JP2997366B2 - 太陽電池素子 - Google Patents
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/146—Back-junction photovoltaic cells, e.g. having interdigitated base-emitter regions on the back side
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
- H10F77/227—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells for emitter wrap-through [EWT] photovoltaic cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池素子に関し、特
にシリコン基板の裏面側のみに電極を形成した太陽電池
素子に関する。
にシリコン基板の裏面側のみに電極を形成した太陽電池
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】太陽電池素子は、図３
に示すように、ｐ型シリコン基板３１内の一主面側にｎ
+ 領域３２を形成してｐ−ｎ接合部を形成し、このシリ
コン基板３１の一主面側のｎ+ 領域３２上と他の主面側
にそれぞれ電極３３、３４を形成したものが一般的であ
る。なお、図３中、３５は反射防止膜である。ところ
が、このような太陽電池素子では、受光面側に電極３３
があるために、この受光面側電極３３によって入射光が
遮られて影によるロスが発生するとともに、この受光面
側電極３３部や受光面側高濃度層３２部分でキャリヤの
再結合損失が発生するという問題がある。
に示すように、ｐ型シリコン基板３１内の一主面側にｎ
+ 領域３２を形成してｐ−ｎ接合部を形成し、このシリ
コン基板３１の一主面側のｎ+ 領域３２上と他の主面側
にそれぞれ電極３３、３４を形成したものが一般的であ
る。なお、図３中、３５は反射防止膜である。ところ
が、このような太陽電池素子では、受光面側に電極３３
があるために、この受光面側電極３３によって入射光が
遮られて影によるロスが発生するとともに、この受光面
側電極３３部や受光面側高濃度層３２部分でキャリヤの
再結合損失が発生するという問題がある。
【０００３】そこで、受光面側の光影面積を減少させる
とともに受光面側電極部でのキャリヤの再結合を抑制す
るために、図４に示すように、全ての電極をシリコン基
板４１の裏面側に配置した太陽電池素子も提案されてい
る。すなわち、ｐ型シリコン基板４１の一主面側には凹
凸部４２と反射防止膜４３だけを形成して、シリコン基
板４１内の他の主面側にｎ+ 領域４４とｐ+ 領域４５を
形成し、このｎ+ 領域４４部分とｐ+ 領域４５部分と点
状に接触する電極４６、４７をそれぞれ形成したもので
ある。このように構成すると、シリコン基板４１の受光
面側には電極がないことから光影面積はゼロになり、ま
た電極との接触面積を減少させることでキャリヤの再結
合も抑制できるようになる。
とともに受光面側電極部でのキャリヤの再結合を抑制す
るために、図４に示すように、全ての電極をシリコン基
板４１の裏面側に配置した太陽電池素子も提案されてい
る。すなわち、ｐ型シリコン基板４１の一主面側には凹
凸部４２と反射防止膜４３だけを形成して、シリコン基
板４１内の他の主面側にｎ+ 領域４４とｐ+ 領域４５を
形成し、このｎ+ 領域４４部分とｐ+ 領域４５部分と点
状に接触する電極４６、４７をそれぞれ形成したもので
ある。このように構成すると、シリコン基板４１の受光
面側には電極がないことから光影面積はゼロになり、ま
た電極との接触面積を減少させることでキャリヤの再結
合も抑制できるようになる。
【０００４】ところが、この太陽電池素子では、シリコ
ン基板４１の比抵抗が大きいと太陽電池素子を形成した
場合に直列抵抗が増大するとともに、表面再結合の影響
を大きく受け、効率が大きく低下するという問題があ
る。
ン基板４１の比抵抗が大きいと太陽電池素子を形成した
場合に直列抵抗が増大するとともに、表面再結合の影響
を大きく受け、効率が大きく低下するという問題があ
る。
【０００５】そこで、図５に示すように、ｐ型シリコン
基板５１内に多数の貫通孔５２を形成するとともに、こ
