JP2964632B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ヒドラゾン基を有する低分子電荷移動材料
を用いた電子写真感光体に関する。

［従来の技術およびその課題］ 従来、電子写真方式において使用される感光体の光導
伝材料として、セレン（Se）、硫化カドミウム（Cd
S）、酸化亜鉛（ZnO）、アモルファスシリコン（ａ−S
i）等の無機物質がある。これらの無機系感光体は多く
の長所を持っているが、それと同時に種々の欠点、例え
ば有害であることや、コスト高であること等の欠点を持
っている。このため、近年になって、これらの欠点のな
い有機物質を用いた有機感光体が数多く提案され、実用
化に供されている。

また、これらの感光体の構造としては、電荷担体を発
生する材料（以下、電荷発生材料と呼称する。）と、発
生した電荷担体を受け入れ、これを移動させる材料（以
下、電荷移動材料と呼称する。）とを別々の層にした機
能分離型感光体を有する多層構造と、電荷発生と電荷移
動を同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層構造
が挙げられるが、多層構造のほうが材料の選択の幅が大
きく、かつ高感度になることから、多く採用されてい
る。

近年、ノンインパクトプリンティング技術の発展に伴
い、レーザ光源を使用した電子写真プリンタの研究開発
が盛んに行われている。これらの装置においては、装置
サイズの小型化と、高速化が進められており、感光体材
料についても高感度、高移動度化が望まれているが、従
来の電荷移動材料を電荷移動層に用いた電子写真感光体
では、残留電位、暗減衰が大きい等、未だに十分な感度
が得られていない。

本発明は以上に述べたような従来の事情に鑑みてなさ
れたもので、高移動度で、かつ残留電位、暗減衰が小さ
く、良好な繰り返し安定性を示す電荷移動材料を含む電
子写真感光体を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、このような従来の状況に鑑みて研究を
続けた結果、下記一般式［Ｉ］で示されるヒドラゾン化
合物と他の一種以上の電荷移動材料とをブレンドするこ
とにより、高移動度で、残留電位、暗減衰が小さく、良
好な繰り返し安定性を示す電子写真感光体が得られるこ
とを見い出した。

すなわち本発明は、電荷発生材料と電荷移動材料を含
む電子写真感光体において、電荷移動材料として、一般
式［Ｉ］； （式中、R¹は、水素原子、アルキル基、置換基を含んで
いてもよいフェニル基、アリル基またはベンジル基を示
し、R²〜R⁸は、水素原子、ハロゲン、ニトロ基、アルコ
キシ基、アルキル基または置換基を含んでいてもよいフ
ェニル基で同一でも異なっていてもかまわない。R⁹は、
水素原子、アルキル基、置換基を含んでいてもよいフェ
ニル基またはベンジル基を示し、R¹⁰、R¹¹は、水素原
子、アルキル基、置換基を含んでいてもよいフェニル
基、ベンジル基またはナフチル基で同一でも異なってい
てもかまわない。） で示されるヒドラゾン基を有する化合物と、他の一種以
上の電荷移動材料とを含むことを特徴とする電子写真感
光体である。

またその製造方法は、一般式［II］； （式中、R¹は、水素原子、アルキル基、置換基を含んで
いてもよいフェニル基、アリル基またはベンジル基を示
し、R²〜R⁸は、水素原子、ハロゲン、ニトロ基、アルコ
キシ基、アルキル基または置換基を含んでいてもよいフ
ェニル基で同一でも異なっていてもかまわない。R⁹は、
水素原子、アルキル基、置換基を含んでいてもよいフェ
ニル基またはベンジル基を表す。） で示される化合物と、一般式［III］； （式中、R¹⁰、R¹¹は、水素原子、アルキル基、置換基を
含んでいてもよいフェニル基、ベンジル基またはナフチ
ル基で同一でも異なっていてもかまわない。） で示されるヒドラジン化合物とを反応させることによっ
て製造することができる。

