JP3062279B2 - セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部電極に改良を施し
たセラミック電子部品及びその製造方法に関するもので
ある。
たセラミック電子部品及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】外部電極を有するセラミック電子部品と
して、図４に示すような積層セラミックコンデンサがあ
る。
して、図４に示すような積層セラミックコンデンサがあ
る。
【０００３】この積層セラミックコンデンサは、内部電
極２１ａを有する柱状のセラミックチップ２１と、セラ
ミックチップ２１の両端部に設けられた一対の外部電極
２２とから構成されている。内部電極２１ａはニッケル
から成り、セラミックを介して多層に積層されその端縁
を交互に露出している。また、外部電極２２は３層構造
を有しており、チップ側の第１層２２ａがニッケルで、
第２層２２ｂがニッケルで、第３層２２ｃが半田（錫−
鉛合金）から成る。
極２１ａを有する柱状のセラミックチップ２１と、セラ
ミックチップ２１の両端部に設けられた一対の外部電極
２２とから構成されている。内部電極２１ａはニッケル
から成り、セラミックを介して多層に積層されその端縁
を交互に露出している。また、外部電極２２は３層構造
を有しており、チップ側の第１層２２ａがニッケルで、
第２層２２ｂがニッケルで、第３層２２ｃが半田（錫−
鉛合金）から成る。
【０００４】この積層セラミックコンデンサは、まず、
ニッケルを主成分とする電極ペ−ストを所定パタ−ンで
印刷した未焼成セラミックシ−トを複数枚積層し、これ
を所定の大きさに切断して柱状の未焼成チップを得た
後、該未焼成チップの両端部にニッケルを主成分とする
電極ペ−ストを塗布してこれを焼成して、未焼成セラミ
ックの焼成と各電極ペ−ストの焼付けを行なって内部電
極２１ａと第１層２２ａを形成し、そして第１層２２ａ
を形成した後の部品を空気中で３００〜９００℃の温度
で加熱した後、第１層２２ａの表面にニッケルをメッキ
して第２層を形成し、該第２層２２ｂの表面に半田をメ
ッキして第３層２２ｃを形成して製造されている。
ニッケルを主成分とする電極ペ−ストを所定パタ−ンで
印刷した未焼成セラミックシ−トを複数枚積層し、これ
を所定の大きさに切断して柱状の未焼成チップを得た
後、該未焼成チップの両端部にニッケルを主成分とする
電極ペ−ストを塗布してこれを焼成して、未焼成セラミ
ックの焼成と各電極ペ−ストの焼付けを行なって内部電
極２１ａと第１層２２ａを形成し、そして第１層２２ａ
を形成した後の部品を空気中で３００〜９００℃の温度
で加熱した後、第１層２２ａの表面にニッケルをメッキ
して第２層を形成し、該第２層２２ｂの表面に半田をメ
ッキして第３層２２ｃを形成して製造されている。
【０００５】上記の積層セラミックコンデンサでは、外
部電極２２の第１層２２ａを内部電極２１ａと同じニッ
ケルから形成することで、内部電極２１と外部電極２２
との導通性の向上を図り、また外部電極２２の第１層２
２ａにニッケルメッキ（第２層２２ｂ）と半田メッキ
（第３層２２ｃ）を施すことで、防錆性と半田濡れ性を
付与している。また、第１層２２ａを形成した後の熱処
理で、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量やｔａ
ｎδの劣化防止を図っている。
部電極２２の第１層２２ａを内部電極２１ａと同じニッ
ケルから形成することで、内部電極２１と外部電極２２
との導通性の向上を図り、また外部電極２２の第１層２
２ａにニッケルメッキ（第２層２２ｂ）と半田メッキ
（第３層２２ｃ）を施すことで、防錆性と半田濡れ性を
付与している。また、第１層２２ａを形成した後の熱処
理で、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量やｔａ
ｎδの劣化防止を図っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
積層セラミックコンデンサでは、半田付け時に外部電極
２２に急激に熱が加わると、その第２層２２ｂであるニ
ッケルのメッキ皮膜に内部応力が働いてセラミックチッ
プ２２にクラックを発生する欠点がある。このクラック
発生の問題は積層セラミックコンデンサに限らず、外部
電極として同構成を採用するセラミック電子部品に同様
に生じ得る。
積層セラミックコンデンサでは、半田付け時に外部電極
２２に急激に熱が加わると、その第２層２２ｂであるニ
