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JP3013820B2 - Die bonding equipment for semiconductor devices - Google Patents
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JP3013820B2 - Die bonding equipment for semiconductor devices - Google Patents

Die bonding equipment for semiconductor devices

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JP3013820B2 JP9307454A JP30745497A JP3013820B2 JP 3013820 B2 JP3013820 B2 JP 3013820B2 JP 9307454 A JP9307454 A JP 9307454A JP 30745497 A JP30745497 A JP 30745497A JP 3013820 B2 JP3013820 B2 JP 3013820B2
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/011Apparatus therefor
    • H10W72/0113Apparatus for manufacturing die-attach connectors

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  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程において使用されるダイボンディング装置に関する。
The present invention relates to a die bonding apparatus used in a semiconductor device manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3(a)は従来の半導体装置のダイボ
ンディング装置を示し、図3(b)はリードフレーム5
上に供給されたソルダ6を示す。ヒータブロック8は3
50℃前後に加熱されるようになっており、このヒータ
ーブロック8上にリードフレーム5が設置される。そし
て、このヒータブロック8上のリードフレーム5の上方
に、ソルダ供給コレット2が配置されるようになってい
る。このソルダ供給コレット2は、ソルダ1を供給する
1つのソルダ供給孔4を有し、このソルダ供給孔4から
ソルダ1がリードフレーム5の上に供給されるようにな
っている。また、リードフレーム5の上方には、ソルダ
供給コレット2に入れ替わって、リードフレーム上に供
給されたソルダを撹拌するソルダ撹拌コレット7も配置
されるようになっている。
2. Description of the Related Art FIG. 3A shows a conventional die bonding apparatus for a semiconductor device, and FIG.
The solder 6 supplied above is shown. Heater block 8 is 3
The heater is heated to about 50 ° C., and the lead frame 5 is installed on the heater block 8. The solder supply collet 2 is arranged above the lead frame 5 on the heater block 8. The solder supply collet 2 has one solder supply hole 4 for supplying the solder 1, and the solder 1 is supplied from the solder supply hole 4 onto the lead frame 5. Also, a solder stirring collet 7 for stirring the solder supplied on the lead frame is arranged above the lead frame 5 instead of the solder supply collet 2.

【0003】このように構成された従来のダイボンディ
ング装置においては、ソルダ供給コレット2から固化し
たソルダ1を供給孔4を介してリードフレーム5の上に
供給し、ヒータブロック8の熱によりソルダ6をリード
フレーム上で溶融させる。次いで、ソルダ供給コレット
2を退避させ、撹拌ユニット7をリードフレーム5の上
方に配置し、この撹拌ユニット7を回転させることによ
り、リードフレーム5上で溶融している適量のソルダ6
を撹拌し、アイランド全体にソルダを広がらせる。その
後、半導体ペレット(図示せず)をリードフレーム5の
上にダイボンディングする。
In the conventional die bonding apparatus configured as described above, the solder 1 solidified from the solder supply collet 2 is supplied onto the lead frame 5 through the supply hole 4, and the solder 6 is heated by the heater block 8. Is melted on the lead frame. Next, the solder supply collet 2 is retracted, and the stirring unit 7 is disposed above the lead frame 5. By rotating the stirring unit 7, an appropriate amount of the solder 6 melted on the lead frame 5 is obtained.
To spread the solder throughout the island. After that, a semiconductor pellet (not shown) is die-bonded on the lead frame 5.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のダイボンディング装置においては、固化(硬化)し
たままのソルダ1を1つのソルダ供給孔4よりリードフ
レーム5の上に供給し、リードフレーム5の上で溶融さ
せる方法であるため、ソルダ供給孔4内でソルダ1がひ
っかかりを生じやすい。このため、リードフレーム上の
ソルダ供給位置及び供給量のばらつきが大きくなり、半
導体ペレットとリードフレーム5との密着性が不足し、
接合されたペレットがリードフレームに対して傾くとい
う問題点がある。また、この従来のダイボンディング装
置においては、ソルダ供給後に、ソルダを撹拌させてリ
ードフレームのアイランドの全体に広がらせる必要があ
るため、ソルダ供給後に、ソルダ供給コレット2を移動
させ、撹拌ユニット7をリードフレーム上に配置する作
業が必要であり、生産性が悪いという難点がある。
However, in this conventional die bonding apparatus, the solidified (hardened) solder 1 is supplied onto the lead frame 5 from one solder supply hole 4 and the lead frame 5 is removed. Since the above method is used for melting, the solder 1 is likely to be caught in the solder supply hole 4. For this reason, the dispersion of the solder supply position and the supply amount on the lead frame becomes large, and the adhesion between the semiconductor pellet and the lead frame 5 becomes insufficient,
There is a problem that the bonded pellets are inclined with respect to the lead frame. Further, in this conventional die bonding apparatus, it is necessary to agitate the solder after supplying the solder to spread it over the entire island of the lead frame. Therefore, after supplying the solder, the solder supply collet 2 is moved and the stirring unit 7 is moved. The work of arranging on a lead frame is required, and there is a disadvantage that productivity is poor.

