JP3087675B2 - ポストベークシミュレーション方法 - Google Patents
ポストベークシミュレーション方法Info
- Publication number
- JP3087675B2 JP3087675B2 JP09023836A JP2383697A JP3087675B2 JP 3087675 B2 JP3087675 B2 JP 3087675B2 JP 09023836 A JP09023836 A JP 09023836A JP 2383697 A JP2383697 A JP 2383697A JP 3087675 B2 JP3087675 B2 JP 3087675B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration distribution
- fourier transform
- inhibitor concentration
- post
- simulation method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置のリ
ソグラフィー工程におけるポストベークシミュレーショ
ン方法に関する。
ソグラフィー工程におけるポストベークシミュレーショ
ン方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のポストベーク時のレジスト内のイ
ンヒビタの拡散計算は、Ｊ．Ｃｒａｎｋ，“Ｔｈｅ Ｍ
ａｔｈｅｍａｔｉｃｓ ｏｆ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ”，
Ｃｌａｒｅｎｄｏｎ Ｐｒｅｓｓ，１９７５年の１１頁
〜１３頁に開示されている。
ンヒビタの拡散計算は、Ｊ．Ｃｒａｎｋ，“Ｔｈｅ Ｍ
ａｔｈｅｍａｔｉｃｓ ｏｆ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ”，
Ｃｌａｒｅｎｄｏｎ Ｐｒｅｓｓ，１９７５年の１１頁
〜１３頁に開示されている。
【０００３】ベーク時のインヒビタの拡散が等方的でそ
の拡散係数が濃度と拡散時間に依存しないとき時間ｔ後
のインヒビタ濃度分布ｍは次の式で表される。
の拡散係数が濃度と拡散時間に依存しないとき時間ｔ後
のインヒビタ濃度分布ｍは次の式で表される。
【０００４】 ｍ＝｛ｍ0／（４πＤｔ）3/2｝ｅｘｐ｛−（ｘ2＋ｙ2＋ｚ2）／４Ｄｔ｝（１） ここでＤは拡散係数、ｍ0 は初期インヒビタ濃度であ
る。
る。
【０００５】（１）からベーク前の初期インヒビタ濃度
分布ｍ0（ｘ，ｙ，ｚ） が与えられたとき、時間ｔのベ
ークによるインヒビタ拡散後の濃度分布ｍ（ｘ，ｙ，
ｚ）は次式で表される。
分布ｍ0（ｘ，ｙ，ｚ） が与えられたとき、時間ｔのベ
ークによるインヒビタ拡散後の濃度分布ｍ（ｘ，ｙ，
ｚ）は次式で表される。
【０００６】
【数１】 ここでｇはガウス分布で次式で表される。
【０００７】 g(x,y,z)=[1/{2π(2π)1/2σ3}]exp{-(x2+y2+z2)/2σ2｝ （３） ここでσは拡散長でσ＝（２Ｄｔ）1/2 である。
【０００８】式（２）の積分は拡散長の３倍（３σ）の
領域で計算する。
領域で計算する。
【０００９】第４図に示す流れ図を用いて従来方法によ
るポストベークシミュレーション方法について説明す
る。
るポストベークシミュレーション方法について説明す
る。
【００１０】拡散長σを設定する（ステップ４１）。式
（３）のガウス分布を３σの範囲で計算しておく（ステ
ップ４２）。次にメッシュに分割したレジスト上の位置
（ｘ，ｙ，ｚ）におけるインヒビタ濃度ｍを式（２）で
計算する（ステップ４３）。全てのメッシュについてス
テップ４３を繰り返す（ステツプ４４）。
（３）のガウス分布を３σの範囲で計算しておく（ステ
ップ４２）。次にメッシュに分割したレジスト上の位置
（ｘ，ｙ，ｚ）におけるインヒビタ濃度ｍを式（２）で
計算する（ステップ４３）。全てのメッシュについてス
テップ４３を繰り返す（ステツプ４４）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】これら従来のポストベ
ークシミュレーョン方法では、拡散長が長くなったとき
に積分点の数が増えるので計算時間が長くなるという問
題点を有していた。
ークシミュレーョン方法では、拡散長が長くなったとき
に積分点の数が増えるので計算時間が長くなるという問
題点を有していた。
【００１２】本発明の目的は半導体製造装置に用いるリ
ソグラフィー工程のポストベークシミュレーションを高
速に計算するポストベークシミュレーョン方法を提供す
ることにある。
ソグラフィー工程のポストベークシミュレーションを高
速に計算するポストベークシミュレーョン方法を提供す
ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のポストベークシ
ミュレーョン方法は、半導体製造装置に用いるリソグラ
フィー工程のポストベークシミュレーション方法におい
て、露光計算により得られたインヒビタ濃度分布を横方
向に境界条件に従って拡張する工程と、インヒビタ濃度
分布を深さ方向に界面反応を考慮して拡張する工程と、
拡張したインヒビタ濃度分布を高速フーリエ変換によっ
てフーリエ変換したインヒビタ濃度分布を計算する工程
と、フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布とガウス分布
のフーリエ変換の積であるフーリエ変換積を計算する工
程と、フーリエ変換積を高速フーリエ変換によって逆フ
ーリエ変換することによりベーク工程における拡散後の
インヒビタ濃度分布を求める工程を含む。
ミュレーョン方法は、半導体製造装置に用いるリソグラ
