JP3093464B2 - Hot electron transistor - Google Patents
Hot electron transistorInfo
- Publication number
- JP3093464B2 JP3093464B2 JP04224501A JP22450192A JP3093464B2 JP 3093464 B2 JP3093464 B2 JP 3093464B2 JP 04224501 A JP04224501 A JP 04224501A JP 22450192 A JP22450192 A JP 22450192A JP 3093464 B2 JP3093464 B2 JP 3093464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- concentration
- type
- gallium arsenide
- germanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 title claims description 20
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 39
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ゲルマニウムと砒化ガ
リウムのへテロ接合を用いたホットエレクトロントラン
ジスタに関する。The present invention relates to a hot electron transistor using a heterojunction of germanium and gallium arsenide.
【０００２】[0002]
【従来の技術】第４回未来電子デバイス会議抄録（Ｅｘ
ｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ４ｔ
ｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ
ｏｎＦｕｔｕｒｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ，１９８７，Ｔｏｋｙｏ）５１頁に述べられているよ
うに、高濃度ｎ型砒化ガリウムをエミッタ、ベース、コ
レクタ層に用い、ノンドープ砒化アルミニウムガリウム
層を障壁層に用いたホットエレクトロントランジスタ
は、エミッタ層より高エネルギーの電子が、バリスティ
ックにベース領域を通過して、コレクタ層に到達するの
で、高速動作が期待される。しかし、砒化ガリウムでは
ΓバレーとＬバレーのエネルギー差が０．３ｅＶと小さ
いため、エミッタ層より注入された高エネルギーの電子
は、Ｌバレーへ散乱される。そのため、砒化ガリウム／
砒化アルミニウムガリウムによるホットエレクトロント
ランジスタのバリスティックな伝導は観測されている
が、伝達係数は４．２Ｋにおいて０．９が得られるにと
どまっている。2. Description of the Related Art The 4th Future Electronic Device Conference Abstract (Ex
tended Abstract of the 4t
h International Workshop
onFuture Electron Device
As described on page 51, a hot electron transistor using high-concentration n-type gallium arsenide for the emitter, base, and collector layers, and using a non-doped aluminum gallium arsenide layer for the barrier layer, has an emitter layer. Higher speed operation is expected as higher energy electrons ballistically pass through the base region and reach the collector layer. However, in gallium arsenide, since the energy difference between the バ レ ー valley and the L valley is as small as 0.3 eV, high-energy electrons injected from the emitter layer are scattered to the L valley. Therefore, gallium arsenide /
Although ballistic conduction of hot electron transistors by aluminum gallium arsenide has been observed, the transfer coefficient is only 0.9 at 4.2K.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
砒化ガリウム／砒化アルミニウムガリウム系ホットエレ
クトロントランジスタは、砒化ガリウムのΓバレーとＬ
バレーのエネルギー差が０．３ｅＶと小さいため、エミ
ッタ層より注入された高エネルギーの電子がＬバレーへ
散乱され、十分なトランジスタ特性を得られるに至って
いない。As described above, the conventional gallium arsenide / aluminum gallium arsenide-based hot electron transistor has a gallium arsenide valley and an L-valley.
Since the energy difference between the valleys is as small as 0.3 eV, high-energy electrons injected from the emitter layer are scattered to the L valley, and sufficient transistor characteristics cannot be obtained.
【０００４】本発明の目的は、これら従来の砒化ガリウ
ム／砒化アルミニウムガリウム系ホットエレクトロント
ランジスタの持つ欠点を除去し、ベース層中での電子走
行時間が短く、超高速なホットエレクトロントランジス
タを提供することにある。An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of these conventional gallium arsenide / aluminum gallium arsenide hot electron transistors and to provide an ultra-high-speed hot electron transistor with a short electron transit time in the base layer. It is in.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】 第１の発明は、高濃度
ｎ型砒化ガリウム層上に形成されたｉ型砒化アルミニウ
ムガリウム障壁層と、ｉ型砒化アルミニウムガリウム障
壁層上に形成された第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層
と、第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層上に形成されたｉ
型ゲルマニウムシリコン障壁層と、ｉ型ゲルマニウムシ
リコン障壁層上に形成された第２の高濃度ｎ型ゲルマニ
ウム層とを備え、高濃度ｎ型砒化ガリウム層にエミッタ
電極を設け、第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層にベース
電極を設け、第２の高濃度ｎ型ゲルマニウム層にコレク
タ電極を設けたことを特徴とするホットエレクトロント
ランジスタである。According to a first aspect of the present invention, an i-type aluminum gallium arsenide barrier layer formed on a high-concentration n-type gallium arsenide layer and a first i-type aluminum gallium arsenide barrier layer formed on the i-type aluminum gallium arsenide barrier layer are provided . high concentration and n-type germanium layer, i formed on the first high concentration n-type germanium layer on the
It includes a type germanium silicon barrier layer, and a second high-concentration n-type germanium layer formed on the i-type germanium silicon barrier layer, an emitter electrode provided on the high concentration n-type gallium arsenide layer, the first high concentration n A base electrode is provided on the n-type germanium layer, and a collector electrode is provided on the second high-concentration n-type germanium layer.