のシリコン基板５１の受光面側と貫通孔５２内にｎ+ 領
域５３を連続して形成し、裏面側のｐ+ 領域５４と貫通
孔部分の裏面側のｎ+ 領域５５部分にそれぞれ電極５
６、５７を形成することによってシリコン基板５１の受
光面側の光影面積を減少させるようにした太陽電池素子
も提案されている（例えば特開平１−５１２８２号公報
参照）。このような貫通孔５２は、例えばＹＡＧレーザ
などによって形成されるが、シリコン基板５１にＹＡＧ
レーザをスポット的に照射して貫通孔５２を形成するの
は、煩雑で時間を要し、太陽電池素子が非常に高コスト
になるとともに、これらの貫通孔５２の近傍にｎ+ 領域
を正確に形成するのが困難であり、製造歩留りも低下す
るという問題があった。なお、図５中、５８はｐ型シリ
コン基板の受光面側に形成された反射防止膜である。
基板５１内に多数の貫通孔５２を形成するとともに、こ
のシリコン基板５１の受光面側と貫通孔５２内にｎ+ 領
域５３を連続して形成し、裏面側のｐ+ 領域５４と貫通
孔部分の裏面側のｎ+ 領域５５部分にそれぞれ電極５
６、５７を形成することによってシリコン基板５１の受
光面側の光影面積を減少させるようにした太陽電池素子
も提案されている（例えば特開平１−５１２８２号公報
参照）。このような貫通孔５２は、例えばＹＡＧレーザ
などによって形成されるが、シリコン基板５１にＹＡＧ
レーザをスポット的に照射して貫通孔５２を形成するの
は、煩雑で時間を要し、太陽電池素子が非常に高コスト
になるとともに、これらの貫通孔５２の近傍にｎ+ 領域
を正確に形成するのが困難であり、製造歩留りも低下す
るという問題があった。なお、図５中、５８はｐ型シリ
コン基板の受光面側に形成された反射防止膜である。
【０００６】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みて成されたものであり、光影面積による効率低下を
防止するとともに、キャリヤの再結合損失を防止した低
コストで高効率な太陽電池素子を提供することを目的と
するものである。
鑑みて成されたものであり、光影面積による効率低下を
防止するとともに、キャリヤの再結合損失を防止した低
コストで高効率な太陽電池素子を提供することを目的と
するものである。
【０００７】
【発明の構成】本発明によれば、受光面側に凹凸部を有
するｐ型シリコン基板内にライン状の貫通孔を設けると
ともに、このシリコン基板裏面側の前記貫通孔近傍にｎ
+ 領域を設け、このシリコン基板の受光面側から貫通孔
部分を経由して前記ｎ+ 領域に繋がる電子の伝導領域を
前記シリコン基板内に設け、このシリコン基板の受光面
側と前記貫通孔内にパシベーション膜および反射防止膜
を設け、このシリコン基板裏面側の前記ｎ+ 領域が形成
された部分以外の部分にｐ+ 領域を設け、前記ｎ+ 領域
とｐ+ 領域上に電極を形成して成る太陽電池素子が提供
され、そのことにより上記目的が達成される。
するｐ型シリコン基板内にライン状の貫通孔を設けると
ともに、このシリコン基板裏面側の前記貫通孔近傍にｎ
+ 領域を設け、このシリコン基板の受光面側から貫通孔
部分を経由して前記ｎ+ 領域に繋がる電子の伝導領域を
前記シリコン基板内に設け、このシリコン基板の受光面
側と前記貫通孔内にパシベーション膜および反射防止膜
を設け、このシリコン基板裏面側の前記ｎ+ 領域が形成
された部分以外の部分にｐ+ 領域を設け、前記ｎ+ 領域
とｐ+ 領域上に電極を形成して成る太陽電池素子が提供
され、そのことにより上記目的が達成される。
【０００８】
【作用】上記のようにシリコン基板の受光面側には電極
が存在しないことから、光影損失とキャリヤの再結合損
失が減少する。さらに、シリコン基板の受光面側に凹凸
部を形成するとともに、シリコン基板内にライン状の貫
通孔を形成することによって、シリコン基板の表面積を
増大し、また貫通孔を形成するための時間が著しく低減
されてこの貫通孔とこの貫通孔の周辺のｎ+ 領域の形成
が容易になる。したがって、高効率の太陽電池素子を低
コストで製造歩留りを低下させることなく製造できるよ
うになる。
が存在しないことから、光影損失とキャリヤの再結合損
失が減少する。さらに、シリコン基板の受光面側に凹凸
部を形成するとともに、シリコン基板内にライン状の貫
通孔を形成することによって、シリコン基板の表面積を