【0005】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ソルダ供給位置及び供給量のばらつきが低
減され、これに起因する特性不良を低減し、ソルダ供給
後の撹拌ユニットによるソルダ撹拌を省略し、生産性を
向上させることができる半導体装置のダイボンディング
装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and reduces the dispersion of the solder supply position and the supply amount. Therefore, an object of the present invention is to provide a die bonding apparatus for a semiconductor device which can improve productivity by eliminating the above.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
のダイボンディング装置は、半導体装置のダイボンディ
ングに使用されるダイボンディング装置において、ソル
ダ供給孔を有するソルダ供給コレットと、このソルダ供
給コレットに搭載され前記ソルダ供給孔内のソルダを加
熱するヒーターブロックと、前記ソルダ供給孔から分岐
した複数の分岐供給孔に接続されソルダを吐出する複数
のソルダ吐出孔とを有することを特徴とする。
A die bonding apparatus for a semiconductor device according to the present invention is a die bonding apparatus used for die bonding of a semiconductor device, comprising: a solder supply collet having a solder supply hole; It has a heater block mounted thereon for heating the solder in the solder supply hole, and a plurality of solder discharge holes connected to the plurality of branch supply holes branched from the solder supply hole and discharging the solder.

【0007】この半導体装置のダイボンディング装置に
おいて、前記ソルダ吐出孔は、中心部の孔と、この孔を
中心とする等配の位置に設けられた周辺孔とから構成さ
れることが好ましい。
In this die bonding apparatus for a semiconductor device, it is preferable that the solder discharge hole is constituted by a hole at a central portion and peripheral holes provided at equal positions around the hole.

【0008】本発明に係る他の半導体装置のダイボンデ
ィング装置は、半導体装置のダイボンディングに使用さ
れるダイボンディング装置において、ソルダ供給孔を有
するソルダ供給コレットと、このソルダ供給コレットに
搭載され前記ソルダ供給孔内のソルダを加熱するヒータ
ーブロックと、前記ソルダ供給コレットをその中心軸の
周りに回転駆動する駆動手段とを有することを特徴とす
る。
According to another aspect of the present invention, there is provided a die bonding apparatus for use in die bonding of a semiconductor device, comprising: a solder supply collet having a solder supply hole; and the solder supply collet mounted on the solder supply collet. It has a heater block for heating the solder in the supply hole, and a driving means for driving the solder supply collet to rotate around its central axis.

【0009】この半導体装置のダイボンディング装置に
おいて、前記ソルダ供給孔から分岐した複数の分岐供給
孔を有し、前記ソルダ吐出孔はこの各分岐供給孔に接続
されていて複数個設けられているように構成することが
できる。
In this die bonding apparatus for a semiconductor device, a plurality of branch supply holes branched from the solder supply holes are provided, and a plurality of the solder discharge holes are connected to each of the branch supply holes to be provided. Can be configured.