Hot electron, characterized by having a metal electrode
It is a ranista .
【０００６】また、第２の発明は、高濃度ｎ型砒化ガリ
ウム層上に形成された低濃度ｎ型砒化ガリウム層と、低
濃度ｎ型砒化ガリウム層上に形成された第１の高濃度ｎ
型ゲルマニウム層と、第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層
上に形成されたｉ型ゲルマニウムシリコン障壁層と、ｉ
型ゲルマニウムシリコン障壁層上に形成された第２の高
濃度ｎ型ゲルマニウム層とを備え、高濃度ｎ型砒化ガリ
ウム層にエミッタ電極を設け、第１の高濃度ｎ型ゲルマ
ニウム層にベース電極を設け、第２の高濃度ｎ型ゲルマ
ニウム層にコレクタ電極を設けたことを特徴とするホッ
トエレクトロントランジスタである。Further, the second invention, the low-concentration n-type gallium arsenide layer formed on the high concentration n-type gallium arsenide layer, the first high concentration n, which is formed in the low concentration n-type gallium arsenide layer
An i-type germanium silicon barrier layer formed on the first high-concentration n-type germanium layer;
And a second high-concentration n-type germanium layer formed on the mold germanium silicon barrier layer is provided with an emitter electrode at a high concentration n-type gallium arsenide layer, a base electrode provided on the first high concentration n-type germanium layer , A second high-concentration n-type germanium
Characterized in that a collector electrode is provided on the
Electron transistor .
【０００７】[0007]
【作用】ゲルマニウムはＬバレーに伝導電子を有する間
接半導体であるが、Ｌバレーより約０．１４ｅＶ上にΓ
バレーが存在し、電子を容易にΓバレーに注入すること
が可能である。また、ゲルマニウムのΓバレーは、Ｌバ
レーに比べ有効質量が小さいため、電子速度はＬバレー
に比べΓバレーの方が大きくなる。[Action] Germanium is an indirect semiconductor having conduction electrons in the L valley.
A valley exists and electrons can be easily injected into the Γ valley. Further, since the effective mass of the germanium Γ valley is smaller than that of the L valley, the electron velocity is higher in the Γ valley than in the L valley.
【０００８】ベル・システム・テクニカル・ジャーナル
（Ｂｅｌｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ）誌１９６０年第３９巻２０５頁に示されて
いるとうり、ゲルマニウムに対する砒素の固溶限は２×
１０20ｃｍ-3と高い値を示しており、ゲルマニウムをベ
ース層に用いると、ベース層の濃度を上げ、ベース幅を
より狭くすることにより、より大きな電流利得が期待で
きる。[0008] Bell System Technical Jo
urnal), 1960, vol. 39, p. 205, the solubility limit of arsenic in germanium is 2 ×.
It shows a high value of 10 20 cm −3 , and when germanium is used for the base layer, a larger current gain can be expected by increasing the concentration of the base layer and narrowing the base width.