フィー工程のポストベークシミュレーション方法におい
て、露光計算により得られたインヒビタ濃度分布を横方
向に境界条件に従って拡張する工程と、インヒビタ濃度
分布を深さ方向に界面反応を考慮して拡張する工程と、
拡張したインヒビタ濃度分布を高速フーリエ変換によっ
てフーリエ変換したインヒビタ濃度分布を計算する工程
と、フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布とガウス分布
のフーリエ変換の積であるフーリエ変換積を計算する工
程と、フーリエ変換積を高速フーリエ変換によって逆フ
ーリエ変換することによりベーク工程における拡散後の
インヒビタ濃度分布を求める工程を含む。
【００１４】従って、従来の技術では拡散長が長くなる
と積分点数が増えるために計算時間が急激に増大するの
に対して、本発明では計算時間が一定で大幅に計算時間
を短縮できる。
と積分点数が増えるために計算時間が急激に増大するの
に対して、本発明では計算時間が一定で大幅に計算時間
を短縮できる。
【００１５】また、インヒビタ濃度分布を深さ方向に界
面反応を考慮して拡張する工程は、化学増幅レジスト中
の初期酸濃度分布がポストベーク時に表面近傍と底面近
傍で失われる割合を、境界で折り返したデータに掛ける
事によって拡張する工程を含んでもよい。
面反応を考慮して拡張する工程は、化学増幅レジスト中
の初期酸濃度分布がポストベーク時に表面近傍と底面近
傍で失われる割合を、境界で折り返したデータに掛ける
事によって拡張する工程を含んでもよい。
【００１６】従って、本発明では化学増幅レジストの界
面近傍での酸反応を境界補正として組み込むことによ
り、高速フーリエ変換によって計算しているので従来の
技術よりも計算時間を短縮できる。
面近傍での酸反応を境界補正として組み込むことによ
り、高速フーリエ変換によって計算しているので従来の
技術よりも計算時間を短縮できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１８】本発明の光強度計算のパラメトリック解析
では以下に示す手段を有する。 ［１］インヒビタ濃度分布をポストベーク時の拡散長σ
に対して横方向に境界条件を考慮して３σの範囲だけ拡
張する。 ［２］前記インヒビタ渡度分布を深さ方向に界面反応を
考慮して前記３σの範囲だけ拡張する。 ［３］前記拡張インヒビタ濃度分布を高速フーリエ変換
（ＦＦＴ）によりフーリエ変換する。 ［４］前記σから決まるガウス分布のフーリエ変換と前
記フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布の積を計算す
る。 ［５］前記フーリエ変換積をＦＦＴによりフーリエ逆変
換してポストベーク後のインヒビタ濃度分布を得る。
では以下に示す手段を有する。 ［１］インヒビタ濃度分布をポストベーク時の拡散長σ
に対して横方向に境界条件を考慮して３σの範囲だけ拡
張する。 ［２］前記インヒビタ渡度分布を深さ方向に界面反応を
考慮して前記３σの範囲だけ拡張する。 ［３］前記拡張インヒビタ濃度分布を高速フーリエ変換
（ＦＦＴ）によりフーリエ変換する。 ［４］前記σから決まるガウス分布のフーリエ変換と前
記フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布の積を計算す
る。 ［５］前記フーリエ変換積をＦＦＴによりフーリエ逆変
換してポストベーク後のインヒビタ濃度分布を得る。
【００１９】式（２）はｍ，ｇがレジスト解析領域を１
周期とする周期関数の時、フーリエ変換の性質から次の
ように変形できる。
周期とする周期関数の時、フーリエ変換の性質から次の
ように変形できる。
【００２０】 ｍ＝ＩＮＶＦＴ（ＦＴ（ｍ0）×ＦＴ（ｇ）） （４） ここでＦＴ、ＩＮＶＦＴはそれぞれフーリエ変換、フー
リエ逆変換を表す。
リエ逆変換を表す。
【００２１】式（３）のｇはガウス分布の性質から原点
（０，０，０）から３σの範囲からはずれた領域からの
寄与はほとんど無視してよく、また拡散長σはレジスト
の解析領域よりも充分小さいので周期関数として扱え
る。
（０，０，０）から３σの範囲からはずれた領域からの
寄与はほとんど無視してよく、また拡散長σはレジスト
の解析領域よりも充分小さいので周期関数として扱え
る。
【００２２】ｍ0の横方向に関しては周期関数でない時
には界面での物質移動がないノイマン境界なので次の式
が成り立つ。
には界面での物質移動がないノイマン境界なので次の式
が成り立つ。
【００２３】
【数２】
【００２４】この境界条件はデータを境界に対して折り
返して３σ拡張した反射境界にすることによって満たす
ことができ、この拡張した関数は周期関数として扱え
る。
返して３σ拡張した反射境界にすることによって満たす
ことができ、この拡張した関数は周期関数として扱え
る。
【００２５】前記の方法で拡張したｍ0は式（４）のフ
ーリエ変換によって計算できるので、高速フーリエ変換
（ＦＦＴ）のアルゴリズムを使うことによって計算時間
の短縮ができる。
ーリエ変換によって計算できるので、高速フーリエ変換
（ＦＦＴ）のアルゴリズムを使うことによって計算時間
の短縮ができる。
【００２６】［本発明の第一の実施の形態］本発明の第
一の実施の形態を図１に示すフロチャートを用いて詳細
に説明する。
一の実施の形態を図１に示すフロチャートを用いて詳細
に説明する。
【００２７】拡散長σを設定する（ステップ１）。
【００２８】初期インヒビタ濃度分布ｍ0の横方向の境
界条件を調べて反射境界なら横方向に境界からデータを
折り返して３σの範囲だけデータを拡張する（ステップ
２〜３）。
界条件を調べて反射境界なら横方向に境界からデータを
折り返して３σの範囲だけデータを拡張する（ステップ
２〜３）。