本発明によるヒドラゾン化合物は、例えば次のように
して製造することができる。即ち、Ｎ−メチルアニリン
を亜硝酸でニトロソ化し、還元して１−フェニル−１−
メチルヒドラジンを得る。このヒドラジンとシクロヘキ
サノンとを縮合させ、カルバゾール誘導体を得る。これ
を還元した後、ビルスマイヤー反応によりアルデヒド基
を導入し、次いでヒドラジン化合物と縮合反応させるこ
とにより、本発明のヒドラゾン化合物を得ることができ
る。

また上述のカルバゾール誘導体は、Ｎ−ニトロソ−Ｎ
−エチルアニリンとシクロヘキサノンを亜鉛の存在下、
酢酸溶媒中で反応させることにより、一段階で得ること
もできる。

本発明において、一般式［Ｉ］で示されるヒドラゾン
化合物は、テトラヒドロフラン、クロロホルム、塩化メ
チレンなどの溶液に可溶であり、ポリカーボネート等の
樹脂とともに溶解した溶液をキャストすることによって
硬いフィルムを製造することができるため、電子写真感
光体の電荷移動材料として有用である。

本発明の電子写真感光体は、導電性基板上に、アンダ
ーコート層、電荷発生層、電荷移動層の順に積層された
ものが望ましいが、アンダーコート層、電荷移動層、電
荷発生層の順で積層されたものや、アンダーコート層上
に電荷発生材料と電荷移動材料を適当な樹脂で分散塗工
されたものでもよい。また必要に応じてアンダーコート
層は省略することもできる。本発明による、ヒドラゾン
化合物を混合した電荷移動材料を電荷移動層として適当
なバインダーと共に基板上に塗工することで、きわめて
分散性がよく、高い電荷移動度で、かつ残留電位、暗減
衰が小さく、良好な繰り返し安定性を示す電荷移動層を
得ることができる。

電荷移動層の塗工は、スピンコーター、アプリケータ
ー、スプレーコーター、バーコーター、浸漬コーター、
ドクターブレード、ローラーコーター、カーテンコータ
ー、ビードコーター装置を用いて行い、乾燥は、望まし
くは加熱乾燥で、40〜200℃、10分から６時間の範囲
で、静止または送風条件下で行う。

低分子電荷移動材料としては、ピレン,N−エチルカル
バゾール,N−イソプロピルカルバゾール,N−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール,N,N−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデ
ン−９−エチルカルバゾール,N,N−ジフェニルヒドラジ
ノ−３−メチリデン−10−エチルフェノチアジン,N,N−
ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−10−エチルフ
ェノキサジン,p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,
N−ジフェニルヒドラゾン,p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾ
ン,p−ピロリジノベンズアルデヒド−N,N−ジフェニル
ヒドラゾン,2−メチル−４−ジベンジルアミノベンズア
ルデヒド−１′−エチル−１′−ベンゾチアゾリルヒド
ラゾン,2−メチル−４−ジベンジルアミノベンズアルデ
ヒド−１′−プロピル−１′−ベンゾチアゾリルヒドラ
ゾン,2−メチル−４−ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド−１′,1′−ジフェニルヒドラゾン,9−エチルカルバ
ゾール−３−カルボキサルデヒド−１′−メチル−１′
−フェニルヒドラゾン,1−ベンジル−1,2,3,4−テトラ
ヒドロキノリン−６−カルボキシアルデヒド−１′,1′
−ジンフェニルヒドラゾン,1,3,3−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン,p
−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾ
リノン−２−ヒドラゾン,4−N,N−ジベンジル−２−メ
チル−ベンズアルデヒド−ジフェニルヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、1,1−ビス（ｐ−N,N−ジエチルアミノフェ
ニル）−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン等のブタジ
エン類、2,5−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−
1,3,4−オキサジアゾール,1−フェニル−３−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン,1−（キノリル（２））−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン,1−（ピリジル（２））−３−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン,1−（６−メトキシ−ピリ
ジル（２））−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン,1−
（ピリジル（３））−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン,1−（ピリジル（２））−３−（ｐ−ジエチルアミノ
スリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン,1−（ピリジル（２））−３−（α−
メチル−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）ピラゾリン,1−フェニル−３−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン,1−フェニ
ル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−６−ピラ
ゾリン，スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミノ
ベンズオキサゾール,2−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）−４（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（２−
クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール系化合
物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチ
ルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビ
ス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェ
ニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、1,1−ビ
ス（４−N,N−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）
ヘプタン,1,1,2,2−テトラキス（４−N,N−ジメチルア
ミノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリールア
ルカン類、1,1−ジフェニル−ｐ−ジフェニルアミノエ
チレン等のスチルベン系化合物、4,4′−３−メチルフ
ェニルフェニルアミノビフェニル等のトリアリールアミ
ノ系化合物等が用いられる。これらの材料は、そのうち
の一種を一般式［Ｉ］のヒドラゾン化合物と共に用いて
もよいし、二種以上をヒドラゾン化合物と共に用いても
よい。

