る方向に沿う開口部を有することを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor product plating apparatus according to the present invention comprises a plurality of resin-encapsulated semiconductor devices formed at predetermined intervals in a longitudinal direction on a multiple lead frame. And a convex first mask portion and a second mask portion for masking in contact with one surface of a resin package of the semiconductor device and one surface of a lead frame portion around an external lead respectively in the front surface. A first portion provided with a slit for inflow of a solder plating solution and a groove for discharging a solder plating solution in a housing portion between the two mask portions;
And a housing having a structure similar to that of the first housing at the front thereof, and being provided so as to be movable toward and away from the front of the first housing. And a second housing forming a hollow portion surrounding the external lead when holding the semiconductor product with both surfaces of the resin package of the semiconductor device and both surfaces of the lead frame portion around the external lead together with the first housing. An electrode formed on an inner wall surface of the housing that faces away from the external lead, a power supply device that applies a positive voltage to the electrode and applies a negative voltage to the external lead, A solder plating solution supply device for supplying a solder plating solution from the outside to the solder plating solution inflow slit, wherein the first mask portion has a tapered side surface that expands toward the tip end, The solder plating liquid inflow switch The opening has an opening extending along a direction crossing each base end of the external lead group of the semiconductor device and connected to a side surface of the first mask portion, and the solder plating solution discharging groove is provided in the semiconductor device. Characterized by having an opening along a direction crossing each end of the external lead group.
【0011】[0011]
【作用】メッキ処理時に各筐体により半導体製品を両面
側から挟持すると、半導体装置の樹脂パッケージの両面
および外部リード周辺のリードフレーム部をマスクした
状態になる。そして、電極に正電圧を印加すると共に外
部リードに負電圧を印加した状態で、半田メッキ液を半
田メッキ液流入用スリットから中空部内に噴射すること
により、半田メッキ液は電極と外部リードとの間を流
れ、半田メッキ液排出用溝を経て筐体外へ排出される。
この過程で、外部リードの両面に電気メッキが短時間で
施される。この場合、外部リードの両面側から半田メッ
キ液を噴射するので、外部リードの両面でメッキ膜厚の
ばらつきが少なくなる。When the semiconductor product is sandwiched between the housings from both sides during the plating process, both sides of the resin package of the semiconductor device and the lead frame around the external leads are masked. Then, while applying a positive voltage to the electrode and applying a negative voltage to the external lead, the solder plating liquid is jetted into the hollow portion from the slit for flowing the solder plating liquid into the hollow portion, so that the solder plating liquid It flows through the gap and is discharged out of the housing via the solder plating solution discharge groove.
In this process, both surfaces of the external lead are electroplated in a short time. In this case, since the solder plating solution is sprayed from both sides of the external lead, the variation in plating film thickness on both sides of the external lead is reduced.
【0012】しかも、半田メッキ液流入用スリットは、
半導体装置の外部リード群の各基端部を横切る方向に沿
うと共に第1のマスク部の側面に連なる開口部を有する
ので、半田メッキ液を第1のマスク部のテーパ状の側面
に沿って外部リード群の各基端部に向けて噴射し、半田
メッキ液を外部リード面に均一に触れるように流すこと
が可能になり、良好な品質の半田メッキを施すことがで
きる。Further, the slit for inflow of the solder plating solution is
Since the semiconductor device has an opening extending along the direction crossing each base end of the external lead group of the semiconductor device and connected to the side surface of the first mask portion, the solder plating solution is applied along the tapered side surface of the first mask portion. By spraying toward each base end of the lead group, it becomes possible to flow the solder plating solution so as to uniformly contact the external lead surface, so that good quality solder plating can be performed.
【0013】また、半導体製品全体を半田メッキ液中に
浸漬する従来の方法と比べて、同時にメッキ処理可能な
半導体装置数は少ないが、メッキ処理部が小型化し、メ
ッキ装置が小型化するので、半導体装置の組立ラインを
インライン化することが容易になる。Although the number of semiconductor devices that can be plated simultaneously is small compared to the conventional method of immersing the entire semiconductor product in a solder plating solution, the plating section is downsized and the plating apparatus is downsized. It is easy to make the assembly line of the semiconductor device in-line.