【００２９】前記ｍ0の深さ方向（ｚ）にデータを境界
で折り返して前記３σの範囲だけデータを拡張する（ス
テップ４）。
で折り返して前記３σの範囲だけデータを拡張する（ス
テップ４）。
【００３０】前記の拡張したインヒビタ濃度分布ｍを高
速フーリエ変換（ＦＦＴ）によりフーリエ変換する（ス
テップ５）。
速フーリエ変換（ＦＦＴ）によりフーリエ変換する（ス
テップ５）。
【００３１】前記フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布
Ｍとガウス分布のフーリエ変換Ｇの積Ｍ′＝Ｍ×Ｇを計
算する（ステップ６）。
Ｍとガウス分布のフーリエ変換Ｇの積Ｍ′＝Ｍ×Ｇを計
算する（ステップ６）。
【００３２】前記Ｍ′をＦＦＴによって逆フーリエ変換
する（ステップ７）。
する（ステップ７）。
【００３３】図２は本発明の実施例で０．７０μｍピッ
チパターンの３次元ポストベークシミュレーションを拡
散長を変えて行ったときの計算時間の特性図である。従
来例では拡散長が長くなると積分点数が増えるために計
算時間が急激に増大するのに対して、本実施例では計算
時間が一定で大幅に計算時間を短縮できる。
チパターンの３次元ポストベークシミュレーションを拡
散長を変えて行ったときの計算時間の特性図である。従
来例では拡散長が長くなると積分点数が増えるために計
算時間が急激に増大するのに対して、本実施例では計算
時間が一定で大幅に計算時間を短縮できる。
【００３４】［本発明の第二の実施の形態］本発明の第
二の実施の形態のフローチャートを図３に示す。基本的
には図１に示した第一の実施の形態と同じであるため相
違点のみを説明する。
二の実施の形態のフローチャートを図３に示す。基本的
には図１に示した第一の実施の形態と同じであるため相
違点のみを説明する。
【００３５】第二の実施の形態では化学増幅レジストの
酸の界面反応を深さ方向データ拡張時に補正を加えるこ
とによって計算する。これは化学増幅レジスト中の初期
酸濃度分布ｍ0がポストベーク時に表面近傍と底面近傍
で失われる割合をそれぞれ表面反応係数Ｒs、底面反応
係数Ｒbとして境界で折り返したデータに掛ける事によ
って拡張した周期関数ｍとする（ステップ３４、３
５）。
酸の界面反応を深さ方向データ拡張時に補正を加えるこ
とによって計算する。これは化学増幅レジスト中の初期
酸濃度分布ｍ0がポストベーク時に表面近傍と底面近傍
で失われる割合をそれぞれ表面反応係数Ｒs、底面反応
係数Ｒbとして境界で折り返したデータに掛ける事によ
って拡張した周期関数ｍとする（ステップ３４、３
５）。
【００３６】本発明の第二の実施の形態では化学増幅レ
ジストの界面近傍での酸反応を境界補正として組み込む
ことにより高速フーリエ変換によって計算しているので
従来例よりも計算時間を短縮できる。
ジストの界面近傍での酸反応を境界補正として組み込む
ことにより高速フーリエ変換によって計算しているので
従来例よりも計算時間を短縮できる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体製
造工程の特にリソグラフイー工程のシミュレーションを
行うプログラムにおいて、ポストベークシミュレーショ
ンの計算時間を従来の方法と比較して低減できるという
効果がある。
造工程の特にリソグラフイー工程のシミュレーションを
行うプログラムにおいて、ポストベークシミュレーショ
ンの計算時間を従来の方法と比較して低減できるという
効果がある。
【００３８】即ち、従来の技術では拡散長が長くなると
積分点数が増えるために計算時間が急激に増大するのに
対して、本発明では計算時間が一定で大幅に計算時間を
短縮できる。
積分点数が増えるために計算時間が急激に増大するのに
対して、本発明では計算時間が一定で大幅に計算時間を
短縮できる。
【００３９】また、化学増幅レジストの界面近傍での酸
反応を境界補正として組み込むことにより高速フーリエ
変換によって計算しているので従来例よりも計算時間を
短縮できる。
反応を境界補正として組み込むことにより高速フーリエ
変換によって計算しているので従来例よりも計算時間を
短縮できる。
【図１】本発明によるポストベークシミュレーション方
法の第一の実施の形態による流れ図である。
法の第一の実施の形態による流れ図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態の拡散長を変えたと
きの計算時間の特性図である。
きの計算時間の特性図である。
【図３】本発明によるポストベークシミュレーション方
法の第二の実施の形態による流れ図である。
法の第二の実施の形態による流れ図である。
【図４】従来方法によるポストベークシミュレーション
方法の流れ図である。
方法の流れ図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置に用いるリソグラフィー
工程のポストベークシミュレーション方法において、 露光計算により得られたインヒビタ濃度分布を横方向に
境界条件に従って拡張する工程と、 前記インヒビタ濃度分布を深さ方向に界面反応を考慮し
て拡張する工程と、 拡張した前記インヒビタ濃度分布を高速フーリエ変換に
よってフーリエ変換したインヒビタ濃度分布を計算する
工程と、 前記フーリエ変換後のインヒビタ濃度分布とガウス分布
のフーリエ変換の積であるフーリエ変換積を計算する工
程と、 前記フーリエ変換積を高速フーリエ変換によって逆フー
リエ変換することによりベーク工程における拡散後のイ
ンヒビタ濃度分布を求める工程を含むことを特徴とする
ポストベークシミュレーション方法。 - 【請求項２】 前記インヒビタ濃度分布を深さ方向に界
面反応を考慮して拡張する工程は、 化学増幅レジスト中の初期酸濃度分布がポストベーク時