電荷移動層を塗工によって形成する際に用いるバイン
ダー樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択でき、ま
たポリビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルアントラセ
ン樹脂やポリビニルピレン樹脂などの有機光導電性ポリ
マーからも選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニ
ル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース系樹脂、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリケトン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩
ビ−酢ビ共重合体、ポリビニルアセタール樹脂、ポリア
クリロニトリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、
カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロ
リドン樹脂、ポリシラン等の絶縁性樹脂を挙げることが
できる。電荷移動層中に含有する樹脂は、99重量％以
下、好ましくは40重量％以下が適している。またこれら
の樹脂は、１種または２種以上組み合わせて用いてもよ
い。

電荷移動材料およびバインダー樹脂を溶解する溶剤は
樹脂等の種類によって異なり、後述する電荷発生層やア
ンダーコート層に塗工時に影響を与えないものから選択
することが好ましい。具体的には、ベンゼン、キシレ
ン、リグロイン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼ
ンなどの芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、メタノール、エ
タノール、イソプロパノールなどのアルコール類、酢酸
エチル、メチルセロソルブなどのエステル類、四塩化炭
素、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、
トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素
類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル
類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミドなどのアミド類、およびジメチルスルホキシドな
どのスルホキシド類が用いられる。

なお、電子写真感光体の電荷移動層の膜厚としては、
10〜25μｍが好ましい。さらに、この電荷移動層には、
通常用いられる各種添加剤、例えば紫外線吸収剤、電子
吸収性材料等を必要に応じて添加することができる。

電荷発生層といては、拘置の光導電性材料、例えばCd
S,Se,ZnO等の無機材料、あるいはCu,Al,In,Ti,Pb,V等の
金属原子を有するフタロシアニン類、さらには無金属フ
タロシアニン、アゾ系顔料、ビスアゾ系顔料、あるいは
シアニン系顔料等の有機材料を単独あるいは混合して使
用できる。

電荷発生層を塗工によって形成する際に用いるバイン
ダー樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択でき、ポ
リビニルブチラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アク
リル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、
ポリビニルピリジン樹脂、セルロース系樹脂、ウレタン
樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹
脂、ポリケトン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩ビ−酢ビ
共重合体、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアクリロニ
トリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン
樹脂等の絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷発生層
中に含有する樹脂は、99重量％以下、好ましくは30〜65
重量％が適している。またこれらの樹脂は、１種または
２種以上組み合わせて用いてもよい。

電荷発生材料およびバインダー樹脂を溶解する溶剤は
樹脂等の種類によって異なり、後述するアンダーコート
層に塗工時に影響を与えないものから選択することが好
ましい。具体適には、ベンゼン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香
族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
イサノンなどのケトン類、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノールなどのアルコール類、酢酸エチル、メチ
ルセロソレブなどのエステル類、四塩化炭素、クロロホ
ルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、トリクロルエ
チレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのア
ミド類、およびジメチルスルホキシドなどのスルホキシ
ド類が用いられる。

なお、電子写真感光体の電荷発生層の膜厚は、帯電性
の保持、安定性確保のために0.1〜0.5μｍが好ましい。
また必要に応じてバインダーと共に可塑剤等を用いるこ
ともできる。塗工は、前述した電荷移動層と同等な方法
で行うことができる。