【０００９】また、一般に砒化ガリウム基板にゲルマニ
ウムを成長させると、砒素とゲルマニウムの相互拡散が
起こる。サーフェイス・サイエンス（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｓｃｉｅｎｃｅ）誌１９８３年第１３２巻４７９頁に、
砒化ガリウム上のゲルマニウムの高温成長では、ゲルマ
ニウム原子と砒素原子の置換、相互拡散が生じるが、ゲ
ルマニウムの低温成長では、ゲルマニウム原子と砒素原
子の置換、相互拡散は、あまり生じないと報告されてい
る。そのため、ゲルマニウム低温成長では、ゲルマニウ
ム・砒化ガリウムへテロ接合伝導帯バンド不連続値は、
約１０ｍｅＶと小さいが、ゲルマニウム高温成長では、
上記ヘテロ接合伝導帯バンド不連続値は、約０．４６ｅ
Ｖと大きくなる。Generally, when germanium is grown on a gallium arsenide substrate, mutual diffusion of arsenic and germanium occurs. Surface Science (Surface)
Science, 1983, Vol. 132, p. 479,
It has been reported that high-temperature growth of germanium on gallium arsenide causes substitution and interdiffusion of germanium atoms and arsenic atoms, but low-temperature growth of germanium rarely causes substitution and interdiffusion of germanium atoms and arsenic atoms. . Therefore, in germanium low-temperature growth, the germanium-gallium arsenide heterojunction conduction band discontinuity value is
Although it is as small as about 10 meV, in germanium high temperature growth,
The heterojunction conduction band discontinuity is about 0.46 e
V.
【００１０】これらの事実より、ｎ型砒化ガリウム層上
にｎ型ゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる場
合、まず、ゲルマニウムの高温成長を行い、意図的にゲ
ルマニウムと砒素の相互拡散を生じさせ、ゲルマニウム
・砒化ガリウムヘテロ接合伝導帯バンド不連続値を大き
くさせる。または、ｎ型砒化ガリウム上に砒化アルミニ
ウムガリウム層の成長を行い、その後、ゲルマニウムの
成長を行う。From these facts, when an n-type germanium layer is epitaxially grown on an n-type gallium arsenide layer, first, germanium is grown at a high temperature to intentionally cause interdiffusion between germanium and arsenic to form germanium-gallium arsenide. Increase the band discontinuity of the heterojunction conduction band. Alternatively, an aluminum gallium arsenide layer is grown on n-type gallium arsenide, and then germanium is grown.
【００１１】以上のような成長を行うと、エミッタ・ベ
ース接合のポテンシャルバリアを意図的に作り、高エネ
ルギーの電子をゲルマニウムのΓバレーに注入させるこ
とが可能である。ゲルマニウムのΓバレーは、Ｌバレー
に比べ有効質量が小さいため、電子速度はＬバレーに比
べΓバレーの方が大きくなり、ゲルマニウムからなるベ
ース層中での電子走行時間が短くなるという効果を持
つ。By performing the above growth, it is possible to intentionally create a potential barrier at the emitter-base junction and to inject high-energy electrons into the Γ valley of germanium. Since the Γ valley of germanium has a smaller effective mass than the L valley, the electron velocity is higher in the Γ valley than in the L valley, which has the effect of shortening the electron transit time in the base layer made of germanium.
【００１２】[0012]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１３】図１は、第１の発明の砒化ガリウムとゲル
マニウムのヘテロ接合を用いたホットエレクトロントラ
ンジスタの一実施例を示す断面図である。図１に示すホ
ットエレクトロントランジスタは、高濃度ｎ型砒化ガリ
ウム基板１の上に高濃度ｎ型砒化ガリウム層２と、ｉ型
砒化アルミニウムガリウム障壁層３と、高濃度ｎ型ゲル
マニウム層４と、ｉ型ゲルマニウムシリコン障壁層５
と、高濃度ｎ型ゲルマニウム層６を連続してエピタキシ
ャル成長させて形成されている。７はエミッタ電極であ
り、８はベース電極であり、９はコレクタ電極である。
１６は、砒化ガリウムにボロンをイオン注入することに
より作製したｉ層砒化ガリウム層であり、１５は、ゲル
マニウムに砒素をイオン注入することにより作製した高
濃度ｎ型ゲルマニウム層である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a hot electron transistor using a heterojunction of gallium arsenide and germanium according to the first invention. The hot electron transistor shown in FIG. 1 has a high-concentration n-type gallium arsenide layer 2, a i-type aluminum gallium arsenide barrier layer 3, a high-concentration n-type germanium layer 4, -Type germanium silicon barrier layer 5
And a high-concentration n-type germanium layer 6 is formed by continuous epitaxial growth. 7 is an emitter electrode, 8 is a base electrode, and 9 is a collector electrode.