ッケルのメッキ皮膜に内部応力が働いてセラミックチッ
プ２２にクラックを発生する欠点がある。このクラック
発生の問題は積層セラミックコンデンサに限らず、外部
電極として同構成を採用するセラミック電子部品に同様
に生じ得る。
【０００７】また、上記の製造方法では、外部電極２２
の第１層２２ａを形成した後の熱処理で該第１層２２ａ
の表面が酸化されてしまうため、その後に行なうニッケ
ルメッキの付着性が悪化してその密着強度が落ち、外部
電極２２の強度が著しく低下する欠点がある。
の第１層２２ａを形成した後の熱処理で該第１層２２ａ
の表面が酸化されてしまうため、その後に行なうニッケ
ルメッキの付着性が悪化してその密着強度が落ち、外部
電極２２の強度が著しく低下する欠点がある。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、半田付け時におけるクラ
ック発生を防止できると共に外部電極の強度を高めるこ
とができるセラミック電子部品とその製造方法を提供す
ることにある。
で、その目的とするところは、半田付け時におけるクラ
ック発生を防止できると共に外部電極の強度を高めるこ
とができるセラミック電子部品とその製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１では、卑金属またはその合金から成る内部
電極を内在したセラミックチップと、内部電極と導通す
る一対の外部電極とを具備したセラミック電子部品にお
いて、上記外部電極を、卑金属またはその合金から成
り、未焼成セラミックチップ及び内部電極用の電極ペー
ストと同時焼成されて形成された第１層と、パラジウム
のメッキ膜から成り第１層の表面を覆う第２層と、ニッ
ケルまたはその合金のメッキ膜から成り第２層の表面を
覆う第３層と、錫またはその合金のメッキ膜から成り第
３層の表面を覆う第４層とから構成している。
め、請求項１では、卑金属またはその合金から成る内部
電極を内在したセラミックチップと、内部電極と導通す
る一対の外部電極とを具備したセラミック電子部品にお
いて、上記外部電極を、卑金属またはその合金から成
り、未焼成セラミックチップ及び内部電極用の電極ペー
ストと同時焼成されて形成された第１層と、パラジウム
のメッキ膜から成り第１層の表面を覆う第２層と、ニッ
ケルまたはその合金のメッキ膜から成り第２層の表面を
覆う第３層と、錫またはその合金のメッキ膜から成り第
３層の表面を覆う第４層とから構成している。
【００１０】また、上記目的を達成するため、請求項２
では、卑金属またはその合金を主成分とする内部電極用
の電極ペースト部位を内在する未焼成セラミックチップ
に、卑金属またはその合金を主成分とする外部電極第１
層用の電極ペーストを塗布し、これを未焼成セラミック
チップ及び内部電極用の電極ペーストと同時焼成して外
部電極の第１層を形成する工程と、外部電極の第１層形
成後に、外部電極の第１層の表面にパラジウムをメッキ
して外部電極の第２層を形成する工程と、外部電極の第
２層形成後に、外部電極の第２層の表面にニッケルまた
はその合金をメッキして外部電極の第３層を形成する工
程と、外部電極の第３層形成後に、外部電極の第３層の
表面に錫またはその合金をメッキして外部電極の第４層
を形成する工程とからセラミック電子部品を製造してい
る。
では、卑金属またはその合金を主成分とする内部電極用
の電極ペースト部位を内在する未焼成セラミックチップ
に、卑金属またはその合金を主成分とする外部電極第１
層用の電極ペーストを塗布し、これを未焼成セラミック
チップ及び内部電極用の電極ペーストと同時焼成して外
部電極の第１層を形成する工程と、外部電極の第１層形
成後に、外部電極の第１層の表面にパラジウムをメッキ
して外部電極の第２層を形成する工程と、外部電極の第
２層形成後に、外部電極の第２層の表面にニッケルまた
はその合金をメッキして外部電極の第３層を形成する工
程と、外部電極の第３層形成後に、外部電極の第３層の
表面に錫またはその合金をメッキして外部電極の第４層
を形成する工程とからセラミック電子部品を製造してい
る。
【００１１】請求項１記載のセラミック電子部品では、
ペースト焼成によって形成された卑金属またはその合金
から成る外部電極の第１層の表面に、パラジウムのメッ
キ膜から成る第２層を形成してあるので、卑金属または
その合金とパラジウムとの馴染みが良いこともあって、
外部電極の第１層と第２層の相互間に高い密着度を得る
ことできる。また、パラジウムのメッキ膜から成る第２
層の表面に、第２層金属と馴染みの良いニッケルまたは