【0010】これらの半導体装置のダイボンディング装
置において、前記ソルダ供給孔は、ステンレス鋼又は銅
により成形されたブロックに形成されているように構成
することができる。
In the die bonding apparatus for a semiconductor device, the solder supply hole may be formed in a block formed of stainless steel or copper.

【0011】また、前記ヒータブロックは300乃至4
00℃の温度に発熱するものであるように構成すること
ができ、更に前記ソルダ供給孔内にソルダを一定量ずつ
供給する供給手段を有するように構成することができ
る。
Further, the heater block may be 300 to 4
It can be configured to generate heat at a temperature of 00 ° C., and can be configured to have a supply unit for supplying a predetermined amount of solder into the solder supply hole.

【0012】本発明の半導体装置のダイボンディング装
置においては、ソルダ供給コレットにヒーターブロック
を搭載することにより、ソルダ供給孔内で固形ソルダを
加熱して溶融させ、溶融したソルダを吐出孔からリード
フレーム上に供給する。
In the die bonding apparatus for a semiconductor device according to the present invention, by mounting a heater block on the solder supply collet, the solid solder is heated and melted in the solder supply hole, and the molten solder is discharged from the discharge hole into the lead frame. Supply on top.

【0013】従って、ソルダ供給孔でのソルダのひっか
かりがなくなり、ソルダ供給位置及び供給量のばらつき
を低減できる。また、ソルダ供給孔を複数設けるか、又
はソルダ供給コレットを回転駆動することにより、従来
必要としていた撹拌ユニットによるリードフレーム上の
ソルダの撹拌工程を省略することができる。
Therefore, it is possible to prevent the solder from being caught in the solder supply hole and to reduce the variation in the solder supply position and the supply amount. In addition, by providing a plurality of solder supply holes or by rotationally driving the solder supply collet, the step of stirring the solder on the lead frame by the stirring unit, which is conventionally required, can be omitted.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。図1(a)は本
発明の第1実施例に係るダイボンディング装置を示す模
式図、(8)はリードフレーム5のアイランド部を示す
平面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a schematic diagram illustrating a die bonding apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1D is a plan view illustrating an island portion of a lead frame 5.

【0015】図1において、ソルダ供給コレット2には
ソルダ供給孔9が同軸的に形成されており、このソルダ
供給コレット2の下部にヒーターブロック3が搭載され
ており、このヒータブロック3によりソルダ供給孔9内
のソルダ1を加熱するようになっている。
In FIG. 1, a solder supply hole 9 is formed coaxially in the solder supply collet 2, and a heater block 3 is mounted below the solder supply collet 2. Solder supply is performed by the heater block 3. The solder 1 in the hole 9 is heated.

【0016】このヒータブロック3の下部には、銅又は
ステンレス鋼からなるブロック10が配置されており、
このブロック10には、ソルダ供給孔9から分岐した複
数の分岐供給孔11が形成されている。そして、この分
岐供給孔11はブロック10の下面において、複数のソ
ルダ吐出孔として開口している。これらのソルダ吐出孔
は、これらの吐出孔から吐出されたリードフレーム上の
ソルダを示す図1(b)からわかるように、ソルダ供給
孔9の直下であるブロック10の中心部に中心孔が配置
され、この中心孔を中心として、4等配の位置に4個の
周辺孔が配置されたものである。
Below the heater block 3, a block 10 made of copper or stainless steel is arranged.
The block 10 has a plurality of branch supply holes 11 branched from the solder supply holes 9. The branch supply hole 11 is opened on the lower surface of the block 10 as a plurality of solder discharge holes. As can be seen from FIG. 1B which shows the solder on the lead frame discharged from these discharge holes, the central holes are arranged at the center of the block 10 immediately below the solder supply holes 9. Then, four peripheral holes are arranged at four equally spaced positions with the center hole as the center.