アンダーコート層に用いられるバインダー樹脂として
は、ナイロン６、ナイロン66、ナイロン11、ナイロン61
0、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど
のアルコール可溶性ポリアミド樹脂、カゼイン、ポリビ
ニルアルコール樹脂、ニトロセルロース樹脂、エチレン
−アクリル酸共重合体、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂が用いられる。アンダーコー
ト層の塗工は、前述の電荷移動層、電荷発生層と同等な
方法で行うことができる。その際、アンダーコート層の
膜厚は0.1〜20μｍ、望ましくは0.5〜10μｍが良い。ま
たこれらのアンダーコート層は必要に応じて省略するこ
ともできる。

本発明の電子写真感光体は、複写機に用いられるだけ
ではなく、太陽電池、光変換素子および光ディスク用吸
収材料としても好適である。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について詳細に説明するが、本
発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例に限定
されるものではない。

実施例１（電荷移動材料の製造） 本実施例では、次の一連の反応式で示される方法によ
って、式（５）で示されるヒドラゾン化合物を製造し
た。

化合物（１）の製造 亜鉛末20g（0.31mol）と水30mlの混合物に攪拌下、氷
酢酸20ml（21g,0.35mol）に溶かしたＮ−ニトロソ−Ｎ
−メチルアニリン10g（0.073mol）を滴下した。反応温
度は10〜20℃で1.5〜２時間かけて滴下した後、室温で
１時間攪拌した。水浴上で、80℃に温め、未反応の亜鉛
を濾別した。固体を５％塩酸で洗い、濾液と合わせて40
％水酸化ナトリウム水溶液を加えた。エーテルで抽出し
た後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧蒸溜して１
−メチル−１−フェニルヒドラジンを得た。収量4.6g
（収率52％）。

化合物（２）の製造 シクロヘキサノン19.6g（0.2mol）を酢酸72g（1.2mo
l）に溶かし、還流下、１−メチル−１−フェニルヒド
ラジン24.4g（0.2mol）を滴下した。３時間還流した
後、水を加え、析出した結晶を濾別した。水、エタノー
ルで順次洗浄し、メタノールを用いて再結晶することに
より、1,2,3,4−テトラヒドロカルバゾールを得た。収
量26.1g（収率70％）。

またこの化合物（２）は次の方法によっても製造でき
る。

Ｎ−ニトロソ−Ｎ−メチルアニリン5g（36mmol）、亜
鉛末15g（230mmol）のエタノール溶液50mlに、シクロヘ
キサノン2.5g（25mmol）の酢酸溶液50mlを10〜20℃に保
ちながら１〜1.5時間かけて滴下した。室温で１時間、
還流下で２時間攪拌した後、水中に加えた。析出する結
晶を濾別し、メタノールを用いて再結晶し、白色結晶の
化合物（２）を得た。収量2.7g（収率58％）。

化合物（３）の製造 化合物（２）1.9g（10mmol）の10N−塩酸−エタノー
ル溶液に還流下、亜鉛末1.6g（25mmol）を少量ずつ加え
た。８時間加熱還流した後、水中に加え、溶液を水酸化
カリウムでアルカリ性にし、クロロホルムで抽出した。
減圧下、溶媒を除去し、黄色オイル状の化合物（３）を
得た。収量1.1g（収率60％）。

化合物（４）の製造 化合物（３）0.95g（5mmol）のDMF溶液15mlに塩化ホ
スホリル1.1g（7mmol）のDMF溶液10mlを滴下した。50℃
で３時間攪拌した後、溶液を水酸化カリウムでアルカリ
性にし、クロロホルムで抽出した。減圧下、溶媒を除去
し、黄色オイル状の化合物（４）を得た。収量0.83g
（収率76％）。

化合物（５）の製造 化合物（４）1.1g（5mmol）、1,1−ジフェニルヒドラ
ジン0.92g（5mmol）、ベンゼン10mlを50mlフラスコに仕
込み、さらに少量のｐ−トルエンスルホン酸を加えた。
６時間還流した後、酢酸エチルで抽出した。溶媒にヘキ
サン−ベンゼン混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより単離し、黄色固体の化合物（５）
を得た。収量1.2g（収率70％）。

