JP3137966B2 - Ｔｔｌ分割測光における測光素子のリーク電流補正方法及び装置 - Google Patents
Ｔｔｌ分割測光における測光素子のリーク電流補正方法及び装置Info
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- JP3137966B2 JP3137966B2 JP01136396A JP13639689A JP3137966B2 JP 3137966 B2 JP3137966 B2 JP 3137966B2 JP 01136396 A JP01136396 A JP 01136396A JP 13639689 A JP13639689 A JP 13639689A JP 3137966 B2 JP3137966 B2 JP 3137966B2
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の利用分野） 本発明は、TTL分割測光装置において、分割された被
写体画面の一部測光素子に他部測光素子からリーク電流
が入りこみ誤測光を引きおこすことを防止し正しい測光
値を得る方法及び装置に関する。
写体画面の一部測光素子に他部測光素子からリーク電流
が入りこみ誤測光を引きおこすことを防止し正しい測光
値を得る方法及び装置に関する。
（従来の技術及び発明の課題） TTL分割測光において、SPDを測光素子として使用する
場合、第２図及び第３図のごとき被写体画面における分
割測光を考えると、多分割のSPD各部分からリーク電流
が生じて正しい測光値が得られない。その補正方法とし
て、各SPD間のアイソレーションを広くする事でリーク
電流の影響を小さくしようとする方法もあるが、この方
法は不感帯が大きくなってしまう。また、特開昭59−46
521号公報に記載のように、測光する時に不用なSPDのア
ノードとカソードをショートしてリーク電流が発生しな
いようにする方法もあるが、そのためには余分なスイッ
チ回路が必要になる。また、各SPDにアンプを並設して
リーク電流を防ぐ方法もあるが、SPDの数だけアンプが
必要となり回路が複雑となる。
場合、第２図及び第３図のごとき被写体画面における分
割測光を考えると、多分割のSPD各部分からリーク電流
が生じて正しい測光値が得られない。その補正方法とし
て、各SPD間のアイソレーションを広くする事でリーク
電流の影響を小さくしようとする方法もあるが、この方
法は不感帯が大きくなってしまう。また、特開昭59−46
521号公報に記載のように、測光する時に不用なSPDのア
ノードとカソードをショートしてリーク電流が発生しな
いようにする方法もあるが、そのためには余分なスイッ
チ回路が必要になる。また、各SPDにアンプを並設して
リーク電流を防ぐ方法もあるが、SPDの数だけアンプが
必要となり回路が複雑となる。
（課題を解決するための手段） 上述の事情に鑑み、本発明はTTL分割測光される多分
割された被写体画面のうちの一領域の測光を受け持つ一
部測光手段と、前記画面のうちの前記一領域を除く他領
域の測光を受け持つ他部測光手段と、これらの測光手段
の測光出力を演算しそのデータを記憶する演算記憶手段
とを備え、前記両測光手段に測光面から均一な光束を照
射し、前記他部測光手段の陽極陰極間を短絡してリーク
電流を遮断した状態で測光面からの前記光束を受けたと
きの前記一部測光手段の出力（EVa）と、前記他部測光
手段の陽極陰極間の開放してリーク電流を許容した状態
で測光面からの前記光束を受けたときの前記一部測光手
段の出力（EVA）及び前記一部測光手段のリーク電流を
許容した状態で測光面からの前記光束を受けたときの前
記他部測光手段の出力（EVB）をあらかじめ測定し、EVa
＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA)式により補正係数Ｋをあらかじ
め求めておき、測光出力から前記補正係数Ｋの係る項を
減すことにより他部測光手段からのリーク電流に影響さ
れない測光出力を得ることを特徴としたTTL分割測光に
おける測光素子のリーク電流補正方法を提供する。
割された被写体画面のうちの一領域の測光を受け持つ一
部測光手段と、前記画面のうちの前記一領域を除く他領
域の測光を受け持つ他部測光手段と、これらの測光手段
の測光出力を演算しそのデータを記憶する演算記憶手段
とを備え、前記両測光手段に測光面から均一な光束を照
射し、前記他部測光手段の陽極陰極間を短絡してリーク
電流を遮断した状態で測光面からの前記光束を受けたと
きの前記一部測光手段の出力（EVa）と、前記他部測光