増大し、また貫通孔を形成するための時間が著しく低減
されてこの貫通孔とこの貫通孔の周辺のｎ+ 領域の形成
が容易になる。したがって、高効率の太陽電池素子を低
コストで製造歩留りを低下させることなく製造できるよ
うになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明
する。図１は、本発明に係る太陽電池素子の一実施例を
示す斜視図であり、１は全体としてｐ型シリコン基板を
示す。
する。図１は、本発明に係る太陽電池素子の一実施例を
示す斜視図であり、１は全体としてｐ型シリコン基板を
示す。
【００１０】前記シリコン基板１は、例えばボロンなど
のｐ型不純物を含有させた０．４〜１０Ω・ｃｍ程度の
比抵抗を有する厚み５０〜２００μｍ程度のシリコン基
板で構成される。このシリコン基板１は、引き上げ法な
どによって形成した単結晶シリコン基板でもよく、また
鋳造法などによって形成した多結晶シリコン基板でもよ
い。
のｐ型不純物を含有させた０．４〜１０Ω・ｃｍ程度の
比抵抗を有する厚み５０〜２００μｍ程度のシリコン基
板で構成される。このシリコン基板１は、引き上げ法な
どによって形成した単結晶シリコン基板でもよく、また
鋳造法などによって形成した多結晶シリコン基板でもよ
い。
【００１１】前記シリコン基板１内には、ライン状の貫
通孔１ａが形成されている。この貫通孔１ａは、シリコ
ン基板１の表面積（受光面積）を増大させるとともに、
後述する少数キャリア（電子）をシリコン基板１の裏面
側に導くために形成される。このライン状の貫通孔１ａ
は、幅が３０〜１００μｍ程度で、長さがシリコン基板
１の両端部を残した長さに形成される。なお、この貫通
孔１ａは、シリコン基板１の端部近傍から他の端部近傍
へ連続して形成する場合に限らず、断続的に形成しても
よい。また、この貫通孔１ａは、シリコン基板１の表面
に対して垂直に形成する場合に限らず、シリコン基板１
の表面に対して一定の角度を持たせて形成することによ
り、入射光をシリコン基板１内に効率良く取り入れるよ
うにしてもよい。
通孔１ａが形成されている。この貫通孔１ａは、シリコ
ン基板１の表面積（受光面積）を増大させるとともに、
後述する少数キャリア（電子）をシリコン基板１の裏面
側に導くために形成される。このライン状の貫通孔１ａ
は、幅が３０〜１００μｍ程度で、長さがシリコン基板
１の両端部を残した長さに形成される。なお、この貫通
孔１ａは、シリコン基板１の端部近傍から他の端部近傍
へ連続して形成する場合に限らず、断続的に形成しても
よい。また、この貫通孔１ａは、シリコン基板１の表面
に対して垂直に形成する場合に限らず、シリコン基板１
の表面に対して一定の角度を持たせて形成することによ
り、入射光をシリコン基板１内に効率良く取り入れるよ
うにしてもよい。
【００１２】前記シリコン基板１の受光面側には、テキ
スチャー処理によるピラミッド状凹凸部１ｂが形成され
ている。このピラミッド状凹凸部１ｂは、シリコン基板
１の表面での照射光の反射ロスを低減させるために形成
される。なお、ピラミッド状凹凸部に限らず、Ｖ字溝な
どを多数形成するようにしてもよい。シリコン基板１の
表面にＶ字溝を形成する場合は、フォトリソグラフィー
技術により水酸化ナトリウム溶液などで形成される。な
お、図１において、３はｎ+ 領域の電極、４はｐ+ 領域
の電極である。
スチャー処理によるピラミッド状凹凸部１ｂが形成され
ている。このピラミッド状凹凸部１ｂは、シリコン基板
１の表面での照射光の反射ロスを低減させるために形成
される。なお、ピラミッド状凹凸部に限らず、Ｖ字溝な
どを多数形成するようにしてもよい。シリコン基板１の
表面にＶ字溝を形成する場合は、フォトリソグラフィー
技術により水酸化ナトリウム溶液などで形成される。な
お、図１において、３はｎ+ 領域の電極、４はｐ+ 領域
の電極である。
【００１３】図２は、本発明に係る太陽電池素子の部分
断面図である。前記シリコン基板１内には、ライン状の
貫通孔１ａが傾斜して形成されている。このシリコン基
板１の裏面側の貫通孔１ａの近傍には、選択的にｎ+ 領
域５が形成されている。このｎ+ 領域５は、リン（Ｐ）
や砒素（Ａｓ）などの半導体用不純物を高濃度に含有し
ている。また、シリコン基板１の裏面側のｎ+ 領域５が
形成された部分以外の部分には、ｎ+ 領域５部分から適
当な距離を隔ててＢＳＦ（裏面電界）層となるｐ+ 領域