Reference numeral 16 denotes an i-layer gallium arsenide layer formed by implanting boron into gallium arsenide, and reference numeral 15 denotes a high concentration n-type germanium layer formed by implanting arsenic into germanium.
【００１４】このホットエレクトロントランジスタは、
図２に示すエネルギーバンドダイアグラムが期待でき
る。１１は高エネルギー電子を示し、１２はフェルミ準
位を示す。−バイアス印加時１４には、高エネルギー電
子はコレクタ層に到達できないが、＋バイアス印加時１
３には、ゲルマニウムシリコン障壁層５が下がり、高エ
ネルギー電子はコレクタ層に到達し、電流が流れるよう
になる。This hot electron transistor is:
The energy band diagram shown in FIG. 2 can be expected. 11 indicates a high energy electron, and 12 indicates a Fermi level. At −bias application 14, high energy electrons cannot reach the collector layer, but at + bias application 1
In FIG. 3, the germanium silicon barrier layer 5 is lowered, and the high-energy electrons reach the collector layer, so that a current flows.
【００１５】図３は、第２の発明の砒化ガリウムとゲル
マニウムのヘテロ接合を用いたホットエレクトロントラ
ンジスタの一実施例を示す断面図である。図３に示すホ
ットエレクトロントランジスタは、高濃度ｎ型砒化ガリ
ウム基板１の上に高濃度ｎ型砒化ガリウム層２と、低濃
度ｎ型砒化ガリウム層１０と、高濃度ｎ型ゲルマニウム
層４と、ｉ型ゲルマニウムシリコン障壁層５と、高濃度
ｎ型ゲルマニウム層６を連続してエピタキシャル成長さ
せて形成されている。７はエミッタ電極であり、８はベ
ース電極であり、９はコレクタ電極である。１６は、砒
化ガリウムにボロンをイオン注入することにより作製し
たｉ層砒化ガリウム層であり、１５は、ゲルマニウムに
砒素をイオン注入することにより作製した高濃度ｎ型ゲ
ルマニウム層である。FIG. 3 is a sectional view showing an embodiment of a hot electron transistor using a heterojunction of gallium arsenide and germanium according to the second invention. The hot electron transistor shown in FIG. 3 has a high-concentration n-type gallium arsenide layer 2, a low-concentration n-type gallium arsenide layer 10, a high-concentration n-type germanium layer 4, It is formed by successively epitaxially growing a type germanium silicon barrier layer 5 and a high concentration n-type germanium layer 6. 7 is an emitter electrode, 8 is a base electrode, and 9 is a collector electrode. Reference numeral 16 denotes an i-layer gallium arsenide layer formed by implanting boron into gallium arsenide, and reference numeral 15 denotes a high concentration n-type germanium layer formed by implanting arsenic into germanium.
【００１６】このホットエレクトロントランジスタは、
図４に示すエネルギーバンドダイアグラムが期待でき
る。１１は高エネルギー電子を示し、１２はフェルミ準
位を示す。−バイアス印加時１４には、高エネルギー電
子はコレクタ層に到達できないが、＋バイアス印加時１
３には、ゲルマニウムシリコン障壁層５が下がり、高エ
ネルギー電子はコレクタ層に到達し、電流が流れるよう
になる。This hot electron transistor is:
The energy band diagram shown in FIG. 4 can be expected. 11 indicates a high energy electron, and 12 indicates a Fermi level. At −bias application 14, high energy electrons cannot reach the collector layer, but at + bias application 1
In FIG. 3, the germanium silicon barrier layer 5 is lowered, and the high-energy electrons reach the collector layer, so that a current flows.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エミッタ
・ベース接合のポテンシャルバリアを意図的に作ること
により、高エネルギーの電子をゲルマニウムのΓバレー
に注入させることが可能である。ゲルマニウムのΓバレ
ーは、Ｌバレーに比べ有効質量が小さいため、電子速度
は、Ｌバレーに比べΓバレーの方が大きくなり、ゲルマ
ニウムからなるベース層中での電子走行時間が短くなる
という効果を持つ。As described above, the present invention makes it possible to inject high-energy electrons into the germanium Γ valley by intentionally creating a potential barrier at the emitter-base junction. Since the Γ valley of germanium has a smaller effective mass than the L valley, the electron velocity is higher in the Γ valley than in the L valley, which has the effect of shortening the electron transit time in the base layer made of germanium. .