手段の陽極陰極間の開放してリーク電流を許容した状態
で測光面からの前記光束を受けたときの前記一部測光手
段の出力（EVA）及び前記一部測光手段のリーク電流を
許容した状態で測光面からの前記光束を受けたときの前
記他部測光手段の出力（EVB）をあらかじめ測定し、EVa
＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA)式により補正係数Ｋをあらかじ
め求めておき、測光出力から前記補正係数Ｋの係る項を
減すことにより他部測光手段からのリーク電流に影響さ
れない測光出力を得ることを特徴としたTTL分割測光に
おける測光素子のリーク電流補正方法を提供する。
また、TTL分割測光される多分割された被写体画面の
うちの一領域の測光を受け持つ一部測光手段と、前記画
面のうちの前記一領域を除く他領域の測光を受け持つ他
部測光手段と、前記両測光手段に測光面から均一な光束
を照射して、前記他部測光手段のリーク電流を遮断した
状態で測光面からの前記光束を受けたときの前記一部測
光手段の出力（EVa）と、前記他部測光手段のリーク電
流を許容した状態で測光面からの前記光束を受けたとき
の前記一部測光手段の出力（EVA）及び前記一部測光手
段のリーク電流を許容した状態で測光面からの前記光束
を受けたときの前記他部測光手段の出力（EVB）をあら
かじめ測定し、EVa＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA)式により演算
し求めた補正係数Ｋをあらかじめ記憶しておき、前記両
測光手段の出力と前記補正係数Ｋとにより他部測光手段
のリーク電流に影響されない測光出力を演算する演算記
憶手段とを備えたことを特徴としたTTL分割測光におけ
る測光素子のリーク電流補正装置を提供する。
うちの一領域の測光を受け持つ一部測光手段と、前記画
面のうちの前記一領域を除く他領域の測光を受け持つ他
部測光手段と、前記両測光手段に測光面から均一な光束
を照射して、前記他部測光手段のリーク電流を遮断した
状態で測光面からの前記光束を受けたときの前記一部測
光手段の出力（EVa）と、前記他部測光手段のリーク電
流を許容した状態で測光面からの前記光束を受けたとき
の前記一部測光手段の出力（EVA）及び前記一部測光手
段のリーク電流を許容した状態で測光面からの前記光束
を受けたときの前記他部測光手段の出力（EVB）をあら
かじめ測定し、EVa＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA)式により演算
し求めた補正係数Ｋをあらかじめ記憶しておき、前記両
測光手段の出力と前記補正係数Ｋとにより他部測光手段
のリーク電流に影響されない測光出力を演算する演算記
憶手段とを備えたことを特徴としたTTL分割測光におけ
る測光素子のリーク電流補正装置を提供する。
（実施例） 以下、本発明について、図面に従って詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明装置の一実施例図、第２図は被写体画
面の分割例を示す図、第３図は他の被写体画面の分割例
を示す図である。
面の分割例を示す図、第３図は他の被写体画面の分割例
を示す図である。
第１図において、SPD1、２、３、４、及び５は、各々
第３図のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＥに対応し、これらのSP
Dから発生する光電流は対数圧縮器６により対数圧縮さ
れ、Ａ−Ｄ変換器７によりＡ−Ｄ変換され、演算器８で
は各々の部分同志のリーク電流をパラメータとする測光
光学系の後述する補正式の演算を行い、真の測光値を得
る動作が行われる。９から13はスイッチ、14はレギュレ
ータである。
第３図のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＥに対応し、これらのSP
Dから発生する光電流は対数圧縮器６により対数圧縮さ
れ、Ａ−Ｄ変換器７によりＡ−Ｄ変換され、演算器８で
は各々の部分同志のリーク電流をパラメータとする測光
光学系の後述する補正式の演算を行い、真の測光値を得
る動作が行われる。９から13はスイッチ、14はレギュレ
ータである。
次に補正式について説明する。説明を簡単にするた
め、第２図の二分割方式を説明する。他部測光素子のリ
ーク電流に影響されない真のEV値（露出値）をEVa、他
部測光素子のリーク電流の影響を含んだEV値をEVA、補
正係数をＫとして、中央部Ａと周辺部Ｂとに輝度が均一
な測光面からの光束を受けて測光すると、中央部Ａの真