６が形成されている。このｐ+ 領域６は、アルミニウム
元素などを高濃度に含有させて形成される。
断面図である。前記シリコン基板１内には、ライン状の
貫通孔１ａが傾斜して形成されている。このシリコン基
板１の裏面側の貫通孔１ａの近傍には、選択的にｎ+ 領
域５が形成されている。このｎ+ 領域５は、リン（Ｐ）
や砒素（Ａｓ）などの半導体用不純物を高濃度に含有し
ている。また、シリコン基板１の裏面側のｎ+ 領域５が
形成された部分以外の部分には、ｎ+ 領域５部分から適
当な距離を隔ててＢＳＦ（裏面電界）層となるｐ+ 領域
６が形成されている。このｐ+ 領域６は、アルミニウム
元素などを高濃度に含有させて形成される。
【００１４】前記シリコン基板１の受光面側および貫通
孔１ａ部分のシリコン基板１内には、電子の伝導領域７
などが形成される。この電子の伝導領域７は、ｎ層、ヘ
テロ接合層、あるいは反転層などで構成され、裏面側に
形成されたｎ+ 領域５に接続されるように形成される。
すなわち、表面近傍で発生した電子・正孔を効率良く分
離し、シリコン基板１の表面へ導かれた電子をシリコン
基板１の裏面側に形成されたｎ+ 領域５へ導くためであ
る。電子の伝導領域７をｎ層で構成する場合は、シリコ
ン基板１の表面部分に、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）など
のｎ型半導体不純物を拡散すればよい。また、電子の伝
導領域７をヘテロ接合層で構成する場合は、例えばアモ
ルファスシリコンカーバイド層などをシリコン基板１の
表面に形成すればよい。さらに、電子の伝導領域７を反
転層で構成する場合は、シリコン基板１の表面に例えば
電荷密度が３×１０11〜２×１０13ｃｍ-2程度の窒化シ
リコン膜などで電子引付層８を形成すればよい。なお、
電子の伝導領域７をｎ層やヘテロ接合層で形成する場合
は、この電子引付層８は必ずしも必要ではない。
孔１ａ部分のシリコン基板１内には、電子の伝導領域７
などが形成される。この電子の伝導領域７は、ｎ層、ヘ
テロ接合層、あるいは反転層などで構成され、裏面側に
形成されたｎ+ 領域５に接続されるように形成される。
すなわち、表面近傍で発生した電子・正孔を効率良く分
離し、シリコン基板１の表面へ導かれた電子をシリコン
基板１の裏面側に形成されたｎ+ 領域５へ導くためであ
る。電子の伝導領域７をｎ層で構成する場合は、シリコ
ン基板１の表面部分に、リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）など
のｎ型半導体不純物を拡散すればよい。また、電子の伝
導領域７をヘテロ接合層で構成する場合は、例えばアモ
ルファスシリコンカーバイド層などをシリコン基板１の
表面に形成すればよい。さらに、電子の伝導領域７を反
転層で構成する場合は、シリコン基板１の表面に例えば
電荷密度が３×１０11〜２×１０13ｃｍ-2程度の窒化シ
リコン膜などで電子引付層８を形成すればよい。なお、
電子の伝導領域７をｎ層やヘテロ接合層で形成する場合
は、この電子引付層８は必ずしも必要ではない。
【００１５】なお、前記シリコン基板１の貫通孔１ａ内
を含む表面側には酸化シリコン（ＳｉＯX ）膜などから
成るパシベーション膜２が厚み５０Å程度に形成されて
いる。また、図２中、９はフッ化マグネシウム層などか
ら成る反射防止膜である。さらに、シリコン基板１の裏
面側に形成されたｎ+ 領域５上には、ｎ+ 領域５と点状
に接触するＡｌなどから成る電極３、およびｐ+ 領域６
と点状に接触するＡｌなどから成る電極４がそれぞれ形
成されている。なお、ｎ+ 領域５の電極３とｐ+ 領域６
の電極４とは、シリコン基板１の裏面側の対向部でそれ
ぞれ合流するように櫛歯状に形成すればよい。また、こ
のｎ+ 領域５の電極３とｐ+ 領域６の電極４とは、ＢＳ
Ｒ（裏面側反射防止層）を兼ねるものである。
を含む表面側には酸化シリコン（ＳｉＯX ）膜などから
成るパシベーション膜２が厚み５０Å程度に形成されて
いる。また、図２中、９はフッ化マグネシウム層などか
ら成る反射防止膜である。さらに、シリコン基板１の裏
面側に形成されたｎ+ 領域５上には、ｎ+ 領域５と点状
に接触するＡｌなどから成る電極３、およびｐ+ 領域６
と点状に接触するＡｌなどから成る電極４がそれぞれ形
成されている。なお、ｎ+ 領域５の電極３とｐ+ 領域６