【0014】[0014]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明の一実施例に係る半導体装
置の外装メッキ工程で使用されるスパージャー型の噴射
メッキ装置の構成を概略的に示している。図2は、図1
のメッキ装置のメッキ処理状態における断面構造を概略
的に示す上面図である。図3(a)および図3(b)
は、図2中のメッキ処理対象である半導体製品の一例を
示す正面図および上面図である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows a configuration of a sparger type injection plating apparatus used in an exterior plating process of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 shows FIG.
FIG. 4 is a top view schematically showing a cross-sectional structure in a plating state of the plating apparatus of FIG. FIG. 3 (a) and FIG. 3 (b)
FIGS. 3A and 3B are a front view and a top view illustrating an example of a semiconductor product to be plated in FIG. 2;
【0015】この半導体製品30は、多連リードフレー
ム31上の長さ方向に所定間隔をあけて複数個の樹脂封
止型の半導体装置32が形成されてなり、例えば、その
長さ方向が水平、幅方向が垂直になった状態で半導体装
置32の外装メッキ処理が施される。上記半導体装置3
2は、本例では、樹脂パッケージ33の両側に外部リー
ド34群が突出したデュアルインライン型のものを示し
ている。The semiconductor product 30 has a plurality of resin-sealed semiconductor devices 32 formed at predetermined intervals in a length direction on a multiple lead frame 31. For example, the length direction is horizontal. The exterior plating of the semiconductor device 32 is performed in a state where the width direction is vertical. The above semiconductor device 3
Reference numeral 2 denotes a dual-in-line type in which the external leads 34 protrude from both sides of the resin package 33 in this example.
【0016】図1および図2において、第1の筐体1
は、前記半導体装置の樹脂パッケージ33の片面に対接
してマスクするための凸状の第1のマスク部11および
外部リード34周辺のリードフレーム部の片面に対接し
てマスクするための凸状の第2のマスク部12を正面に
備えている。そして、上記2個のマスク部相互間の筐体
部13には、上記マスク部相互間の凹状の空間にそれぞ
れ連なる半田メッキ液流入用スリット14および半田メ
ッキ液排出用溝15が設けられている。さらに、上記筐
体部13の内壁面の一部(外部リード面に離れて対向す
る面)に電極16が形成されており、この電極16に筐
体外部から電圧を印加するための電極端子(図示せず)
が設けられている。In FIG. 1 and FIG.
Are convex first mask portions 11 for contacting and masking one surface of the resin package 33 of the semiconductor device, and convex projections for contacting and masking one surface of a lead frame portion around the external leads 34. A second mask section 12 is provided on the front. The casing 13 between the two masks is provided with a solder plating solution inflow slit 14 and a solder plating solution discharge groove 15 continuous with the concave space between the masks. . Further, an electrode 16 is formed on a part of the inner wall surface of the housing 13 (a surface facing away from the external lead surface), and an electrode terminal (for applying a voltage to the electrode 16 from outside the housing). (Not shown)
Is provided.
【0017】第2の筐体2は、上記第1の筐体1と同様
な構造を有し、第1の筐体1と共に半導体製品30を両
面側から挟持自在となるように、図中矢印Aで示すよう
に、第1の筐体1の正面に対して接近・離反方向に移動
可能に設けられている。そして、第2の筐体2が第1の
筐体1に接近して前記各マスク部11、12により前記
樹脂パッケージ33の両面および外部リード34周辺の
リードフレーム部の両面を挟んで半導体製品30を保持
した場合には、前記樹脂パッケージ33の両面と外部リ
ード34周辺のリードフレーム部とをそれぞれマスクす
ると共に外部リード34を囲む中空部17を有する中空
構造体(キャビティ)を形成する。この場合、電極面と
外部リード面との対向間隔d1は、例えば10mmであ
る。The second casing 2 has a structure similar to that of the first casing 1, and is provided with an arrow in the figure so that the semiconductor product 30 can be sandwiched together with the first casing 1 from both sides. As shown by A, the first housing 1 is provided so as to be movable toward and away from the front of the first housing 1. Then, the second housing 2 approaches the first housing 1, and the semiconductor products 30 are sandwiched by the mask portions 11 and 12 on both sides of the resin package 33 and both sides of the lead frame around the external leads 34. Is held, both surfaces of the resin package 33 and the lead frame around the external leads 34 are respectively masked, and a hollow structure (cavity) having the hollow portion 17 surrounding the external leads 34 is formed. In this case, the facing distance d1 between the electrode surface and the external lead surface is, for example, 10 mm.