【００１８】また、ゲルマニウムは他のIII −Ｖ族半導
体に比べ、高濃度ｎ型ドーピングが可能であるので、ゲ
ルマニウムをベース層に用いると、ベース層の濃度を上
げ、ベース幅をより狭くすることにより、より大きな電
流利得が期待できる。Also, germanium can be doped at a higher concentration than other III-V semiconductors. Therefore, when germanium is used for the base layer, it is necessary to increase the concentration of the base layer and make the base width narrower. Thus, a larger current gain can be expected.
【００１９】さらに、ベース・コレクタ接合障壁層に砒
化ガリウムではなくゲルマニウムシリコンを用いている
ので、アンチ・フェイズ・ドメイン（ａｎｔｉ−ｐｈａ
ｓｅｄｏｍａｉｎ）の問題が生じず、良好なベース・コ
レクタ接合作製が可能である。Furthermore, since germanium silicon is used for the base-collector junction barrier layer instead of gallium arsenide, an anti-phase domain (anti-pha
The problem of (sedomain) does not occur, and a good base-collector junction can be manufactured.
【図１】第１の発明のホットエレクトロントランジスタ
の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a hot electron transistor of the first invention.
【図２】第１の発明のホットエレクトロントランジスタ
の一実施例のバンドダイアグラムである。FIG. 2 is a band diagram of one embodiment of the hot electron transistor of the first invention.
【図３】第２の発明のホットエレクトロントランジスタ
の一実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing one embodiment of the hot electron transistor of the second invention.
【図４】第２の発明のホットエレクトロントランジスタ
の一実施例のバンドダイアグラムである。FIG. 4 is a band diagram of one embodiment of the hot electron transistor of the second invention.
１ 高濃度ｎ型砒化ガリウム基板 ２ 高濃度ｎ型砒化ガリウムエミッタ層 ３ ｉ型砒化アルミニウムガリウム障壁層 ４ 高濃度ｎ型ゲルマニウムベース層 ５ ｉ型ゲルマニウムシリコン障壁層 ６ 高濃度ｎ型ゲルマニウムコレクタ層 ７ エミッタ電極 ８ ベース電極 ９ コレクタ電極 １０ 低濃度ｎ型砒化ガリウム障壁層 １１ 高エネルギー電子 １２ フェルミ準位 １３ ＋バイアス印加時 １４ −バイアス印加時 １５ 砒素イオン注入高濃度ｎ型ゲルマニウム層 １６ ボロンイオン注入ｉ層砒化ガリウム層 REFERENCE SIGNS LIST 1 high-concentration n-type gallium arsenide substrate 2 high-concentration n-type gallium arsenide emitter layer 3 i-type aluminum gallium arsenide barrier layer 4 high-concentration n-type germanium base layer 5 i-type germanium silicon barrier layer 6 high-concentration n-type germanium collector layer 7 emitter Electrode 8 Base electrode 9 Collector electrode 10 Low-concentration n-type gallium arsenide barrier layer 11 High-energy electrons 12 Fermi level 13 + Bias application 14 -Bias application 15 Arsenic ion-implanted high-concentration n-type germanium layer 16 Boron ion-implanted i-layer Gallium arsenide layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−208171（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−125665（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36861（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−268056（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-57-208171 (JP, A) JP-A-2-125665 (JP, A) JP-A-2-150032 (JP, A) JP-A 62-1982 36861 (JP, A) Japanese Patent Laid-Open No. 1-268056 (JP, A)
Claims (2)
ｉ型砒化アルミニウムガリウム障壁層と、ｉ型砒化アル
ミニウムガリウム障壁層上に形成された第１の高濃度ｎ
型ゲルマニウム層と、第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層
上に形成されたｉ型ゲルマニウムシリコン障壁層と、ｉ
型ゲルマニウムシリコン障壁層上に形成された第２の高
濃度ｎ型ゲルマニウム層とを備え、高濃度ｎ型砒化ガリ
ウム層にエミッタ電極を設け、第１の高濃度ｎ型ゲルマ
ニウム層にベース電極を設け、第２の高濃度ｎ型ゲルマ
ニウム層にコレクタ電極を設けたことを特徴とするホッ
トエレクトロントランジスタ。1. A high-concentration n-type and the gallium arsenide layer i-type aluminum gallium arsenide barrier layer formed on the first high concentration n formed i-type aluminum gallium arsenide barrier layer
An i-type germanium silicon barrier layer formed on the first high-concentration n-type germanium layer;
And a second high-concentration n-type germanium layer formed on the mold germanium silicon barrier layer is provided with an emitter electrode at a high concentration n-type gallium arsenide layer, a base electrode provided on the first high concentration n-type germanium layer , A second high-concentration n-type germanium
A hot electron transistor characterized in that a collector electrode is provided on a nickel layer .