のEV値は、 EVa＝EVA−Ｋ ・・・・・（１） 式で求めることができる。
め、第２図の二分割方式を説明する。他部測光素子のリ
ーク電流に影響されない真のEV値（露出値）をEVa、他
部測光素子のリーク電流の影響を含んだEV値をEVA、補
正係数をＫとして、中央部Ａと周辺部Ｂとに輝度が均一
な測光面からの光束を受けて測光すると、中央部Ａの真
のEV値は、 EVa＝EVA−Ｋ ・・・・・（１） 式で求めることができる。
したがって、輝度均一な面光源に向けて、その測光面
の光束で中央部Ａ及び周辺部Ｂともに照射し、Ｂ部のSP
Dのアノードとカソードをオープン状態にしたときの中
央部ＡのEV値EVAを測光し、次に同なじ明るさの光束で
中央部Ａ及び周辺部Ｂともに照射し、Ｂ部のSPDのアノ
ードとカソードをショートした状態にしたときの中央部
ＡのEV値EVaを測光すれば、補正係数Ｋは Ｋ＝EVA−EVa ・・・・・（２） 式で求めることができる。
の光束で中央部Ａ及び周辺部Ｂともに照射し、Ｂ部のSP
Dのアノードとカソードをオープン状態にしたときの中
央部ＡのEV値EVAを測光し、次に同なじ明るさの光束で
中央部Ａ及び周辺部Ｂともに照射し、Ｂ部のSPDのアノ
ードとカソードをショートした状態にしたときの中央部
ＡのEV値EVaを測光すれば、補正係数Ｋは Ｋ＝EVA−EVa ・・・・・（２） 式で求めることができる。
この補正係数Ｋを演算器８に記憶しておけば、中央部
Ａと周辺部Ｂが同一輝度の時、周辺部Ｂのリーク電流に
影響されない中央部Ａの真のEVa値を得ることができ
る。
Ａと周辺部Ｂが同一輝度の時、周辺部Ｂのリーク電流に
影響されない中央部Ａの真のEVa値を得ることができ
る。
しかしながら、中央部Ａと周辺部Ｂの輝度が異なる場
合が当然あり、例えば、輝度が２倍になれば補正係数Ｋ
も２倍にする必要がある。
合が当然あり、例えば、輝度が２倍になれば補正係数Ｋ
も２倍にする必要がある。
したががって、中央部Ａのリーク電流の影響を含んだ
周辺部ＢのEV値をEVBとすれば、 EVa＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA) ・・（３） 式により、真のEVa値を求めることができる。
周辺部ＢのEV値をEVBとすれば、 EVa＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA) ・・（３） 式により、真のEVa値を求めることができる。
上述したように、リーク電流の影響を受けているEV値
と、リーク電流の影響を受ていないEV値との差を影響分
としてやることで、補正係数Ｋが決定されるが、これは
第３図のような多分割の場合にも適用できるものであ
る。この場合、補正式は次のようになる。
と、リーク電流の影響を受ていないEV値との差を影響分
としてやることで、補正係数Ｋが決定されるが、これは
第３図のような多分割の場合にも適用できるものであ
る。この場合、補正式は次のようになる。
EVa＝EVA−Kb・2(EVB-EVA) −Kc・2(EVC-EVA) −Kd・2(EVD-EVA) −Ke・2(EVE-EVA) ・・（４） （但し、リーク電流の影響を含んだＣ部、Ｄ部、Ｅ部の
EV値をそれぞれEVC、EVD、EVEとし、補正係数をKb,Kc,K
d,Keとし、Kbは（３）式で求まり、他の係数もそれぞれ
（３）式を準用してあらかじめ求められる。） 尚、この補正では若干の誤差を生じることがあるが、
補正された値を３式又は４式の２の指数部分に使用し
て、２回あるいは多数回の補正を行うことで精度のよい
補正となる。
EV値をそれぞれEVC、EVD、EVEとし、補正係数をKb,Kc,K
d,Keとし、Kbは（３）式で求まり、他の係数もそれぞれ
（３）式を準用してあらかじめ求められる。） 尚、この補正では若干の誤差を生じることがあるが、
補正された値を３式又は４式の２の指数部分に使用し
て、２回あるいは多数回の補正を行うことで精度のよい
補正となる。
（効果） 以上詳しく説明したように、本発明によれば、簡単な
構成で精度の良いTTL分割測光を行うことができる。
構成で精度の良いTTL分割測光を行うことができる。
第１図は本発明装置の一実施例図、第２図は被写体画面
の分割例を示す図、第３図は他の被写体画面の分割例を
示す図である。 １〜５……SPD、６……対数圧縮器、７……Ａ−Ｄ変換
器、８……演算器、９〜13……スイッチ、14……レギュ
レータ
の分割例を示す図、第３図は他の被写体画面の分割例を
示す図である。 １〜５……SPD、６……対数圧縮器、７……Ａ−Ｄ変換
器、８……演算器、９〜13……スイッチ、14……レギュ
レータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01J 1/44 G03B 7/28
Claims (2)
- 【請求項１】TTL分割測光される多分割された被写体画
面のうちの一領域の測光を受け持つ一部測光手段と、前
記画面のうちの前記一領域を除く他領域の測光を受け持
つ他部測光手段と、これらの測光手段の測光出力を演算
しそのデータを記憶する演算記憶手段とを備え、 前記両測光手段に測光面から均一な光束を照射し、前記
他部測光手段の陽極陰極間を短絡してリーク電流を遮断
した状態で測光面からの前記光束を受けたときの前記一
部測光手段の出力（EVa）と、前記他部測光手段の陽極
陰極間の開放してリーク電流を許容した状態で測光面か
らの前記光束を受けたときの前記一部測光手段の出力
（EVA）及び前記一部測光手段のリーク電流を許容した
状態で測光面からの前記光束を受けたときの前記他部測
光手段の出力（EVB）をあらかじめ測定し、EVa＝EVA−
Ｋ・2(EVB-EVA)式により補正係数Ｋをあらかじめ求めて
おき、 測光出力から前記補正係数Ｋの係る項を減すことにより
他部測光手段からのリーク電流に影響されない測光出力
を得ることを特徴としたTTL分割測光における測光素子
のリーク電流補正方法。 - 【請求項２】TTL分割測光される多分割された被写体画
面のうちの一領域の測光を受け持つ一部測光手段と、 前記画面のうちの前記一領域を除く他領域の測光を受け
持つ他部測光手段と、 前記両測光手段に測光面から均一な光束を照射して、前
記他部測光手段のリーク電流を遮断した状態で測光面か
らの前記光束を受けたときの前記一部測光手段の出力
（EVa）と、前記他部測光手段のリーク電流を許容した
状態で測光面からの前記光束を受けたときの前記一部測
光手段の出力（EVA）及び前記一部測光手段のリーク電
流を許容した状態で測光面からの前記光束を受けたとき
の前記他部測光手段の出力（EVB）をあらかじめ測定
し、EVa＝EVA−Ｋ・2(EVB-EVA)式により演算し求めた補
正係数Ｋをあらかじめ記憶しておき、前記両測光手段の
出力と前記補正係数Ｋとにより他部測光手段のリーク電
流に影響されない測光出力を演算する演算記憶手段とを
備えたことを特徴としたTTL分割測光における測光素子
のリーク電流補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01136396A JP3137966B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Ｔｔｌ分割測光における測光素子のリーク電流補正方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01136396A JP3137966B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Ｔｔｌ分割測光における測光素子のリーク電流補正方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032529A JPH032529A (ja) | 1991-01-08 |
| JP3137966B2 true JP3137966B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=15174182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01136396A Expired - Fee Related JP3137966B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Ｔｔｌ分割測光における測光素子のリーク電流補正方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137966B2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP01136396A patent/JP3137966B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032529A (ja) | 1991-01-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081208 Year of fee payment: 8 |
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