【0018】上記第1の筐体1および第2の筐体2は、
前記半導体製品30における各半導体装置32に対応し
て設けられているが、それぞれ代表的に1個のみ示して
いる。そして、各半導体装置32に対応する各中空部1
7に対応して、それぞれ中空部に連なるように半田メッ
キ液流入用スリット14および半田メッキ液排出用溝1
5が設けられている。The first housing 1 and the second housing 2 are
Although provided corresponding to each semiconductor device 32 in the semiconductor product 30, only one is typically shown. And each hollow part 1 corresponding to each semiconductor device 32
7, the slit 14 for inflow of the solder plating solution and the groove 1 for discharging the solder plating solution are connected to the hollow portions, respectively.
5 are provided.
【0019】前記電源装置3は、前記電極端子を介して
電極16に正電圧を印加すると共に前記多連リードフレ
ーム31の端部から外部リード34に負電圧を印加する
ためのものである。The power supply device 3 is for applying a positive voltage to the electrode 16 via the electrode terminal and for applying a negative voltage from the end of the multiple lead frame 31 to the external lead 34.
【0020】さらに、前記各筐体1、2の外部からそれ
ぞれの半田メッキ液流入用スリット14に対して半田メ
ッキ液18を所定の圧力で供給するための半田メッキ液
供給装置が設けられている。Further, there is provided a solder plating liquid supply device for supplying a solder plating liquid 18 from the outside of each of the housings 1 and 2 to the respective solder plating liquid inflow slits 14 at a predetermined pressure. .
【0021】この半田メッキ液供給装置は、半田メッキ
液槽5と、半田メッキ液供給ポンプ6と、複数本の半田
メッキ液供給パイプ7と、このパイプ7から半田メッキ
液が供給され、上記複数本のパイプ7に対応して内部が
複数個に区分された半田メッキ液供給用の圧力ボックス
81、82とからなる。そして、上記圧力ボックス8
1、82の各区分(室)から対応して各半導体装置32
に対応する各中空部17に半田メッキ液を供給する。こ
の場合、圧力ボックス81と第1の筐体1とは一体的に
形成され、圧力ボックス82と第2の筐体2も一体的に
形成されている。This solder plating solution supply apparatus includes a solder plating solution tank 5, a solder plating solution supply pump 6, a plurality of solder plating solution supply pipes 7, and a solder plating solution supplied from the pipes 7, It comprises pressure boxes 81 and 82 for supplying a solder plating solution, the inside of which is divided into a plurality of sections corresponding to the pipes 7. And the pressure box 8
Each of the semiconductor devices 32 corresponding to each of the sections (rooms) 1 and 82
The solder plating solution is supplied to each hollow portion 17 corresponding to. In this case, the pressure box 81 and the first housing 1 are integrally formed, and the pressure box 82 and the second housing 2 are also integrally formed.
【0022】前記第1のマスク部11は、先端へ向かう
ほど広がるテーパ状の側面11aを有しており、前記樹
脂パッケージ33の片面をマスクした場合に樹脂パッケ
ージ33のテーパ状の側面33aと上記テーパ状の側面
11aとが同一面上に位置するように形成されている。
なお、第1のマスク部11のテーパ状の側面11aの傾
斜角θは例えばほぼ80度である。The first mask portion 11 has a tapered side surface 11a which expands toward the tip, and when one surface of the resin package 33 is masked, the tapered side surface 33a of the resin package The tapered side surface 11a is formed so as to be located on the same surface.
The inclination angle θ of the tapered side surface 11a of the first mask portion 11 is, for example, approximately 80 degrees.