の電極４とは、シリコン基板１の裏面側の対向部でそれ
ぞれ合流するように櫛歯状に形成すればよい。また、こ
のｎ+ 領域５の電極３とｐ+ 領域６の電極４とは、ＢＳ
Ｒ（裏面側反射防止層）を兼ねるものである。
【００１６】上述のような太陽電池素子において、電子
の伝導領域７を反転層で構成する場合は、次のような工
程で形成される。まず、ｐ型シリコン基板１をＨＣｌな
どで清浄化する。次に、１０μｍ程度に絞られたＹＡＧ
レーザなどを用いてライン状の貫通孔１ａを傾斜して形
成する。次に、ダメージ層を除去するために、弗酸・硝
酸の混合液などを用いてシリコン基板１の表面を軽くエ
ッチングする。次に、シリコン基板１の受光面側に、ピ
ラミッド状の凹凸部１ｂを形成する。このピラミッド状
凹凸部１ｂは、水酸化ナトリウム溶液などを用いたテキ
スチャー処理により形成される。次に、受光面と貫通孔
のｎ領域、裏面のｎ+ 領域、およびｐ+領域をイオン注
入法または熱拡散法により形成する。次に、酸化シリコ
ン膜などから成るパシベーション膜２をプラズマＣＶＤ
法あるいは熱酸化法により形成して、裏面側の所定部分
（ｎ+ 領域とｐ+ 領域の電極を形成する部分）をエッチ
ング除去する。次に、ｎ+ 領域５およびｐ+ 領域６上に
Ａｌなどから成る電極３、４をスクリーン印刷法または
蒸着法により形成する。最後に、窒化シリコン膜などか
ら成る電子引付層８とフッ化マグネシウム膜などから成
る反射防止膜９をプラズマＣＶＤ法などで形成すること
により完成する。
の伝導領域７を反転層で構成する場合は、次のような工
程で形成される。まず、ｐ型シリコン基板１をＨＣｌな
どで清浄化する。次に、１０μｍ程度に絞られたＹＡＧ
レーザなどを用いてライン状の貫通孔１ａを傾斜して形
成する。次に、ダメージ層を除去するために、弗酸・硝
酸の混合液などを用いてシリコン基板１の表面を軽くエ
ッチングする。次に、シリコン基板１の受光面側に、ピ
ラミッド状の凹凸部１ｂを形成する。このピラミッド状
凹凸部１ｂは、水酸化ナトリウム溶液などを用いたテキ
スチャー処理により形成される。次に、受光面と貫通孔
のｎ領域、裏面のｎ+ 領域、およびｐ+領域をイオン注
入法または熱拡散法により形成する。次に、酸化シリコ
ン膜などから成るパシベーション膜２をプラズマＣＶＤ
法あるいは熱酸化法により形成して、裏面側の所定部分
（ｎ+ 領域とｐ+ 領域の電極を形成する部分）をエッチ
ング除去する。次に、ｎ+ 領域５およびｐ+ 領域６上に
Ａｌなどから成る電極３、４をスクリーン印刷法または
蒸着法により形成する。最後に、窒化シリコン膜などか
ら成る電子引付層８とフッ化マグネシウム膜などから成
る反射防止膜９をプラズマＣＶＤ法などで形成すること
により完成する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池素
子では、受光面側に凹凸部を有するｐ型シリコン基板内
にライン状の貫通孔を設けるとともに、このシリコン基
板裏面側の前記貫通孔近傍にｎ+ 領域を設け、このシリ
コン基板の受光面側から貫通孔部分を経由して前記ｎ+
領域に繋がる電子の伝導領域を前記シリコン基板内に設
け、このシリコン基板の受光面側と前記貫通孔内にパシ
ベーション膜および反射防止膜を設け、このシリコン基
板裏面側の前記ｎ+ 領域が形成された部分以外の部分に
ｐ+ 領域を設け、前記ｎ+ 領域とｐ+ 領域上に電極を形
成して成ることから、シリコン基板の受光面側には電極
がなく、電極近傍でのキャリアの再結合損失が無くなる
とともに、シリコン基板の受光面側には、電子の伝導領
域が存在するので、効果的に集電ができ、従来の構成に
比較して安価に電圧・電流特性を向上させることができ
る。また、貫通孔をライン状にしたことから、この貫通
孔を形成するための時間が著しく低減され、この貫通孔
とこの貫通孔の周辺のｎ+ 領域の形成が容易になる。し
たがって、高効率の太陽電池素子を低コストで製造歩留
りを低下させることなく製造できるようになる。
子では、受光面側に凹凸部を有するｐ型シリコン基板内
にライン状の貫通孔を設けるとともに、このシリコン基
板裏面側の前記貫通孔近傍にｎ+ 領域を設け、このシリ
コン基板の受光面側から貫通孔部分を経由して前記ｎ+
領域に繋がる電子の伝導領域を前記シリコン基板内に設
け、このシリコン基板の受光面側と前記貫通孔内にパシ
ベーション膜および反射防止膜を設け、このシリコン基