その合金のメッキ膜を形成してあるので、パラジウムと
ニッケルまたはその合金との馴染みが良いこともあっ
て、第２層と第３層の相互間に高い密着度を得ることで
きる。
ペースト焼成によって形成された卑金属またはその合金
から成る外部電極の第１層の表面に、パラジウムのメッ
キ膜から成る第２層を形成してあるので、卑金属または
その合金とパラジウムとの馴染みが良いこともあって、
外部電極の第１層と第２層の相互間に高い密着度を得る
ことできる。また、パラジウムのメッキ膜から成る第２
層の表面に、第２層金属と馴染みの良いニッケルまたは
その合金のメッキ膜を形成してあるので、パラジウムと
ニッケルまたはその合金との馴染みが良いこともあっ
て、第２層と第３層の相互間に高い密着度を得ることで
きる。
【００１２】また、請求項２記載のセラミック電子部品
の製造方法では、請求項１記載のセラミック電子部品を
的確に形成することができる。
の製造方法では、請求項１記載のセラミック電子部品を
的確に形成することができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る積層セラミックコンデン
サを示すもので、該積層セラミックコンデンサは、内部
電極１ａを有する柱状のセラミックチップ１と、セラミ
ックチップ１の両端部に設けられた一対の外部電極２と
から構成されている。
サを示すもので、該積層セラミックコンデンサは、内部
電極１ａを有する柱状のセラミックチップ１と、セラミ
ックチップ１の両端部に設けられた一対の外部電極２と
から構成されている。
【００１４】内部電極１ａは、ニッケル，銅，鉛，亜
鉛，鉄，錫，アルミニウム，コバルト，クロム等の卑金
属から選択される１種またはその合金から成り、セラミ
ックを介して多層（図中は４層）に積層されその端縁を
交互に露出している。
鉛，鉄，錫，アルミニウム，コバルト，クロム等の卑金
属から選択される１種またはその合金から成り、セラミ
ックを介して多層（図中は４層）に積層されその端縁を
交互に露出している。
【００１５】外部電極２は４層構造を有しており、チッ
プ側の第１層２ａは、内部電極１ａと同様の卑金属から
選択される１種またはその合金から成り、内部電極１ａ
に接続されている。第２層２ｂは、金，銀，パラジウ
ム，白金，ロジウム等の貴金属から選択される１種また
はその合金から成り、第１層２ａを覆っている。第３層
２ｃは、ニッケルまたはその合金から成り、第２層２ｂ
を覆っている。第４層２ｄは、錫またはその合金のメッ
キ膜から成り、第３層を覆っている。
プ側の第１層２ａは、内部電極１ａと同様の卑金属から
選択される１種またはその合金から成り、内部電極１ａ
に接続されている。第２層２ｂは、金，銀，パラジウ
ム，白金，ロジウム等の貴金属から選択される１種また
はその合金から成り、第１層２ａを覆っている。第３層
２ｃは、ニッケルまたはその合金から成り、第２層２ｂ
を覆っている。第４層２ｄは、錫またはその合金のメッ
キ膜から成り、第３層を覆っている。
【００１６】以下に、上記積層セラミックコンデンサの
好適な具体例をその製造方法と共に説明する。
好適な具体例をその製造方法と共に説明する。
【００１７】まず、非還元性のセラミック組成物から成
る厚さ数十μｍの未焼成セラミックシ−トの一面に、ニ
ッケルを主成分とする内部電極用の電極ペ−ストを数μ
ｍの厚みで所定パタ−ンで印刷する。そして、印刷後の
未焼成セラミックシ−トを、その印刷面側に未印刷の未
焼成セラミックシ−トをおき数十枚積層して相互に圧着
させ、これを積層方向に所定の大きさで切断して柱状の
未焼成チップを得る。この未焼成チップの両端面にはニ
ッケル層が露出している。
る厚さ数十μｍの未焼成セラミックシ−トの一面に、ニ
ッケルを主成分とする内部電極用の電極ペ−ストを数μ
ｍの厚みで所定パタ−ンで印刷する。そして、印刷後の
未焼成セラミックシ−トを、その印刷面側に未印刷の未
焼成セラミックシ−トをおき数十枚積層して相互に圧着
させ、これを積層方向に所定の大きさで切断して柱状の
未焼成チップを得る。この未焼成チップの両端面にはニ
ッケル層が露出している。
【００１８】次に、この未焼成チップの両端面にその周
面に及んで、ニッケルを主成分とする第１層用の電極ペ
−ストを数μｍ〜数十μｍの厚みをもって浸漬等の方法
によって付着し、この未焼成チップを中性または還元性
雰囲気中で１３００℃程度の温度で焼成する。この焼成
によって、未焼成セラミックの焼成と、内部電極１ａ及
び第１層２ａ用の各電極ペ−ストの焼付けが行なわれ
る。