に表面近傍と底面近傍で失われる割合を、境界で折り返
したデータに掛ける事によって拡張する工程を含むこと
を特徴とする請求項１に記載のポストベークシミュレー
ション方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09023836A JP3087675B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | ポストベークシミュレーション方法 |
| KR1019980003286A KR100282538B1 (ko) | 1997-02-06 | 1998-02-05 | 포스트노광베이크시뮬레이션방법 |
| US09/019,692 US5999720A (en) | 1997-02-06 | 1998-02-06 | Post exposure bake simulation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09023836A JP3087675B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | ポストベークシミュレーション方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223509A JPH10223509A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3087675B2 true JP3087675B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=12121488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09023836A Expired - Fee Related JP3087675B2 (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | ポストベークシミュレーション方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5999720A (ja) |
| JP (1) | JP3087675B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282538B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6295637B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-09-25 | Acer Semiconductor Manufacturing Inc. | Simulator for the post-exposure bake of chemically amplified resists |
| KR100843890B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리소그래피 공정의 시뮬레이션 방법 |
| KR100720254B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 공정의 시뮬레이션 방법 |
| US10386718B2 (en) * | 2014-07-11 | 2019-08-20 | Synopsys, Inc. | Method for modeling a photoresist profile |
| CN112904681B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-04-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种基于傅里叶变换的光酸扩散长度测定方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209723A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Nec Corp | レジストパターンのシミュレーション方法 |
| JP2555874B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | レジストパターンのシミュレーション方法 |
| JPH03216658A (ja) * | 1990-01-22 | 1991-09-24 | Hitachi Ltd | マスクパターン投影像のシミュレーション方法 |
| JPH03237710A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | レジストの形状シミュレーション方法 |
| JPH06342746A (ja) * | 1993-06-01 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト形状シミュレーション方法 |
| US5621652A (en) * | 1995-03-21 | 1997-04-15 | Vlsi Technology, Inc. | System and method for verifying process models in integrated circuit process simulators |
| JPH08279446A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5717612A (en) * | 1995-06-06 | 1998-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Post-exposure bake simulator for chemically amplified photoresists |