【0023】前記半田メッキ液流入用スリット14は、
各筐体1、2により半導体製品30を両側から挟んだ場
合に半導体装置32の外部リード34群の各基端部を横
切る方向に沿うと共に前記第1のマスク部11のテーパ
状の側面11aに連なる開口部を有し、筐体部13を貫
通するように設けられている。このスリット14の開口
の長さは、上記外部リード群の各基端部を横切る長さで
あるが、上記スリット14の開口幅w1は例えば2mm
である。The slit 14 for inflow of the solder plating solution is
When the semiconductor product 30 is sandwiched between the housings 1 and 2 from both sides, the semiconductor product 30 extends along the direction crossing each base end of the group of external leads 34 of the semiconductor device 32 and the tapered side surface 11 a of the first mask portion 11. It has a continuous opening and is provided so as to penetrate the housing 13. The length of the opening of the slit 14 is a length crossing each base end of the external lead group, and the opening width w1 of the slit 14 is, for example, 2 mm.
It is.
【0024】また、上記半田メッキ液排出用溝15は、
各筐体1、2により半導体製品30を両側から挟んだ場
合に半導体装置32の外部リード34…群の各先端部を
横切る方向に沿う開口部を有し、上記半田メッキ液流入
用スリット14と平行な位置で筐体部13に設けられて
いる。また、上記半田メッキ液排出用溝15の開口部の
幅w2は、前記半田メッキ液流入用スリット14の開口
幅w1と同等もしくはそれ以下である。さらに、上記半
田メッキ液排出用溝15は、溝内部の幅よりも開口部の
幅が小さくされた絞り構造を有する。次に、上記噴射メ
ッキ装置を使用して半導体製品30に対してメッキ処理
を行う場合の一例について説明する。図4は、メッキ処
理時に前記各筐体1、2により半導体製品30がマスク
されている状態を示す平面図であり、マスクされている
部分を斜線で示している。The solder plating solution discharging groove 15 is
When the semiconductor product 30 is sandwiched between the housings 1 and 2 from both sides, the semiconductor device 30 has an opening along a direction crossing each end of the external leads 34 of the semiconductor device 32. It is provided on the housing 13 at a parallel position. The width w2 of the opening of the solder plating solution discharge groove 15 is equal to or less than the opening width w1 of the solder plating solution inflow slit 14. Further, the solder plating solution discharge groove 15 has an aperture structure in which the width of the opening is smaller than the width of the inside of the groove. Next, an example of a case where a plating process is performed on the semiconductor product 30 using the above-described injection plating apparatus will be described. FIG. 4 is a plan view showing a state where the semiconductor product 30 is masked by the casings 1 and 2 during the plating process, and the masked portion is indicated by oblique lines.
【0025】メッキ処理時に各筐体1、2により半導体
製品30を両側から挟むと、半導体装置32の樹脂パッ
ケージ33の両面および外部リード34周辺のリードフ
レーム部をそれぞれマスクした状態になる。そして、電
極16に正電圧を印加すると共に外部リード34に負電
圧を印加した状態で、半田メッキ液18を前記スリット
14から中空部17内に噴射する。これにより、半田メ
ッキ液18は電極16と外部リード34との間を流れ、
半田メッキ液排出用溝15を経て筐体外へ排出される。
この過程で、外部リード34の両面に電気メッキが短時
間で施される。この際、半田メッキ液18の流量は、例
えば20リットル/分とし、中空部17内を流れる半田
メッキ液18の電流密度は、前記電源装置3により制御
する。When the semiconductor product 30 is sandwiched between the housings 1 and 2 from both sides during the plating process, both surfaces of the resin package 33 of the semiconductor device 32 and the lead frame portions around the external leads 34 are masked. Then, while applying a positive voltage to the electrode 16 and applying a negative voltage to the external lead 34, the solder plating liquid 18 is jetted from the slit 14 into the hollow portion 17. Thereby, the solder plating liquid 18 flows between the electrode 16 and the external lead 34,
It is discharged out of the housing via the solder plating solution discharge groove 15.
In this process, electroplating is performed on both surfaces of the external lead 34 in a short time. At this time, the flow rate of the solder plating solution 18 is, for example, 20 liters / minute, and the current density of the solder plating solution 18 flowing in the hollow portion 17 is controlled by the power supply device 3.