【0017】次に、本発明の実施例の動作について説明
する。半導体装置のダイボンディング工程において、固
化したままのワイヤ状態のソルダ1を一定間隔でソルダ
供給孔9を介してヒーターブロック3内に送り込み、送
り込まれたソルダ1は、300〜400℃の一定温度に
加熱されたヒーターブロック3内で溶融する。その後、
溶融したソルダは、多数の分岐供給孔11を通って、ブ
ロック10の下面からリードフレーム5の上に吐出さ
れ、図1(b)に示すように、溶融状態のソルダ6がリ
ードフレーム5上の5カ所に供給される。このとき、ソ
ルダ供給コレット2は、リードフレーム5の上方からリ
ードフレーム5との隙間が数10μmのところまで下降
してくる。ソルダ供給を終えたソルダ供給コレット2は
上昇し、元の位置に退避し、リードフレーム5が次順の
半導体ペレットのダイボンディング工程に送られる。こ
れらの工程を繰り返して、半導体ペレットがリードフレ
ーム上に搭載される。
Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described. In the die bonding process of the semiconductor device, the solder 1 in the wire state as it is solidified is fed into the heater block 3 through the solder supply holes 9 at regular intervals, and the fed solder 1 is heated to a constant temperature of 300 to 400 ° C. It melts in the heated heater block 3. afterwards,
The molten solder is discharged from the lower surface of the block 10 onto the lead frame 5 through a number of branch supply holes 11, and as shown in FIG. It will be supplied to five locations. At this time, the solder supply collet 2 descends from above the lead frame 5 to a place where the gap with the lead frame 5 is several tens μm. The solder supply collet 2 that has completed the solder supply rises and retreats to its original position, and the lead frame 5 is sent to the next die bonding step of semiconductor pellets. By repeating these steps, the semiconductor pellet is mounted on the lead frame.

【0018】本実施例においては、ソルダは溶融状態で
リードフレーム上に供給されるので、ソルダ供給孔9内
でのソルダのひっかかりによるソルダ供給位置及び供給
量のばらつきを低減できる。また、本実施例において
は、リードフレーム5上の複数の位置にソルダが直接供
給されるので、ソルダを撹拌しなくても、ソルダはリー
ドフレームのアイランド上で広範囲の領域に供給され
る。
In this embodiment, since the solder is supplied to the lead frame in a molten state, it is possible to reduce the variation in the solder supply position and the supply amount due to the catch of the solder in the solder supply hole 9. In this embodiment, since the solder is directly supplied to a plurality of positions on the lead frame 5, the solder is supplied to a wide area on the island of the lead frame without agitating the solder.

【0019】なお、ソルダ供給コレット2、ヒータブロ
ック3及びブロック10は、高速で移動する必要上、小
型及び軽量に構成することが好ましい。また、ソルダ1
を溶融した状態でリードフレーム5に供給する必要上、
ソルダ供給孔9及び分岐供給孔11が形成されたブロッ
クは、ヒータブロック3からの熱を高効率でソルダ1に
伝達するため、熱伝導率が良いステンレス鋼又は銅等の
金属で構成することが好ましい。
The solder supply collet 2, the heater block 3 and the block 10 need to be moved at a high speed, and are therefore preferably small and light. Also, Solder 1
Must be supplied to the lead frame 5 in a molten state.
The block in which the solder supply holes 9 and the branch supply holes 11 are formed can be made of a metal such as stainless steel or copper having good heat conductivity in order to transfer the heat from the heater block 3 to the solder 1 with high efficiency. preferable.

【0020】次に、本発明の第2の実施例について図2
を参照して説明する。図2において、図1と同一物には
同一符号を付してその詳細な説明を省略する。図2
(a)に示すように、本実施例においては、ソルダ供給
コレット2をその中心軸の周りに回転駆動する駆動手段
が設けられている点のみが、図1に示す第1実施例と異
なる。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. In FIG. 2, the same components as those in FIG. FIG.
As shown in (a), the present embodiment differs from the first embodiment shown in FIG. 1 only in that a driving means for driving the solder supply collet 2 to rotate around its central axis is provided.