面に及んで、ニッケルを主成分とする第１層用の電極ペ
−ストを数μｍ〜数十μｍの厚みをもって浸漬等の方法
によって付着し、この未焼成チップを中性または還元性
雰囲気中で１３００℃程度の温度で焼成する。この焼成
によって、未焼成セラミックの焼成と、内部電極１ａ及
び第１層２ａ用の各電極ペ−ストの焼付けが行なわれ
る。
【００１９】次に、第１層２ａの表面に、第２層２ｂと
なる銀の皮膜を無電解メッキ等のメッキによって形成す
る。ここで形成されるメッキ皮膜の厚みは０．２μｍ〜
５μｍである。そして、第２層２ｂを形成した後の部品
を自然雰囲気（空気）中で３００〜９００℃の温度で加
熱する。
なる銀の皮膜を無電解メッキ等のメッキによって形成す
る。ここで形成されるメッキ皮膜の厚みは０．２μｍ〜
５μｍである。そして、第２層２ｂを形成した後の部品
を自然雰囲気（空気）中で３００〜９００℃の温度で加
熱する。
【００２０】次に、熱処理後の部品の第２層２ｂの表面
に、第３層２ｃとなるニッケルの皮膜をメッキによって
形成し、そして第３層２ｃの表面に、第４層２ｄとなる
半田（錫−鉛合金）の皮膜をメッキによって形成する。
両層２ｃ，２ｄのメッキ皮膜の厚みは０．２μｍ〜５μ
ｍである。
に、第３層２ｃとなるニッケルの皮膜をメッキによって
形成し、そして第３層２ｃの表面に、第４層２ｄとなる
半田（錫−鉛合金）の皮膜をメッキによって形成する。
両層２ｃ，２ｄのメッキ皮膜の厚みは０．２μｍ〜５μ
ｍである。
【００２１】以上で、内部電極１ａ及び外部電極２の第
１層２ａがニッケルで、第２層２ｂが銀で、第３層２ｃ
がニッケルで、第４層２ｄが半田から成る積層セラミッ
クコンデンサが製造される。第２層２ｂを形成した後の
熱処理は、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量や
ｔａｎδの劣化防止を図るためのものである。また、熱
処理の前段階で第１層２ａの表面に第２層２ｂとなる銀
のメッキ皮膜を形成しているので、熱処理時に第１層２
ａは勿論、第２層も酸化されることがなく、第３層２ｃ
となるニッケルのメッキ皮膜を該第２層２ｂの表面に良
好に密着させることができる。
１層２ａがニッケルで、第２層２ｂが銀で、第３層２ｃ
がニッケルで、第４層２ｄが半田から成る積層セラミッ
クコンデンサが製造される。第２層２ｂを形成した後の
熱処理は、コンデンサの電気的特性、例えば静電容量や
ｔａｎδの劣化防止を図るためのものである。また、熱
処理の前段階で第１層２ａの表面に第２層２ｂとなる銀
のメッキ皮膜を形成しているので、熱処理時に第１層２
ａは勿論、第２層も酸化されることがなく、第３層２ｃ
となるニッケルのメッキ皮膜を該第２層２ｂの表面に良
好に密着させることができる。
【００２２】図２には、従来品と上記の製造方法で得ら
れた積層セラミックコンデンサの半田付け後のクラック
検査結果を示してある。この検査では、発明品として第
２層２ｂとなる銀のメッキ皮膜と第３層２ｃとなるニッ
ケルのメッキ皮膜の厚みが夫々０．２μｍと２μｍと５
μｍに形成された計９種類の積層セラミックコンデンサ
を夫々２００個宛用意し、従来品として銀のメッキ皮膜
がないものを２００個用意した。検査では実際の半田付
けと同じ温度状態を作るため、各積層セラミックコンデ
ンサを２分以上の予備加熱をはさんで２６０℃程度に加
熱し、該温度を３秒程度維持した後に自然冷却させてか
ら、各積層セラミックコンデンサの断面を光学顕微鏡で
視認しクラックの発生を識別した。
れた積層セラミックコンデンサの半田付け後のクラック
検査結果を示してある。この検査では、発明品として第
２層２ｂとなる銀のメッキ皮膜と第３層２ｃとなるニッ
ケルのメッキ皮膜の厚みが夫々０．２μｍと２μｍと５
μｍに形成された計９種類の積層セラミックコンデンサ
を夫々２００個宛用意し、従来品として銀のメッキ皮膜
がないものを２００個用意した。検査では実際の半田付
けと同じ温度状態を作るため、各積層セラミックコンデ
ンサを２分以上の予備加熱をはさんで２６０℃程度に加
熱し、該温度を３秒程度維持した後に自然冷却させてか
ら、各積層セラミックコンデンサの断面を光学顕微鏡で
視認しクラックの発生を識別した。
【００２３】同図から判るように、銀のメッキ皮膜を有
しない従来品ではニッケルのメッキ皮膜が０．２μｍと
２μｍと５μｍの場合で夫々クラックが発生し、該クラ
ックはニッケルのメッキ皮膜が厚くなるほど増加するこ
とが確認された。一方、銀のメッキ皮膜を第２層２ｂと
して有する発明品では、第３層２ｃのニッケルのメッキ