【0026】上記実施例の噴射メッキ装置によれば、中
空部17内に半田メッキ液18を噴射することにより、
外部リード34の両面に電気メッキを短時間で施すこと
ができる。この場合、外部リード34の両面側から半田
メッキ液18を噴射するので、外部リード34の両面で
メッキ膜厚のばらつきが生じることがない。According to the injection plating apparatus of the above embodiment, by injecting the solder plating solution 18 into the hollow portion 17,
Electroplating can be performed on both surfaces of the external lead 34 in a short time. In this case, since the solder plating solution 18 is sprayed from both sides of the external leads 34, the plating film thickness does not vary on both sides of the external leads 34.
【0027】また、半田メッキ液流入用スリット14お
よび半田メッキ液排出用溝15が同じ中空部17に連な
るように設けられているので、中空部17内の半田メッ
キ液18を外部リード面に触れるように流すことが可能
になっている。Since the solder plating solution inflow slit 14 and the solder plating solution discharge groove 15 are provided so as to be continuous with the same hollow portion 17, the solder plating solution 18 in the hollow portion 17 contacts the external lead surface. It is possible to flow.
【0028】この場合、半田メッキ液流入用スリット1
4は、半導体装置の外部リード34…群の各基端部を横
切る方向に沿うと共に第1のマスク部11のテーパ状の
側面11aに連なる開口部を有するので、半田メッキ液
18を第1のマスク部11のテーパ状の側面11aに沿
って外部リード34…群の各基端部に向けて噴射し、半
田メッキ液18を外部リード面に沿って均一に触れるよ
うに流すことが可能になり、良好な品質の半田メッキを
施すことができる。In this case, the slit 1 for inflow of the solder plating solution is used.
4 has an opening extending along the direction crossing each base end of the external leads 34 of the semiconductor device and connected to the tapered side surface 11a of the first mask portion 11, so that the solder plating liquid 18 The external leads 34 are sprayed along the tapered side surface 11a of the mask portion 11 toward each base end of the group, so that the solder plating liquid 18 can be caused to flow so as to uniformly contact the external lead surfaces. And good quality solder plating.
【0029】また、半田メッキ液流入用スリット14が
外部リード基端部に対向し、半田メッキ液排出用溝15
が外部リード先端部に対向し、上記スリット14と溝1
5とが平行に設けられているので、半田メッキ液18を
外部リード面にほぼ均一に触れるように流すことが可能
になり、良好な品質の半田メッキを施すことができる。The solder plating solution inflow slit 14 faces the base end of the external lead, and the solder plating solution discharge groove 15 is formed.
Opposes the tip of the external lead, and the slit 14 and the groove 1
5 are provided in parallel with each other, so that the solder plating solution 18 can be flowed so as to almost uniformly contact the external lead surface, so that good quality solder plating can be performed.
【0030】また、半田メッキ液排出用溝15が絞り構
造を有するので、中空部17内の半田メッキ液18が容
易に半田メッキ液排出用溝15に流れ込むことを防止
し、半田メッキ液18が外部リード面にほぼ均一に触れ
る流れを生じさせることが可能になる。Further, since the solder plating liquid discharge groove 15 has a throttle structure, the solder plating liquid 18 in the hollow portion 17 is prevented from easily flowing into the solder plating liquid discharge groove 15, and the solder plating liquid 18 is formed. It is possible to generate a flow that almost uniformly touches the external lead surface.
【0031】上記実施例の噴射メッキ装置を使用して半
導体製品30に対してメッキ処理を実際に行った場合、
平均膜厚が10μmの場合にメッキ膜厚のばらつきの標
準偏差σは0.3〜0.5であった。この結果は、従来
は平均膜厚が10μmの場合のメッキ膜厚のばらつきが
σ=1.0〜1.5であったことに比べて、ばらつきが
1/2〜1/5に低減している。When the plating process is actually performed on the semiconductor product 30 using the injection plating apparatus of the above embodiment,
When the average film thickness was 10 μm, the standard deviation σ of the variation in the plating film thickness was 0.3 to 0.5. This result shows that the variation in the plating film thickness was 2〜 = 1.0 to 1.5 when the average film thickness was 10 μm, and the variation was reduced to 2〜 to 5. I have.