【0021】このように構成された本実施例装置におい
ては、複数の吐出孔から吐出された溶融ソルダはソルダ
供給コレット2の回転によりその周辺方向に振り出さ
れ、リードフレーム5のより広範な領域に供給され、更
に、リードフレーム上で点在するのではなく、図2
(b)に示すように、円領域に均一に供給される。従っ
て、リードフレーム上に供給されたソルダはその後撹拌
する必要は生じない。即ち、ソルダ供給コレット2の回
転により、溶融したソルダをリードフレーム5の上に、
より広範囲な領域に均一に供給できるばかりでなく、従
来実施していたソルダ供給後の撹拌工程を削除すること
ができる。
In this embodiment of the present invention, the molten solder discharged from the plurality of discharge holes is swung in the peripheral direction by the rotation of the solder supply collet 2, and is spread over a wider area of the lead frame 5. And, instead of being scattered on the lead frame, FIG.
As shown in (b), it is supplied uniformly to the circular area. Therefore, the solder supplied on the lead frame does not need to be stirred thereafter. That is, by rotating the solder supply collet 2, the molten solder is placed on the lead frame 5.
Not only can it be uniformly supplied to a wider area, but also the stirring step after the solder supply, which has been conventionally performed, can be omitted.

【0022】なお、本実施例のように、ソルダ供給コレ
ットを回転させる場合には、ソルダ吐出孔は必ずしも複
数設ける必要はない。ソルダ供給コレットの回転によ
り、溶融ソルダはリードフレームの上方で遠心力により
拡大してリードフレーム上に供給されるので、リードフ
レーム上の広範囲な領域に均一に供給される。
When the solder supply collet is rotated as in this embodiment, it is not always necessary to provide a plurality of solder discharge holes. The rotation of the solder supply collet causes the molten solder to expand by centrifugal force above the lead frame and to be supplied onto the lead frame, so that the molten solder is uniformly supplied over a wide area on the lead frame.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本願各請求項に係
る発明は、ソルダ供給コレット内でソルダを溶融させる
ので、溶融状態のソルダを半導体装置のダイボンディン
グ工程に供給することができ、ソルダ供給孔内でソルダ
が引っかかるということがなく、ソルダ供給位置及び供
給量のばらつきを低減することである。
As described above, according to the present invention, since the solder is melted in the solder supply collet, the molten solder can be supplied to the die bonding step of the semiconductor device. An object of the present invention is to reduce the variation in the solder supply position and the supply amount without the solder being caught in the supply hole.

【0024】また、複数のソルダ吐出孔から溶融したソ
ルダをリードフレームに供給することにより、リードフ
レームの広範囲な領域にソルダを供給することができ、
更に、このときソルダ供給コレットを回転させれば、ソ
ルダを更に広範囲な領域に均一に供給することができ
る。このため、本発明においては、半導体装置のダイボ
ンディング工程において、ソルダ供給後のリードフレー
ム上でのソルダの撹拌工程を省略することができる。
Further, by supplying molten solder from a plurality of solder discharge holes to the lead frame, the solder can be supplied to a wide area of the lead frame,
Further, at this time, if the solder supply collet is rotated, the solder can be uniformly supplied to a wider area. Therefore, in the present invention, in the die bonding step of the semiconductor device, the step of agitating the solder on the lead frame after supplying the solder can be omitted.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る半導体装置のダイボ
ンディング装置を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a die bonding apparatus for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例に係る半導体装置のダイボ
ンディング装置を示す図である。
FIG. 2 is a view showing a die bonding apparatus for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の半導体装置のダイボンディング装置を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a conventional die bonding apparatus for a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1;ソルダ 2;ソルダ供給コレット 3;ヒーターブロック 4;ソルダ供給孔 5;リードフレーム 6;ソルダ 7;ソルダ撹拌コレット 8;ヒーターブロック 9:ソルダ供給孔 10:ブロック 11:ソルダ分岐供給孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Solder 2; Solder supply collet 3; Heater block 4; Solder supply hole 5; Lead frame 6; Solder 7; Solder stirring collet 8; Heater block 9: Solder supply hole 10: Block 11: Solder branch supply hole