実施例２ アルミニウム基板上にナイロンよりなるアンダーコー
ト層を形成し、該アンダーコート層上に電荷発生層とし
てフタロシアニンを含むブチラールフィルム（0.1μｍ
厚）を形成した。さらにその上に、化合物（５）/1,1−
ビス（ｐ−N,N−ジエチルアミノフェニル）−4,4−ジフ
ェニル1,3−ブタジエン／ポリカーボネート／塩化メチ
レン（9:1:10:50重量比）溶液を塗布し、80℃、30分間
焼き付けて15μｍ厚の電荷移動層を形成させた。膜の塗
工性は良好で、塗膜強度も十分な膜が得られた。川口電
機製静電記録試験装置を用いて−5kVのコロナ放電で表
面電位を−900Vにした後、３秒間暗減衰させ、５ルック
スの白色光を、５秒間照射し、その表面電位が1/2にな
るまでの時間（秒）を求め、半減露光量（ルックス秒）
を得た。その結果は、半減露光量0.5ルックス秒、電荷
保持率92％、残留電位−2Vと非常に良い感光体特性を示
した。

第１図は本実施例にて製造した電子写真感光体の概略
断面図で、図中、１はアルミニウム（Al）基板、２は電
荷発生層、３は電荷移動層、４はアンダーコート層であ
る。

実施例３ 上記実施例２で使用した1,1−ビス（ｐ−N,N−ジエチ
ルアミノフェニル）−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエ
ンに代えて、４−N,N−ジフェニル−２−メチル−ベン
ズアルデヒド−ジフェニルヒドラゾンを用いた他は実施
例２と同様にして電子写真感光体を製造し、その特性を
評価した。その結果は、半減露光量＝0.5ルックス秒、
電荷保持率93％、残留電位−5Vと非常に高い光感度を示
した。

実施例４ 実施例２と同様にアンダーコート層、電荷発生層を形
成し、その上に化合物（５）/1,1−ビス（ｐ−N,N−ジ
エチルアミノフェニル）−4,4−ジフェニル−1,3−ブタ
ジエン/4−N,N−ジフェニル−２−メチル−ベンズアル
デヒド−ジフェニルヒドラゾン／ポリカーボネート／塩
化メチレン（9:2:1:8:50）溶液を用いた他は実施例２と
同様に測定した。その結果は、半減露光量0.5ルックス
秒、電荷保持率93％、残留電位−3Vと良好な感光体特性
を示した。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、特定のヒドラ
ゾン化合物を一種以上の低分子電荷移動材料とブレンド
し、電荷移動材料として用いることにより、高移動度
で、かつ残留電位、暗減衰が小さく、良好な繰り返し安
定性を示す電子写真感光体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子写真感光体の一実施例の概略
断面図である。 １……アルミニウム基板 ２……電荷発生層 ３……電荷移動層 ４……アンダーコート層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03G 5/06 ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＣＡ（ＳＴＮ) ＷＰＩＤ／Ｌ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電荷発生材料と電荷移動材料を含む電子写
   真感光体において、電荷移動材料として、一般式； （式中、R¹は、水素原子、アルキル基、置換基を含んで
   いてもよいフェニル基、アリル基またはベンジル基を示
   し、R²〜R⁸は、水素原子、ハロゲン、ニトロ基、アルコ
   キシ基、アルキル基または置換基を含んでいてもよいフ
   ェニル基で同一でも異なっていてもかまわない。R⁹は、
   水素原子、アルキル基、置換基を含んでいてもよいフェ
   ニル基またはベンジル基を示し、R¹⁰、R¹¹は、水素原
   子、アルキル基、置換基を含んでいてもよいフェニル
   基、ベンジル基またはナフチル基で同一でも異なってい
   てもかまわない。） で示されるヒドラゾン基を有する化合物と、他の一種以
   上の電荷移動材料とを含むことを特徴とする電子写真感
   光体。