【0032】また、上記実施例の噴射メッキ装置によれ
ば、半導体製品全体を半田メッキ液中に浸漬する従来の
方法と比べて、同時にメッキ処理可能な半導体装置数は
少なくても、メッキ処理部が小型化し、メッキ装置が小
型化するので、半導体装置の組立ラインをインライン化
することが容易になる。Further, according to the injection plating apparatus of the above embodiment, as compared with the conventional method of immersing the entire semiconductor product in a solder plating solution, even if the number of semiconductor devices that can be plated simultaneously is small, the plating section Since the size of the semiconductor device is reduced and the size of the plating apparatus is reduced, it is easy to inline a semiconductor device assembly line.
【0033】なお、上記したように外部リード面に半田
メッキを施すことにより、外部リードの表面保護、実装
時の半田付けの容易化が可能であるが、メッキ膜厚を厚
くすれば、基板への実装を熱圧着により行うことが可能
になる。また、本発明は、上記実施例に示した半導体装
置のパッケージに限らず、樹脂封止型半導体装置の各種
のパッケージに対応して適宜変形して実施できる。By applying solder plating to the external lead surface as described above, it is possible to protect the surface of the external lead and to facilitate the soldering at the time of mounting. Can be performed by thermocompression bonding. The present invention is not limited to the package of the semiconductor device described in the above embodiment, but can be implemented by appropriately modifying various packages of the resin-encapsulated semiconductor device.
【0034】[0034]
【発明の効果】上述したように本発明によれば、多連リ
ードフレーム上の樹脂封止後の半導体装置の外部リード
に対して、短時間で良好な品質の半田メッキを施すこと
が可能になる半導体製品用メッキ装置を実現することが
できる。As described above, according to the present invention, good quality solder plating can be applied in a short time to external leads of a semiconductor device after resin sealing on a multiple lead frame. Semiconductor device plating apparatus can be realized.
【図1】本発明の第1実施例に係る半導体製品用メッキ
装置を概略的に示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a plating apparatus for semiconductor products according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1のメッキ装置のメッキ処理状態における断
面構造を概略的に示す上面図。FIG. 2 is a top view schematically showing a cross-sectional structure of the plating apparatus of FIG. 1 in a plating state.
【図3】図2中のメッキ処理対象である半導体製品の一
例を示す正面図および上面図。FIG. 3 is a front view and a top view showing an example of a semiconductor product to be plated in FIG. 2;
【図4】図3の半導体製品がメッキ処理に際してマスク
されている状態を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a state where the semiconductor product of FIG. 3 is masked during plating.
【図5】従来の噴射メッキ装置によるリードフレームの
アイランド部の片面およびその周辺のインナーリードの
片面に対するメッキ処理状態を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a plating process on one surface of an island portion of a lead frame and one surface of inner leads around the island portion by a conventional injection plating apparatus.
1…第1の筐体、2…第2の筐体、3…電源装置、5…
半田メッキ液槽、6…半田メッキ液供給ポンプ、7…半
田メッキ液供給パイプ、81、82…圧力ボックス、1
1…第1のマスク部、11a…第1のマスク部のテーパ
状の側面、12…第2のマスク部、13…筐体部、14
…半田メッキ液流入用スリット、15…半田メッキ液排
出用溝、16…電極、17…中空部、18…半田メッキ
液、30…半導体製品、31…多連リードフレーム、3
2…半導体装置、33…樹脂パッケージ、33a…樹脂
パッケージのテーパ状の側面、34…外部リード。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st housing | casing, 2 ... 2nd housing | casing, 3 ... Power supply device, 5 ...
Solder plating solution tank, 6 ... Solder plating solution supply pump, 7 ... Solder plating solution supply pipe, 81, 82 ... Pressure box, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st mask part, 11a ... Tapered side surface of 1st mask part, 12 ... 2nd mask part, 13 ... Case part, 14
... Slit for solder plating solution inflow, 15 ... Slot for solder plating solution discharge, 16 ... Electrode, 17 ... Hollow part, 18 ... Solder plating solution, 30 ... Semiconductor product, 31 ... Multiple lead frame, 3
2 semiconductor device, 33 resin package, 33a tapered side surface of resin package, 34 external leads.