皮膜の厚みに関係なくクラックの発生が全く見られなか
った。尚、検査結果を示していないが、外部電極２の第
１層２ａが銅から成る積層セラミックコンデンサの場合
も上記の発明品と同様の好結果が得られた。
しない従来品ではニッケルのメッキ皮膜が０．２μｍと
２μｍと５μｍの場合で夫々クラックが発生し、該クラ
ックはニッケルのメッキ皮膜が厚くなるほど増加するこ
とが確認された。一方、銀のメッキ皮膜を第２層２ｂと
して有する発明品では、第３層２ｃのニッケルのメッキ
皮膜の厚みに関係なくクラックの発生が全く見られなか
った。尚、検査結果を示していないが、外部電極２の第
１層２ａが銅から成る積層セラミックコンデンサの場合
も上記の発明品と同様の好結果が得られた。
【００２４】また、図３には、従来品と上記の製造方法
で得られた積層セラミックコンデンサの外部電極強度の
検査結果を示してある。この検査では、発明品１として
第２層２ｂとなる銀のメッキ皮膜の厚みが３μｍに形成
された積層セラミックコンデンサを１０個、従来品とし
て銀のメッキ皮膜がないものを１０個用意した。また、
第１層２ａが銅から成る発明品１と同様の積層セラミッ
クコンデンサを発明品２として１０個用意した。検査で
は各積層セラミックコンデンサの各外部電極の中央にリ
−ド線を半田付けし、一方のリ−ド線を固定して他方の
リ−ド線を引張ったときに外部電極部分が破壊される強
度をゲ−ジによって測定した。
で得られた積層セラミックコンデンサの外部電極強度の
検査結果を示してある。この検査では、発明品１として
第２層２ｂとなる銀のメッキ皮膜の厚みが３μｍに形成
された積層セラミックコンデンサを１０個、従来品とし
て銀のメッキ皮膜がないものを１０個用意した。また、
第１層２ａが銅から成る発明品１と同様の積層セラミッ
クコンデンサを発明品２として１０個用意した。検査で
は各積層セラミックコンデンサの各外部電極の中央にリ
−ド線を半田付けし、一方のリ−ド線を固定して他方の
リ−ド線を引張ったときに外部電極部分が破壊される強
度をゲ−ジによって測定した。
【００２５】同図から判るように、銀のメッキ皮膜を有
しない従来品では引張り強度の平均値が１．４８ｋｇｆ
であるのに対し、銀のメッキ皮膜を有する発明品１では
引張り強度の平均値が４．５１ｋｇｆと大幅に向上し
た。また、外部電極２の第１層２ａが銅から成る発明品
２でも、引張り強度の平均値が４．９０ｋｇｆと大幅に
向上した。
しない従来品では引張り強度の平均値が１．４８ｋｇｆ
であるのに対し、銀のメッキ皮膜を有する発明品１では
引張り強度の平均値が４．５１ｋｇｆと大幅に向上し
た。また、外部電極２の第１層２ａが銅から成る発明品
２でも、引張り強度の平均値が４．９０ｋｇｆと大幅に
向上した。
【００２６】尚、外部電極の第２層として銀以外の貴金
属またはその合金のメッキ皮膜を採用する場合でも、上
記と同様の効果を得ることができる。
属またはその合金のメッキ皮膜を採用する場合でも、上
記と同様の効果を得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載のセ
ラミック電子部品によれば、外部電極の第１層と第２層
の相互間、また、第２層と第３層の相互間に高い密着度
を得て、外部電極の強度を格段高めることができ、半田
付け時に外部電極に内部応力が生じた場合でもこの応力
によって外部電極にクラックを発生することを確実に防
止できる。
ラミック電子部品によれば、外部電極の第１層と第２層
の相互間、また、第２層と第３層の相互間に高い密着度
を得て、外部電極の強度を格段高めることができ、半田
付け時に外部電極に内部応力が生じた場合でもこの応力
によって外部電極にクラックを発生することを確実に防
止できる。
【００２８】また、請求項２記載のセラミック電子部品
の製造方法によれば、請求項１記載のセラミック電子部
品を的確に製造でき、製造部品に前記同様の作用効果を
得ることができる。
の製造方法によれば、請求項１記載のセラミック電子部
品を的確に製造でき、製造部品に前記同様の作用効果を
得ることができる。
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの断面
図
図
【図２】半田付け後のクラック検査結果を示す図
【図３】外部電極強度の検査結果を示す図
【図４】従来の積層セラミックコンデンサの断面図
１…セラミックチップ、１ａ…内部電極、２…外部電
極、２ａ…第１層、２ｂ…第２層、２ｃ…第３層、２ｄ
…第４層。
極、２ａ…第１層、２ｂ…第２層、２ｃ…第３層、２ｄ