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体装置のダイボンディングに使用さ
れるダイボンディング装置において、ソルダ供給孔を有
するソルダ供給コレットと、このソルダ供給コレットに
搭載され前記ソルダ供給孔内のソルダを加熱するヒータ
ーブロックと、前記ソルダ供給孔から分岐した複数の分
岐供給孔に接続されソルダを吐出する複数のソルダ吐出
孔とを有することを特徴とする半導体装置のダイボンデ
ィング装置。
1. A die bonding apparatus used for die bonding of a semiconductor device, a solder supply collet having a solder supply hole, a heater block mounted on the solder supply collet and heating the solder in the solder supply hole, A plurality of solder discharge holes that are connected to the plurality of branch supply holes branched from the solder supply hole and discharge the solder, the die bonding apparatus for a semiconductor device.
【請求項2】 前記ソルダ吐出孔は、中心部の孔と、こ
の孔を中心とする等配の位置に設けられた周辺孔とから
構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
置のダイボンディング装置。
2. The semiconductor according to claim 1, wherein the solder discharge hole includes a hole at a central portion and peripheral holes provided at equal positions around the hole. Equipment die bonding equipment.
【請求項3】 半導体装置のダイボンディングに使用さ
れるダイボンディング装置において、ソルダ供給孔を有
するソルダ供給コレットと、このソルダ供給コレットに
搭載され前記ソルダ供給孔内のソルダを加熱するヒータ
ーブロックと、前記ソルダ供給コレットをその中心軸の
周りに回転駆動する駆動手段とを有することを特徴とす
る半導体装置のダイボンディング装置。
3. A die bonding apparatus used for die bonding of a semiconductor device, a solder supply collet having a solder supply hole, a heater block mounted on the solder supply collet and heating the solder in the solder supply hole, And a driving unit for driving the solder supply collet to rotate about a center axis thereof.
【請求項4】 前記ソルダ供給孔から分岐した複数の分
岐供給孔を有し、前記ソルダ吐出孔はこの各分岐供給孔
に接続されていて複数個設けられていることを特徴とす
る請求項3に記載の半導体装置のダイボンディング装
置。
4. The semiconductor device according to claim 3, further comprising a plurality of branch supply holes branched from said solder supply hole, wherein a plurality of said solder discharge holes are connected to each of said branch supply holes. 6. A die bonding apparatus for a semiconductor device according to claim 5.
【請求項5】 前記ソルダ供給孔及び分岐供給孔は、ス
テンレス鋼又は銅により成形されたブロックに形成され
ていることを特徴とする請求項1、2、4のいずれか1
項に記載の半導体装置のダイボンディング装置。
5. The method according to claim 1, wherein the solder supply hole and the branch supply hole are formed in a block formed of stainless steel or copper.
Item 10. A die bonding apparatus for a semiconductor device according to item 1.
【請求項6】 前記ヒータブロックは300乃至400
℃の温度に発熱するものであることを特徴とする請求項
1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置のダイボン
ディング装置。
6. The heater block may be 300 to 400.
The die bonding apparatus for a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, wherein the apparatus generates heat at a temperature of ° C.
【請求項7】 前記ソルダ供給孔内にソルダを一定量ず
つ供給する供給手段を有することを特徴とする請求項1
乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置のダイボンデ
ィング装置。
7. The apparatus according to claim 1, further comprising a supply unit configured to supply a predetermined amount of solder into the solder supply hole.
7. The die bonding apparatus for a semiconductor device according to claim 1.
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