Claims (6)
間隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成され
てなる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケ
ージの片面および外部リード周辺のリードフレーム部の
片面にそれぞれ対応して対接してマスクするための凸状
の第1のマスク部および第2のマスク部を正面に有し、
上記2個のマスク部相互間の筐体部に半田メッキ液流入
用スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設けられた第
1の筐体と、 この第1の筐体と同様な構造を正面に有すると共に上記
第1の筐体の正面に対して接近・離反方向に移動可能に
設けられ、上記第1の筐体に接近して第1の筐体と共に
前記半導体装置の樹脂パッケージの両面および外部リー
ド周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半導体製品を
保持した場合に外部リードを囲む中空部を形成する第2
の筐体と、 上記各筐体の前記外部リードに離れて対向する内壁面に
形成された電極と、 この電極に正電圧を印加すると共に前記外部リードに負
電圧を印加する電源装置と、 前記各筐体の外部から前記半田メッキ液流入用スリット
に対して半田メッキ液を供給する半田メッキ液供給装置
とを具備し、 前記第1のマスク部は、先端へ向かうほど広がるテーパ
状の側面を有し、 前記半田メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の
外部リード群の各基端部を横切る方向に沿うと共に前記
第1のマスク部の側面に連なる開口部を有し、 前記半田メッキ液排出用溝は、前記半導体装置の外部リ
ード群の各先端部を横切る方向に沿う開口部を有するこ
とを特徴とする半導体製品用メッキ装置。1. A semiconductor product in which a plurality of resin-encapsulated semiconductor devices are formed at predetermined intervals in a length direction on a multiple lead frame, on one surface of a resin package of the semiconductor device and around an external lead. A first mask portion and a second mask portion having a convex shape on the front surface for masking in contact with one surface of the lead frame portion, respectively;
A first housing in which a slit for inflow of a solder plating solution and a groove for discharging a solder plating solution are provided in a housing portion between the two mask portions, and a structure similar to the first housing is viewed from the front. And the first housing is provided so as to be movable toward and away from the front surface of the first housing. Forming a hollow portion surrounding the external lead when the semiconductor product is held across both sides of the lead frame portion around the lead;
A case, an electrode formed on an inner wall surface of the case that faces away from the external lead of each case, a power supply device that applies a positive voltage to the electrode and applies a negative voltage to the external lead, A solder plating liquid supply device for supplying a solder plating liquid from the outside of each housing to the solder plating liquid inflow slit, wherein the first mask portion has a tapered side surface that expands toward the front end. The solder plating solution inflow slit has an opening extending along a direction crossing each base end of the external lead group of the semiconductor device and continuing to a side surface of the first mask portion. A plating apparatus for a semiconductor product, wherein the discharge groove has an opening along a direction crossing each end of the external lead group of the semiconductor device.
間隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成され
てなる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケ
ージの片面に対接してマスクするための凸状の第1のマ
スク部および外部リード周辺のリードフレーム部の片面
に対接してマスクするための凸状の第2のマスク部を正
面に有し、上記2個のマスク部相互間の筐体部に半田メ
ッキ液流入用スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設
けられた第1の筐体と、 この第1の筐体と同様な構造を正面に有すると共に上記
第1の筐体の正面に対して接近・離反方向に移動可能に
設けられ、上記第1の筐体に接近して第1の筐体と共に
前記半導体装置の樹脂パッケージの両面および外部リー
ド周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半導体製品を
保持した場合に外部リードを囲む中空部を形成する第2
の筐体と、 上記各筐体の前記外部リードに離れて対向する内壁面に
形成された電極と、 この電極に正電圧を印加すると共に前記外部リードに負
電圧を印加する電源装置と、 前記各筐体の外部から前記半田メッキ液流入用スリット
に対して半田メッキ液を供給する半田メッキ液供給装置
とを具備し、 前記半田メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の
外部リード群の各基端部を横切る方向に沿う開口部を有
し、 前記半田メッキ液排出用溝は、前記半導体装置の外部リ
ード群の各先端部を横切る方向に沿う開口部を有し、開
口部の幅が溝内部の幅よりも小さくされた絞り構造を有
することを特徴とする半導体製品用メッキ装置。2. A semiconductor product in which a plurality of resin-encapsulated semiconductor devices are formed at predetermined intervals in a length direction on a multiple lead frame, the mask being in contact with one surface of a resin package of the semiconductor device. And a convex second mask portion for contacting and masking one side of a lead frame portion around the external lead in front of the two mask portions. A first casing in which a solder plating solution inflow slit and a solder plating solution discharging groove are provided in a casing portion between the first casing and a first casing having a structure similar to that of the first casing on the front surface; The semiconductor device is provided so as to be movable toward and away from the front of the body. Semiconductor on both sides Second to form a hollow portion surrounding the outer lead when a product was kept
A case, an electrode formed on an inner wall surface of the case that faces away from the external lead of each case, a power supply device that applies a positive voltage to the electrode and applies a negative voltage to the external lead, A solder plating solution supply device for supplying a solder plating solution from outside the housing to the solder plating solution inflow slit, wherein the solder plating solution inflow slit is provided for each of the external lead groups of the semiconductor device. The semiconductor device has an opening along a direction crossing the base end, and the solder plating solution discharge groove has an opening along a direction crossing each end of the external lead group of the semiconductor device, and has a width of the opening. A plating apparatus for semiconductor products, wherein the plating apparatus has a drawing structure smaller than the width of the inside of the groove.