板裏面側の前記ｎ+ 領域が形成された部分以外の部分に
ｐ+ 領域を設け、前記ｎ+ 領域とｐ+ 領域上に電極を形
成して成ることから、シリコン基板の受光面側には電極
がなく、電極近傍でのキャリアの再結合損失が無くなる
とともに、シリコン基板の受光面側には、電子の伝導領
域が存在するので、効果的に集電ができ、従来の構成に
比較して安価に電圧・電流特性を向上させることができ
る。また、貫通孔をライン状にしたことから、この貫通
孔を形成するための時間が著しく低減され、この貫通孔
とこの貫通孔の周辺のｎ+ 領域の形成が容易になる。し
たがって、高効率の太陽電池素子を低コストで製造歩留
りを低下させることなく製造できるようになる。
【図１】本発明に係る太陽電池素子の一実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明に係る太陽電池素子の断面図である。
【図３】従来の太陽電池素子を示す図である。
【図４】従来の他の太陽電池素子を示す図である。
【図５】従来のその他の太陽電池素子を示す図である。
１・・・ｐ型シリコン基板、１ａ・・・貫通孔、１ｂ・
・・凹凸部、２・・・パシベーション膜、３・・・ｎ+
領域の電極、４・・・ｐ+ 領域の電極、５・・・ｎ+ 領
域、６・・・ｐ+ 領域、７・・・電子の伝導領域、９・
・・反射防止膜。
・・凹凸部、２・・・パシベーション膜、３・・・ｎ+
領域の電極、４・・・ｐ+ 領域の電極、５・・・ｎ+ 領
域、６・・・ｐ+ 領域、７・・・電子の伝導領域、９・
・・反射防止膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 受光面側に凹凸部を有するｐ型シリコン
基板内にライン状の貫通孔を設けるとともに、このシリ
コン基板裏面側の前記貫通孔近傍にｎ+ 領域を設け、こ
のシリコン基板の受光面側から貫通孔部分を経由して前
記ｎ+ 領域に繋がる電子の伝導領域を前記シリコン基板
内に設け、このシリコン基板の受光面側と前記貫通孔内
にパシベーション膜および反射防止膜を設け、このシリ
コン基板裏面側の前記ｎ+ 領域が形成された部分以外の
部分にｐ+ 領域を設け、前記ｎ+領域とｐ+ 領域上に電
極を形成して成る太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138427A JP2997366B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4138427A JP2997366B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335606A JPH05335606A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2997366B2 true JP2997366B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=15221717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4138427A Expired - Fee Related JP2997366B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997366B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013014860A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4440405B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2010-03-24 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4138427A patent/JP2997366B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013014860A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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