…第４層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 正浩 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−16323（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−44031（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/42
Claims (2)
- 【請求項１】 卑金属またはその合金から成る内部電極
を内在したセラミックチップと、内部電極と導通する一
対の外部電極とを具備したセラミック電子部品におい
て、 上記外部電極を、 卑金属またはその合金から成り、未焼成セラミックチッ
プ及び内部電極用の電極ペーストと同時焼成されて形成
された第１層と、パラジウムのメッキ膜 から成り第１層の表面を覆う第２
層と、 ニッケルまたはその合金のメッキ膜から成り第２層の表
面を覆う第３層と、 錫またはその合金のメッキ膜から成り第３層の表面を覆
う第４層とから構成した、 ことを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項２】 卑金属またはその合金を主成分とする内
部電極用の電極ペースト部位を内在する未焼成セラミッ
クチップに、卑金属またはその合金を主成分とする外部
電極第１層用の電極ペーストを塗布し、これを未焼成セ
ラミックチップ及び内部電極用の電極ペーストと同時焼
成して外部電極の第１層を形成する工程と、外部電極の第１層形成後に、 外部電極の第１層の表面に
パラジウムをメッキして外部電極の第２層を形成する工
程と、外部電極の第２層形成後に、 外部電極の第２層の表面に
ニッケルまたはその合金をメッキして外部電極の第３層
を形成する工程と、外部電極の第３層形成後に、 外部電極の第３層の表面に
錫またはその合金をメッキして外部電極の第４層を形成
する工程とを具備した、 ことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094320A JP3062279B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094320A JP3062279B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324609A JPH04324609A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3062279B2 true JP3062279B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=14106990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094320A Expired - Fee Related JP3062279B2 (ja) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062279B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013135096A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tdk Corp | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| JP2013135094A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tdk Corp | 電極焼結体、積層電子部品、内部電極ペースト、電極焼結体の製造方法、積層電子部品の製造方法 |
| JP2023155957A (ja) * | 2022-04-12 | 2023-10-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法、並びに回路基板 |
-
1991
- 1991-04-24 JP JP3094320A patent/JP3062279B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04324609A (ja) | 1992-11-13 |
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