において、 前記第1のマスク部は、先端へ向かうほど広がるテーパ
状の側面を有し、 前記半田メッキ液流入用スリットの開口部は、前記第1
のマスク部の側面に連なっていることを特徴とする半導
体製品用メッキ装置。3. The plating apparatus for a semiconductor product according to claim 2, wherein the first mask portion has a tapered side surface that expands toward a tip, and an opening of the solder plating solution inflow slit includes: The first
A plating apparatus for a semiconductor product, wherein the plating apparatus is connected to a side surface of the mask portion.
ッキ装置において、 前記第1のマスク部のテーパ状の側面は、第1のマスク
部が前記樹脂パッケージをマスクした場合に樹脂パッケ
ージのテーパ状の側面と同一面上に位置するように形成
されていることを特徴とする半導体製品用メッキ装置。4. The plating apparatus for a semiconductor product according to claim 1, wherein the tapered side surface of the first mask portion has a tapered shape when the first mask portion masks the resin package. A plating apparatus for a semiconductor product, wherein the plating apparatus is formed so as to be located on the same plane as a side surface of the semiconductor product.
半導体製品用メッキ装置において、 前記半田メッキ液流入用スリットと前記半田メッキ液排
出用溝とは平行に設けられていることを特徴とする半導
体製品用メッキ装置。5. The plating apparatus for a semiconductor product according to claim 1, wherein the slit for flowing in the solder plating solution and the groove for discharging the solder plating solution are provided in parallel. Characteristic plating equipment for semiconductor products.
半導体製品用メッキ装置において、 前記半田メッキ液排出用溝の開口部の幅は、前記半田メ
ッキ液流入用スリットの開口幅と同等もしくはそれ以下
であることを特徴とする半導体製品用メッキ装置。6. The plating apparatus for a semiconductor product according to claim 1, wherein the width of the opening of the groove for discharging the solder plating liquid is equal to the width of the slit for inflow of the solder plating liquid. A plating apparatus for semiconductor products, which is equal to or less than the above.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150799A JP2925403B2 (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Plating equipment for semiconductor products |
| US08/073,504 US5397453A (en) | 1992-06-10 | 1993-06-09 | Semiconductor product plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150799A JP2925403B2 (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Plating equipment for semiconductor products |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343584A JPH05343584A (en) | 1993-12-24 |
| JP2925403B2 true JP2925403B2 (en) | 1999-07-28 |
Family
ID=15504687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4150799A Expired - Fee Related JP2925403B2 (en) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | Plating equipment for semiconductor products |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925403B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102278771B1 (en) * | 2021-03-05 | 2021-07-19 | 주식회사 광성금속 | Barrel Type Plating Apparatus Having Circulating Portion For Of Plating Solution |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP4150799A patent/JP2925403B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102278771B1 (en) * | 2021-03-05 | 2021-07-19 | 주식회사 광성금속 | Barrel Type Plating Apparatus Having Circulating Portion For Of Plating Solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343584A (en) | 1993-12-24 |
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