低濃度ｎ型砒化ガリウム層と、低濃度ｎ型砒化ガリウム
層上に形成された第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層と、
第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層上に形成されたｉ型ゲ
ルマニウムシリコン障壁層と、ｉ型ゲルマニウムシリコ
ン障壁層上に形成された第２の高濃度ｎ型ゲルマニウム
層とを備え、高濃度ｎ型砒化ガリウム層にエミッタ電極
を設け、第１の高濃度ｎ型ゲルマニウム層にベース電極
を設け、第２の高濃度ｎ型ゲルマニウム層にコレクタ電
極を設けたことを特徴とするホットエレクトロントラン
ジスタ。A low-concentration n-type gallium arsenide layer formed on the high-concentration n-type gallium arsenide layer; a first high-concentration n-type germanium layer formed on the low-concentration n-type gallium arsenide layer;
A high-concentration n-type layer comprising an i-type germanium silicon barrier layer formed on the first high-concentration n-type germanium layer and a second high-concentration n-type germanium layer formed on the i-type germanium silicon barrier layer An emitter electrode is provided on the gallium arsenide layer, and a base electrode is provided on the first high-concentration n-type germanium layer.
And a collector voltage is applied to the second high-concentration n-type germanium layer.
A hot electron transistor comprising a pole .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04224501A JP3093464B2 (en) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | Hot electron transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04224501A JP3093464B2 (en) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | Hot electron transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677469A JPH0677469A (en) | 1994-03-18 |
| JP3093464B2 true JP3093464B2 (en) | 2000-10-03 |
Family
ID=16814792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04224501A Expired - Fee Related JP3093464B2 (en) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | Hot electron transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093464B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2611991B (en) | 2020-09-25 | 2024-04-24 | Nitto Kohki Co | Pump |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP04224501A patent/JP3093464B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677469A (en) | 1994-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0541971B1 (en) | A graded bandgap single-crystal emitter heterojunction bipolar transistor | |
| JP2611640B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| US6737684B1 (en) | Bipolar transistor and semiconductor device | |
| JP3130545B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2000058556A (en) | Method of manufacturing heterostructure bipolar transistor | |
| JP2600485B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH05347313A (en) | Manufacture of extremely thin active region of high-speed semiconductor device | |
| JP2689057B2 (en) | Static induction semiconductor device | |
| JP3093464B2 (en) | Hot electron transistor | |
| US3500141A (en) | Transistor structure | |
| US7579635B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| JP2963704B2 (en) | Method for manufacturing heterojunction bipolar transistor | |
| Lee et al. | Application of O+ implantation in inverted InGaAs/InAlAs heterojunction bipolar transistors | |
| EP0431835B1 (en) | Bipolar semiconductor device | |
| JP3352629B2 (en) | Bipolar transistor | |
| JP3117766B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor | |
| US11195940B2 (en) | High-voltage terahertz strained SiGe/InGaP heterojunction bipolar transistor and preparation method thereof | |
| JP2522358B2 (en) | Heterostructure bipolar transistor using germanium | |
| JPH0658915B2 (en) | Heterostructure bipolar transistor and manufacturing method thereof | |
| KR940010914B1 (en) | Manufacturing method of si hetero-junction bipolar transistor using ge collector | |
| JPS6225455A (en) | semiconductor equipment | |
| JP3001601B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP3127510B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2803147B2 (en) | Bipolar transistor | |
| JP2800246B2 (en) | Manufacturing method of vertical transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990511 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |