JP3170201B2 - 半導体装置用リードフレームの製造設備 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造設備Info
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- H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレームの製造設備に係る、特に、半導体装置用リー
ドフレームの製造ライン中の所望の箇所に内部残留応力
を除去する高周波誘導加熱手段を配置した半導体装置用
リードフレームの製造設備に関する。
ドフレームの製造設備に係る、特に、半導体装置用リー
ドフレームの製造ライン中の所望の箇所に内部残留応力
を除去する高周波誘導加熱手段を配置した半導体装置用
リードフレームの製造設備に関する。
【０００２】
【従来の技術】近来、インナーリード及びアウターリー
ドから成る導体リードパターンを具備するリードフレー
ムを用いた半導体装置の機能の多様化にともない、導体
リードパターンが多ピン化し、微細化する傾向にある。
そのため、前記導体リードパターンが微細化した半導体
装置用リードフレームの製造設備は、中間形状のリード
フレームの連続体を導体リードパターン毎に挟持加圧し
た状態で光輝焼鈍炉内の加熱雰囲気中を走行させつつ、
加圧した状態のままで内部残留応力を除去する加熱処理
を行い、中間形状のリードフレームの連続体中に滞有し
た拘束状態の内部残留歪や反り、曲がりなどの残留歪の
矯正を行う内部残留応力除去焼きなまし手段を半導体装
置用リードフレームの製造ラインとは別のラインに分断
した配置として構成されたものが一般的である。
ドから成る導体リードパターンを具備するリードフレー
ムを用いた半導体装置の機能の多様化にともない、導体
リードパターンが多ピン化し、微細化する傾向にある。
そのため、前記導体リードパターンが微細化した半導体
装置用リードフレームの製造設備は、中間形状のリード
フレームの連続体を導体リードパターン毎に挟持加圧し
た状態で光輝焼鈍炉内の加熱雰囲気中を走行させつつ、
加圧した状態のままで内部残留応力を除去する加熱処理
を行い、中間形状のリードフレームの連続体中に滞有し
た拘束状態の内部残留歪や反り、曲がりなどの残留歪の
矯正を行う内部残留応力除去焼きなまし手段を半導体装
置用リードフレームの製造ラインとは別のラインに分断
した配置として構成されたものが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように分断された製造設備を用いた場合には、リードフ
レームの連続体中に滞有する拘束状態の内部残留歪や反
り、曲がりなどの残留歪の矯正を行うことができ微細な
導体リードパターンの短絡を回避できるものの、加熱雰
囲気の作業環境や加熱処理手段が長大化するので、半導
体装置用リードフレームの製造ライン中に、この加熱処
理手段をイン・ライン化すると製造ラインが長くなると
いう問題があった。そのため、加熱処理手段を別に配置
することになり、半導体装置用リードフレームの製造ラ
インが分断され各手段間の搬送手段を必要し、作業性の
低下や搬送による微細な導体リードパターンに損傷が生
じるという問題があった。
ように分断された製造設備を用いた場合には、リードフ
レームの連続体中に滞有する拘束状態の内部残留歪や反
り、曲がりなどの残留歪の矯正を行うことができ微細な
導体リードパターンの短絡を回避できるものの、加熱雰
囲気の作業環境や加熱処理手段が長大化するので、半導
体装置用リードフレームの製造ライン中に、この加熱処
理手段をイン・ライン化すると製造ラインが長くなると
いう問題があった。そのため、加熱処理手段を別に配置
することになり、半導体装置用リードフレームの製造ラ
インが分断され各手段間の搬送手段を必要し、作業性の
低下や搬送による微細な導体リードパターンに損傷が生
じるという問題があった。
【０００４】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、中間形状のリードフレームの連続体中に残留する内
部残留応力の除去を行う熱処理装置を製造ライン中の望
まれる箇所にインライン化することによって前記連続体
の導体リードパターンに変形等の損傷が発生することな
く、製造効率よく導体リードパターン中に滞有する残留
応力の除去を行い、高品質の半導体装置用リードフレー
ムを提供することを目的とするものである。
で、中間形状のリードフレームの連続体中に残留する内
部残留応力の除去を行う熱処理装置を製造ライン中の望
まれる箇所にインライン化することによって前記連続体
の導体リードパターンに変形等の損傷が発生することな
く、製造効率よく導体リードパターン中に滞有する残留
応力の除去を行い、高品質の半導体装置用リードフレー
ムを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成する請求項１記載の半導体装置用リードフレームの
製造設備は、広幅帯状の金属薄板条材から所望幅の薄板
条材を形成する異対の回転刃を備えたスリット加工手段
と、内部リードの先端をつなげるバインダを抜き残した
中間形状のリードフレームの連続体を形成する第１の形
状加工手段と、該リードフレームの所定の部分に貴金属
めっき被膜層を形成する被膜層形成加工手段と、抜き残
した前記バインダを除去して内部リード先端の分離を行
いリードフレームの所要の形状を形成する第２の形状加
工手段とを具備する半導体装置用リードフレームの製造
設備であって、前記半導体装置用リードフレームの製造
設備の所望の箇所に、移送ラインに対向し、これに沿っ
て周回する一対の無端チェン間に横架された複数の加圧
プレートを配列した一対の無端チェンコンベヤを具備
し、該加圧プレートで中間形状のリードフレームの連続
体を導体リードパターン毎に挟持加圧した状態で、この
加圧プレートを連続的に加熱する高周波誘導加熱手段を
直結又はループ調整手段を介して連結し、一連のタンデ
ム加工ラインを構成したことを特徴とするものである。
また、請求項２記載の半導体装置用リードフレームの製
造設備は、請求項１記載の半導体装置用リードフレーム
の製造設備にあって、前記高周波誘導加熱手段は、中間
形状のリードフレームの連続体を形成する第１の形状加
工手段の上流又は下流に配備した構成とされている。ま
た、請求項３記載の半導体装置用リードフレームの製造
設備は、請求項１又は請求項２記載の半導体装置用リー
ドフレームの製造設備にあって、前記高周波誘導加熱手
段は、導体リードパターンのインナーリード先端を連結
したバインダを除去してインナーリードの先端を箇々に
分離する第２の形状加工手段の上流又は下流に配備した
構成とされている。
達成する請求項１記載の半導体装置用リードフレームの
製造設備は、広幅帯状の金属薄板条材から所望幅の薄板
条材を形成する異対の回転刃を備えたスリット加工手段
と、内部リードの先端をつなげるバインダを抜き残した
中間形状のリードフレームの連続体を形成する第１の形
状加工手段と、該リードフレームの所定の部分に貴金属
めっき被膜層を形成する被膜層形成加工手段と、抜き残
した前記バインダを除去して内部リード先端の分離を行
いリードフレームの所要の形状を形成する第２の形状加
工手段とを具備する半導体装置用リードフレームの製造
設備であって、前記半導体装置用リードフレームの製造
設備の所望の箇所に、移送ラインに対向し、これに沿っ
て周回する一対の無端チェン間に横架された複数の加圧
プレートを配列した一対の無端チェンコンベヤを具備
し、該加圧プレートで中間形状のリードフレームの連続
体を導体リードパターン毎に挟持加圧した状態で、この
加圧プレートを連続的に加熱する高周波誘導加熱手段を
直結又はループ調整手段を介して連結し、一連のタンデ
ム加工ラインを構成したことを特徴とするものである。
また、請求項２記載の半導体装置用リードフレームの製
造設備は、請求項１記載の半導体装置用リードフレーム
の製造設備にあって、前記高周波誘導加熱手段は、中間
形状のリードフレームの連続体を形成する第１の形状加
工手段の上流又は下流に配備した構成とされている。ま
た、請求項３記載の半導体装置用リードフレームの製造
設備は、請求項１又は請求項２記載の半導体装置用リー
ドフレームの製造設備にあって、前記高周波誘導加熱手
段は、導体リードパターンのインナーリード先端を連結
したバインダを除去してインナーリードの先端を箇々に
分離する第２の形状加工手段の上流又は下流に配備した
構成とされている。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態の一例
を示す製造ラインのブロック図である。図に示すよう
に、本発明の半導体装置用リードフレームの製造設備１
００は、広幅帯状の金属薄板条材から所望幅の薄板条材
Ｂを準備するスリット加工手段１０１と、中間形状のリ
ードフレームの連続体を形成する第１の形状加工手段１
０２と、この上流及び下流に配置した高周波誘導加熱手
段１０３、１０３ａと、導体リードパターンの所望の箇
所に貴金属めっき皮膜層を形成する皮膜層形成加工手段
１０４と、導体リードパターンのリード先端を箇々に分
離する第２の形状加工手段１０５とをループ調整手段１
０６を介して連結し、一連の半導体装置用リードフレー
ムの製造ラインを構成したものである。これによって、
スリット加工手段１０１及び／又は第１の形状加工手段
１０２の加工履歴によって生じた内部残留応力を、導体
リードパターン１１ａを損傷することなく作業効率よく
除去することができる。
を示す製造ラインのブロック図である。図に示すよう
に、本発明の半導体装置用リードフレームの製造設備１
００は、広幅帯状の金属薄板条材から所望幅の薄板条材
Ｂを準備するスリット加工手段１０１と、中間形状のリ
ードフレームの連続体を形成する第１の形状加工手段１
０２と、この上流及び下流に配置した高周波誘導加熱手
段１０３、１０３ａと、導体リードパターンの所望の箇
所に貴金属めっき皮膜層を形成する皮膜層形成加工手段
１０４と、導体リードパターンのリード先端を箇々に分
離する第２の形状加工手段１０５とをループ調整手段１
０６を介して連結し、一連の半導体装置用リードフレー
ムの製造ラインを構成したものである。これによって、
スリット加工手段１０１及び／又は第１の形状加工手段
１０２の加工履歴によって生じた内部残留応力を、導体
リードパターン１１ａを損傷することなく作業効率よく
除去することができる。
【０００７】図示していない、他の実施の形態に係る本
発明の半導体装置用リードフレームの製造設備は、広幅
帯状の金属薄板条材から所望幅の薄板条材を準備するス
リット加工手段と、中間形状のリードフレームの連続体
を形成する第１の形状加工手段と、この上流及び下流に
配置した高周波誘導加熱手段と、貴金属めっき皮膜層を
形成する皮膜層形成加工手段と、第２の形状加工手段
と、この上流及び下流に配置した高周波誘導加熱手段と
をループ調整手段を介して一連の半導体装置用リードフ
レームの製造ラインを構成したものである。これによっ
て、皮膜層形成加工手段及び第２の形状加工手段の加工
履歴によって生じた内部残留応力を導体リードパターン
１１ａを損傷することなく除去することができる。
発明の半導体装置用リードフレームの製造設備は、広幅
帯状の金属薄板条材から所望幅の薄板条材を準備するス
リット加工手段と、中間形状のリードフレームの連続体
を形成する第１の形状加工手段と、この上流及び下流に
配置した高周波誘導加熱手段と、貴金属めっき皮膜層を
形成する皮膜層形成加工手段と、第２の形状加工手段
と、この上流及び下流に配置した高周波誘導加熱手段と
をループ調整手段を介して一連の半導体装置用リードフ
レームの製造ラインを構成したものである。これによっ
て、皮膜層形成加工手段及び第２の形状加工手段の加工
履歴によって生じた内部残留応力を導体リードパターン
１１ａを損傷することなく除去することができる。
【０００８】ここで、本発明の半導体装置用リードフレ
ームの製造設備１００に適用される高周波誘導加熱手段
１０３は、図３および図５に示すように、該加熱手段１
０３内に設けた中間形状のリードフレームの連続体Ｃが
走行する搬送ライン１２に沿ってこれに対向し、前記加
熱手段１０３の搬入口１３から搬出口１４、第１、第２
洗浄部１５、１６及び第１、第２乾燥部１７、１８等の
外部設備を経由して周回する第１の無端チェンコンベヤ
１９と第２の無端チェンコンベヤ２０を有する。なお、
この第１、２の無端チェンコンベヤ１９、２０には、前
記単一リードフレームの連続体１１の導体リードパター
ン１１ａのそれぞれに対応し、これを両面から挟持する
個別に分割され、強磁性体からなる多数の加圧プレート
１９ａ、２０ａが第１の無端チェン１９ｂ間及び第２の
無端チェン２０ｂ間（図３、図５参照）に横架装着され
ている。これによって、無端チェンコンベヤの加圧プレ
ート１９ａ、２０ａが導体リードパターン１１ａに対応
するように分割されているので、導体リードパターン１
１ａ毎に加圧・加熱を行うように構成されている。
ームの製造設備１００に適用される高周波誘導加熱手段
１０３は、図３および図５に示すように、該加熱手段１
０３内に設けた中間形状のリードフレームの連続体Ｃが
走行する搬送ライン１２に沿ってこれに対向し、前記加
熱手段１０３の搬入口１３から搬出口１４、第１、第２
洗浄部１５、１６及び第１、第２乾燥部１７、１８等の
外部設備を経由して周回する第１の無端チェンコンベヤ
１９と第２の無端チェンコンベヤ２０を有する。なお、
この第１、２の無端チェンコンベヤ１９、２０には、前
記単一リードフレームの連続体１１の導体リードパター
ン１１ａのそれぞれに対応し、これを両面から挟持する
個別に分割され、強磁性体からなる多数の加圧プレート
１９ａ、２０ａが第１の無端チェン１９ｂ間及び第２の
無端チェン２０ｂ間（図３、図５参照）に横架装着され
ている。これによって、無端チェンコンベヤの加圧プレ
ート１９ａ、２０ａが導体リードパターン１１ａに対応
するように分割されているので、導体リードパターン１
１ａ毎に加圧・加熱を行うように構成されている。
【０００９】さらに、本発明の半導体装置用リードフレ
ームの製造設備１００の第１の形状加工手段１０２で形
成される中間形状のリードフレームの連続体Ｃは、図８
に示すように、中央部に半導体素子搭載領域部１１ｂを
有し、これを取リ囲むように離間して放射状に配列さ
れ、半導体素子搭載領域部１１ｂに隣接する側の先端部
分をバインダー１１ｃで連結された複数のインナーリー
ド１１ｄと、このインナーリード１１ｄに相対して延設
したアウターリード１１ｅと、半導体素子搭載領域部１
１ｂを保持するサポートバー１１ｆ及びアウターリード
１１ｅを連結するダムバー１１ｇとが形成されており、
更には、これらを支持するようにその両端部には所定の
ピッチで基準ピン孔１１ｈを設けたサイドレール１１ｉ
を有する導体リードパターン１１ａを多数連接した構成
とされている。
ームの製造設備１００の第１の形状加工手段１０２で形
成される中間形状のリードフレームの連続体Ｃは、図８
に示すように、中央部に半導体素子搭載領域部１１ｂを
有し、これを取リ囲むように離間して放射状に配列さ
れ、半導体素子搭載領域部１１ｂに隣接する側の先端部
分をバインダー１１ｃで連結された複数のインナーリー
ド１１ｄと、このインナーリード１１ｄに相対して延設
したアウターリード１１ｅと、半導体素子搭載領域部１
１ｂを保持するサポートバー１１ｆ及びアウターリード
１１ｅを連結するダムバー１１ｇとが形成されており、
更には、これらを支持するようにその両端部には所定の
ピッチで基準ピン孔１１ｈを設けたサイドレール１１ｉ
を有する導体リードパターン１１ａを多数連接した構成
とされている。
【００１０】
【実施例】上記のように構成された本発明の実施の形態
の一例について、添付図面を参照して説明する。図２〜
図７は図１の半導体装置用リードフレームの製造設備の
概要を示す説明図であって、図２はスリッタ加工手段を
示す、図３は第１の高周波誘導加熱手段を示す、図４は
第１の形状加工手段を示す、図５は第２の高周波誘導加
熱手段を示す、図６は被膜層形成加工手段を示す、図７
は第１の形状加工手段を示す、図８は半導体装置用リー
ドフレームの製造設備で形成される中間形状のリードフ
レームの連続体の平面図、図９は半導体装置用リードフ
レームの製造設備で形成されるリードフレームの連続体
の平面図である。
の一例について、添付図面を参照して説明する。図２〜
図７は図１の半導体装置用リードフレームの製造設備の
概要を示す説明図であって、図２はスリッタ加工手段を
示す、図３は第１の高周波誘導加熱手段を示す、図４は
第１の形状加工手段を示す、図５は第２の高周波誘導加
熱手段を示す、図６は被膜層形成加工手段を示す、図７
は第１の形状加工手段を示す、図８は半導体装置用リー
ドフレームの製造設備で形成される中間形状のリードフ
レームの連続体の平面図、図９は半導体装置用リードフ
レームの製造設備で形成されるリードフレームの連続体
の平面図である。
【００１１】図１にもどり、半導体装置用リードフレー
ムの製造設備１００は、広幅の金属薄板条材Ａからスリ
ット加工手段１０１により所望幅の金属条材Ｂにスリッ
ティングされる。その後、第１の高周波誘導加熱手段１
０３、第１の形状加工手段１０２、第２の高周波誘導加
熱手段１０３ａ、更に皮膜形成加工手段１０４及び第２
の形状加工手段１０５へとループ調整手段１０６を介
し、それぞれの搬送ライン１２に供給され、半導体装置
用リードフレームを成形するように構成されている。以
下、金属薄板条材Ａをスリットするスリット加工手段１
０１からリードフレームの第２の形状加工手段１０５ま
での製造工程を順に説明する。
ムの製造設備１００は、広幅の金属薄板条材Ａからスリ
ット加工手段１０１により所望幅の金属条材Ｂにスリッ
ティングされる。その後、第１の高周波誘導加熱手段１
０３、第１の形状加工手段１０２、第２の高周波誘導加
熱手段１０３ａ、更に皮膜形成加工手段１０４及び第２
の形状加工手段１０５へとループ調整手段１０６を介
し、それぞれの搬送ライン１２に供給され、半導体装置
用リードフレームを成形するように構成されている。以
下、金属薄板条材Ａをスリットするスリット加工手段１
０１からリードフレームの第２の形状加工手段１０５ま
での製造工程を順に説明する。
【００１２】まず、図示していない圧延工程を経て形成
されたＣｕ系合金の広幅金属薄板条材Ａは、図２に示す
ように、アンコイラ２１からスリット加工手段１０１に
連続的に供給され、慣用のスリット加工手段１０１によ
って、所望の導体リードパターン１１ａに対応する所定
幅寸法の複数の薄板条材Ｂにスリッテングされ、コイラ
２２に巻き取られる。ここで、薄板条材Ｂはコイラ２１
に巻取る場合について説明したが、１条毎にスリットを
行い次工程の第１の高周波誘導加熱手段１０３にループ
調整手段を介して直結した構成とすることもできる。
されたＣｕ系合金の広幅金属薄板条材Ａは、図２に示す
ように、アンコイラ２１からスリット加工手段１０１に
連続的に供給され、慣用のスリット加工手段１０１によ
って、所望の導体リードパターン１１ａに対応する所定
幅寸法の複数の薄板条材Ｂにスリッテングされ、コイラ
２２に巻き取られる。ここで、薄板条材Ｂはコイラ２１
に巻取る場合について説明したが、１条毎にスリットを
行い次工程の第１の高周波誘導加熱手段１０３にループ
調整手段を介して直結した構成とすることもできる。
【００１３】続いて、スリッティングされた所望幅の金
属条材Ｂは、図３に示すように、アンコイラ２１に装着
された後、第１の高周波誘導加熱手段１０３の搬送ライ
ン１２に供給される。そして、第１の高周波誘導加熱手
段１０３においては、薄板条材Ｂの両面を搬送ライン１
２に対向し、これに沿って周回する第１、第２の無端チ
ェンコンベヤ１９、２０の加圧プレート１９ａ、２０ａ
で挟持する。つぎに、搬送ライン１２に沿って配列され
た複数の第１、第２の加圧ローラ群１９ｃ、２０ｃとの
間を走行し、板条材Ｂを挟持した第１、第２の加圧プレ
ート１９ａ、２０ａを押し圧して板条材Ｂを初期状態に
維持し、酸化防止雰囲気中に設けた高周波誘導加熱部２
３の第１の高周波誘導加熱体２３ａと第２の高周波誘導
加熱体２３ｂの間を加圧状態のまま走行させつつ、薄板
条材Ｂを挟持した第１、第２の加圧プレート１９ａ、２
０ａに１５〜５００ＫＨｚの高周波を印可して誘導加熱
する。そうして加熱された第１、第２の加圧プレート１
９ａ、２０ａを介して薄板条材Ｂの両面を加圧した状態
のままで加熱を行う。これによって、スリッタ加工手段
１０１による薄板集材Ｂの形成段階で生じた内部残留応
力の除去が行われる、その結果として、拘束状態の内部
残留歪（見かけの歪）の除去及び捻れ、反り、曲がリ等
の残留歪（永久歪）の矯正が行われる。なお、第１の高
周波誘導加熱手段１０３の外部のそれぞれの無端チェン
コンベヤの周回路に、加圧プレートの洗浄手段１５、１
６、乾燥手段１７、１８を配設して第１の高周波誘導加
熱手段１０３を通過した第１、第２の加圧プレートを順
次洗浄・乾燥するようにすれば金属薄板条材の損傷を防
止することができる。さらに、第１の高周波誘導加熱手
段１０３の上流に内部残留応力を分散する図示していな
いローラレベラー装置を配置し、内部残留応力を分散均
一化するよにしてもよい。
属条材Ｂは、図３に示すように、アンコイラ２１に装着
された後、第１の高周波誘導加熱手段１０３の搬送ライ
ン１２に供給される。そして、第１の高周波誘導加熱手
段１０３においては、薄板条材Ｂの両面を搬送ライン１
２に対向し、これに沿って周回する第１、第２の無端チ
ェンコンベヤ１９、２０の加圧プレート１９ａ、２０ａ
で挟持する。つぎに、搬送ライン１２に沿って配列され
た複数の第１、第２の加圧ローラ群１９ｃ、２０ｃとの
間を走行し、板条材Ｂを挟持した第１、第２の加圧プレ
ート１９ａ、２０ａを押し圧して板条材Ｂを初期状態に
維持し、酸化防止雰囲気中に設けた高周波誘導加熱部２
３の第１の高周波誘導加熱体２３ａと第２の高周波誘導
加熱体２３ｂの間を加圧状態のまま走行させつつ、薄板
条材Ｂを挟持した第１、第２の加圧プレート１９ａ、２
０ａに１５〜５００ＫＨｚの高周波を印可して誘導加熱
する。そうして加熱された第１、第２の加圧プレート１
９ａ、２０ａを介して薄板条材Ｂの両面を加圧した状態
のままで加熱を行う。これによって、スリッタ加工手段
１０１による薄板集材Ｂの形成段階で生じた内部残留応
力の除去が行われる、その結果として、拘束状態の内部
残留歪（見かけの歪）の除去及び捻れ、反り、曲がリ等
の残留歪（永久歪）の矯正が行われる。なお、第１の高
周波誘導加熱手段１０３の外部のそれぞれの無端チェン
コンベヤの周回路に、加圧プレートの洗浄手段１５、１
６、乾燥手段１７、１８を配設して第１の高周波誘導加
熱手段１０３を通過した第１、第２の加圧プレートを順
次洗浄・乾燥するようにすれば金属薄板条材の損傷を防
止することができる。さらに、第１の高周波誘導加熱手
段１０３の上流に内部残留応力を分散する図示していな
いローラレベラー装置を配置し、内部残留応力を分散均
一化するよにしてもよい。
【００１４】続いて、残留応力の除去を行った薄板条材
Ｂは、図４に示すように、順送り金型装置２４とこれを
装着したプレス加工装置２５から成る慣用の第１の形状
加工手段１０２にループ調整手段１０６を介して間歇供
給される。そして、第１の形状加工手段１０２では、適
切な打ち抜き順序で配列された順送リ金型装置２４によ
り、順次薄板条材Ｂの不要部分の打ち抜き除去を行い、
図８に示すようなインナーリードの先端を連結したバイ
ンダー１１ｃを抜き残した所定形状の導体リードパター
ン１１ａを複数連結した中間形状のリードフレームの連
続体Ｃがプレス加工により成形される。
Ｂは、図４に示すように、順送り金型装置２４とこれを
装着したプレス加工装置２５から成る慣用の第１の形状
加工手段１０２にループ調整手段１０６を介して間歇供
給される。そして、第１の形状加工手段１０２では、適
切な打ち抜き順序で配列された順送リ金型装置２４によ
り、順次薄板条材Ｂの不要部分の打ち抜き除去を行い、
図８に示すようなインナーリードの先端を連結したバイ
ンダー１１ｃを抜き残した所定形状の導体リードパター
ン１１ａを複数連結した中間形状のリードフレームの連
続体Ｃがプレス加工により成形される。
【００１５】更に、第１の形状加工手段で形成された中
間形状のリードフレームの連続体Ｃは、第１の高周波誘
導加熟手段１０３と同様に高周波誘導加熱部２３を備え
た第２の高周波誘導加熱手段１０３ａにループ調整手段
１０６を介して連続的に供給される。そして、第２の高
周波誘導加熱手段では、図５に示すように、中間形状の
リードフレームの連続体Ｃの導体リードパターン毎に第
１、第２の無端チェンコンベヤ１９、２０の第１、第２
の加圧プレート１９ａ、２０ａで挟持し、この加圧プレ
ートを第１の高周波誘導加熱手段１０３と同様に酸化防
止雰囲気中を連続的に走行させつつ、１５〜５００ＫＨ
ｚの高周波を印可して加圧プレートを誘導加熱する。そ
して、加熱された加圧プレートを介して中間形状のリー
ドフレームの連続体Ｃの導体リードバターンを加圧した
状態で加熱が行われる。これによって、中間形状のリー
ドフレームの連続体Ｃの形成段階の打ち抜きや押し圧及
びコイニング等で生じた内部残留応力の除去処理が行わ
れて、拘束状態で滞有する内部残留歪（見かけの歪）の
除去及び捻れ、反り、曲がり等の残留歪（永久歪）の矯
正処理が行われる。
間形状のリードフレームの連続体Ｃは、第１の高周波誘
導加熟手段１０３と同様に高周波誘導加熱部２３を備え
た第２の高周波誘導加熱手段１０３ａにループ調整手段
１０６を介して連続的に供給される。そして、第２の高
周波誘導加熱手段では、図５に示すように、中間形状の
リードフレームの連続体Ｃの導体リードパターン毎に第
１、第２の無端チェンコンベヤ１９、２０の第１、第２
の加圧プレート１９ａ、２０ａで挟持し、この加圧プレ
ートを第１の高周波誘導加熱手段１０３と同様に酸化防
止雰囲気中を連続的に走行させつつ、１５〜５００ＫＨ
ｚの高周波を印可して加圧プレートを誘導加熱する。そ
して、加熱された加圧プレートを介して中間形状のリー
ドフレームの連続体Ｃの導体リードバターンを加圧した
状態で加熱が行われる。これによって、中間形状のリー
ドフレームの連続体Ｃの形成段階の打ち抜きや押し圧及
びコイニング等で生じた内部残留応力の除去処理が行わ
れて、拘束状態で滞有する内部残留歪（見かけの歪）の
除去及び捻れ、反り、曲がり等の残留歪（永久歪）の矯
正処理が行われる。
【００１６】更に、内部残留応力を除去する処理を施し
た中間形状のリードフレームの連続体Ｃは、慣用の被膜
層形成加工手段１０４の搬送ライン１２にループ調整手
段１０６を介して供給される。そして、この被膜層形成
加工手段１０４においては、図６に示すように、前処理
工程１０４ａ、メツキ処理工程１０４ｂ、後処理工程１
０４ｃを経て中間形状のリードフレームの連続体Ｃの導
体リードパターンの所定の部分に貴金属めっき皮膜層を
形成する処理を行い所望の部分に貴金属めっき被膜層を
施した中間形状のリードフレームの連続体Ｃが形成され
る。
た中間形状のリードフレームの連続体Ｃは、慣用の被膜
層形成加工手段１０４の搬送ライン１２にループ調整手
段１０６を介して供給される。そして、この被膜層形成
加工手段１０４においては、図６に示すように、前処理
工程１０４ａ、メツキ処理工程１０４ｂ、後処理工程１
０４ｃを経て中間形状のリードフレームの連続体Ｃの導
体リードパターンの所定の部分に貴金属めっき皮膜層を
形成する処理を行い所望の部分に貴金属めっき被膜層を
施した中間形状のリードフレームの連続体Ｃが形成され
る。
【００１７】そして、所望の部分に貴金属のめっき被膜
層が形成された中問形状のリードフレームの連続体Ｃ
は、順送り金型装置２４を装着したプレス加工装置２５
から成る第２の形状加工手段１０５の搬送ライン１２
に、ループ調整手段１０６を介し間歇供給される。そし
て、第２の形状加工手段１０５では図７に示すように、
プレス装置２５に装着された順送り金型装置２４によ
り、第１の形状加工手段１０３において抜き残された導
体リードパターン１１ａのインナーリード１１ｄの先端
のバインダー１１ｃを打ち抜き除去してインナーリード
１１ｄの先端を個々に分離する加工および必要ならば半
導体素子搭載部１１ｂのディプレス加工(図示していな
い)を行って、図９に示すように、所定形状のリードフ
レームの連続体がプレス加工により成形される。なお、
導体リードパターンを所要数含まれた短冊状のリードフ
レームＤとなるように間歇カットする処理を行うことも
できる。
層が形成された中問形状のリードフレームの連続体Ｃ
は、順送り金型装置２４を装着したプレス加工装置２５
から成る第２の形状加工手段１０５の搬送ライン１２
に、ループ調整手段１０６を介し間歇供給される。そし
て、第２の形状加工手段１０５では図７に示すように、
プレス装置２５に装着された順送り金型装置２４によ
り、第１の形状加工手段１０３において抜き残された導
体リードパターン１１ａのインナーリード１１ｄの先端
のバインダー１１ｃを打ち抜き除去してインナーリード
１１ｄの先端を個々に分離する加工および必要ならば半
導体素子搭載部１１ｂのディプレス加工(図示していな
い)を行って、図９に示すように、所定形状のリードフ
レームの連続体がプレス加工により成形される。なお、
導体リードパターンを所要数含まれた短冊状のリードフ
レームＤとなるように間歇カットする処理を行うことも
できる。
【００１８】その後、第２の形状加工手段１０５で形成
されたリードフレームの連結体１１又は短冊状のリード
フレームＤは、図示していない半導体装置組立の工程に
供給され、ダイボンデングやワイヤボンデングおよび樹
脂封止等の処理を行い半導体装置を形成する。
されたリードフレームの連結体１１又は短冊状のリード
フレームＤは、図示していない半導体装置組立の工程に
供給され、ダイボンデングやワイヤボンデングおよび樹
脂封止等の処理を行い半導体装置を形成する。
【００１９】
【発明の効果】前記実施の態様で説明したように、本発
明の半導体装置用リードフレームの製造設備には、高周
波誘導加熱手段を配置した構成としているので、加圧プ
レートの局部加熱が可能となり、熱処理の作業環境が他
の熱処理法に比較して良好、且つ設備長さを短縮するこ
とができる。その結果として、リードフレームの連続体
中に残留する内部残留応力を除去し、バインダなどで拘
束した状態で残留する内部残留ひずみの開放を防止する
と共に、プレス加工等により生じたインナーリードの先
端部の捻れ、反りなどの残留ひずみ（永久ひずみ）の矯
正を行う加熱処理工程を、半導体装置用リードフレーム
の生産ライン中にイン・ライン化することが可能とな
り、半導体装置用リードフレーム製造設備を分断するこ
となく、連続した生産ラインを形成することができので
設備間の搬送が簡素化され、作業性を著しく向上させる
ことができるとともに、半導体装置用リードフレームの
微細なリードの損傷を防止することができる。
明の半導体装置用リードフレームの製造設備には、高周
波誘導加熱手段を配置した構成としているので、加圧プ
レートの局部加熱が可能となり、熱処理の作業環境が他
の熱処理法に比較して良好、且つ設備長さを短縮するこ
とができる。その結果として、リードフレームの連続体
中に残留する内部残留応力を除去し、バインダなどで拘
束した状態で残留する内部残留ひずみの開放を防止する
と共に、プレス加工等により生じたインナーリードの先
端部の捻れ、反りなどの残留ひずみ（永久ひずみ）の矯
正を行う加熱処理工程を、半導体装置用リードフレーム
の生産ライン中にイン・ライン化することが可能とな
り、半導体装置用リードフレーム製造設備を分断するこ
となく、連続した生産ラインを形成することができので
設備間の搬送が簡素化され、作業性を著しく向上させる
ことができるとともに、半導体装置用リードフレームの
微細なリードの損傷を防止することができる。
【図１】 半導体装置用リードフレームの製造設備の実
施の形態を示すブロック図である。
施の形態を示すブロック図である。
【図２】 半導体装置用リードフレームの製造設備のス
リッタ加工手段の概要を示す説明図である。
リッタ加工手段の概要を示す説明図である。
【図３】 半導体装置用リードフレームの製造設備の第
１の高周波加熱手段の概要を示す説明図である。
１の高周波加熱手段の概要を示す説明図である。
【図４】 半導体装置用リードフレームの製造設備の第
１の形状加工の概要を示す説明図である。
１の形状加工の概要を示す説明図である。
【図５】 半導体装置用リードフレームの製造設備の第
２の高周波誘導加熱手段の概要を示す説明図である。
２の高周波誘導加熱手段の概要を示す説明図である。
【図６】 半導体装置用リードフレームの製造設備の被
膜層形成加工手段の概要を示す説明図である。
膜層形成加工手段の概要を示す説明図である。
【図７】 半導体装置用リードフレームの製造設備の第
２の形状加工手段の概要を示す説明図である。
２の形状加工手段の概要を示す説明図である。
【図８】 半導体装置用リードフレームの製造設備で形
成される中間形状のリードフレームの連続体の平面図で
ある。
成される中間形状のリードフレームの連続体の平面図で
ある。
【図９】 半導体装置用リードフレームの製造設備で形
成されるリードフレームの連続体の平面図である。
成されるリードフレームの連続体の平面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 広幅帯状の金属薄板条材から所望幅の薄
板条材を形成する異対の回転刃を備えたスリット加工手
段と、内部リードの先端をつなげるバインダを抜き残し
た中間形状のリードフレームの連続体を形成する第１の
形状加工手段と、該リードフレームの所定の部分に貴金
属めつき皮膜層を形成する被膜層形成加工手段と、抜き
残した前記バインダを除去して内部リード先端の分離を
行いリードフレームの所要の形状を形成する第２の形状
加工手段とを具備する半導体装置用リードフレームの製
造設備であって、前記半導体装置用リードフレームの製
造設備の所望の箇所に、移送ラインに対向し、これに沿
って周回する一対の無端チェン間に横架された複数の加
圧プレートを配列した一対の無端チェンコンベヤを具備
し、該加圧プレートで中間形状のリードフレームの連続
体を導体リードパターン毎に挟持加圧した状態で、この
加圧プレートを連続的に加熱する高周波誘導加熱手段を
直結又はループ調整手段を介して連結し、一連のタンデ
ム加工ラインを構成したことを特徴とする半導体装置用
リードフレームの製造設備。 - 【請求項２】 前記高周波誘導加熱手段は、中間形状の
リードフレームの連続体を形成する第１の形状加工手段
の上流又は下流に配備された構成としたことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置用リードフレームの製造設
備。 - 【請求項３】前記高周波誘導加熱手段は、導体リードパ
ターンのインナーリード先端を連結したバインダを除去
してインナーリードの先端を箇々に分離する第２の形状
加工手段の上流又は下流に配備された構成としたことを
特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置用リ
ードフレームの製造設備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14795996A JP3170201B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 半導体装置用リードフレームの製造設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14795996A JP3170201B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 半導体装置用リードフレームの製造設備 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307047A JPH09307047A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3170201B2 true JP3170201B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=15441961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14795996A Expired - Fee Related JP3170201B2 (ja) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 半導体装置用リードフレームの製造設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170201B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6464809B2 (en) * | 1998-11-30 | 2002-10-15 | Outokumpu Oyj | Processes for producing articles with stress-free slit edges |
| KR100436586B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-06-19 | 엘지전선 주식회사 | 리드 프레임 열처리 공정내의 가스 혼합 제어 장치 |
| KR100522741B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2005-10-19 | 엘에스전선 주식회사 | 레이저빔을 이용한 리드프레임 리드의 검사장치 및리드프레임 리드의 검사방법 |
| JP5760060B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2015-08-05 | 株式会社茨城技研 | 金属皮膜形成方法並びに金属皮膜形成製品の製造方法及び製造装置 |
-
1996
- 1996-05-16 JP JP14795996A patent/JP3170201B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09307047A (ja) | 1997-11-28 |
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