| JP3198915B2 (ja) * | 1996-04-02 | 2001-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3325465B2 (ja) * | 1996-08-22 | 2002-09-17 | 株式会社東芝 | 形状シミュレーション方法 |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP09023836A patent/JP3087675B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-05 KR KR1019980003286A patent/KR100282538B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-06 US US09/019,692 patent/US5999720A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5999720A (en) | 1999-12-07 |
| KR100282538B1 (ko) | 2001-04-02 |
| KR19980071113A (ko) | 1998-10-26 |
| JPH10223509A (ja) | 1998-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7805700B2 (en) | Physical-resist model using fast sweeping | |
| JP2967581B2 (ja) | リソグラフィ工程のシミュレーション方法 | |
| US8473271B2 (en) | Fast photolithography process simulation to predict remaining resist thickness | |
| US7363207B2 (en) | Simulator for a chemical mechanical polishing | |
| US7536670B2 (en) | Method for verifying and choosing lithography model | |
| JP3223965B2 (ja) | 化学増幅型レジスト形状の計算方法及び記録媒体 | |
| KR20230107679A (ko) | Ntd 포토리트그래피 공정의 시뮬레이션 방법, ntd 포토레지스트 모델, opc 모델 및 전자장치 | |
| JP3087675B2 (ja) | ポストベークシミュレーション方法 | |
| JP6336272B2 (ja) | 電子ビーム・リソグラフィによってプレートまたはマスク上に印刷されるパターンを推定する方法、および対応する印刷装置 | |
| CN116627002A (zh) | 一种光刻的仿真方法及装置 | |
| CN114509912A (zh) | 一种掩模优化方法、掩模优化装置及电子设备 | |
| US5717612A (en) | Post-exposure bake simulator for chemically amplified photoresists | |
| US7328424B2 (en) | Method for determining a matrix of transmission cross coefficients in an optical proximity correction of mask layouts | |
| JPH0934101A (ja) | 転写光強度分布のシミュレーション方法、マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置 | |
| US20140172386A1 (en) | Simulation Of Shot-Noise Effects In A Particle-Beam Lithography Process And Especially An E-Beam Lithography Process | |
| JP2005172920A (ja) | 危険パターン抽出方法及び危険パターン抽出プログラム | |
| JP3061018B2 (ja) | 露光シミュレーション方法 | |
| JP3025269B1 (ja) | パタ―ン線幅シミュレ―ション方法およびパタ―ン線幅シミュレ―タ | |
| KR100843890B1 (ko) | 리소그래피 공정의 시뮬레이션 방법 | |
| JPH10270332A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| US20070143734A1 (en) | Method and system for improving aerial image simulation speeds | |
| JP3077657B2 (ja) | 露光シミュレーション方法 | |
| JP2003077811A (ja) | 化学増幅型レジストの現像レートシミュレーション方法 | |
| JP2003066590A (ja) | マスクパターン評価システム及びその方法 | |
| JP2003037050A (ja) | レジストパターン形状のシミュレーション方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |