JP3201501B2 - パッケージ部品の製造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの形成方法 - Google Patents
パッケージ部品の製造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パッケージ部品の製
造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの
形成方法、特に発熱性の電子部品にヒートスプレッダを
形成する方法及びこのようなヒートスプレッダを有する
パッケージ部品の製造方法に関するものである。
造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの
形成方法、特に発熱性の電子部品にヒートスプレッダを
形成する方法及びこのようなヒートスプレッダを有する
パッケージ部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩチップのパッケージ部品等で、発
熱量の大きいＬＳＩチップからの熱を逃がすことを目的
として、銅板やアルミ板をＬＳＩチップ裏面に、はんだ
や樹脂を用いて接着することによってヒートスプレッダ
を形成する。図１１は従来技術によるヒートスプレッダ
をＬＳＩチップへ接合する工程、並びにヒートスプレッ
ダ付きのパッケージ部品の構造を示す図である。図にお
いて１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップの電極、３は
例えば銅板からなるヒートスプレッダ、４ははんだシー
トである。
熱量の大きいＬＳＩチップからの熱を逃がすことを目的
として、銅板やアルミ板をＬＳＩチップ裏面に、はんだ
や樹脂を用いて接着することによってヒートスプレッダ
を形成する。図１１は従来技術によるヒートスプレッダ
をＬＳＩチップへ接合する工程、並びにヒートスプレッ
ダ付きのパッケージ部品の構造を示す図である。図にお
いて１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップの電極、３は
例えば銅板からなるヒートスプレッダ、４ははんだシー
トである。
【０００３】図１１（ａ）において、ＬＳＩチップ１が
はんだシート４を挟んでヒートスプレッダ３上に配置さ
れる。そして（ｂ）のように、はんだシートを溶融させ
ることによりＬＳＩチップ１がヒートスプレッダ３に接
合される。なお、ヒートスプレッダ３として銅板を用い
る場合、通常銅板の接合表面をあらかじめニッケルでめ
っきする。
はんだシート４を挟んでヒートスプレッダ３上に配置さ
れる。そして（ｂ）のように、はんだシートを溶融させ
ることによりＬＳＩチップ１がヒートスプレッダ３に接
合される。なお、ヒートスプレッダ３として銅板を用い
る場合、通常銅板の接合表面をあらかじめニッケルでめ
っきする。
【０００４】また、図１１（ｂ）のヒートスプレッダが
形成されたＬＳＩチップ１を基板に実装する場合、例え
ば基板のパッド（図示せず）とＬＳＩチップ１の電極２
とを接続するときは、このヒートスプレッダ３の面を基
板の所定位置に接着剤やはんだによりダイボンディング
し、ワイヤ等によりＬＳＩチップの電極２と基板のパッ
ドが接続される（図示せず）。さらに、図１１（ｂ）の
ようにヒートスプレッダの形成されたＬＳＩチップをパ
ッケージして、パッケージ部品を形成したり（図示せ
ず）、図１１（ｃ）のようにベースフィルム６を挟んで
ヒートスプレッダ３とＬＳＩチップ１とが搭載されたパ
ッケージ部品を形成する。
形成されたＬＳＩチップ１を基板に実装する場合、例え
ば基板のパッド（図示せず）とＬＳＩチップ１の電極２
とを接続するときは、このヒートスプレッダ３の面を基
板の所定位置に接着剤やはんだによりダイボンディング
し、ワイヤ等によりＬＳＩチップの電極２と基板のパッ
ドが接続される（図示せず）。さらに、図１１（ｂ）の
ようにヒートスプレッダの形成されたＬＳＩチップをパ
ッケージして、パッケージ部品を形成したり（図示せ
ず）、図１１（ｃ）のようにベースフィルム６を挟んで
ヒートスプレッダ３とＬＳＩチップ１とが搭載されたパ
ッケージ部品を形成する。
【０００５】また、図１２は従来技術による、例えばＡ
ＢＳ（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene）のプラスチ
ック表面に無電解銅めっき膜を形成する工程を示す図で
ある。図において、７はＡＢＳプラスチック板、８はめ
っきを促進させる触媒となる無電解めっきの核で、例え
ばパラジウムを用いる。９はＡＢＳプラスチック板７に
形成される無電解銅めっき膜である。図１２において、
（ａ）に示すようなＡＢＳプラスチック板７を７０℃に
加熱した酸化クロムの飽和水溶液に５分間浸漬し、
（ｂ）のように、表面を粗くする。これを、所定の濃度
の塩化パラジウム水溶液に１０分間浸漬した後、塩化錫
水溶液に２分間浸漬して（ｃ）のように無電解銅めっき
の核８を、ＡＢＳプラスチック板７の表面に形成する。
その後、（ｄ）のように無電解銅めっき液に１０分間浸
漬して無電解銅めっき膜９を形成する。
ＢＳ（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene）のプラスチ
ック表面に無電解銅めっき膜を形成する工程を示す図で
ある。図において、７はＡＢＳプラスチック板、８はめ
っきを促進させる触媒となる無電解めっきの核で、例え
ばパラジウムを用いる。９はＡＢＳプラスチック板７に
形成される無電解銅めっき膜である。図１２において、
（ａ）に示すようなＡＢＳプラスチック板７を７０℃に
加熱した酸化クロムの飽和水溶液に５分間浸漬し、
（ｂ）のように、表面を粗くする。これを、所定の濃度
の塩化パラジウム水溶液に１０分間浸漬した後、塩化錫
水溶液に２分間浸漬して（ｃ）のように無電解銅めっき
の核８を、ＡＢＳプラスチック板７の表面に形成する。
その後、（ｄ）のように無電解銅めっき液に１０分間浸
漬して無電解銅めっき膜９を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１１のように、はん
だシート４を溶融させることによりＬＳＩチップとヒー
トスプレッダとを接合するとき、２３０℃の炉を用いて
加熱し還元雰囲気中で室温まで冷却する。このとき、図
１１（ｂ）に示すように、凝固したはんだ層にボイド５
が発生する。このボイドは、発熱したＬＳＩチップ１か
らヒートスプレッダ３への熱伝導を低下させ、上記のよ
うなヒートスプレッダ付きのＬＳＩチップや、または図
１１（ｃ）のようにＬＳＩチップとヒートスプレッダを
ベースフィルム６を挟んで構成したパッケージ部品では
ＬＳＩチップからの熱を放散しにくいという問題点があ
った。
だシート４を溶融させることによりＬＳＩチップとヒー
トスプレッダとを接合するとき、２３０℃の炉を用いて
加熱し還元雰囲気中で室温まで冷却する。このとき、図
１１（ｂ）に示すように、凝固したはんだ層にボイド５
が発生する。このボイドは、発熱したＬＳＩチップ１か
らヒートスプレッダ３への熱伝導を低下させ、上記のよ
うなヒートスプレッダ付きのＬＳＩチップや、または図
１１（ｃ）のようにＬＳＩチップとヒートスプレッダを
ベースフィルム６を挟んで構成したパッケージ部品では
ＬＳＩチップからの熱を放散しにくいという問題点があ
った。
【０００７】図１２に示す無電解めっき膜の形成方法に
よると、エッチングによって、めっき膜を形成する部材
の表面を腐食する工程が必要であるため、非常に薄い物
質については無電解銅めっき被膜を形成することが困難
であり、また、エッチングに用いる酸化クロムは猛毒
で、廃液処理も困難という問題点があった。
よると、エッチングによって、めっき膜を形成する部材
の表面を腐食する工程が必要であるため、非常に薄い物
質については無電解銅めっき被膜を形成することが困難
であり、また、エッチングに用いる酸化クロムは猛毒
で、廃液処理も困難という問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ＬＳＩチップ等の電子部品から
の発熱を効率よく逃がすためのヒートスプレッダを形成
する方法、及び簡単な製造プロセスによる熱伝導性の良
いヒートスプレッダ付きパッケージ部品の製造方法を提
供することを目的とする。
ためになされたもので、ＬＳＩチップ等の電子部品から
の発熱を効率よく逃がすためのヒートスプレッダを形成
する方法、及び簡単な製造プロセスによる熱伝導性の良
いヒートスプレッダ付きパッケージ部品の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明におけるパッケ
ージ部品の製造方法は、電子部品を基板の所定位置に固
定する工程と、電子部品と基板に樹脂層を形成する工程
と、電子部品の基板に取り付けられた面が露出された開
口部を基板に形成する工程と、上記開口部にヒートスプ
レッダとなる第一の金属めっき層を形成する工程と、電
子部品の電極を除いて形成された樹脂層にこの電極に接
続するリードとなる第二の金属めっき層を形成する工程
とを含んだものである。
ージ部品の製造方法は、電子部品を基板の所定位置に固
定する工程と、電子部品と基板に樹脂層を形成する工程
と、電子部品の基板に取り付けられた面が露出された開
口部を基板に形成する工程と、上記開口部にヒートスプ
レッダとなる第一の金属めっき層を形成する工程と、電
子部品の電極を除いて形成された樹脂層にこの電極に接
続するリードとなる第二の金属めっき層を形成する工程
とを含んだものである。
【００１０】また、電子部品の電極を有する面と向かい
合わせて、電子部品を基板の一面に固定する工程と、電
子部品の基板に取り付けられた面の少なくとも一部と、
電子部品の電極とが露出される開口部を基板に形成する
工程と、この開口部と基板の裏面に、電極と接続するリ
ード、および電子部品の基板に取り付けられた面にヒー
トスプレッダとなる金属めっき膜を形成する工程とを含
んだものである。
合わせて、電子部品を基板の一面に固定する工程と、電
子部品の基板に取り付けられた面の少なくとも一部と、
電子部品の電極とが露出される開口部を基板に形成する
工程と、この開口部と基板の裏面に、電極と接続するリ
ード、および電子部品の基板に取り付けられた面にヒー
トスプレッダとなる金属めっき膜を形成する工程とを含
んだものである。
【００１１】また、電子部品の発熱部分の表面を露出さ
せる開口部を形成し、その開口部にヒートスプレッダと
なる金属めっき膜を形成する工程を含んだものである。
せる開口部を形成し、その開口部にヒートスプレッダと
なる金属めっき膜を形成する工程を含んだものである。
【００１２】また、電子部品の電極を有する面を向かい
合わせて、電子部品を取付台に配置する工程と、電子部
品の取付台との取付面の裏面の少なくとも一部を除き、
かつ電子部品の電極を有する面を覆うように、樹脂層を
形成する工程と、電子部品の取付台との取付面の裏面に
金属めっき膜を形成する工程と、電子部品を取付台より
切り離す工程とを含んだものである。
合わせて、電子部品を取付台に配置する工程と、電子部
品の取付台との取付面の裏面の少なくとも一部を除き、
かつ電子部品の電極を有する面を覆うように、樹脂層を
形成する工程と、電子部品の取付台との取付面の裏面に
金属めっき膜を形成する工程と、電子部品を取付台より
切り離す工程とを含んだものである。
【００１３】
【作用】電子部品に形成されるヒートスプレッダは、金
属めっき膜により形成されるので、電子部品とヒートス
プレッダとの接合不良がなくなり、電子部品からヒート
スプレッダへの熱伝導性が良くなる。
属めっき膜により形成されるので、電子部品とヒートス
プレッダとの接合不良がなくなり、電子部品からヒート
スプレッダへの熱伝導性が良くなる。
【００１４】またパッケージ部品に搭載される電子部品
の電極と接続するリードを形成する工程とともに、ヒー
トスプレッダを形成する工程を含むので、パッケージ部
品の製造プロセスが大幅に簡略化する。
の電極と接続するリードを形成する工程とともに、ヒー
トスプレッダを形成する工程を含むので、パッケージ部
品の製造プロセスが大幅に簡略化する。
【００１５】電子部品の発熱部分にヒートスプレッダを
形成するので、効果的に熱が放散される。
形成するので、効果的に熱が放散される。
【００１６】複数の電子部品が配列された半導体基板の
裏面に金属めっき膜を形成し、その半導体基板をそれぞ
れ各電子部品毎に切り離すので、電子部品からの熱伝導
の良いヒートスプレッダが一度のめっきで複数個の電子
部品に形成される。
裏面に金属めっき膜を形成し、その半導体基板をそれぞ
れ各電子部品毎に切り離すので、電子部品からの熱伝導
の良いヒートスプレッダが一度のめっきで複数個の電子
部品に形成される。
【００１７】電子部品の、取付台との取付面の裏面の少
なくとも一部を除き、かつ電子部品の電極の有する面を
覆うように樹脂層を形成し、その電子部品の取付台との
取付面の裏面に金属めっき膜を形成するので、めっき形
成時にめっき液が電極の有する面に接触することによ
り、電極やその電極の有する面の腐食を防ぐとともに熱
伝導性の良いヒートスプレッダが形成される。
なくとも一部を除き、かつ電子部品の電極の有する面を
覆うように樹脂層を形成し、その電子部品の取付台との
取付面の裏面に金属めっき膜を形成するので、めっき形
成時にめっき液が電極の有する面に接触することによ
り、電極やその電極の有する面の腐食を防ぐとともに熱
伝導性の良いヒートスプレッダが形成される。
【００１８】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の一実施例を示す。図１はこの実施例を
示すヒートスプレッダ付きパッケージ部品であるＱＴＰ
（Quad-Flat Tape-Carrier Package）の形成方法を示す
工程図である。ＱＴＰはポリイミドテープ上に形成され
た銅箔のリードを用いてＬＳＩチップとの導通を行うパ
ッケージ部品で、図において８はＬＳＩチップの搭載さ
れる基板となるポリイミドテープ、９はＬＳＩチップと
ポリイミドテープ８に形成される紫外光硬化樹脂の被
膜、１０ａは電極を表面に露出させる被膜９に形成され
た開口部、１０ｂはＬＳＩチップのポリイミドテープ８
に取り付けられた面の全体を露出させるポリイミドテー
プ８に形成された開口部、１１は開口部１０ａと、被膜
９の表面に形成された金属めっき膜、１２は開口部１０
ｂに形成されたヒートスプレッダ、１３は電極と接続す
るリード、１４はＬＳＩチップを封止する封止樹脂で、
その他の符号は従来の技術と同一である。
示すヒートスプレッダ付きパッケージ部品であるＱＴＰ
（Quad-Flat Tape-Carrier Package）の形成方法を示す
工程図である。ＱＴＰはポリイミドテープ上に形成され
た銅箔のリードを用いてＬＳＩチップとの導通を行うパ
ッケージ部品で、図において８はＬＳＩチップの搭載さ
れる基板となるポリイミドテープ、９はＬＳＩチップと
ポリイミドテープ８に形成される紫外光硬化樹脂の被
膜、１０ａは電極を表面に露出させる被膜９に形成され
た開口部、１０ｂはＬＳＩチップのポリイミドテープ８
に取り付けられた面の全体を露出させるポリイミドテー
プ８に形成された開口部、１１は開口部１０ａと、被膜
９の表面に形成された金属めっき膜、１２は開口部１０
ｂに形成されたヒートスプレッダ、１３は電極と接続す
るリード、１４はＬＳＩチップを封止する封止樹脂で、
その他の符号は従来の技術と同一である。
【００１９】上記構造のパッケージ部品の形成方法を説
明する。まず、（ａ）のように、ポリイミドテープ８の
所定の位置に、ＬＳＩチップ１を、電極２を表に向けて
はんだを用いてダイボンディングし、（ｂ）のように、
ＬＳＩチップ１を含めポリイミドテープ８全面に、紫外
光硬化樹脂の被膜９（４０μｍ）をスピンコーターを用
いて形成し、（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ
によって開口部１０ａ、１０ｂを形成して、電極２とＬ
ＳＩチップ１の裏面を露出させる。次に（ｄ）のよう
に、開口部１０ａを含め、被膜９の表面に無電解銅めっ
きを施して無電解銅めっき膜１１を形成し、一方ポリイ
ミドテープ８に形成された開口部１０ｂにもヒートスプ
レッダとなる無電解銅めっき膜１２を形成する。さら
に、（ｅ）でフォトリソグラフィ技術により、電極２と
接続し、さらに必要な箇所にリードが形成される部分を
残し、めっき膜１１を選択除去することによりリード１
３を形成する。なお、このリード形成ではめっき膜以外
でも金、銀等の蒸着や、導体ペーストによるリードの直
描でもよい。その後、（ｆ）のようにポリイミドテープ
８の不要部分を取り除き、（ｇ）のように、封止樹脂１
４でＬＳＩチップ１を含めポリイミドテープ８の両面か
ら封止し、最後にリード１３を成形することで外部接続
端子を形成する。開口部１０ｂに形成された無電解銅め
っき膜が、そのままＬＳＩチップからの熱を逃がすため
のヒートスプレッダを形成する。なお、ここで形成され
たヒートスプレッダ１２の厚みが、所望の厚さよりも小
さい場合、ヒートスプレッダ１２に金属板をはんだ付け
することが有効である。
明する。まず、（ａ）のように、ポリイミドテープ８の
所定の位置に、ＬＳＩチップ１を、電極２を表に向けて
はんだを用いてダイボンディングし、（ｂ）のように、
ＬＳＩチップ１を含めポリイミドテープ８全面に、紫外
光硬化樹脂の被膜９（４０μｍ）をスピンコーターを用
いて形成し、（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ
によって開口部１０ａ、１０ｂを形成して、電極２とＬ
ＳＩチップ１の裏面を露出させる。次に（ｄ）のよう
に、開口部１０ａを含め、被膜９の表面に無電解銅めっ
きを施して無電解銅めっき膜１１を形成し、一方ポリイ
ミドテープ８に形成された開口部１０ｂにもヒートスプ
レッダとなる無電解銅めっき膜１２を形成する。さら
に、（ｅ）でフォトリソグラフィ技術により、電極２と
接続し、さらに必要な箇所にリードが形成される部分を
残し、めっき膜１１を選択除去することによりリード１
３を形成する。なお、このリード形成ではめっき膜以外
でも金、銀等の蒸着や、導体ペーストによるリードの直
描でもよい。その後、（ｆ）のようにポリイミドテープ
８の不要部分を取り除き、（ｇ）のように、封止樹脂１
４でＬＳＩチップ１を含めポリイミドテープ８の両面か
ら封止し、最後にリード１３を成形することで外部接続
端子を形成する。開口部１０ｂに形成された無電解銅め
っき膜が、そのままＬＳＩチップからの熱を逃がすため
のヒートスプレッダを形成する。なお、ここで形成され
たヒートスプレッダ１２の厚みが、所望の厚さよりも小
さい場合、ヒートスプレッダ１２に金属板をはんだ付け
することが有効である。
【００２０】以上のように、ヒートスプレッダを有する
パッケージ部品が形成されるが、ヒートスプレッダをめ
っき膜で形成することにより、従来のようにはんだ等で
ＬＳＩチップとヒートスプレッダを接合する必要がなく
なり、はんだ接合で不可避なボイド発生を根本的に解消
できる。従って熱伝導性が向上する。また、このような
製造プロセスにおいて、あらかじめヒートスプレッダと
なる金属材も必要とせず、リードの形成とヒートスプレ
ッダの形成を同一工程で行う等により、ヒートスプレッ
ダ付きパッケージ部品の製造プロセスを大幅に簡略化で
きる。
パッケージ部品が形成されるが、ヒートスプレッダをめ
っき膜で形成することにより、従来のようにはんだ等で
ＬＳＩチップとヒートスプレッダを接合する必要がなく
なり、はんだ接合で不可避なボイド発生を根本的に解消
できる。従って熱伝導性が向上する。また、このような
製造プロセスにおいて、あらかじめヒートスプレッダと
なる金属材も必要とせず、リードの形成とヒートスプレ
ッダの形成を同一工程で行う等により、ヒートスプレッ
ダ付きパッケージ部品の製造プロセスを大幅に簡略化で
きる。
【００２１】実施例２． 図２は、この発明の別の実施例を示すパッケージ部品で
あるＱＴＰや、ＬＣＣ（Leadless Chip Carrer）の製造
工程図である。本実施例ではＬＳＩチップがその電極を
有する面を向かい合わせて、ポリイミドテープ８に搭載
されてパッケージ部品が形成される場合で、図において
符号は図１と同一である。
あるＱＴＰや、ＬＣＣ（Leadless Chip Carrer）の製造
工程図である。本実施例ではＬＳＩチップがその電極を
有する面を向かい合わせて、ポリイミドテープ８に搭載
されてパッケージ部品が形成される場合で、図において
符号は図１と同一である。
【００２２】上記のパッケージ部品の製造方法を説明す
る。図２（ａ）のように、電極２とポリイミドテープ８
を向かい合わせて（以下、フェースダウンと呼ぶ）、Ｌ
ＳＩチップ１を配置して固定し、（ｂ）でポリイミドテ
ープ８の裏側に電極２とその電極を有する面の一部を露
出させるように開口部１０ａ、１０ｂを形成する。開口
部１０ａ、１０ｂはエキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、
ＹＡＧレーザ等を用いたアブレーションなどにより形成
される。その開口部１０ａ、１０ｂと、ポリイミドテー
プ８の裏面の全面に（ｃ）のように、無電解銅めっき膜
１１を形成し、さらに（ｄ）のように、フォトリソグラ
フィ技術によりめっき膜１１の必要箇所を残す選択除去
により、電極２と接続するリード１３とＬＳＩチップ１
の電極２を有する面の露出した部分１０ｂにヒートスプ
レッダ１２を形成する。さらに（ｅ）のようにポリイミ
ドテープ８の不要部分を取り除き、（ｆ）のように封止
樹脂１４で封止し、さらにリード１３を成形することで
外部接続端子を形成する。以上によってＱＴＰが得られ
るが、ポリイミドテープ８の代わりにガラエポ基板８ａ
を用い、（ｅ）の工程の状態より（ｇ）のように、リー
ド１３の不要部分を除去し、ＬＳＩチップ１を封止する
封止樹脂１４を形成することでＬＣＣが得られる。
る。図２（ａ）のように、電極２とポリイミドテープ８
を向かい合わせて（以下、フェースダウンと呼ぶ）、Ｌ
ＳＩチップ１を配置して固定し、（ｂ）でポリイミドテ
ープ８の裏側に電極２とその電極を有する面の一部を露
出させるように開口部１０ａ、１０ｂを形成する。開口
部１０ａ、１０ｂはエキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、
ＹＡＧレーザ等を用いたアブレーションなどにより形成
される。その開口部１０ａ、１０ｂと、ポリイミドテー
プ８の裏面の全面に（ｃ）のように、無電解銅めっき膜
１１を形成し、さらに（ｄ）のように、フォトリソグラ
フィ技術によりめっき膜１１の必要箇所を残す選択除去
により、電極２と接続するリード１３とＬＳＩチップ１
の電極２を有する面の露出した部分１０ｂにヒートスプ
レッダ１２を形成する。さらに（ｅ）のようにポリイミ
ドテープ８の不要部分を取り除き、（ｆ）のように封止
樹脂１４で封止し、さらにリード１３を成形することで
外部接続端子を形成する。以上によってＱＴＰが得られ
るが、ポリイミドテープ８の代わりにガラエポ基板８ａ
を用い、（ｅ）の工程の状態より（ｇ）のように、リー
ド１３の不要部分を除去し、ＬＳＩチップ１を封止する
封止樹脂１４を形成することでＬＣＣが得られる。
【００２３】以上のようなヒートスプレッダを形成する
パッケージ部品の製造プロセスにより、従来困難であっ
たＬＳＩチップの電極側へのヒートスプレッダ形成が可
能となり、さらに実施例１と同様にボイドの発生を防ぎ
つつ、プロセスの簡略化を図ることができる。
パッケージ部品の製造プロセスにより、従来困難であっ
たＬＳＩチップの電極側へのヒートスプレッダ形成が可
能となり、さらに実施例１と同様にボイドの発生を防ぎ
つつ、プロセスの簡略化を図ることができる。
【００２４】実施例３． 図３は、この発明の別の実施例を示すパッケージ部品の
製造工程図である。本実施例では、ＬＳＩチップの発熱
部分の面にヒートスプレッダを形成した場合で、１０ｃ
はそのＬＳＩチップの発熱部分を露出させるために、基
板となるポリイミドテープに形成されたサーマルバイア
ホール、その他の符号は図１と同一である。
製造工程図である。本実施例では、ＬＳＩチップの発熱
部分の面にヒートスプレッダを形成した場合で、１０ｃ
はそのＬＳＩチップの発熱部分を露出させるために、基
板となるポリイミドテープに形成されたサーマルバイア
ホール、その他の符号は図１と同一である。
【００２５】図３（ａ）は、図１（ｃ）の開口部１０ｂ
の代わりにＬＳＩチップ１の発熱部分のみを露出させる
サーマルバイアホール１０ｃを形成したもので、実施例
１と同様にフォトリソグラフィにより選択除去して形成
したものである。さらに（ｂ）のように開口部１０ａと
被膜９に無電解銅めっき１１を施し、一方で、サーマル
バイアホール１０ｃに無電解銅めっきによるヒートスプ
レッダ１２を形成する。そして（ｃ）のように、フォト
リソグラフィで選択除去することにより、電極２と接続
するリード１３を形成する。以後のパッケージ部品の形
成工程は図１（ｆ）、（ｇ）と同一である。このように
して特に発熱の激しい部分のような放熱の必要な箇所に
ヒートスプレッダを形成することにより、ポリイミドテ
ープの強度を保ちつつ、効果的な熱の放散が行われる。
の代わりにＬＳＩチップ１の発熱部分のみを露出させる
サーマルバイアホール１０ｃを形成したもので、実施例
１と同様にフォトリソグラフィにより選択除去して形成
したものである。さらに（ｂ）のように開口部１０ａと
被膜９に無電解銅めっき１１を施し、一方で、サーマル
バイアホール１０ｃに無電解銅めっきによるヒートスプ
レッダ１２を形成する。そして（ｃ）のように、フォト
リソグラフィで選択除去することにより、電極２と接続
するリード１３を形成する。以後のパッケージ部品の形
成工程は図１（ｆ）、（ｇ）と同一である。このように
して特に発熱の激しい部分のような放熱の必要な箇所に
ヒートスプレッダを形成することにより、ポリイミドテ
ープの強度を保ちつつ、効果的な熱の放散が行われる。
【００２６】なお、実施例２のようにＬＳＩチップの電
極を有する面にヒートスプレッダを形成した場合にも必
要箇所のみにヒートスプレッダを形成してもよい。さら
に、本実施例で形成されたヒートスプレッダに金属材を
はんだ付けすれば、より大きな放熱効果が得られる。
極を有する面にヒートスプレッダを形成した場合にも必
要箇所のみにヒートスプレッダを形成してもよい。さら
に、本実施例で形成されたヒートスプレッダに金属材を
はんだ付けすれば、より大きな放熱効果が得られる。
【００２７】実施例４． 図４は、この発明の別の実施例であるヒートスプレッダ
形成方法を示す工程図であり、図において、１５は複数
個のＬＳＩチップが配列して形成されたシリコンウェハ
の裏面に形成された電解銅めっき膜、１６は電解銅めっ
き膜１５により形成されたヒートスプレッダである。
形成方法を示す工程図であり、図において、１５は複数
個のＬＳＩチップが配列して形成されたシリコンウェハ
の裏面に形成された電解銅めっき膜、１６は電解銅めっ
き膜１５により形成されたヒートスプレッダである。
【００２８】図４（ａ）はダイシングする以前に、半導
体基板に複数個のＬＳＩチップ１が配列されたシリコン
ウェハである。シリコンウェハの裏面に（ｂ）のように
電解銅めっき膜１５を形成し、（ｃ）のように個々のＬ
ＳＩチップにダイシングする。このめっき膜１５ととも
にダイシングすることでそのままＬＳＩチップに形成さ
れたヒートスプレッダ１６となる。このようにヒートス
プレッダを形成することにより、はんだ接合が不要とな
り、それによるボイドの発生を防ぐことができ、かつ複
数のＬＳＩチップに同時にヒートスプレッダが形成され
るので、ヒートスプレッダの形成プロセスが大幅に簡略
化される。
体基板に複数個のＬＳＩチップ１が配列されたシリコン
ウェハである。シリコンウェハの裏面に（ｂ）のように
電解銅めっき膜１５を形成し、（ｃ）のように個々のＬ
ＳＩチップにダイシングする。このめっき膜１５ととも
にダイシングすることでそのままＬＳＩチップに形成さ
れたヒートスプレッダ１６となる。このようにヒートス
プレッダを形成することにより、はんだ接合が不要とな
り、それによるボイドの発生を防ぐことができ、かつ複
数のＬＳＩチップに同時にヒートスプレッダが形成され
るので、ヒートスプレッダの形成プロセスが大幅に簡略
化される。
【００２９】ＬＳＩチップ１の電極２の形成された面
に、電解銅めっき膜に使用されるめっき液からＬＳＩチ
ップを保護するエポキシ樹脂等の被膜を形成しておく
と、めっき液による電極やシリコンチップの腐食を防ぐ
ことができる。また、上記の電解銅めっき膜の代わり
に、無電解銅めっき膜を形成しても同様の効果を得る。
に、電解銅めっき膜に使用されるめっき液からＬＳＩチ
ップを保護するエポキシ樹脂等の被膜を形成しておく
と、めっき液による電極やシリコンチップの腐食を防ぐ
ことができる。また、上記の電解銅めっき膜の代わり
に、無電解銅めっき膜を形成しても同様の効果を得る。
【００３０】実施例５． 図５は、この発明の別の実施例を示すヒートスプレッダ
形成方法の工程図である。１７はＬＳＩチップ１の電極
２を有する面を覆うようにポリイミドテープ８に形成さ
れたエポキシ樹脂層、１８はＬＳＩチップ１の裏面を覆
うように形成された無電解銅めっき膜である。
形成方法の工程図である。１７はＬＳＩチップ１の電極
２を有する面を覆うようにポリイミドテープ８に形成さ
れたエポキシ樹脂層、１８はＬＳＩチップ１の裏面を覆
うように形成された無電解銅めっき膜である。
【００３１】図５（ａ）のように少なくとも一つのＬＳ
Ｉチップ１をフェイスダウンでポリイミドテープ８上に
配置し、（ｂ）のようにエポキシ樹脂層１７を電極２を
有する面を覆うように形成して、（ｃ）のように無電解
銅めっき膜１８をその上から形成する。（ｄ）で、ダイ
シングしてポリイミドテープ８及びエポキシ樹脂層１７
を剥離する。このように、ヒートスプレッダを形成する
ことによってボイドの発生を防ぎつつ、プロセスの簡略
化が図られ、ＬＳＩチップよりも大きなサイズのヒート
スプレッダが得られる。また上記のようにエポキシ樹脂
１７を形成することにより無電解銅めっき形成時のめっ
き液による電極やシリコンチップの腐食を防ぐ。さらに
エポキシ樹脂１７を残して、ポリイミドテープ８のみ剥
離すれば、ＬＳＩチップ１の電極２だけが露出したパッ
ケージ部品として扱うことが可能となる。
Ｉチップ１をフェイスダウンでポリイミドテープ８上に
配置し、（ｂ）のようにエポキシ樹脂層１７を電極２を
有する面を覆うように形成して、（ｃ）のように無電解
銅めっき膜１８をその上から形成する。（ｄ）で、ダイ
シングしてポリイミドテープ８及びエポキシ樹脂層１７
を剥離する。このように、ヒートスプレッダを形成する
ことによってボイドの発生を防ぎつつ、プロセスの簡略
化が図られ、ＬＳＩチップよりも大きなサイズのヒート
スプレッダが得られる。また上記のようにエポキシ樹脂
１７を形成することにより無電解銅めっき形成時のめっ
き液による電極やシリコンチップの腐食を防ぐ。さらに
エポキシ樹脂１７を残して、ポリイミドテープ８のみ剥
離すれば、ＬＳＩチップ１の電極２だけが露出したパッ
ケージ部品として扱うことが可能となる。
【００３２】実施例６． 図６は、この発明の別の実施例であるヒートスプレッダ
形成方法を示す工程図である。図において１５は無電解
銅めっき膜１８上に形成される電解めっき膜で、その他
の符号は図５と同一である。（ａ）は図５（ｃ）と同一
で、上面には無電解銅めっき膜１８が形成されている。
（ｂ）で、無電解銅めっき膜１８の上に、電解めっき膜
１５を形成する。さらに、（ｃ）のようにダイシングし
てポリイミドテープ８とエポキシ樹脂層１７を剥離す
る。
形成方法を示す工程図である。図において１５は無電解
銅めっき膜１８上に形成される電解めっき膜で、その他
の符号は図５と同一である。（ａ）は図５（ｃ）と同一
で、上面には無電解銅めっき膜１８が形成されている。
（ｂ）で、無電解銅めっき膜１８の上に、電解めっき膜
１５を形成する。さらに、（ｃ）のようにダイシングし
てポリイミドテープ８とエポキシ樹脂層１７を剥離す
る。
【００３３】はじめに無電解めっき膜を形成し、その後
に電解めっき膜を形成することによって、無電解めっき
のみの場合に比べ、容易にめっき膜が形成され、しかも
十分短い時間で厚いヒートスプレッダが形成され、ま
た、はんだ接合時のボイドも生じないので熱伝導もよ
い。また複数のＬＳＩチップに同時にヒートスプレッダ
を形成するので、プロセスの簡略化が図れる。
に電解めっき膜を形成することによって、無電解めっき
のみの場合に比べ、容易にめっき膜が形成され、しかも
十分短い時間で厚いヒートスプレッダが形成され、ま
た、はんだ接合時のボイドも生じないので熱伝導もよ
い。また複数のＬＳＩチップに同時にヒートスプレッダ
を形成するので、プロセスの簡略化が図れる。
【００３４】実施例７． 図７は、この発明の別の実施例であるヒートスプレッダ
の形成方法を示す工程図である。図において、１９は寸
法１２×１２×０．３ｍｍの共晶はんだシート、２０は
例えば、実施例４〜６のヒートスプレッダ形成方法によ
る、ＬＳＩチップ１の裏面に無電解銅めっきや電解銅め
っきによって形成された第一のヒートスプレッダ、２１
は寸法１２×１２×１．５ｍｍの銅板で第二のヒートス
プレッダとなる。銅板２１の表面は、はんだ濡れしやす
いようにニッケルめっきが施してある。
の形成方法を示す工程図である。図において、１９は寸
法１２×１２×０．３ｍｍの共晶はんだシート、２０は
例えば、実施例４〜６のヒートスプレッダ形成方法によ
る、ＬＳＩチップ１の裏面に無電解銅めっきや電解銅め
っきによって形成された第一のヒートスプレッダ、２１
は寸法１２×１２×１．５ｍｍの銅板で第二のヒートス
プレッダとなる。銅板２１の表面は、はんだ濡れしやす
いようにニッケルめっきが施してある。
【００３５】まず、（ａ）のように、銅板２１上にはん
だシート１９を配置し、ヒートスプレッダ２０を形成し
たＬＳＩチップ１を配置し、２３０℃のホットプレート
上に５分間静置する。その後、室温で冷却すると、
（ｂ）のようにはんだ付けされる。このように、ヒート
スプレッダを形成することにより、（ｂ）に示すよう
に、はんだ部分にボイド５が形成された場合でも、ヒー
トスプレッダ２０が間に存在するため、ボイド５がＬＳ
Ｉチップ１に接触して存在している場合に比較して、ボ
イド５の悪影響は、はるかに小さい。
だシート１９を配置し、ヒートスプレッダ２０を形成し
たＬＳＩチップ１を配置し、２３０℃のホットプレート
上に５分間静置する。その後、室温で冷却すると、
（ｂ）のようにはんだ付けされる。このように、ヒート
スプレッダを形成することにより、（ｂ）に示すよう
に、はんだ部分にボイド５が形成された場合でも、ヒー
トスプレッダ２０が間に存在するため、ボイド５がＬＳ
Ｉチップ１に接触して存在している場合に比較して、ボ
イド５の悪影響は、はるかに小さい。
【００３６】実施例８． 従来、無電解銅めっき膜形成で、一般に使用されるバラ
ジウムからなる無電解めっきの核を用いた活性化処理に
比べ、金属水酸化物のコロイドを核とした活性化処理法
は格段にコストが低いという利点があるものの、無電解
銅めっき膜の密着性に乏しく、不均一であった。そのた
めに従来の技術に示したように、核を付着する前に、あ
らかじめエッチングによりその表面を粗くしておいた。
ジウムからなる無電解めっきの核を用いた活性化処理に
比べ、金属水酸化物のコロイドを核とした活性化処理法
は格段にコストが低いという利点があるものの、無電解
銅めっき膜の密着性に乏しく、不均一であった。そのた
めに従来の技術に示したように、核を付着する前に、あ
らかじめエッチングによりその表面を粗くしておいた。
【００３７】図８は、この発明の実施例を示す強固な無
電解めっき膜の形成工程図であり、特に無電解銅めっき
膜形成時の活性化処理の手順を示すものである。図にお
いて、３０は無電解銅めっき処理の施される部材、例え
ばＡＢＳプラスチック板、３１は活性化処理のためのＡ
ＢＳプラスチック板３０に付着させる無電解めっきの
核、３２はＡＢＳプラスチック板に形成された無電解銅
めっき膜である。
電解めっき膜の形成工程図であり、特に無電解銅めっき
膜形成時の活性化処理の手順を示すものである。図にお
いて、３０は無電解銅めっき処理の施される部材、例え
ばＡＢＳプラスチック板、３１は活性化処理のためのＡ
ＢＳプラスチック板３０に付着させる無電解めっきの
核、３２はＡＢＳプラスチック板に形成された無電解銅
めっき膜である。
【００３８】図８で、（ａ）のＡＢＳプラスチック板３
０の表面に核３１を付着させる。核３１として、Ｃｕと
Ｎｉからなる混合水酸化物コロイドを採用する。例えば
ＣｕＳＯ4とＮｉＳＯ4を所定の割合で混合し、Ｎａ2Ｃ
Ｏ3水溶液でｐＨを調節したコロイド溶液を（ｂ）のよ
うに、ＡＢＳプラスチック板３０の表面に塗布する。さ
らに無電解銅めっき液に浸漬することにより、核３１よ
りめっき液がその表面に固着し始め、（ｃ）のように、
表面全体に無電解銅めっき膜３２が形成される。Ｃｕと
Ｎｉのように複数の金属からなる混合水酸化物コロイド
をめっき膜形成の核とすることにより、さらに強固に密
着され、均一性にも優れた無電解銅めっき膜を得ること
ができる。
０の表面に核３１を付着させる。核３１として、Ｃｕと
Ｎｉからなる混合水酸化物コロイドを採用する。例えば
ＣｕＳＯ4とＮｉＳＯ4を所定の割合で混合し、Ｎａ2Ｃ
Ｏ3水溶液でｐＨを調節したコロイド溶液を（ｂ）のよ
うに、ＡＢＳプラスチック板３０の表面に塗布する。さ
らに無電解銅めっき液に浸漬することにより、核３１よ
りめっき液がその表面に固着し始め、（ｃ）のように、
表面全体に無電解銅めっき膜３２が形成される。Ｃｕと
Ｎｉのように複数の金属からなる混合水酸化物コロイド
をめっき膜形成の核とすることにより、さらに強固に密
着され、均一性にも優れた無電解銅めっき膜を得ること
ができる。
【００３９】図９はＪＩＳ規格Ｃ６４８１に基づいて、
Ｃｕコロイドのみの核と、Ｃｕ−Ｎｉの複数金属からな
る水酸化物コロイドの核のそれぞれ用いた活性化処理に
よる無電解銅めっき膜の引きはがし試験を行った結果を
示すものである。Ｃｕコロイドのみでは０．３２〜０．
５２ｋｇ／ｃｍの引きはがし力を要するのに対して、Ｃ
ｕ−Ｎｉコロイドでは１．６３〜２．１４ｋｇ／ｃｍの
引きはがし力を要した。従って形成されためっき膜の密
着度は、複数金属のコロイドを用いることにより飛躍的
に増大した。
Ｃｕコロイドのみの核と、Ｃｕ−Ｎｉの複数金属からな
る水酸化物コロイドの核のそれぞれ用いた活性化処理に
よる無電解銅めっき膜の引きはがし試験を行った結果を
示すものである。Ｃｕコロイドのみでは０．３２〜０．
５２ｋｇ／ｃｍの引きはがし力を要するのに対して、Ｃ
ｕ−Ｎｉコロイドでは１．６３〜２．１４ｋｇ／ｃｍの
引きはがし力を要した。従って形成されためっき膜の密
着度は、複数金属のコロイドを用いることにより飛躍的
に増大した。
【００４０】また、通常は活性化処理の前処理として表
面を粗くするエッチング処理を施すが、その際には猛毒
であるＣｒＯ3飽和水溶液を用いる。これは、被めっき
物の表面を適度に粗くすることによって密着度を増すね
らいがある。図１０はエッチングの程度（エッチング時
間で表している）、すなわち表面の粗さに対する無電解
めっき膜の引きはがし強さ（ｋｇ／ｃｍ）を示したもの
で、めっき形成の核としてパラジウムを用いたもの、Ｃ
ｕ−Ｎｉ混合コロイド（ＣｕとＮｉの混合比を２対１と
した）を用いた場合の試験を行った。図からわかるよう
にＰｄでは密着性を増大させるために、ある程度のエッ
チング処理を要するが、Ｃｕ−Ｎｉ混合コロイドによる
活性化処理はエッチングの程度にかかわらず安定した引
きはがし強さを有し、特にエッチングにより表面を粗く
する必要もなく無電解めっき膜は強固な密着性を有す
る。
面を粗くするエッチング処理を施すが、その際には猛毒
であるＣｒＯ3飽和水溶液を用いる。これは、被めっき
物の表面を適度に粗くすることによって密着度を増すね
らいがある。図１０はエッチングの程度（エッチング時
間で表している）、すなわち表面の粗さに対する無電解
めっき膜の引きはがし強さ（ｋｇ／ｃｍ）を示したもの
で、めっき形成の核としてパラジウムを用いたもの、Ｃ
ｕ−Ｎｉ混合コロイド（ＣｕとＮｉの混合比を２対１と
した）を用いた場合の試験を行った。図からわかるよう
にＰｄでは密着性を増大させるために、ある程度のエッ
チング処理を要するが、Ｃｕ−Ｎｉ混合コロイドによる
活性化処理はエッチングの程度にかかわらず安定した引
きはがし強さを有し、特にエッチングにより表面を粗く
する必要もなく無電解めっき膜は強固な密着性を有す
る。
【００４１】実施例９． 実施例８ではＣｕをＮｉの混合水酸化物コロイドを核と
してめっき膜形成の活性化処理を行った。ＣｕＳＯ4及
びＮｉＳＯ4をそれぞれＮａＯＨ水溶液でコロイド化す
るとｐＨ６．９０〜９．８５の間ではＣｕコロイドは
−、Ｎｉコロイドは＋に帯電する。そこで、混合液のｐ
Ｈを所定の値にしておき、ＣｕコロイドとＮｉコロイド
の混合比を変化させ、混合コロイドの帯電をコントロー
ルし、活性化処理に利用することにより密着度の大きな
無電解めっき被膜を形成することができる。
してめっき膜形成の活性化処理を行った。ＣｕＳＯ4及
びＮｉＳＯ4をそれぞれＮａＯＨ水溶液でコロイド化す
るとｐＨ６．９０〜９．８５の間ではＣｕコロイドは
−、Ｎｉコロイドは＋に帯電する。そこで、混合液のｐ
Ｈを所定の値にしておき、ＣｕコロイドとＮｉコロイド
の混合比を変化させ、混合コロイドの帯電をコントロー
ルし、活性化処理に利用することにより密着度の大きな
無電解めっき被膜を形成することができる。
【００４２】例えば、図１０の試験においてＣｕとＮｉ
の混合化を２対１としたことで全体として＋に帯電させ
ることができる。強酸性領域以外では−に帯電している
ＡＢＳプラスチックへの付着を助長するねらいがある。
また、混合比を逆転すれば、全体として−に帯電するた
め、＋帯電した物質への核の付着を助長することができ
る。
の混合化を２対１としたことで全体として＋に帯電させ
ることができる。強酸性領域以外では−に帯電している
ＡＢＳプラスチックへの付着を助長するねらいがある。
また、混合比を逆転すれば、全体として−に帯電するた
め、＋帯電した物質への核の付着を助長することができ
る。
【００４３】また、逆にＣｕコロイドとＮｉコロイドの
混合比を所定の値にしておき、混合液のｐＨを変化させ
ることにより、混合コロイドの帯電をコントロールする
ことができ、活性化処理に利用することにより密着度の
大きな無電解めっき被膜を形成することができる。同様
にして、無電解めっきがなされる部材の帯電状態に応じ
て混合コロイドをコントロールして、その部材への核の
付着を助長させる。
混合比を所定の値にしておき、混合液のｐＨを変化させ
ることにより、混合コロイドの帯電をコントロールする
ことができ、活性化処理に利用することにより密着度の
大きな無電解めっき被膜を形成することができる。同様
にして、無電解めっきがなされる部材の帯電状態に応じ
て混合コロイドをコントロールして、その部材への核の
付着を助長させる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のパッケ
ージ部品の製造方法によれば、電子部品を基板の所定位
置に固定する工程と、この電子部品と基板に樹脂層を形
成する工程と、この電子部品の基板との取付面が露出さ
れた開口部を基板に形成する工程と、この開口部にヒー
トスプレッダとなる金属めっき膜を形成する工程を含む
ので、電子部品とヒートスプレッダの間で、はんだによ
るボイド等の接合不良を防止することができ、熱伝導の
良いヒートスプレッダを有するパッケージ部品が得られ
るという効果を奏する。
ージ部品の製造方法によれば、電子部品を基板の所定位
置に固定する工程と、この電子部品と基板に樹脂層を形
成する工程と、この電子部品の基板との取付面が露出さ
れた開口部を基板に形成する工程と、この開口部にヒー
トスプレッダとなる金属めっき膜を形成する工程を含む
ので、電子部品とヒートスプレッダの間で、はんだによ
るボイド等の接合不良を防止することができ、熱伝導の
良いヒートスプレッダを有するパッケージ部品が得られ
るという効果を奏する。
【００４５】また、この発明のパッケージ部品の製造方
法によれば、開口部にヒートスプレッダとなる第一の金
属めっき膜を形成する工程と、電子部品の電極を除いて
形成された樹脂層にこの電極と接続するリードとなる第
二の金属めっき膜を形成する工程を含むので、パッケー
ジ部品を有するリードとヒートスプレッダが同時に形成
され、その製造プロセスを簡略化することができ、かつ
熱伝導性の良いヒートスプレッダが得られるという効果
を奏する。
法によれば、開口部にヒートスプレッダとなる第一の金
属めっき膜を形成する工程と、電子部品の電極を除いて
形成された樹脂層にこの電極と接続するリードとなる第
二の金属めっき膜を形成する工程を含むので、パッケー
ジ部品を有するリードとヒートスプレッダが同時に形成
され、その製造プロセスを簡略化することができ、かつ
熱伝導性の良いヒートスプレッダが得られるという効果
を奏する。
【００４６】また、この発明のパッケージ部品の製造方
法によれば、電子部品の電極を有する面を向かい合わせ
て、電子部品を基板の一面に固定する工程と、電子部品
の基板との取付面の少なくとも一部と、この電子部品の
電極とが露出された開口部を基板に形成する工程と、こ
の開口部および基板の裏面に上記の電極と接続するリー
ド、そして電子部品の基板との取付面にヒートスプレッ
ダとなる金属めっき膜を形成する工程を含むので、同様
に製造プロセスを簡略化しつつ、また熱伝導性の良いヒ
ートスプレッダを電子部品の電極を有する面にも容易に
形成できるという効果を奏する。
法によれば、電子部品の電極を有する面を向かい合わせ
て、電子部品を基板の一面に固定する工程と、電子部品
の基板との取付面の少なくとも一部と、この電子部品の
電極とが露出された開口部を基板に形成する工程と、こ
の開口部および基板の裏面に上記の電極と接続するリー
ド、そして電子部品の基板との取付面にヒートスプレッ
ダとなる金属めっき膜を形成する工程を含むので、同様
に製造プロセスを簡略化しつつ、また熱伝導性の良いヒ
ートスプレッダを電子部品の電極を有する面にも容易に
形成できるという効果を奏する。
【００４７】また、この発明のパッケージ部品の製造方
法によれば、電子部品の表面を露出させる開口部は、電
子部品の発熱部分の表面に形成し、その開口部にヒート
スプレッダとなる金属めっき膜を形成するので、電子部
品の搭載される基板の必要部分のみが開口され、その基
板の強度を維持しつつ、効果的な熱伝導を行うヒートス
プレッダを形成することができるという効果を奏する。
法によれば、電子部品の表面を露出させる開口部は、電
子部品の発熱部分の表面に形成し、その開口部にヒート
スプレッダとなる金属めっき膜を形成するので、電子部
品の搭載される基板の必要部分のみが開口され、その基
板の強度を維持しつつ、効果的な熱伝導を行うヒートス
プレッダを形成することができるという効果を奏する。
【００４８】この発明におけるヒートスプレッダの形成
方法によれば、複数の電子部品が配列された半導体基板
の、これらの電子部品の電極を有する面の裏面に金属め
っき膜を形成する工程と、上記の半導体基板をそれぞれ
各電子部品毎に切り離す工程を含むので、一度に複数の
熱伝導性の良いヒートスプレッダ付き電子部品を形成す
ることができ、かつ製造プロセスを簡略化することがで
きるという効果を奏する。
方法によれば、複数の電子部品が配列された半導体基板
の、これらの電子部品の電極を有する面の裏面に金属め
っき膜を形成する工程と、上記の半導体基板をそれぞれ
各電子部品毎に切り離す工程を含むので、一度に複数の
熱伝導性の良いヒートスプレッダ付き電子部品を形成す
ることができ、かつ製造プロセスを簡略化することがで
きるという効果を奏する。
【００４９】また、この発明におけるヒートスプレッダ
の形成方法によれば、電子部品の電極を有する面を向か
い合わせて、電子部品を取付台に配置する工程と、電子
部品の取付台との取付面の裏面の少なくとも一部を除
き、かつこの電子部品の電極を有する面を覆うように樹
脂層を形成する工程と、電子部品の取付台との取付面の
裏面に金属めっき膜を形成する工程と、電子部品をこの
取付台より切り離す工程を含むので、めっき形成時に、
めっき液が電極部分に接触することによる電極やその電
極を有する面の腐食を防ぐとともに、熱伝導性の良いヒ
ートスプレッダを形成することができるという効果を奏
する。
の形成方法によれば、電子部品の電極を有する面を向か
い合わせて、電子部品を取付台に配置する工程と、電子
部品の取付台との取付面の裏面の少なくとも一部を除
き、かつこの電子部品の電極を有する面を覆うように樹
脂層を形成する工程と、電子部品の取付台との取付面の
裏面に金属めっき膜を形成する工程と、電子部品をこの
取付台より切り離す工程を含むので、めっき形成時に、
めっき液が電極部分に接触することによる電極やその電
極を有する面の腐食を防ぐとともに、熱伝導性の良いヒ
ートスプレッダを形成することができるという効果を奏
する。
【００５０】また、この発明におけるヒートスプレッダ
の形成方法によれば、金属めっき膜を形成する工程は、
電子部品の取付台との取付面の裏面を覆うように無電解
めっき膜を形成した後、上記無電解めっき膜の上に電解
めっき膜を形成する工程を含むので、短時間で厚みのあ
るヒートスプレッダを電子部品に形成できるという効果
を奏する。
の形成方法によれば、金属めっき膜を形成する工程は、
電子部品の取付台との取付面の裏面を覆うように無電解
めっき膜を形成した後、上記無電解めっき膜の上に電解
めっき膜を形成する工程を含むので、短時間で厚みのあ
るヒートスプレッダを電子部品に形成できるという効果
を奏する。
【００５１】この発明における無電解めっき膜形成方法
によると、複数の金属水酸化物を有する混合水酸化物コ
ロイドを、めっき膜の形成される部材に付着させた後
に、無電解めっき液を供給するので、めっきの施される
面を粗くするエッチングの工程が不要で、密着性の優れ
た無電解めっき膜を形成できるという効果を奏する。
によると、複数の金属水酸化物を有する混合水酸化物コ
ロイドを、めっき膜の形成される部材に付着させた後
に、無電解めっき液を供給するので、めっきの施される
面を粗くするエッチングの工程が不要で、密着性の優れ
た無電解めっき膜を形成できるという効果を奏する。
【図１】この発明の実施例１に示すヒートスプレッダ付
きのパッケージ部品の製造プロセスの工程図である。
きのパッケージ部品の製造プロセスの工程図である。
【図２】この発明の実施例２に示すヒートスプレッダ付
きのパッケージ部品の製造プロセスの工程図である。
きのパッケージ部品の製造プロセスの工程図である。
【図３】この発明の実施例３に示すヒートスプレッダ付
きのパッケージ部品の製造プロセスの工程図である。
きのパッケージ部品の製造プロセスの工程図である。
【図４】この発明の実施例４に示す電子部品へのヒート
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
【図５】この発明の実施例５に示す電子部品へのヒート
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
【図６】この発明の実施例６に示す電子部品へのヒート
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
【図７】この発明の実施例７に示す電子部品へのヒート
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
スプレッダの形成プロセスの工程図である。
【図８】この発明の実施例８に示す無電解めっき膜形成
プロセスの工程図である。
プロセスの工程図である。
【図９】この発明の実施例８により形成された無電解め
っき膜の引きはがしの強さを示すデータ図である。
っき膜の引きはがしの強さを示すデータ図である。
【図１０】この発明の実施例８により形成された無電解
めっき膜の引きはがしの強さを示す別のデータ図であ
る。
めっき膜の引きはがしの強さを示す別のデータ図であ
る。
【図１１】従来技術による、電子部品にヒートスプレッ
ダを形成する方法を示す工程図、及びヒートスプレッダ
の搭載されたパッケージ部品を示す断面図である。
ダを形成する方法を示す工程図、及びヒートスプレッダ
の搭載されたパッケージ部品を示す断面図である。
【図１２】従来技術による、無電解銅めっき膜を形成す
る方法を示す工程図である。
る方法を示す工程図である。
【符号の説明】 １ ＬＳＩチップ ２ 電極 ８ ポリイミドテープ ９ 紫外光硬化樹脂皮膜 １０ 開口部 １１ 金属めっき層 １２ ヒートスプレッダ １３ リード １５ 電解銅めっき膜 １６ ヒートスプレッダ １７ エポキシ樹脂層 １８ 無電解銅めっき膜 ３０ ＡＢＳプラスチック板 ３１ めっき核 ３２ 無電解銅めっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星之内 進 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 河嶋 康夫 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−6464（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−241347（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28,23/50,21/56
Claims (6)
- 【請求項１】 電子部品の電極を有する面を表に向け
て、上記電子部品を基板に固定する工程と、上記電子部
品と基板に、上記電極を除いて樹脂層を形成する工程
と、電子部品の上記基板との取付面が露出された開口部
を上記基板に形成する工程と、上記開口部にヒートスプ
レッダとなる第一の金属めっき膜を形成する工程と、上
記樹脂層に上記電極と接続するリードとなる第二の金属
めっき膜を形成する工程を含んだことを特徴とするパッ
ケージ部品の製造方法。 - 【請求項２】 電子部品の電極を有する面と向かい合わ
せて、上記電子部品を基板の一面に固定する工程と、電
子部品の上記基板との取付面の少なくとも一部と、上記
電極とが露出された開口部を上記基板に形成する工程
と、上記開口部および上記基板の裏面に、上記電極と接
続するリード、および電子部品の上記基板との取付面に
ヒートスプレッダとなる金属めっき膜を形成する工程を
含んだことを特徴とするパッケージ部品の製造方法。 - 【請求項３】 電子部品の表面を露出させる開口部を形
成する工程において、上記開口部は電子部品の発熱部分
の表面を露出させたことを特徴とする請求項１または請
求項２記載のパッケージ部品の製造方法。 - 【請求項４】 電子部品の電極を有する面を向かい合わ
せて、上記電子部品を取付台に配置する工程と、上記電
子部品の上記取付台との取付面の裏面の少なくとも一部
を除き、かつ上記電子部品の電極を有する面を覆うよう
に樹脂層を形成する工程と、電子部品の上記取付台との
取付面に金属めっき膜を形成する工程と、上記電子部品
を上記取付台より切り離す工程を含んだことを特徴とす
るヒートスプレッダ形成方法。 - 【請求項５】 金属めっき膜を形成する工程は、電子部
品の取付台との取付面の裏面を覆うように無電解めっき
膜を形成した後、上記無電解めっき膜の上に電解めっき
膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４記載
のヒートスプレッダ形成方法。 - 【請求項６】 電子部品の表面に形成されたヒートスプ
レッダとなる金属めっき膜に、他のヒートスプレッダと
なる金属材を接合した工程を含むことを特徴とする請求
項４または請求項５記載のヒートスプレッダ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33165993A JP3201501B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | パッケージ部品の製造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33165993A JP3201501B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | パッケージ部品の製造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001125698A Division JP2001355075A (ja) | 2001-04-24 | 2001-04-24 | 無電解めっき膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193168A JPH07193168A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3201501B2 true JP3201501B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=18246147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33165993A Expired - Fee Related JP3201501B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | パッケージ部品の製造方法及びこのパッケージ部品用のヒートスプレッダの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201501B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7520228B2 (ja) * | 2021-05-27 | 2024-07-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33165993A patent/JP3201501B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07193168A (ja) | 1995-07-28 |
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